涉及纳米结构化和重价带工程设計所带来的高性能的另一个例子在Na掺杂的PbTe-PbS系统中得到了实现[48]在这种情况下，纳米结构的形成和电子结构的修改都可以加以控制而明显提高功率因子这些协合效应导致了800K下1.8的最高ZT[48],通过将细微结构化应用到这一系统，可以获得2.0的ZT值

一个更令人感兴趣的例子是PbSe-CdS系统[16],j见图16。这裏提供集合了不同但协合概念的有效途径的设计策略如下：（a）基体内带结构的会聚；（b）相间PbSe/CdS带的对准，以及带能量偏移的最小化；鉯及（c）全方位的分层纳米/细微结构化我们可以将重掺杂的p-型PbSe的ZT在923K下1.6.