MBT3904驱动5V自保持继电器原理图。原理图,求一个……

单片机驱动mos管电2113路主要根据MOS管要驅5261动什么东西 要只是一个自保持继电器原理图之4102类的小负载的1653话直接用51的引脚驱动就可以,要注意电感类负载要加保护二极管和吸收缓沖最好用N沟道的MOS。

如果驱动的东西(功率)很大(大电流、大电压的场合),最好要做电气隔离、过流超压保护、温度保护等此时既要隔离传送控制信号(例如PWM信号),也要给驱动级(MOS管的推动电路)传送电能

常用的信号传送有PC923  PC929  6N137  TL521等 至于电能的传送可以用DC-DC模块。如果昰做产品的话建议自己搞一个建议的DC-DC这样可以降低成本。然后MOS管有一种简单的驱动方式:2SC15NPN与PNP一个用于MOS开启驱动,一个用于MOS快速关断

开啟电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;

标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V

即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比

这一特性有时以流过栅极的栅流表示

MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。

在VGS=0(增强型)嘚条件下 ,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS

有些MOS管中其沟道长度较短,不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区使沟道长度为零,即产生漏源间的穿通穿通后,源区中的多数载流子将直接受耗尽层电场的吸引,到达漏区产生大的ID

在增加柵源电压过程中,使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS称为栅源击穿电压BVGS。

在VDS为某一固定数值的条件下 漏极电流的微变量和引起这个变化的柵源电压微变量之比称为跨导

gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力,是表征MOS管放大能力的一个重要参数

一般在十分之几至几mA/V的范围内

导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 是漏极特性某一点切线的斜率的倒数

在饱和区,ID几乎不随VDS改变RON的数值很大,一般在几十千欧到几百千欧之间

由於在数字电路中 MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下,所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似

对一般的MOS管而言RON的数值在几百欧以内

三个电极の间都存在着极间电容:栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS

8. 低频噪声系数NF

噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的。·由于它的存在,就使一个放大器即便在没有信号输人时,在输出端也出现不规则的电压或电流变化

噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示它的单位為分贝(dB)。这个数值越小代表管子所产生的噪声越小

低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数

场效应管的噪声系数约为几个分贝,它比双极性三极管的要小

到+5V地是否跟24V接一

保证工作回路看看你的光耦和继电应该是反相控制,三极正偏有点复杂了简化些把R12和R15去掉,R9和光耦4脚直接三极基脚加大R9阻值到5K或以上将基脚电流限淛在1mA以内,这样当光耦截止三极便是饱和导通,继电吸合光耦导通,三极截止继电释放。如果要同相控制则将光耦串接于R9和Q1 B脚这間,4接R92接B,这样,

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5V就可以,不需要换24V

1、估计是用单片机或数字电路的高电平驱动,这样失败的可能性很大高电平电流输出能力很小的,一般不足以驱动光耦

2、建议使用低电平驱动,并加接限流电阻300欧

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你三极管应換成耐压高的管子9013耐压值不够。R2 可以短路不用R5 也可以省略。R34.7~7.5K的即可这样更省电。

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Q10和Q12连起来就行了这个是3.3V驱动12V自保持继电器原理图,你换成5V的就行了这个是实际中用的,没有问题

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