Mosfet 电性姓名测试打分中。为什么测了igss之后还要测igssr

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2015-07-09 11:50 标签： 普通话水平测试
MOSFET参数及其测试方法_百度文库
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MOSFET参数及其测试方法
M​O​S​F​E​T​参​数​及​其​测​试​方​法
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你可能喜欢避免MOS管在测试时受EOS损坏的方法_百度文库
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避免MOS管在测试时受EOS损坏的方法
避​免​M​O​S​管​在​测​试​时​受​E​O​S​损​坏​的​方​法
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你可能喜欢MOSFET基础以及测试模式1 1_百度文库
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MOSFET基础以及测试模式1 1
M​O​S​F​E​T​基​础​以​及​测​试​模​式
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你可能喜欢欢迎进来讨论mosfet的电参数 VTH，BVDSS,RDSON, IGSS,IDSS
我现在做器件封装测试方面的可靠性和FA
这几个电参数一直要用到
而且还要分析
可是就是搞不懂
我的意思不是要简单的概念
1，VTH这个参数到底起什么作用？
2，VTH，超出规定范围内，偏大时说明什么问题，很大时说明什么问题
偏小时，极小时？？？
BVDSS，RDSON，IGSS，IDSS也是一样
真的很重要但是就是不知道什么道理
网上和书上的的都是千篇一律的介绍，实在看不出本质的东西
所以期待大家的讨论
zues110 at
1，VTH这个参数到底起什么作用？
& & 这个参数表示的是器件从关断状态到开启状态转变的临界电压。
& & 对于MOSFET，Vth一般在1V~5V之间，故功率MOSFET有一定抗干扰
& & 能力。
2，VTH，超出规定范围内，偏大时说明什么问题，很大时说明什么问题
& & 偏小时，极小时？？？
& & Vth和Rdson两个参数是有这样关系：Vth偏大时，Rdson也会偏大；
& & Vth偏小时，Rdson也会偏小，BVds也会变小，Idss变大；Vth极小
& & 时，Rdson也会很小，BVds也会很小，Idss很大。
3, IGSS 仅仅和Gate Oxide厚度和质量相关，表示Gate Oxide漏电情况。
james_zhang at
也太夸张了吧, Vth这么大
最好弄弄清楚MOS的结构, G对D和S之间是一个电容, 利用充放电来控制MOS的工作, 对于增强型来说, Vth为正, 也就是说只有加超过Vth的电压, MOS才能工作, 处于导通状态, 否则截至, 即输出为0, 其实Vth也就是MOS导通和截至的转换点.
为什么Vth大, 是因为G的氧化层厚度控制不好, 导致电容变大
RDSON是D和S之间反型层的电阻, RDSON和Vth没有直接的关系,只是Vth来控制反型层的宽度, 导致Vth大,
反型层的宽度小, RDSON大.
[ 本帖最后由 james_zhang 于
09:43 编辑 ]
piaoranerfei at
还要再加一个电测试：DVDs
这个我是完全不懂，似乎是与热量有关的东西
MOSfet的主要参数的定义：
1.& & & & 开启电压UGS(th)-是在UDS为一常量时，使ID大于规定的微小电流所需的最小的UGS值。
2.& & & & 导通电阻RDS(on)-在规定的UG和ID条件下，D-S之间的导通电阻。
3.& & & & 饱和漏极电流IDSS-在规定的V(BR)DS和UGS=0条件下，D-S之间的漏电流。
4.& & & & 栅极漏电流IGSS-在规定的UGS和VDS=0条件下，栅极的漏电流。
5.& & & & 漏-源击穿电压V(BR)DSS&&BVDSS
6.& & & & 栅-源击穿电压V(BR)GS&&BVGSS
piaoranerfei at
大家继续就一些细节进行讨论啊
另外的情况：
芯片没有封装前电参数是符合标准的（spec）
但是封装后可能会出现这几个参数的failure（就是超出范围）
说明一定与封装的工艺有关
那么又是什么原因导致的呢？？？
samchiou at
我比較不清楚封裝前的probe test，但封裝後的一些問題倒是遇到不少。以下供參考
1. 封裝前與封裝後的參數變化不是很明顯。
2. IGSS / IDSS 在封裝後超出規格，通常是測試時間太短所致，20ms ~80ms試試。
3. RDSON 跟封裝比較有關係，大部分是打線不夠(封裝設計錯誤)的問題居多。另外我有遇到例如force IDS=8A 時的RDSON超規，而wafer fab 的解釋是: 因為她們的probe無法force 超過3A，所以3A以上是以設計比例計算而得。
4. 我有遇到是wafer fab 提供錯誤訊息或給錯東西，也就是根本不是那個規格的。不然怎麼會發生probe test 時是0.8V，封裝後final test怎麼會變成1.3V呢。
5. BVDSS 超規問題同第4點。
三分比上篮准 at
恩，知道了，学到不少～～
非常感谢楼上几位的答复，目前我正遇到 Rds (on)导通阻抗偏大的情况！
明天我去仔细看一下100k量测试数据的分布图
lyia_ictester at
Mos在WAFER测试的时候
1.首先要保证，测试的地线一定要良好
2.有的时候Probe 机台用来托起WAFER的金属盘的导电性，
& & 要好，有的Probe机台是镀金的，有的是钢的，这个也很总要
& & 会很大程度上影响&&Rdson的测试。
3.测试PROBE CARD的地要和测试机的地连接起来，不要直接同PROBE
& &机台的地直接连接！！！
VTH是表征管子的电性能的，它是半导体器件所固有的一项参数，基本上它的大小决定于工艺：选取的材料，掺杂浓度，氧化层厚度等。VTH是器件的开启电压，顾名思义是器件开启的一个临界电压。这个电压过大，则要提供的栅极电压大，对器件的应用有局限性；这个电压过小，则在集成工艺中产生的寄生MOSFET开启，影响器件的功能。同时它的值也直接决定管子的导通电阻，对器件的功耗有影响。所以这个电压的大小是很讲究的。。。知识有限，不对之处各位英雄尽管拍砖。。。。
yfwithclq at
看了这些学了不少。谢谢
小姆猪斯基 at
RDSP大小和Vth没有关系吧？
刺客在线 at
关于IGSS超标,有没有高手比较详细地分析下什么原因?
不管是芯片制造还是封装测试...
clark_wuxi at
真的没有研究到这么细过看，受益匪浅，大家一起来探讨吧
栅氧化厚度要求的多少，比方GATE OXIDER：250A，那么BVGS应该是25V左右吧
另还有谁测过N和P场管吗
Rds (on)导通阻抗偏大的情况很可能是prober的金属盘与wafer的衬底接触不良所致
落尘飞夏 at
Vth降低，可以从两个方面来考虑;第一，栅极氧化层(gate oxide degradation)；
第二，Vth有负温度系数，这跟电子的活跃能有关。
一般来说，从晶圆厂来的芯片，经过封装后都会出现Vth略有降低的情况，这是由于封装时机械力作用造成的
有谁知道Rdson是怎么算的? 我这里有个55v Planer DMOS, 测试条件：Vg=10V, Force Id=5A, measure Rdson，程序应该怎么编？谢谢！
King963 at
RDSON是D和S之间反型层的电阻, RDSON和Vth没有直接的关系,只是Vth来控制反型层的宽度, 导致Vth大
不完全赞成楼上所说的,有公式为证Ron=L/(Vgs-Vth)uWCox
xuwenli_007 at
vth就是这个导通电压吧？
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