&&|&&&&|&&
& & & 正文
晶硅光伏电池正面电极：从多主栅到无主栅
&&&发表于：&&&来源：pv-tech
摘要：为什么最近几年陆续有厂家尝试将主栅数量从2根提到到3、4甚至是5根？究竟主栅的数量在多少合适？为什么Schmid，Meyer Burger和GT Advanced Technology都提出了自己的无主栅正面金属化方案？
&&&&Solarbe(索比)光伏太阳能网讯：
设备制造商的&革新&
更多更细的主栅正是同一时期设备制造商给出的答案。厂商从新技术降低生产成本带动设备销售的角度出发，以减少银在电池工艺中的使用为目标，选择了另外一条相对&激进&但眼光更为长远的路径。
通过新的设计，主栅可直接链接到相邻电池的背面而无需搭配焊带，虽然与电池厂商的&维新&一样提高主栅的数量，但其不再局限于渐进式的从2增加到5，而是直接增加到两位数。由于主栅更密集，电流在细栅上传到的距离大大缩短，这意味着主栅和细栅都可以做的更细更薄，导电性等相对弱一些但价格更低的材料也有机会摆脱冷板凳。由于这一类技术中主栅其实更可以看作是替代了传统焊带的角色，让更多更细的焊带直接链接电池细栅，汇集电流的同时实现电池互连，在电池层面取消了传统的主栅，我们将这一类技术称之为&无主栅&（busbar-free）技术。
目前市面上出现的无主栅技术基本遵循以下设计。保留传统的第一步正面网印，在电池上制作底层的栅线，我们仍遵循传统称其为细栅。而后通过不同的方法将多条垂直于细栅的栅线覆盖在其上，形成交叉的导电网格结构，为介绍方便，我们仍旧称呼第二层栅线为主栅。主栅的材料目前多为铜线。其具体技术又各有不同，各家也有其独到的优势。
无主栅技术对比
Day4 Energy/Meyer Burger
最早提出无主栅概念的是加拿大电池和组件公司Day4 Energy，该公司在2008年就获得了后来被称为Day4 Electrode的专利技术。该技术对传统电池工艺的革新体现在金属化和互连两个工艺中，电池在PECVD减反射镀层后网印细栅，而后不网印主栅，而是将一层内嵌铜线的聚合物薄膜覆盖在电池正面，如图一所示。这层薄膜内嵌的铜线表面也镀有特别的低熔点金属，在随后的组件层压工艺中，层压机的压力和温度帮助铜线和网印的细栅结合在一起。这些铜线的一端汇集在一个较宽的汇流带上，在同一步层压工艺中连接在相邻电池的背面。
2011年，Day4 Energy将更名为DNA技术的电池连技术成功应用于Roth & Rau的异质结电池，并取得了19.3%的组件效率。同年总部位于瑞士的设备制造商Meyer Burger收购Roth & Rau。2012年Day4 Energy因经营不善从股票市场退市，并将其技术出售给Meyer Burger，后者将DNA技术更名为SmartWire并继续开发，并于2013年向市场发布。由于Day4 Energy前期的市场耕耘，Meyer Burger称使用该技术的组件已经在世界各地的项目拥有了200MW的安装量。
与传统3主栅技术相比，由于铜线的截面为圆形，制成组件后可以将有效遮光面积减少30%，同时减少电阻损失，组件总功率提高3%。由于30条主栅分布更密集，主栅和细栅之间的触电多达2660个，在硅片隐裂和微裂部位电流传导的路径更加优化，因此由于微裂造成的损失被大大减小，产线的产量可提高1%。更为重要的是由于主栅材料采用铜线，电池的银材料用量可以减少80%。
2012年太阳能设备制造商Schmid也发布了自己的无主栅技术Multi Busbar。虽然设计理念与Day4 Energy的技术类似，但实现方式有所不同。其主栅也为有特殊镀层的铜线，但铜线不是内嵌在聚合物薄膜中，而是直接铺设在电池表面。除铜线铺设方式外，另一点显著不同在于Schmid技术对细栅的要求，细栅网版需特殊设计，在细栅与主栅交界处预留焊盘，如图四栅线交叠处所示。在电池网印细栅完成后，电池来到改进的串焊机，而串焊机将通过图像识别技术配合真空吸盘，将15条铜线将精确的铺设在电池表面的细栅的焊盘之上，并采用红外辐射完成焊接，同时也将铜线焊接在相邻电池的背面。焊接完成后的电池进行普通的层压。
Schmid的无主栅技术可以说在最大程度上继承了现有的网印电池和组件工艺。所需更换的就是细栅网版和新的串焊设备。与Meyer Burger类似，Schmid称相比3主栅，其Multi Busbar技术可以降低电阻损失，将填充因子提高0.3%， 效率净提高0.6%。银浆的用量也可以降低75%。
&&&&&&&&&更多新闻关于：&&&&&&&&&&&&
光伏热门搜索标签中利腾晖全新高效四主栅电池组件亮相上海SNEC2013光伏展
　　Solarzoom光伏太阳能网讯& 日，中利腾晖光伏在SNEC第七届（2013）上海国际太阳能光伏展上隆重推出四主栅高效多晶电池组件。　　据公司介绍，中利腾晖光伏此次推出的高效多晶硅电池批量试产平均效率达到了17.7%以上。值得一提的是，此款高效多晶电池是中利腾晖继不久前推出TWINKLE双玻组件之后又一创新研发的成果，该电池突破性地采用了四主栅的电极结构，由于正面电极设计大幅区别于日本京瓷公司的“三主栅电极结构”专利，且具有完全自主知识产权，从而彻底避免了潜在的专利纠纷。　　此次中利腾晖光伏推出的高效多晶电池组件，电池平均效率达到了业界领先的17.7%以上，大幅提高了单位面积组件的输出功率，使60片电池封装后组件功率最高达到了260W，而72片电池组件峰值功率更是超过了310W。“目前，中利腾晖四栅高效多晶组件已进入批量试产阶段，”中利腾晖光伏技术研发副总裁Paul介绍说，“并且60片四栅多晶电池组件255W比例可达到90%以上，这无疑是一个巨大的创新和进步”。另外值得一提的是，中利腾晖四栅电池组件的量产并不需要大规模更新设备，公司仅对现有产线基础上进行了局部优化、改造就实现了产品技术升级，这也体现了中利腾晖光伏的务实的研发风格------在产品的技术革新和成本控制之间达到相对平衡。　　“在如今光伏产业增速放缓，欧美双反，价格不振等不利因素下，国内主流厂商出现了大幅减产甚至破产的情况。而中利腾晖光伏却能够在此背景下实现整体盈利，这和中利腾晖严格的管理和新技术新产品持续研发的差异化战略有着密切的关系”，中利腾晖光伏科技有限公司总裁王柏兴表示，“此次高效四栅组件的成功研发对中利腾晖的品牌，市场都将产生巨大的正面效应。中利腾晖将继续秉承以人为本、以品取胜、合作共赢的理念，为全球客户提供高效率高品质的产品。”
版权声明：本网凡注明“来自：Solarzoom”的所有内容，版权均属Solarzoom光伏太阳能网所有，如需转载，请注明作者和出处。联系电话：(021)，邮箱：，投稿QQ：。
投稿、咨询、爆料——电话：(021)，邮箱：，QQ：
人工操作逐步会被取代了~
微信公众号：
Solarzoom光伏太阳能网
微博公众号：
SOLARZOOM光伏太阳能网
每日光伏市场参考
2014年光伏市场2%的增长意义重大，如果说2014年是“传统光伏装机年”，如同报告所言，2015年将是不平凡的一年。以中国为主，亚太地区
联系我们：021- 服务邮箱：最小采购量
四晶体管生产制作栅极晶体管薄膜晶体管液晶显示面板四晶体类技087 驱动开关电源变换器中的双极晶体管的系统与方法[摘要] 本发明公开了一种用于驱动双极结晶体管的系统与方法。该系统包括第一晶体管，第一晶体管包括第一栅极、第一终端和第二终端。第一栅极被配置接收第一控制信号。此外，该系统包括第二晶体管，第二晶体管包括第二栅极、第三终端和第四终端。第二栅极被配置接收第二控制信号。而且，该系统包括第一电阻器，第一电阻器包括第五终端和第六终端。第五终端连接到第一终端，第六终端被偏置到第一预定电压。第四终端被偏置到第二预定电压。第二终端和第三终端在节点处连接，所述节点连接到双极结晶体管的基极。022 硅锗射频功率晶体管发射极分配方法和系统[摘要] 一种功率晶体管包括多个发射极区(421)和多个基极接触(423)。为了降低基极电阻，多个发射极区(421)的每一个与至少四个基极接触(423)相邻。整个晶体管包括许多发射极区(421)，举例来说大于或等于大约1000个，没有上限，其中发射极区(421)的实际数量取决于需要的载流容量。发射极区(421)经由通孔或金属接触柱(421)被直接并联连接到晶体管的高载流金属层。发射极区(421)的尺寸应该被制成工艺设计规则允许的那样小，以便能够提高发射极区(421)的周长对面积的比率，对于给定的电流，这样可以降低峰值电流密度。023 高分子半导体场效应晶体管[摘要] 场效应晶体管由五个元件组成。第一元件是绝缘体层，它是一种电绝缘体，例如二氧化硅，并具有第一侧面和第二侧面。第二元件是栅，它是一种导电体，例如银，该栅定位在绝缘体层的第一侧面上。第三元件是半导体层，它包括一种聚合物，这种聚合物中至少10重量％的单体单元选自9位取代的芴单元和/或9，9位取代的芴单元，该半导体层具有第一侧面、第二侧面、第一端和第二端，半导体层的第二侧面位于绝缘体层的第二侧面上。第四元件是一个源，它是一种导电体，例如银，该源与半导体层的第一端电接触。第五元件是一个漏，它是一种导电体，例如银，该漏可与半导体层的第二端电接触。施加于栅的负偏压会在连接源与漏的半导体层中形成传导通道。另一方面，施加于栅的正偏压会在半导体层中形成导电通道。089 薄膜晶体管阵列的制造方法及其结构[摘要] 一种薄膜晶体管阵列的制造方法，其包含以下步骤。提供基板，该基板上形成有栅电极层、栅绝缘层与硅层。对该栅电极层、该栅绝缘层与该硅层进行图案化，以定义出栅极区、栅极线与栅极线接线区。形成保护层于整个基板上。对保护层进行图案化，以使在保护层中且位于栅极区的该硅层上形成两个接触窗，并且移除栅极线上部分区域的保护层与栅极线接线区上的保护层。形成离子布植层与金属层于整个该基板上。对离子布植层与金属层进行图案化，以形成源极区、漏极区、数据线、数据线接线区与第二层栅极线接线区。形成像素电极于保护层上并且与漏极区电连接。通过此方法，只需要四道光刻掩膜便可以制造出薄膜晶体管阵列。095 一种有机半导体材料的场效应晶体管及制备方法[摘要] 本发明公开一种有机芘氧基半导体材料的场效应晶体管和制备方法，其结构包括衬底，栅极，绝缘层，有机芘氧基半导体层，源电极和漏电极；其方法包括栅极金属的沉积及图案化；绝缘层的沉积；有机芘氧基半导体材料的沉积；源电极和漏电极的沉积及其图案化。本发明制备的有机场效应晶体管是以2-芘基-4，4，5，5-四甲基咪唑啉-1-氧基基为有机半导体材料，制备工艺简单，成本低廉。在低电压下操作，显示出优良的场效应性能，迁移率高达0.1cm2084 铟镓磷增强
耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构128 一种四晶体管SRAM单元制造方法091 制造双层导线结构的薄膜晶体管显示器阵列的方法101 一种制作晶体管T型纳米栅的方法034 薄膜晶体管数组基板结构及其工艺004 薄膜晶体管液晶显示器的静电放电保护电路和方法127 新型直接敷铜基板布局的绝缘栅双极性晶体管模块111 用于驱动放大器输入晶体管的体电容的电路和方法028 四端晶体管衬底电阻网络模型020 半导体器件中的列晶体管075 含具有垂直栅电极的晶体管的半导体器件及其制造方法003 无需击穿电压为电源电压两倍的晶体管的半导体升压电路061 一种具有纳米结的氮化碳
碳纳米管场效应晶体管的制备方法074 光强度调节的场效应晶体管及其制备方法064 利用微透镜阵列的薄膜晶体管液晶显示面板及其制造方法134 四晶体管随机存取存储单元097 绝缘栅型双极晶体管012 开关晶体管装置060 一种薄膜晶体管液晶显示器面板的制作方法063 用于包覆栅金属氧化物半导体场效应晶体管的方法083 薄膜晶体管的形成方法104 液晶显示器及其薄膜晶体管阵列面板092 薄膜晶体管及其制造方法和具有该薄膜晶体管的显示基板043 绝缘栅双极性晶体管损耗在线测试仪076 薄膜晶体管的制作方法005 使用垂直沟道晶体管的半导体存储器件047 用于结晶多晶硅的掩膜及利用该掩膜形成薄膜晶体管的方法086 测试晶体管寿命的方法123 一种基于NMOS晶体管的平衡-不平衡转换器052 无电容单一晶体管动态随机存取存储器单元及制造方法010 采用低反压晶体管的等离子体显示器的驱动器和驱动电路135 薄膜晶体管液晶显示器的像素结构029 一种ZnO基透明薄膜晶体管阵列的制备方法025 一种新颖的IGBT绝缘栅极晶体管变流器模块035 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法006 伪静态四晶体管存储单元121 一种薄膜晶体管结构及其制造方法133 具有多重栅极晶体管的静态随机存取存储单元062 一种半导体晶体管的制造方法及其产品109 采用标准CMOS晶体管实现高耐压的整流器136 可集成的高压VDMOS晶体管结构018 液晶显示器用薄膜晶体管阵列基板及其制造方法024 薄膜晶体管平面显示器的制作方法115 薄膜晶体管液晶显示器阵列基板结构及其制造方法014 制造同一衬底上混有MOS晶体管和双极晶体管的半导体器件的方法057 液晶显示器及其薄膜晶体管阵列面板082 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法069 金属氧化物半导体场效应晶体管和****基二极管结合的瘦小外形封装042 晶体管自动控制仪011 负载电流无直流漂移或信号反相的可控增益晶体管放大器015 高速
高性能金属氧化物半导体晶体管及其制造方法048 随机存取存储单元
四晶体管随机存取存储单元及存储装置106 估测组件参数误差的晶体管电路与使用其的温度感测装置017 供液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板及其制造方法038 汽车交流发电机晶体管电压调节器054 一种利用激光结晶工艺制作薄膜晶体管的方法099 薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的有机发光装置026 层迭式双金属氧化物半导体场效应晶体管包007 锗硅阳极绝缘栅异质结晶体管117 具有双阈值电压的基于多晶体管的非易失性存储单元079 砷化镓基增强
耗尽型膺配高电子迁移率晶体管材料058 共用位 源极线高密度一晶体管
一电阻型R-RAM阵列及其操作方法055 晶体管交流电源净化电路021 高频功率晶体管器件067 薄膜晶体管及包含该薄膜晶体管的平板显示装置019 场效应晶体管138 扁平式封装双绝缘栅双极晶体管080 薄膜晶体管阵列及其驱动电路的制造方法039 无极性晶体管油泵070 薄膜晶体管及其制造方法130 制造薄膜晶体管阵列基板的方法119 四晶体管四共享的步进重复单位单元以及包括该单位单元的四晶体管四共享的图像传感器132 双极型晶体管的基区电阻的测量方法030 薄膜晶体管基板、液晶显示设备及其制造方法056 形成多晶硅层以及制作多晶硅薄膜晶体管的方法066 薄膜晶体管和采用该薄膜晶体管的平板显示器085 具有多个晶体管的半导体装置及其制造方法090 薄膜晶体管基板的制造方法122 PN结及MOS电容器混合减低表面场晶体管045 低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法008 薄膜晶体管的制造方法、有源矩阵基板的制造方法以及液晶显示装置139 扁平式封装双绝缘栅双极型晶体管器件044 低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法031 一种晶体管T型纳米栅的制备方法040 电子定时预热启动的晶体管镇流器065 双晶体管或非器件078 薄膜晶体管及其制作方法126 一种合金氧化物透明薄膜晶体管的制备方法102 一种制备晶体管T型纳米栅的方法116 互补型绝缘体上硅（SOI）结式场效应晶体管及其制造方法049 用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列059 用于液晶显示器的薄膜晶体管面板001 以薄膜晶体管所完成的低操作电压电平移位器046 薄膜晶体管阵列基板的制造方法110 形成在具有垂直沟道区的晶体管中的电荷存储结构094 用于薄膜晶体管的N型半导体材料041 汽油发动机汽车晶体管节油点火器140 扁平式封装双场效应晶体管器件103 一种薄膜晶体管液晶显示器结构131 用于电润湿显示装置的薄膜晶体管及制造方法009 用于互补金属氧化物场效应晶体管半导体动态存贮器的字线升压电路013 互补金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法032 硅材料高频低功耗功率结型场效应晶体管(JFET)制造方法050 用于布线的蚀刻剂、利用该蚀刻剂制造布线的方法、包含该布线的薄膜晶体管阵列面板及其制造方法072 场效应晶体管布置和场效应晶体管布置的制造方法016 绝缘栅晶体管088 五沟道鳍式晶体管及其制造方法137 一种薄膜晶体管结构118 三晶体管四共享的步进重复单位单元以及包括该单位单元的三晶体管四共享的图像传感器100 采用一次电子束曝光制备晶体管T型纳米栅的方法113 晶体管的封装方法和结构、用于测试机台的跳线板125 四周环绕栅极鳍栅晶体管及其制作方法071 晶体管及其制造和操作方法096 钝化层结构、薄膜晶体管器件及钝化层制造方法141 扁平式封装双场效应晶体管093 用于薄膜晶体管的N型半导体材料036 IGBT绝缘栅极晶体管逆变器模块108 有机薄膜晶体管以及控制高分子材料层表面能的方法114 MOS晶体管及其制造方法051 环绕栅极场效应晶体管112 基于单电子的柔性多功能逻辑电路及其晶体管107 背栅极电压发生器电路、四端背栅极开关场效应晶体管及其充电和放电保护电路002 薄膜晶体管平面显示器的制造方法073 一种双极型纵向平面式晶体管的制造方法098 可溶性四烷基轴向取代酞菁化合物在制备有机薄膜晶体管中的应用124 一种基于PMOS晶体管的平衡-不平衡转换器081 薄膜晶体管阵列面板、液晶显示器、及其方法129 T型金属栅极的MOS晶体管制作工艺方法033 MOS晶体管射频电路仿真宏模型及其参数提取方法037 均流环结构晶体管120 晶体管的制造方法105 一种沟槽型功率晶体管的制造方法027 横向PNP晶体管制作方法053 制造薄膜晶体管阵列基板的方法077 功率结场效应晶体管结构及其制法068 可集成的高压VDMOS晶体管结构及其制备方法以上141项技术包括在一张光盘内本站提供的技术资料均为发明专利、实用新型专利和科研成果，资料中有专利号、专利全文、技术说明书、技术配方、技术关键、工艺流程、图纸、质量标准、专家姓名等详实资料。所有技术资料均为电子图书（PDF格式），承载物是光盘，可以邮寄光盘也可以用互联网将数据发到客户指定的电子邮箱（网传免收邮费，邮寄光盘加收15元快递费）。(1)、银行汇款：中国农业银行:95599
收款人: 王 雷中国工商银行:
收款人: 王
雷单位：辽宁日经咨询有限公司（技术部）联系人：王雷老师电
获取验证码
允许同品行业优质供应商联系我
您对此产品的咨询信息已成功发送给相应的供应商，请注意接听供应商电话。
对不起，您对此产品的咨询信息发送失败，请稍后重新发起咨询。