详细介绍了CMOS电路的基本计算，是对拉扎维前3章的总结，并结合了自己的理解，非..
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MOS管电路分析
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MOS管主要参数
来源：www.elecfans.co
作者：本站日 23:26
[导读] MOS管主要参数：
1.开启电压VT　　·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；　　·标准
MOS管主要参数：
1.开启电压VT　　·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；　　·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；　　·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
2. 直流输入电阻RGS　　·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比　　·这一特性有时以流过栅极的栅流表示　　·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
3. 漏源击穿电压BVDS　　·在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS　　·ID剧增的原因有下列两个方面：　　（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿　　（2）漏源极间的穿通击穿　　·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID
4. 栅源击穿电压BVGS　　·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。
5. 低频跨导gm　　·在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导　　·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力　　·是表征MOS管放大能力的一个重要参数　　·一般在十分之几至几mA/V的范围内
6. 导通电阻RON　　·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数　　·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大 ，一般在几十千欧到几百千欧之间　　·由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似　　·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内
7. 极间电容　　·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS　　·CGS和CGD约为1～3pF　　·CDS约在0.1～1pF之间
8. 低频噪声系数NF　　·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的　　·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输　　　出端也出现不规则的电压或电流变化　　·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）　　·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小　　·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数　　·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小
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帮我分下这个电路中mos管的作用?
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我有更好的答案
平均分担电压，更可靠
具体讲讲 ，我实际中只用到了一个p沟道的mos管
两个一样的管子串在一起，不平均分担电压能干啥，你用一个管子可以呀，没啥问题只要电压电流合适就行，我很少看到有两个管子在一起的
起负载开关的作用
低电平，PMOS导通，控制充放电的
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出门在外也不愁afanever的PC硬件DIY进阶篇--显卡供电回路工作原理以及电容电感MOS管PWM
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本文分四部分进行，分别是显卡理论篇，显卡的技术参数，显卡的供电回路以及电容，电感，MOS,PWM简析，显卡渠道篇。第一部分：显卡理论篇显卡，英文名Video Card,或者Graphics Card，也叫显示适配器（Video adapter）。鼠标右键单击“我的电脑”（XP）或“计算机”（WIN7）--属性--设备管理器--显示适配器：显卡就是将PC所需要的显示信息进行转换驱动，并且向显示器提供数据信号，控制显示器的正确显示，它是“人机对话”的最重要设备之一。显卡图形芯片（GPU芯片）供应商主要包括AMD和Nvidia两家。显卡按用途可分两大类：家用级游戏显卡和专业级绘图显卡；显卡按集成度可分四大类：核芯显卡（INTEL的CPU和GPU封装在一起），APU（AMD将CPU和GPU做在同一块晶片上，两者协同计算，彼此加速，来实现CPU和GPU的真正融合，所以又叫融聚处理器），集成显卡（主板集成显卡已被市场淘汰），独立显卡。显卡按厂商修改程度又可分为：公版卡（完全照搬NV或AMD官方发布的PCB布线设计和用料）；超公版卡（有实力的一线厂商自行设计PCB布线和超强的供电回路，拥有更高的工作频率和更奢华的电子元器件用料）；一般非公版卡（厂商自行设计PCB布线和供电，但是相比公版卡有所缩减）；缩水卡：现市场上能看到的64位显存位宽GDDR5或128位GDDR3的显卡都是缩水卡，请尽量避免买到缩水卡，因为它们的性能跟核显/APU没什么两样。公版HD7950：超公版卡：微星闪电GTX770第二部分：显卡的技术参数：核心/显存工作频率（1秒内发生的同步脉冲数，单位赫兹）比如EVGA GTX760显卡的核心工作频率/显存工作频率为1072Mhz boost1188Mhz/6008Mhz。（boost即GPU核心频率自动超频，boost的频率视每块卡的体质不同而频率不同）显存带宽（决定着GPU与显存之间的数据交换速度，单位字节/秒,显存带宽=显存工作频率*显存位宽/8）比如EVGA GTX760显卡的显存带宽=（）/8=192256MB/s=192.3GB/s。显存位宽（显存在1个时钟周期内所能传送数据的位数，64位--别买最低端阉割卡；128位--中端和低端显卡；256位--NV中高端显卡；384位---AMD中高端显卡和512位--旗舰级显卡）比如迪兰恒进R9 280X酷能的显存位宽为384位。显存容量（显卡上显存的容量数，它决定了显存临时存储数据的多少，显存容量并不是越大越好，超大显存只用在多显示器超高分辨率上才有用，比如4K分辨率）（简单的说，游戏分辨率越高，游戏画面的多边形数量越多，临时占用显存的容量越大）比如迪兰恒进R9 280X酷能的显存容量为3GB。流处理器单元数量（流处理器单元是统一架构GPU内通用标量着色器的称谓，它直接影响GPU的处理能力。注意：流处理器单元只限于NV与NV之间比较，AMD与AMD之间比较，或两者近似比较，因为两者的核心计算架构不同，AMD实际应该叫流处理单元，它每5个单位配一个数据收发，这样才算一个完整的流处理器，而NV的1个流处理器却是1个单元）（简单的说，流处理器单元就相当于人脑的神经元，神经元越多，大脑越发达）比如GTX760的流处理单元=1152（1D）；而R9 280X的流处理单元=2048（5D）。GTX760使用GPU-Z软件查看显卡参数：第三部分：显卡的供电回路工作原理以及电容，电感，MOS管，PWM简析：供电回路的基本三要素：电感，MOS管，PWM协同工作的工作原理：PCB上的PWM(脉冲宽度调制器)芯片产生一个宽度可调的脉冲波形，可以使两只MOS管轮流导通。当负载两端的电压(如GPU需要的电压)要降低时，这时MOS管的开关作用开始生效，外部电源对电感进行充电并达到所需的额定电压。当负载两端的电压升高时，通过MOS管的开关作用，外部电源供电断开，电感释放出刚才充入的能量，这时的电感就变成了“电源”，继续对负载供电。随着电感上存储能量的不断消耗，负载两端的电压又开始逐渐降低，外部电源通过MOS管的开关作用又要充电。这样循环不断地进行充电和放电的过程，从而形成一种稳定的电压，永远使负载两端的电压不会升高也不会降低。超公版卡，微星闪电GTX780的PCB解析超公版卡：七彩虹iGAME660烈焰战神x的PCB解析超公版卡：华硕角斗士GTX760的PCB解析显卡供电回路之中的每个电子元器件就像一台精密数控机床上的各种齿轮，活塞，导轨等机械零件一样，它们的好坏直接影响了显卡整体的稳定，超频，皮实耐用度，寿命。所以我在这里简单分析一下电容，电感，MOS管，PWM主控芯片。1.电容：任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体或导线之间都形成一个电容器。电容是最常用的，最基本的电子元器件之一，它在电路中起到隔直通交（正因为通交，才能把交流成分通向地，保留直流成分），滤波，耦合，去耦，旁路，能量转换和延时的作用。电容的作用：隔直：阻止直流通过而让交流通过（串联，滤除低频）旁路/去耦：为交流电路中某些并联元件提供低阻抗通路。耦合：作为两个电路之间的连接，允许交流信号通过并传输到下一级电路。滤波：将整流以后的锯齿波变为平滑的脉动波，接近于直流（并联，滤除高频）计时：电容器与电阻器配合，确定电路的时间常数。调谐：对与频率相关的电路进行系统调谐。整流：在预定的时间开/关半导体开关元件。储能：存储电能，必要时释放。温度补偿：针对其他元件对温度的适应性不够带来的影响，而进行补偿，改善电路稳定性。打个比方，其实电容就是个水库，它让流入水库的有波浪的水，变的很平稳。电容的分类：电容根据介质不同，可分为陶瓷电容/瓷介电容，云母电容，纸质电容，薄膜电容，电解电容。陶瓷电容（<5000皮法）：以高介电常数，低损耗的陶瓷材料作为介质，体积小，分布电感小；（何谓分布电感？比如电容的两层薄膜卷起来，这种卷起来的结构在高频时都具有一定的电感，它对电路的影响等效于给电路串联上一个电感器，这个电感值就是分布电感）瓷介电容（10皮法~5微法）：陶瓷电容做成管状，而瓷介电容做成片状，所以也叫瓷片电容。它是用高介电常数陶瓷（钛酸钡一氧化钛）挤压成圆片/圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。云母电容（<5000皮法）：以云母片为介质，在云母片上喷涂银层为电极板，将电极板和云母一层层叠合并封固于环氧树脂之中。高频性能稳定，高精密，介质损耗小，漏电流小，耐压高（500伏~几千伏），缺点是温度系数小，绝缘电阻大，容量小。纸质电容（5000皮法~1微法）：电极用铝箔/锡箔制成，绝缘介质是浸蜡纸，相叠卷成圆柱体，外包防潮物质，外壳采用铁壳提高防潮性，价格低；薄膜电容（500皮法~5微法）：用两片金属箔做电极，夹在极薄绝缘介质中，卷成圆柱形或扁柱形，介质用聚苯乙烯，聚四佛乙烯，涤纶等有机薄膜来代替纸介质，优点是精度高（介电常数高），损耗角正切小，绝缘电阻小，适应温度范围广，温度特性好，体积小。缺点是容量价格比/容量体积比；适宜做旁路电容。电解电容（>1微法）：以铝，钽，钛等金属氧化膜作为介质，容量大，稳定性差。（正负极不可接错）（瓷介电容，薄膜电容，电解电容占据了市场份额的99%）电解电容是以金属箔为正极（铝或钽），与正极紧贴金属的氧化膜（氧化铝或五氧化二钽）是电介质，负极由导电材料，电解质（液体或固体）和其他材料共同组成，因电解质是负极主要部分，电解电容因此得名。电解电容一般用来滤波，用在整流桥的后面。电解电容容量大，耐压高（耐压越高体积越大），常用于交流旁路和滤波，它的缺点是容量误差大，且随频率波动而波动，绝缘电阻低。电解电容有正负极之分（一般电容器外壳有+-标记，若无标记，则引线长的为+，引线短的为-）。电解电容正负极一旦接反，电解作用会反向进行，氧化膜很快变薄，漏电流急剧增加，电容器很快发热甚至爆炸。铝电解电容：由铝圆桶做负极，里面装有液体电解质，并插入一片弯曲的铝带做成正极，经过直流电压处理，使得正极片上形成一层氧化膜作为介质。容量大，漏电大，稳定性差，有正负极性，适合于低频电路和电源滤波。固态电容：全名固态铝质电解电容，它与液态铝电解电容不同之处在于采用了不同的介电材料，固态电容为导电性高分子，铝电解电容为电解液。固态电容因为采用导电性高分子作为介电材料，该材料不会与氧化铝产生作用，它具备低阻抗，高低温稳定，耐高纹波等特性。耐温260度，导电性，频率特性，寿命俱佳，适宜于低电压高电流的应用。固态电容因为低频响应不如液态电解电容，所以它不适合用于声卡。日系固态电容的辨别：钽电解电容：钽电容分两种：钽二氧化锰电容，钽聚合物电容。钽电容使用金属钽做为介质，在钽金属表面形成一层极薄的五氧化二钽膜。这层氧化膜形成了内部电极。在钽电容工作时，具有自动修补或隔绝氧化膜中的瑕疵点的能力，使得氧化膜随时得到加固和恢复其应有的绝缘能力，而不致于遭到连续累积性破坏。这种独特的自愈性，保障了其长寿命和可靠性的优势。钽电容有标记的一端是正极，另一端是负极，不可接反。钽电容有三家国际知名厂商:美国KEMET，美国AVX，日本三洋（被松下兼并）。三洋的钽聚合物电容是黑色的；KEMET的钽聚合物电容很好识别，最上方标志KO,KM,KT,FD。而HT是高温钽二氧化锰电容（HT是黑色）；AVX只有TCJ系列是钽聚合物电容，电容上面标示A字LOGO和J字。下图5种最常见的钽电容，从左至右，由弱至强，分别是常规钽二氧化锰电容，AVX二氧化锰钽电容，SP-CAP固态高分子聚合物钽电容，三洋HI-C高导电钽聚合物电容，Kemet高压钽聚合物电容。各个种类的电容应用于不同的场合：电解电容：滤波，退耦电路，隔直；有机薄膜电容：谐振电路；涤纶电容：隔直；云母电容：高频高压电路，谐振电路，隔直；陶瓷电容：高频高压电路，谐振电路；钽电容：高频高压电路。电容的主要参数：1.标称电容量（C R）：当一个电容器携带1库伦电荷量时，两极间电势差为1伏特，那么这个电容器的容量就是1法拉。法拉这个单位太大了，我们一般都是以微法和皮法来表示：1法拉（F）=10的6次方微法（uF）；1微法=10的6次方皮法（pF）（当标注中省略单位时，默认单位为皮法）。2.耐压值（额定电压 U R）：当一个电容长期可靠的稳定工作，它所能承受的最大直流电压，就是电容的耐压值。一般工作电压靠近耐压值的80%以内为最好，当实际耐压值在标称耐压值的1.2倍，那么这个电解电容就算合格品了。3.温度系数：在一定温度范围内，温度每变化1度，电容量的相对变化值，温度系数越小越好。4.损耗角正切（tgδ损耗因数）：电容器的损耗功率除以电容器的无功功率=损耗角正切。在实际使用中，电容器并不是一个纯粹的电容，其内部还有等效电阻（RS），RS越小，损耗功率越小，损耗角正切越小，电容器发热越小。5.串联等效电阻（ESR）：理论上，一个完美电容，自身不会产生任何能量损失，但是实际上，因制造电容的材料有电阻，电容的绝缘介质有损耗，使得电容并不完美。这个损耗在外部，表现的像一个电阻跟电容串联在一起一样，所以名为等效串联电阻。ESR越小越好，钽电容的ESR100毫欧。6.使用寿命（温度升高，寿命缩短）7.绝缘电阻，用来表面漏电大小，绝缘电阻越大，漏电率越小（温度升高，绝缘电阻降低）8.频率特性，电容器的电参数随电场频率变化而变化的性质。容量的标示法：1.直标法：电容表面直接标称容量和耐压：例如4.7uF/16V，此电容的标称容量为4.7微法，耐压值为16伏，但是当电容受体积的限制，其表面不标注单位，那么数字小于1时，默认单位为微法，数字大于1时，默认单位为皮法。2.文字符号法：用2~4位数字加一个字母表示标称容量，其中数字表示有效数值，字母表示数值的量级。字母为m（毫法）,u（微法）,n（毫微法）,p（皮法）。比如47n表示47毫微法=0.047微法；字母有时候也表示为小数点：比如：3u3表示3.3微法，2p2表示2.2皮法；另外还有在数字前面加R，R表示小数点，比如R22表示0.22皮法；最后一种就是2位数*10的第3位数次方倍：比如473即47000皮法=0.047微法（4和7为有效数字，3表示添加3个0或者说10的3次方）。3.色标法：类似于色环电阻的标示方法（单位默认皮法），用不同的颜色表示不同的数字。国际知名电解电容厂商：日系：日化（NCC），三洋（Sanyo，已被松下吞并），富士通(Fujitsu，已被尼吉康吞并)，尼吉康(Nichicon)，黑金刚（Nippon Chemi-con），红宝石(Rubycon)，松下(Panasonic)，日立(Hitachi)，埃尔纳(ELNA)；台系：立隆（LELON），冠坤(SUSCON)，智宝(TEAPO)，丰宾(CAPXON)；港系：万裕（SAMXON）；国产：华裕，青纾瘫κ性洞铮欧美系：ELEBASIC，ITEDCON，KENDEIL，CDE，BHC，EVERALPHA。2.电感：电感器是能够把电能转化为磁能而存储起来的元件，电感器的结构很像变压器，但它只有一个绕组，电感器具有一定的感抗，它只阻碍电流的变化（注意是阻碍，不是阻止）。当电流过大时，电感器将过剩的电流以磁能的方式储存起来，当电流过小时，电感器又将储存的磁能转化为电能释放出来。最简单的一句话概括就是“阻交流通直流，阻高频通低频”（正好与电容倒过来）（电阻既可以通直流也可以通交流）电感与电阻都是被动元件，但他们的本质区别,电阻是当电流变大时阻止部分电流流过，将电能转化为热能（消耗了电能）；而电感在电流变化时产生自感电动势来阻碍电流变化（不消耗电能）。电感的感抗只是表征了电感元件对于电流的阻碍作用，这种阻碍不消耗电能，只能推迟电流流过电感元件的时间。当电流过大击穿了电感，它就变成了电阻。电感是由骨架，绕组线圈，磁芯与磁棒，铁心，屏蔽罩，封装材料六部分构成。电感的主要作用是储能，滤波，聚焦，偏转，延迟，补偿，与电容配合起到调谐，陷波，选频，振荡的作用。电感的主要参数：电感量,它是表示电感器产生自感应能力的一个物理量。单位亨利，1亨利=1000毫亨，1毫亨=1000微亨（电感量的大小取决于线圈匝数，绕制方式，有无磁芯以及磁芯材料）。(电感量可以从电感顶端表面上的数字字母组合看出来，比如1R0=1微亨，R30=0.3微亨)品质因素，也称Q值或扰值，它是指电感器在某一频率的交流电压下工作时，所呈现的感抗与其等效损耗电阻之比。电感器的Q值越高，损耗越小，效率越高。额定电流，是指电感器在允许的工作环境下所能承受的最大电流值（电流过大时会影响电感的工作参数，甚至击穿电感）分布电容，是指线圈的匝与匝之间，线圈与磁芯之间，线圈与地之间，线圈与金属之间存在的电容。分布电容的存在会使得线圈的等效总损耗电阻增大，品质因素Q降低，所以分布电容越小，稳定性越好。我们知道电容的构造是相距很近的两个相互绝缘的导体，那么几乎所有的电路元件都存在着分布电容，分布电容就是元件与周围所有导体或元件所形成的效应电容，尽量避免分布电容的产生/减少分布电容的解决的办法是让所绕制的线圈，其平面不与旋转面平行，而是相交成一定角度。电感的分类：按电感形式分类可分为固定电感，可变电感；按封装分类可分为开放式，半封闭式，封闭式；（在板卡上，开放式和半封闭式已经很少见了）按导磁体性质分类可分为空芯，陶瓷，铁素体，铁芯，铜芯；（超导磁和超合金电感属于铁素体电感）按结构分类可分为线绕式和非线绕式；按绕线结构分类可分为单层线圈，多层线圈，蜂窝式；（蜂窝式就是为了避免/减少产生分布电容）按制造工艺分类可分为插装式和贴片式。（现在的板卡都是贴片式）下图电感从左到右从弱到强：现在的板卡基本都是用贴片式电感贴片电感，又叫功率电感，大电流电感，表面贴装高功率电感。它具有小型化，高品质，高能量储存和低电阻的特性。贴片电感为平底表面，适合贴装；优异的端面强度良好的锡焊性；具有较高的Q值，低阻抗，低漏磁，低直电阻，耐大电流。国际知名的贴片式电感厂商：日系TDK，murata（村田）,太阳诱电；韩国的三星；国产的风华高科，顺络，麦捷，振华富，华新科；台湾奇力新等等。3.MOS管：MOS管的英文全称叫做MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）,即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种可以广泛应用于模拟电路和数字电路的场效晶体管。在板卡的供电电路中，扮演着判断电位的角色(导通/隔离)。它对于整个供电系统而言起着稳压的作用。MOS管的隔离作用，其实质也就是实现电路的单向导通。但是我们在单向的电路（A流向B）上加入一个二极管也可以起到阻止B反向流向A的隔离作用，为什么我们还要用复杂的MOS管呢？那是因为使用二极管导通时会有压降（损失一些电压）。而使用MOS管做隔离，在控制极（栅极）加合适的电压（NMOS），可以让MOS管饱和导通，这样通过电流时压降几乎为0。MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET，在此不提），MOSFET分为增强型/耗尽型，P沟通/N沟通（通道极性）共四种，但是实际应用中只用到增强型N沟通/增强型P沟通的MOS管（NMOS/PMOS），而最常用的是NMOS，导通电阻小，且容易制造。MOS管的封装形式分为两大类：插入式和贴片式。在PC板卡领域，插入式封装形式的MOS已经越来越少了。常见的MOS管的封装形式：TO封装（常见的D-PAK和LF-PAK），SOT封装（常见的SOT-89四引脚封装），SOP封装（常见SO-8），QFN封装（QFN56封装的无引脚整合IC之DrMOS封装），DirectFET封装。最后两种封装是大势所趋。DRMOS和CopperMOS是以后的大势所趋。MOS管的重要参数：最大电流（能承受的最大电流），最大电压（能承受的最大电压），导通电阻（导通电阻越低电源转换效率越高）温度（所能承受的温度/封装本身的散热能力）MOSFET主要厂商：仙童半导体,国民半导体，意法半导体，NEC,AOS，IR，安森美。在这里只详细说一下仙童半导体（因为他是硅谷人才的摇篮）也译为飞兆半导体。1955年追随“晶体管之父”肖克利创办“肖克利半导体实验室”的八位年轻科学家：诺伊斯，摩尔，布兰克，克莱尔，赫尔尼，拉斯特，罗伯茨，格里尼克因为与不善经营和管理的肖克利发生冲突，八人一起辞职离开了实验室（肖克利称他们为“八叛徒”），1957年八叛徒投奔纽约费尔柴尔德摄影器材公司（费尔柴尔德意译“仙童”）。这就是仙童半导体的母公司。1958年IBM给了他们第一笔订单：100个硅晶体管。之后仙童半导体一举成为硅谷成长的最快的公司。1959年仙童与德州仪器的基尔比一起成为集成电路的发明者（法院判决集成电路为一项同时的发明：德州仪器基尔比为第一块集成电路发明家，而仙童诺依斯为工业大规模生产集成电路理论奠基者）之后仙童的摩尔提出的摩尔定律家喻户晓。60年代，仙童进入黄金时期，年营业额2亿，但是母公司费尔柴尔德摄影器材不断的把仙童的利润转移过去，之后八叛徒相继出走成立自己的公司：阿内尔科公司，西格奈蒂克斯半导体。而之后加入仙童的新人，在成名之后也都相继离开仙童，例如：桑德斯离开仙童之后创办AMD。1968年，八叛徒之中最后的两名科学家：诺依斯和摩尔，也脱离了仙童自立门户，创办的大名鼎鼎的英特尔。“仙童半导体”就好像是成熟的蒲公英，一吹它，创业精神的种子就随风四处飘扬。仙童之后经历了数次出售和并购，直到1996年庞德令仙童起死回生，得到了一家风险投资公司的资助，恢复了中立的身份。之后成功转型电视，音频和其他领域，大踏步的向消费电子制造业挺进。正所谓：“成也萧何败萧何”仙童的成功与失败，辉煌与沉沦都是因人才而致。4.PWM主控芯片：先来简单了解一下什么是PWM？PWM（脉冲宽度调制）英文全称：Pulse Width Modulation，简称脉宽调制，它是利用微处理器的数字输出来对模拟电路进行控制的一种技术手段，是对模拟信号电平进行数字编码的方法。它是依靠改变脉冲宽度来控制输出电压，通过改变脉冲调制周期来控制其输出频率。电流控制PWM：电流控制PWM就是以希望输出的电流波形作为指令信号，以实际输出的电流波形作为反馈信号，通过两者的瞬间时值比较来决定各开关器件的通断，实际输出随指令信号的改变而改变。目前主要的PWM主控芯片厂商:IGS(d象电子，台湾)、CMA、ITE(联阳半导体股份有限公司,台湾)、CW(英国,Cable＆Wireless)、Winbond(华邦电子,台湾)、Atmel(爱特梅尔半导体，美国)、SANYO(三洋,日本)、Intersil(美国)、Richtek(立琦,台湾)、ON（ON-Semi安森美半导体，美国）、uPI(uPI-semi，力智电子，台湾)、IR（International Rectifier,美国）。这里只提及常见的几家PWM主控芯片厂商：IR，ON,uPI。International Rectifier(简称IR)，美国国际整流器公司。是世界上居领导地位的功率半导体和功率管理方案的供应商，CHiL数字脉冲宽度调制（PWM）控制器就是IR的产品，当然以IR开头的PWM控制芯片也是它的产品。(CHL已经被IR兼并)ON Semiconductor(简称ON-semi),美国安森美半导体，它是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。uPI semiconductor(简称uPI-semi),聚兴科技-力智电子，其母公司台湾兴勤，是台湾唯一拥有全系列电子线路保护元件的专业制造商。第四部分，显卡报价篇和渠道篇：本人只熟悉江浙沪一带，以下店铺只代表本人习惯，我并非经销商/代理商，我只是个普通玩家，以下店铺并非适合全国各地所有玩家，请勿模仿：（以下次序不代表排名）本地京东（因为开曾值岁发飘，价格要高至少5%）天津金百度（发烧级/动手能力超强玩家之殿堂）&宁波胡摩西：3蓝冠杭州日环：4蓝冠杭州普天：4蓝冠杭州景程：3蓝冠南京新锐：1金冠南京伟高：5蓝冠南京至尊发烧店：2蓝冠&上海朴赛：3蓝冠上海超频圣殿：2蓝冠上海老牛：2蓝冠大连至尊硬件堂：4蓝冠深圳PC老A：3蓝冠武汉凯盛：3蓝冠（渠道篇只轻轻带过，免得又要被人喷做广告。。。）以下报价截止于2014夏：NV阵营：EVGA GT740 1GB&FTW GDDR5
Mhz--679元（适合迷你ITX HTPC）EVGA GT740 2GB FTW GDDR5
Mhz--749元（适合迷你ITX HTPC）EVGA GTX750 1GB Ref&GDDR5
Mhz-799元(适合迷你ITX HTPC)EVGA&GTX750Ti 2GB SC&GDDR5
Mhz-999元(适合迷你ITX HTPC)EVGA GTX660 2GB SC w/ACX Cooler
Mhz---1299元EVGA GTX760 2GB SC w/ACX Cooler
Mhz---1749元EVGA GTX770
2GB Dual SC w/ACX Cooler Mhz------2499元&EVGA GTX770 4GB Dual
Classfied w/ACX Cooler --2999元EVGA GTX780 3GB Dual FTW w/ACX
Cooler 980/6008Mhz------3899元EVGA GTX780 3GB Dual Classfied w/ACX&Cooler
--4299元EVGA GTX780Ti 3GB SC w/ACX Cooler
Mhz---------5399元EVGA GTX泰坦Black 6GB&SC
Mhz--------9099元（EVGA卡皇）NV阵营其他重量级BOSS（所有的中高端以上显卡未提及质保的就是三年保）索泰GT640-1GD5激战/GTX650-1GD5雷霆/GTX760-2GD5霹雳/GTX760-2GD5至尊OC/至尊OC+/GTX770-2GD5毁灭/GTX770-2GD5至尊OC-----------509/619/99/元丽台（两年保）GTX650
1024D5/GTX750 OC/750Ti OC---649/749/999元丽台（两年保）GTX760 2G/GTX770
2G/GTX770 4G---99元映众GTX750网神/750Ti战神/750Ti黑金至尊/660冰龙/760冰龙2G/770冰龙2G/4G------------------699/825/899/99/2499元技嘉GV-N660 OC-2GD/N760 WF2OC-2GD/N770 OC-2GD/N780 OC-3GD---------------------------------------99/3499元微星N750 TF1GD5 OC/N750Ti TF 2GD5 OC/N660 GAMING/N760 TF2GD5/N770 TF2GD5 OC/N780闪电-------849/999/99/3799元华硕冰GTX750/GTX660-2GD5/圣骑士GTX760-DC2OC-2GD5/STRIKER-GTX760-P-4GD5/圣骑士GTX770-DC2OC-2GD5/冰骑士GTX780-DC2-3GD5/圣骑士780Ti-DC2OC-3GD5----829/49/99元华硕MARS
GTX760双芯/MATRIX-GTX780Ti/圣骑士780Ti--99元AMD阵营：&&&&&蓝宝石R9 280X 毒药/黑钻/Vapor-X
OC-------------29元迪兰恒进R9
280/280X酷能-----------------------------元HIS希仕R9 280冰酷/HIS 280X
iPower冰酷X2
turbo-------元迪兰恶魔270X/蓝宝石270X毒药/蓝宝石270X黑钻/微星270X闪电---49/1449元蓝宝石HD7850
2GB DDR5白金版/迪兰7850酷能2GD5/HIS
7850冰酷2GD5-------------------------926/959/1099元蓝宝石HD7770
1GB白金版/华硕HD7750
FMLII-1GD5-----------639/549元HIS希仕H240FC1G冰酷/H250Q-1G冰酷/H260XQMT-1GD
iPower-449/549/749迪兰250酷能1G/260X酷能2G------------------------------549/899元强大的毒药/恶魔/闪电最后多说一句，选择显卡请量力而为，玩什么游戏，开什么特效，买什么显卡。千万别为了一张5千，1万的旗舰卡，而委屈了自己的日常开销。原创艰难，手打不易，如有疏漏，在所难免，各位JRS轻喷。[ 此帖被afanever在 10:03修改 ]
如果你喜欢
的文章，可以。& & & &
深入浅出，我顶！发自手机虎扑
不错不错，我自己一张技嘉的770,基本上所有游戏在1080P的效果下，都保持在60帧以上。目前都是硬件过剩的时代...
华硕GTX560ti是一块怎样的显卡，请问。
马克长知识 感谢发自手机虎扑
建议楼主每2个月更新一下价目表
高端大气！好的学术贴！
mark，以后DIY的时候学习
马克思主义弓手马新年快乐啊发自手机虎扑
我看HW多妩媚，HW看我应如斯。
chosen one.............................................................................and others..............呵呵
好帖。支持楼主 请问zol那个主机如何？他们自己配的那个
早晨看到这个帖子，正好我有一个显卡的问题想请教下各位大神，分条说明情况吧先
1，机器是g1820 技嘉B85m-hd3 威刚游戏威龙4g 盈通9600gt
长城电源额定230最大300
系统XP，配置不行，但够用。而且三件套是新配的，还没一个月。
2，之前一直是正常的，这两天没开机，昨天开机就只检测出显卡信息，然后黑屏，屏幕无输出。核显下一切正常。
3，插拔显卡，内存条，主板放电，都有做过。主板图形显示也默认在pcie，显卡也换到单位的电脑上试过，证明显卡正常。
4，拿朋友的一张显卡试了试，症状一样，只显示出显卡信息，然后黑屏。
求问是哪里出了问题了。从昨天一直苦恼到现在，世界杯都没看。
马克。。。。。发自手机虎扑
Karim?Benzema】控
楼主最简单的是如何选显卡
锻炼肌肉，防止挨揍。
上个月买了块660冰龙……还不错！！
Life is like a penis，simple，soft，straight，relaxed，and hanging freely.
Then women make it hard.
编辑掉，口水
引用2楼 @ 发表的:
不错不错，我自己一张技嘉的770,基本上所有游戏在1080P的效果下，都保持在60帧以上。目前都是硬件过剩的时代...
你画面怎么设置？孤岛3也能平均60帧？
引用15楼 @ 发表的:
上个月买了块660冰龙……还不错！！
嗯，我表弟也是冰龙760，他用了10个月了还不错
引用12楼 @ 发表的:
早晨看到这个帖子，正好我有一个显卡的问题想请教下各位大神，分条说明情况吧先
1，机器是g1820 技嘉B85m-hd3 威刚游戏威龙4g 盈通9600gt
长城电源额定230最大300
系统XP，配置不行，但够用。而且三件套是新配的，还没一个月。
2，之前一直是正常的，这两天没开机，昨天开机就只检测出显卡信息，然后黑屏，屏幕无输出。核显下一切正常。
3，插拔显卡，内存条，主板放电，都有做过。主板图形显示也默认在pcie，显卡也换到单位的电脑上试过，证明显卡正常。
4，拿朋友的一张显卡试了试，症状一样，只显示出显卡信息，然后黑屏。
求问是哪里出了问题了。从昨天一直苦恼到现在，世界杯都没看。
电源应该没问题，估计主板有问题，主板的PCIE显卡插槽坏了，把自己主板拆了拿到别人有LGA1150的主机上裸奔试试。[ 此帖被afanever在 13:07修改 ]
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