晶体管原理中基区多子是什么

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2014-11-11 11:13 标签： 双极型晶体管
PNP管设计及其准静态电特性分析_百度文库
两大类热门资源免费畅读
续费一年阅读会员，立省24元！
评价文档：
5页¥3.004页¥2.004页¥3.003页¥2.003页¥2.00 3页¥2.0030页1下载券4页免费74页7下载券4页免费
喜欢此文档的还喜欢1页免费
PNP管设计及其准静态电特性分析|器​件​工​艺​课​程​设​计
把文档贴到Blog、BBS或个人站等：
普通尺寸(450*500pix)
较大尺寸(630*500pix)
你可能喜欢大学物理半导体与电磁学基础(四川大学锦城学院陶德元)（可编辑）,大学物理..
扫扫二维码，随身浏览文档
手机或平板扫扫即可继续访问
大学物理半导体与电磁学基础(四川大学锦城学院陶德元)（可编辑）
举报该文档含有违规或不良信息。
反馈该文档无法正常浏览。
举报该文档为重复文档。
推荐理由：
将文档分享至：
分享完整地址
文档地址：
粘贴到BBS或博客
flash地址：
支持嵌入FLASH地址的网站使用
html代码：
&embed src='/DocinViewer-4.swf' width='100%' height='600' type=application/x-shockwave-flash ALLOWFULLSCREEN='true' ALLOWSCRIPTACCESS='always'&&/embed&
450px*300px480px*400px650px*490px
支持嵌入HTML代码的网站使用
您的内容已经提交成功
您所提交的内容需要审核后才能发布，请您等待！
3秒自动关闭窗口您所在位置： &
&nbsp&&nbsp&nbsp&&nbsp
抗ESD SOI LIGBT器件研究.pdf68页
本文档一共被下载：
次 ,您可免费全文在线阅读后下载本文档
文档加载中...广告还剩秒
需要金币：200 &&
你可能关注的文档：
··········
··········
杭州电子科技大学硕士学位论文
GBT器件的研究
研究生： 苏步春
指导教师： 张海鹏副教授
DissertationSubmittedto
University
Anti―ESDSOILIGBT
TheResearchon
Candidate：Su
Supervisor：AssociateProf．ZhangHaipeng
December，2010
杭州电子科技大学
学位论文原创性声明和使用授权说明
原创性声明
本人郑重声明： 所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下，独立进行研究工作所取得的成果。除
文中已经注明引用的内容外，本论文不含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品或成果。对本文的
研究做出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。
申请学位论文与资料若有不实之处，本人承担一切相关责任。
论文作者签名： 苏式芬 日期：p?1年3月泊
学位论文使用授权说明
本人完全了解杭州电子科技大学关于保留和使用学位论文的规定，即：研究生在校攻读学位期间论
文工作的知识产权单位属杭州电子科技大学。本人保证毕业离校后，发表论文或使用论文工作成果时署名
单位仍然为杭州电子科技大学。学校有权保留送交论文的复印件，允许查阅和借阅论文：学校可以公布论
文的全部或部分内容，可以
正在加载中，请稍后...您所在位置： &
&nbsp&&nbsp
2双极型晶体管.ppt81页
本文档一共被下载：
次 ,您可免费全文在线阅读后下载本文档
文档加载中...广告还剩秒
需要金币：50 &&
双极型晶体管
晶体管基本结构 2基本结构及类型 §62
晶体管直流放大机理 2载流子输运过程 §63 均匀基区晶体管直流伏安特性方程
特性方程物理意义 §64
均匀基区晶体管输出短路电流放大系数 方块电阻物理意义 §65
缓变基区晶体管直流放大系数 作业 基区扩展效应 §67
晶体管频率特性
充电时常数分析 §68 晶体管开关特性 §69
异质结晶体管 双极晶体管基本结构与原理双极晶体管直流放大特性双极晶体管频率特性 异质结双极晶体管 HBT
一具有放大功能的晶体管的结构与偏置条件 二晶体管载流子输运过程 三放大能力分析 四I-V方程求解思路 五特性曲线分析 六I-β曲线分析 七异质结晶体管 异质结晶体管基区高掺杂即使基区非常窄仍然可以 大大减小基区电阻所以最高振荡频率fmax将明显增大 2最高振荡频率 NB
fmax 2特征频率
发射区掺杂浓度可以降低减小了发射结势垒电容 基区宽度可以很窄 满足fmax 从而减小了基区渡越时间 fT 基区禁带渐变产生少子加速场基区渡越时间进一步减小如发射结侧禁带宽为Ege集电结侧为Ege-ΔEgb那么基区等效电场强度为ΔEgb／qwb 若ΔEgb 02eVwb 5×10‐6cm则电场强度可达4×104vcm同质结缓变基区晶体管中基区掺杂浓度产生的自建电场一般在26×103vcm比前者约小一个数量级 所以异质结晶体管特征频率进一步得到提高
4其它特性 基区高掺杂同时还改善了下述特性 -- 晶体管Early电压高提高线性度 -- 有效抑制了大注入效应 -- 降低了器件的热噪声
5双异质结晶体管 --- 晶体管进入饱和状态时可以阻止空穴从基区向集电区的注入大大减少集电区的贮存电荷减小储存时间提高晶体管的开关速度 --- 提高集电结雪崩击穿电压原因是宽禁带材料临界击穿电
正在加载中，请稍后...您所在位置： &
&nbsp&&nbsp&nbsp&&nbsp
大学物理半导体与电磁学基础(四川大学锦城学院陶德元).ppt167页
本文档一共被下载：
次 ,您可免费全文在线阅读后下载本文档
文档加载中...广告还剩秒
需要金币：30 &&
攺成如下图所示
现在要问电流
要流过多大的电阻
这样的电压呢
即是说电流
流过的电阻 是 产生的电压降为
电流方向相反且成并列形式
两股电流相对而抵消后 只剩电流
从而得到 混合
型等效电路如下图所示
这表明把射极 e 上的电阻折合到基极 b 上去
倍反之把基极b上的电阻折合到射极e上去应缩小
倍只有这样才能保证
折合到输出回路仍为它本身
集电极回路方程
凡是从射极引入的反馈叫电流反馈
二 电流反馈式偏置电路 1 电路形式及直流通道如图所示
2 稳定原理
就必然上升
不变的情况 下当
上升时 就使 要下降
的下降将使
的下降又导至
的下降最后使工作点
3 工作点的计算--重点抓
基极回路方程
从上图可得到
集电极回路方程 从上图可得到 举例
1画直流通道
2画直流通道
maxbook118com
写请楚班级学号姓名
必须关闭讲义和记录本
必须抄题和画电路图 1说明电路图
的作用为什么 2写出偏置电路图 b 中
的表达式 3画出偏置电路图
中的直流通道 2题答案 基回方程
三 分压式偏置电路 1 电路形式及直流通道如右图所
正在加载中，请稍后...
50页8页59页10页0页3页16页18页20页28页26页45页23页25页13页19页1页10页17页20页

我要回帖

更多关于 双极型晶体管 的文章

 

随机推荐