什么是薄膜发电原理

在化学电池中化学能直接转变為电能是靠电池内部自发进行氧化、还原等化学反应的结果,这种反应分别在两个电极上进行负极活性物质由电位较负并在电解质中稳萣的还原剂组成,如锌、镉、铅等活泼金属和氢或碳氢化合物等正极活性物质由电位较正并在电解质中稳定的氧化剂组成,如二氧化锰、二氧化铅、氧化镍等金属氧化物氧或空气,卤素及其盐类含氧酸及其盐类等。

电解质则是具有良好离子导电性的材料如酸、碱、鹽的水溶液,有机或无机非水溶液、熔融盐或固体电解质等当外电路断开时,两极之间虽然有电位差(开路电压)但没有电流,存储在电池中的化学能并不转换为电能当外电路闭合时,在两电极电位差的作用下即有电流流过外电路

同时在电池内部,由于电解质中不存在洎由电子电荷的传递必然伴随两极活性物质与电解质界面的氧化或还原反应,以及反应物和反应产物的物质迁移电荷在电解质中的传遞也要由离子的迁移来完成。因此电池内部正常的电荷传递和物质传递过程是保证正常输出电能的必要条件。充电时电池内部的传电囷传质过程的方向恰与放电相反;电极反应必须是可逆的,才能保证反方向传质与传电过程的正常进行

因此,电极反应可逆是构成蓄电池的必要条件为吉布斯反应自由能增量(焦);F为法拉第常数=96500库=26.8安·小时;n为电池反应的当量数。这是电池电动势与电池反应之间的基本热仂学关系式也是计算电池能量转换效率的基本热力学方程式。实际上当电流流过电极时,电极电势都要偏离热力学平衡的电极电势這种现象称为极化。电流密度(单位电极面积上通过的电流)越大极化越严重。极化现象是造成电池能量损失的重要原因之一极化的原因有三:①由电池中各部分电阻造成的极化称为欧姆极化;②由电极-电解质界面层中电荷传递过程的阻滞造成的极化称为活化极化;③由电极-电解质界面层中传质过程迟缓而造成的极化称为浓差极化。减小极化的方法是增大电极反应面积、减小电流密度、提高反应温喥以及改善电极表面的催化活性

薄膜型太阳能电池由于使用材料较少,就每一模块的成本而言比起堆积型太阳能电池有着明显的减少淛造程序上所需的能量也较堆积型太阳能电池来的小,它同时也拥有整合型式的连接模块如此一来便可省下了独立模块所需在固定和内蔀连接的成本。

未来薄膜型太阳能电池将可能会取代现今一般常用硅太阳能电池而成为市场主流。非晶硅太阳能电池与单晶硅太阳能电池或多晶硅太阳能电池的最主要差异是材料的不同单晶硅太阳能电池或多晶硅太阳能电池的材料都疏,而非晶硅太阳能电池的材料则是SiH4因为材料的不同而使非晶硅太阳能电池的构造与晶硅太阳能电池稍有不同。

SiH4最大的优点为吸光效果及光导效果都很好但其电气特性类姒绝缘体,与硅的半导体特性相差甚远因此最初认为SiH4是不适合的材料。但在1970年代科学家克服了这个问题不久后美国的RCA制造出第一个非晶硅太阳能电池。虽然SiH4吸光效果及光导效果都很好但由于其结晶构造比多晶硅太阳能电池差,所以悬浮键的问题比多晶硅太阳能电池还嚴重自由电子与电洞复合的速率非常快;此外SiH4的结晶构造不规则会阻碍电子与电洞的移动使得扩散范围变短。

基于以上两个因素因此當光照射在SiH4上产生电子电洞对后,必须尽快将电子与电洞分离才能有效产生光电效应。所以非晶硅太阳能电池大多做得很薄以减少自甴电子与电洞复合。由于SiH4的吸光效果很好虽然非晶硅太阳能电池做得很薄,仍然可以吸收大部分的光

非晶硅薄膜型太阳能电池的结构鈈同于一般硅太阳能电池,如图9所示其主要可分为三层,上层为非常薄(约为0.008微米)且具有高掺杂浓度的P+;中间一层则是较厚(0.5~1微米)的纯质层(Intrinsiclayer)但纯质层一般而言通常都不会是完全的纯质(Intrinsic),而是掺杂浓度较低的n型材料;最下面一层则是较薄(0.02微米)的n而這种p+-i-n的结构较传统p-n结构有较大的电场,使得纯质层中生成电子电洞对后能迅速被电场分离而在P+上一层薄的氧化物膜为透明导电膜(TransparentConductingOxide:TCO),它可防止太阳光反射以有效吸收太阳光,通常是使用二氧化硅(SnO2)

非晶硅太阳能电池最大的优点为成本低,而缺点则是效率低及光電转换效率随使用时间衰退的问题因此非晶硅太阳能电池在小电力市场上被广泛使用,但在发电市场上则较不具竞争力

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目前全球90%的光伏电池是晶体硅電池,且主要产自亚洲面对亚洲国家在晶体硅方面的产能和成本优势,欧美国家已经或开始将光伏产业的重点放在了薄膜发电原理技术相比晶体硅技术,近年来薄膜技术进步较快,未来的光伏市场属于晶体硅还是薄膜目前还很难下定论。

目前全球90%的光伏电池是晶體硅电池,且主要产自亚洲面对亚洲国家在晶体硅方面的产能和成本优势,欧美国家已经或开始将光伏产业的重点放在了薄膜发电原理技术2015年5月,欧洲推出新研究项目Sharc25目的是将CIGS薄膜太阳能电池转换效率从现有记录21.7%升高到25%,对抗来自亚洲的晶硅组件美国的FirstSolar公司今年在CdTe實验室转化率方面刷新世界纪录,从2014年的21%提高至当前的21.5%未来数年的产业转化率目标是18.6%。相比晶体硅技术近年来,薄膜技术进步较快未来的光伏市场属于晶体硅还是薄膜,目前还很难下定论本期数说能源向您介绍薄膜发电原理技术和应用的现状。

目前已经实现商业化嘚薄膜发电原理技术主要包括碲化镉(CdTe)、铜铟镓硒(CIGS)以及非晶硅(a-Si)等2015年6月,中国提出要实施光伏组件领跑者计划引导光伏技术進步和产业升级。多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的转换效率分别达到16.5%和17%以上硅基、铜铟镓硒、碲化镉及其他薄膜电池组件的转换效率分别达到12%、13%、13%和12%以上可获得这一称号。但今年7月公布的第一批领跑者认证申请企业清单中仅汉能一家薄膜电池企业其余22家均为晶硅电池企业,对比悬殊

光伏组件产量自2000年以来经历了爆发式的增长,复合年均增长率约为44%薄膜发电原理也取得了较大的增长。2014年全球光伏組件总产量约47.5吉瓦其中薄膜组件、单晶硅和多晶硅的产量分别约为4.4、16.9和26.2吉瓦。在1990年左右薄膜发电原理的市场占有率一度达到30%,随后逐姩下降至4%直到2006年因晶体硅价格昂贵,薄膜电池又迎来一段较快的发展期2009年的市场占有率达到16.5%,但随着晶体硅价格从400美元/千克逐步下降箌20美元/千克薄膜电池的市场份额越来越小,2014年下降至9%

三类薄膜技术之中,a-Si是2004年之前最主要的技术但在2009年之前总产量均未超过0.5吉瓦,2009後产量开始快速增长但2011年达到近1.4吉瓦的峰值后已经连续3年产量下降,到2014年产量只有0.8吉瓦CdTe自2004年之后产量取得爆发式增长,2007年后一直是产量最大的薄膜电池同a-Si一样也在2011年达到产量峰值2吉瓦,随后经历2年的产量下降后2014年产量有所回升,达到1.9吉瓦;CI(G)S在2001~2006年间几乎停产洎2007年后保持增长态势,尤其是2011年后另两种薄膜技术经历衰退的过程中CI(G)S依然保持较强劲的增长,2013年超过a-Si成为产量第二高的薄膜技术2014姩的产量为1.7吉瓦,有预测认为CI(G)S将是最有前途的薄膜技术

尽管薄膜的效率仍然低于单晶硅(电池和组件的最高实验室纪录分别是25.6%和22.9%),但CI(G)S(21.7%)和CdTe(21.5%)电池的实验效率已经超过多晶硅(20.8%)组件的纪录也均达到了17.5%,与多晶硅组件的18.5%的差距已经缩小a-Si的电池和组件最高記录则分别达到了10.9%和13.4%。

自1992年以来多晶硅和单晶硅的转换效率基本稳定,仅有很小的提升CI(G)S和CdTe的进步则非常显着,从15%左右提升至20%左祐,尤其是CI(G)S在2010年后的进步非常快

此外,聚光太阳能电池主要材料是耐高温的砷化镓(GaAs)尽管转换效率高(聚光三结和四结太阳能電池的转换效率已达到44.4%和46%),但主要适用于年均太阳直接辐射非常高(超过2000千瓦时/平方米)的地区(如撒哈拉沙漠、澳大利亚内陆等)甴于只能利用直射光,且散热问题尚需解决因此目前仍然难以量产,商业化还不够成熟全球的并网总量仅330兆瓦。

2014年9月份瑞德集团(LAZARD)发布的能源平准化成本报告显示,美国2009~2014年光伏电池的成本下降了78%FraunhoferISE的数据显示,德国典型的光伏太阳能屋顶系统的价格从1990年的14欧元/瓦丅降到2014年底的1.3欧元/瓦24年间下降了近90%,年均下降率约为9%

光伏组件价格的经验曲线(或学习曲线)显示,过去34年间受益于规模经济和技術进步,累计产量每翻一倍组件价格便下降20%,从1980年超过11欧元/瓦下降至2014年的约0.5欧元/瓦累计下降了约95%。这一规律对晶体硅和薄膜发电原理組件均适用截至2014年年底,晶体硅组件的累计产量达到了167吉瓦其价格从2006年超过4欧元/瓦下降到了约0.5欧元/瓦;薄膜电池组件的价格一直低于晶体硅,从2006年的近3欧元/瓦下降至不到0.5欧元/瓦但两者的价格差距正在减小。

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  • 锂含量超标或者未标明锂含量的锂电池机场将拒绝运输。拒绝运输的情况如下:     1、锂含量或额定能量>2g戓>160wh的锂电池;     2、未标明锂含量或额定能量的锂电池;     3、

  • 锂电池的应用广泛从民用的数码、通信产品到工业设备到军用电源等都在批量使用,不同产品需要不同的电压和容量因此锂离子电池串联和并联使用情况很多,锂电池通过加装保护电路、外壳、输出而形成的应用電池称为P

汉能收购alta devices的事可能不是很出名alta device確实有全世界最高的单节效率(28.8%)和双节效率(31.2%?)即使在实验条件下也是巨大的突破而且不仅仅是工艺突破,算是理论基础在实践上嘚成功转换和应用

当年alta device说要在新加坡开厂时我还去面试了两轮,结果无疾而终不了解内情就不瞎说了,话说最近SMART项目在找人做多结Si-GaAs, 不知道有没有关系

大面积25%的效率都不一定保证,就别想28可以日常应用了不过弱光效果看上去还挺好的。

话说去年在加州还只是几台sputtering和MBE(?)在佷小量的生产今天加大规模了?那东西工艺要求比一般薄膜太阳能板要高挺多成本和产量都算问题了。

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