聚焦离子束扫描电镜会消耗镓吗

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2015-10-01 15:08 标签： 聚焦离子束技术
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聚焦离子束溅射(fib)
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2、成像信号酷塞目 - &驰奔 &编辑（转载请注明）
&&&& 离子感应二次电子 ISE酷塞目 - &驰奔 &编辑（转载请注明）&&&& 信号产额：每个5-30kev能量的镓离子，产生1-10个能量低于10ev电子。这些电子由样品表面头几层原子产生，也是初级离子束撞击和溅射，背散射的区域。低能电子总的产额强烈依赖样品表面的氧化情况和污染情况。&&&& 反差机制：酷塞目 - &驰奔 &编辑（转载请注明）
&如右图：同一个样品的SEM，SE图像和FIB的ISE图像。
&&&&&&&&&&&&&& a--SE图像酷塞目 - &驰奔 &编辑（转载请注明）&&&&&&&&&&&&&& b--ISE 图像。酷塞目 - &驰奔 &编辑（转载请注明）处)
两个图像都反映样品表面形貌。ISE图像典型的表现为来自晶体结构的强烈通道反差，
酷塞目 - &驰奔 &编辑（转载请注明）晶体取向反差更容易区分，ISE信号产额随着初级离子束入射角度而变化，而SE没有这个机制或者非常弱，以至于可以忽略。酷塞目 - &驰奔 &编辑（转载请注明）
在理想样品中，例如 Cu 或者Au，ISE晶体通道反差能够揭露20nm宽度的孪晶片（twin lamellae ），50nm尺度的晶粒。酷塞目 - &驰奔 &编辑（转载请注明）反差机制解释如下图：
a，入射离子通道很少与样品原子发生碰撞，因此产生很少的ISE
b，改变晶体取向，入射离子通道与样品原子发生碰撞增强，ISE产额增加。
c,&& 比较重的样品，原子序数高，ISE产额高
d，表面形貌导致，ISE产额不同，在边缘，尖端，倾斜角度越大产额越多。
在绝缘样品上，也会发生荷电。ISE图像上，绝缘的部位首先抑制二次电子产额，因此开始图像亮度低。
事实上，镓的注入，在绝缘样品表面形成很薄的导电层。FIB能经常被用于绝缘物质的成像。酷塞目 - &驰奔 &编辑（转载请注明）离子束图像经常导师镓离子注入和样品表面被溅射，对此要有清醒认识。
&3、分辨率酷塞目 - &驰奔 &编辑（转载请注明）&&&&&&
&束斑尺寸和束斑电流及电流密度的关系&酷塞目 - &驰奔 &编辑（转载请注明）
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