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淘豆网网友近日为您收集整理了关于基于专利分析的我国纳米光电产业技术发展研究的文档，希望对您的工作和学习有所帮助。以下是文档介绍：第 32卷第 10期 2013年 1O月情报杂志 JOURNAL OF IN rELLIGENCE Vo1.32
No.10 0ct.
2013 基于专利分析的我国纳米光电产业技术发展研究曹 晨 2
钟永恒 高 倩(1.中国科学院国家科学图书馆武汉分馆武汉 .中国科学院武汉文献情报中心武汉 430071) 摘要对纳米光电产业技术进行概述,并简要介绍美、日、欧在纳米光电产业的布局。基于专利分析,从专利总体态势、技术生命周期、热点技术领域、专利地区分布和重点研究机构等角度,对我国纳米光电产业技术展开深入研究。最后,基于分析结果总结我国纳米光电产业技术的发展现状及研究热点。关键词 纳米纳米光电产业 专利分析专利分布中图分类号 G350
文献标识码 A
文章编号 13)10—0051—06 The Developm ent of Nano Photoelectrieity Industrial Technology in China Based on Patent Analysis Cao Chen ’ Zhong Yongheng ·
Gao Qian · (1.Wuhan Documentation and Information Centre,Chinese Academy of Sciences,Wuhan .Wuhan Branch of the National Science Library,Chinese Academy of Sciences-Wuhan 430071) Abstract
In this paper。nano photoelectricity industrial tec hn ology and its industry layout in the United States,Japan an d Europe
Wel'e in— troduc￣,d first.Then。the technology was studied deeply bas ed on the patent an alysis.Aspects ofgeneral trend,techn ology life cycle。hot points of the technology-regional distribution and the key insfimfions were examined.Finally。development Status and hot research fie of nano photoelectricity industrial techn ology in China werc summarized based
on the an alysis result. Key words
nano photoelec tricity industry
patent an alysis
patent distribution 1
纳米光电产业技术概述纳米技术是一门在 0.1—100nm 尺度空间内,对电子、原子和分子的运动规律和特性进行研究并加以应用的高技术学科,它的目标是用单原子、分子制造具有特定功能的产品。纳米技术是现代科学(模糊物理、量子力学、分子生物学)和现代技术(计算机技术、微电子技术、生物技术、分子技术)相结合的产物u 伴随纳米技术的发展,在光电信息传输、存贮、处理、运算和显示等方面微电子、光子和光电子的结合更加紧密, 逐步发展形成纳米技术与光电技术相融合的纳米光电产业技术。纳米光子学是利用光学近场作为信号载体,纳米粒子作为器件材料的基本单元进行制造和运作系统的技术 J。纳米电子学是指在纳米尺寸范围内研究物质的物理、化学、声学和电子学现象及其运动规律,构筑纳米和量子器件,集成实现纳米电路,从而建立量子基计算机和量子通信系统的信息计算、传输和处理的一门科学和技术 。纳米光电子学是在纳米半导体材料的基础上发展起来的,将纳米光子学和纳米电子学相结合,来研究纳米结构中电子与光子的相互作用及其器件的一门技术 。在应用方面,纳米光子学主要研究光在纳米尺度材料内的特殊性质和研究纳米光子器件的独特应用; 纳米电子学侧重研究根据新的效应设计制作新一代量子器件以及发展全新的集成电路制作方法;纳米光电子器件由于具备工作速度快、功耗低、信息存储量大、体积和重量显著减少等优点,被广泛用于照明、显示、控制和通信等领域 (见表 1)。 2 国外纳米光电产业格局由于纳米技术对国家未来经济、社会发展及国防收稿日期:
修回日期: 作者简介:曹晨(1988一),女,硕士,助理研究员,研究方向:产业情报分析;钟永恒(1965一),男,研究员,研究方向:知识组织与服务;高倩(1987-),女,硕士,助理研究员,研究方向:产业情报分析。 . ·52·
情报杂志 第 32卷安全具有重要意义,世界各国将纳米技术的研发作为 21世纪技术创新的主要驱动器,加大研发投入。根据《纳米技术长期影响和研究方向:o￣统计。, 全球范围内基于纳米技术的产品市值已超过2 500亿美元。美国的公共纳米技术投资最多,2011年达 19 亿美元;日本作为第二大纳米技术投资国,2010年公共纳米技术投资达 9.16亿美元;欧盟根据第 6个框架计划对纳米技术的资助每年约达 7.5亿美元。表 1
纳米光子器件应用领域及关键设备应用 关键设备显示器光伏成像系统照明系统数据通信/电信传感器光互连碳纳米管有机 LED Ⅲ一V量子点太阳能电池 CMOS等离子体图像传感Ⅲ一V量子点红外图像 ZnO纳米线基 LED Ⅲ一V光子晶体 LED 高指数比硅光子器件纳米粒子有源光纤光电集成全硅链接Ⅱ一Ⅵ量子点荧光标记等离子体生物传感器Ⅲ一V量子点激光源硅量子点基激光源芯片与芯片链接倒装晶片链接混合集成源全硅链接在纳米技术产业布局方面,美国纳米技术的应用研究在半导体芯片、癌症诊断、光学新材料和生物分子追踪等领域快速发展;日本十分重视纳米技术的应用研究,在纳米装置和结构材料的研究应用方面世界领先;欧盟纳米技术的研究重点则重要集中于光学和光电材料、有机电子学和光电学、磁性材料、仿生材料、纳米生物材料、超导体、复合材料、医学材料、智能材料等方面。纳米光电产业方面,从美、Et、欧纳米技术相关产业指标(见表 2)可以看出,纳米光电产业是纳米技术中的一个重点发展产业,美、日、欧均有部署。美国纳米光电产业的发展重点是半导体芯片、光学新材料。半导体芯片领域主要研究把纳米级半导体材料制作成晶体管,从而使一块芯片上容纳更多的晶体管,提高芯片运算速度;光学新材料领域研究通过改变某些半导体材料的分子结构,生产特定的光学器件。日本纳米光电产业的发展重点是纳米新材料,除了碳纳米管外, 日本开发出多种不同结构的纳米材料,如纳米链、中空微粒、多层螺旋状结构、富勒结构套富勒结构、纳米管套富勒结构、酒杯叠酒杯状结构等;欧洲纳米光电产业的发展重点是光学和光电新材料,如碳纳米管高分子聚合物光伏材料。表 2 美、日、欧纳米技术相关产业指标数据来源:ObseⅣator)r NANO Public Funding 3 我国纳米光电产业技术热点分析 3.1
数据来源本部分选择用国家知识产权局知识产权出版社开发的中外专利数据库服务平台作为主要的专利检索工具,辅助使用 ECXEL进行统计分析。制定出检索策略:摘要=(光电 or激光 or光导 or电光 or光子 or LED or光伏 or太阳能 or((光电 or光子 or激光)and半导体))AND 标题=纳米)or标题=(纳米 and(光电 or激光 or光导 or电光 or光子 o1& LED or光伏 or太阳能 or((光电 or光子 or激光) and半导体))。通过检索并排除不相关专利,共得到纳米光电相关专利 3 167件,数据检索日期为 2013年 6月 26 日。以下主要从专利总体态势、技术生命周期、热点技术领域、专利地区分布和主要申请机构等方面展开分析,从不同的角度揭示我国纳米光电相关专利技术的发展态势。虽豢誊襄蓉豢量吾誉善堇誊誊富蓉喜詈三蓍年份图 1
中国纳米光电专利申请总体态势 3.2 专利申请总体态势分析 从中国纳米光电专利申请量变化趋势可以看出,年专利数量较少,年专利数量平稳上升,2004年开始, 第 lO期 曹晨,等:基于专利分析的我国纳米光电产业技术发展研究 ·53· 专利数量快速增长,到 2011年达到 496件。总体看来,近十年,中国纳米光电技术领域的研究逐步升温, 发展态势良好。 3.3
技术生命周期分析 中国纳米光电专利技术的生命周期曲线发展呈现出 2个阶段:年专利申请数量和专利权人数量都较少且集中度高,该阶段是中国纳米光电技术的萌芽期;年,各研究机构加大研发投入,专利的申请数量和专利权人数量都显著增加,处于技术生命周期的发展期。从生命周期图的总体趋势来看,中国纳米光电技术逐年稳步发展上升,但无论是专利权人数量或是专利申请量都未呈现出一定时期内的迅猛增长,可见,该技术在我国仍处于发展的初期。 50
250 专利权人数量/人图 2
中国纳米光电专利技术生命周期 3.4 热点技术领域分析从中国纳米光电专利排名前 20的技术领域分布可以看出,“半导体器件或其部件的方法或设备”、“电解电容器,电解型整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件及其制造方法”、“超微结构的制造或处理”、“碳、钛、锌等化合物”、“发光材料”、“表面反应”等是纳米光电专利的重点专利技术布局(见表 3)。总体而言,纳米光电技术的研究重点领域涉及:纳米光电子器件、纳米光电材料、纳米工艺技术和纳米检测技术在光电产业中的应用等。 3.5 重要区域布局从中国纳米光电专利的地区分布来看(见图 3),呈现出南北两大核心的局面,主要集中在经济较为发达的华东和华北地区。北方以北京为中心,辐射天津、吉林、辽宁等地区,南方以上海为中心,江苏、浙江、广东等省市同步发展。此外,安徽、湖北等中部地区逐步兴起。上海北京江苏浙江广东安徽天津湖北吉林辽宁图 3
中国纳米光电专利地区分布表 3
中国纳米光电主要专利技术领域布局 3.6 重点研究机构及其纳米光电技术追踪 图 4 给出了排名前 10位的中国纳米光电专利申请机构,值得注意的是,这些机构全部为高等院校和中科院系统, 充分说明了中国目前在纳米光电技术领域处于研发初期,技术并未充分应用于市场,处于实验室阶段。此外,也说明各高校和中科院系统十分注重该领域技术的研究和投入,清华大学的专利申请数量达 130件,具有显著优势。清华大学浙江大学复旦大学上海交通大学上海大学天津大学同济大学中田科学院理化技术研究所 北京大学中国科学院化学研究所 0
I40 专利申请量,件 图 4 中国纳米光电专利主要申请机构伽 湖 枷 瑚 瑚 。啦面蒜蟾哥·54·
情报杂志 第 32卷低维纳米结构制备及其光电性质………及耄茎黧 羞警 一金属异质结的光电传感结构简单,制作方便,而且其光电响应速度快,光电响应时间为毫秒量级一种制备纯银单晶纳米线的方法及装置纯银纳米管阵列及其制备方法厘米级长度的银单晶纳米线阵列的制备方法一种基于宏观长单壁或双壁碳纳米管束的负光控电导器件一种基于宏观长多壁碳纳米管柬的正光控电导器件基于无序多壁碳纳米管的红外激光功率探测器~ ……及无机纳米材料合成化学基于硅纳米线阵列的新型太阳电池一种合成氧化亚铜纳米球的方法及氧化亚铜纳米球的应用一种&rio2纳米颗粒和纳米棒的合成方法纳米激光器测尺及实现纳米测量的细分方激光器及精密 法测量仪器 1 152nm 波长氮氖激光器纳米测尺该方法所制备的单晶银纳米线可作为导线或器件应用于纳米尺度的电子学及光电子学领域中可以使制备的银管的长度达数微米以上,外径为百纳米量级、内径为几十纳米,且生长的方向是由直流电场方向控制的该方法在全固态环境且无任何模板的条件下实现,操作简单,阵列长度由通电时间控制,阵列中的银纳米线彼此平行排列,且该阵列易于从基底分离,可作为导线或器件应用于宏观尺度的电子学、光电子学领域中,或直接作为表面增强拉曼散射基底用于化学分析领域中该器件入射光波长响应范围为 405nm ~1064nm,其光电响应时间小于 1秒该器件的总电导变化率始终大于或等于零。本发明结构简单,制作方便;而且入射光波长响应范围宽,可响应 405rim —1064nm波长的光,其光电响应时间小于 5秒该器件光电响应速度快,对红外波段光非常敏感,其探测响应时间为秒量级。在红外激光功率测量领域具有广阔的应用前景以碳纳米管薄膜作为太阳能电池的光电转换材料,不仅进一步提高了其光电转换效率和使用寿命,而且电池的制备方法简单,制造成本低廉该碳纳米管一硅薄膜叠层电池可以有效提高电池的开路电压、转换效率等,并且具有工艺简单,成本低廉的特点基于硅纳米线阵列的新型太阳能电池,电池的最高转换效率为 9.31% 、开路电压 Voc= 548.5mV,短路电流 Isc=26.06mA,填充因子 FF=O.6512。该方法制备的氧化亚铜可以在硅片或者导电玻璃上形成两维或者三维自组装模式,以满足太阳能电池或者微电子器件方面的严格需求,制备得到的 P—N核壳纳米球半导体复合结构,可以满足在气敏传感器、微电子器件等方面的需求在溶剂热的条件下以有机钛酸酯和长链有机羧酸或 NH4HCO3为原料,以有机***为矿化剂,以低沸点有机物做溶剂在密闭反应器中,于 100~200℃温度条件下反应,合成高结晶度、尺寸均匀、有机溶剂可再分散的 TiO2纳米颗粒和纳米棒在测量前,用输出等光强电的办法,消除了现有技术中起始脉冲的误差,再在大范围的位移测量过程中,对功率调谐曲线所经过的周期数计数,最后,用微位移压电传感器测量最后一个没有被校准的周期,即测小数,从而达到更高精度、更高分辨率使用 1 152nm 波长氦氖激光器替换原 632.8nm 波长氦氖激光器作为纳米测尺的核心,在保持 lOnm分辨率不变的条件下,使位移测量范围从 50mm 增加至 lOOmm 以上光学纳米线与金属纳米线的直接耦合及器 通过亚波长尺度近场相互作用首次实现光学纳米线与金属纳米线的直接高效率耦合,耦合件应用 效率达到 80%以上,在此基础上实现了复合型的纳米光子器件基于单根半导体纳米线的可调谐单纵模激纳米光纤与纳 光器及制备方法米线光子器件 一种利用两根半导体纳米线耦合的单纵模激光器已获得波长 740.5nm 的单模激光输出,以及 2.4nm 的波长调谐范围已获得波长 734.3rim,半高宽 0.11nm 的单模激光输出半导体纳米线和微光纤复合结构微激光器 誊羹言 翌曩薷曩 暮篙 星嚣墨善薯人硅系纳米复合 硅系纳米复合光电成象薄膜材料及液晶光半导体薄膜材料 阀器件表面等离予 表面等离子体和人工电磁介质纳米光子器体光子学 件制备了复合纳米硅薄膜,其中光电敏感相周围的基质相为相对高阻的氮(碳)化硅;金属诱导低温制备改性类柱状织构各向异性复合光电薄膜达到了各向异性和高分辨;利用横向与纵向电阻率比rr/rL&2的硅系薄膜作为光导层,制备复合纳米硅液晶光阀原型器件新型表面等离激元波导,表面等离激元波导与传统介质波导的耦合和兼容技术;近场光学新型表面等离激元新型传输现象(包括吸收增强和透射增强),及表面等离激元在热辐射探测、热红外成像、太阳能电池等能量利用领域的潜在应用技术第 1O期 曹晨,等:基于专利分析的我国纳米光电产业技术发展研究 .55. 一种碳掺杂纳米二氧化钛薄膜的制备方法纳米功能材料二碳氮共掺杂TiO2纳米催化材料的制备、光电催化材料高效固态纳米晶太阳能电池一种有序纳米结构 TiO2金属阵列电极的制备方法该方法制备的含 C的 TiO2薄膜具有多孔的纳米结构,并具有典型的 n型半导体的特征,具有高的光电活性,可在太阳能电池、光分解水制氢等方面具有应用前景本发明制备的 C-N共掺杂的 TiO2对亚***蓝表现出良好的光催化降解活性,光催化制氢的活性也高于通过热处理 TiN得到的单掺杂 N的 TiO2的活性;用于制作染料敏化太阳能电池,其能量转换效率也高于利用 P25制作的染料敏化太阳能电池的能量转换效率由本发明制备的 TiO2金属陈列电极在白光照射下表现明显的阳极光电流,可用于太阳能光电转换和光解水等方面。此外,该电极对甲醇电氧化表现良好的电催化性能,故可用于基于甲醇的燃料电池的制备一种准固态染料敏化纳米晶太阳能电池及 该太阳能电池利用介孔氧化物的孔道结构为阴离子提供传输通道,在不明显降低电池的光其制备方法 电转化效率的前提下,有效地解决了电解质中溶剂的泄漏问题……黧黧 箬 篙一种锂电池电极材料 Li2S/Co纳米复合薄全固态薄膜电 膜及其制备方法池的研制与储 用于锂离子电池的 NiF2纳米电极材料及其能材料的物 制备方法理化学性质用于锂离子电池的氧化铁一硒纳米复合负极材料及其制备方法染料敏化太阳能电池器件用于染料敏化太阳能电池的钛/锶包覆纳米晶二氧化钛薄膜及其制备方法染料敏化太阳能电池的聚苯***纳米线正列 Li2S/Co纳米复合物粒径小于 5Ohm。薄膜电极的比容量随过渡金属元素 co的不同在 400 -650mAh/g范围内变化,在反复充放电过程中呈良好的稳定性采用脉冲激光沉积法制备了 NiF2薄膜,NiF2薄膜的颗粒尺寸小于 30rim,厚度为 100— 300nm。薄膜电极的可逆比容量可达 450mAh/g 制得的氧化铁一硒纳米复合材料薄膜电极的可逆比容量为 458mAk/g;氧化铁一硒纳米复合电极材料化学稳定性好、比容量高、充放电平台的极化小该半导体薄膜有效地提高了电荷寿命,降低了电荷复合的几率,使得界面电荷转移效率得到提高。利用该薄膜封装染料敏化太阳能电池并进行性能测试,电池的短路光电流、开路光电压以及能量转化效率有大幅提高,与常规的 TiC1 处理方法相比具有明显的优势可以获得比热解铂对电极更佳的能量转化效率。所制备的非铂对电极不仅催化活性高,且对电极的制备方法 价格低廉,可应用于大规模染料敏化太阳能电池的工业生产。高:苎导基于一维纳米材料的光电转换器件体纳米材料 基于一维纳米材料的光电转抉器件纳米太阳电池整个制备工艺可在常温下进行,不出现高温;在模拟太阳光照射下具有较高的光电转换效益 喜碳纳米管薄膜的太阳能微电蓥萋篓毳喜 篙昙晕妻萎萎嚣于定向碳纳米管的太阳能微电池制备方 该微电池具有构造简单、长期使用稳定性高,能产生高的开路电压和效率基于碳纳米管增效的太阳电池制备方法表面组装有碳纳米管的硅太阳电池掺铝氧化锌纳米粒子的制备方法纳电子材 锔掺杂硒化铅纳米粒子的制备方法料与器件硫化锌镉纳米棒的制备方法与未分散吸附碳纳米管的太阳电池相比,分散吸附了碳纳米管的单晶硅太阳电池和多晶硅太阳电池光电转换效率提高 0.5-4.5% ,非晶硅薄膜太阳电池和 CIGS薄膜太阳电池光电转换效率提高 0.5—3.5% 比传统的太阳电池的光电转换效率提高 l一5% 首次合成电性能宽度可调的掺铝氧化锌纳米粒子,制备方法采用非真空化学合成方法,具有绿色无污染,设备要求简单,适合工业化大规模生产的优点方法无污染,反应条件温和简单,对设备的要求简单,适合工业化大规模生产;制备的锡掺杂硒化铅纳米粒子的带隙能可随掺锡比例变化而变化;当锡含量从 0上升至 42%时,带隙能从 1.61eV下降至0.79eV,并且基本呈现线性关系制备的硫化锌镉纳米棒的能带间隙可随锌含量变化而变化;当锌含量从 18%(锌:镉摩尔比为 0.18:0.82)上升至 89% (锌:镉摩尔比为 0.89:0.11)时,能带间隙从 2.62eV上升至 3.47eV,并且基本呈现线性关系测定 COD 的光电催化反应在一反应池中进行,以金属钛基 TiO2纳米孔阵列薄膜为光阳嚣翼帜催嚣篓禚篓曩 嚣机物光电催化反应的电化学信号来测定 COD值·56·
情报杂志 第 32卷续表 7 上海交通大学纳米光电技术重点研究领域表 8 上海大学纳米光电技术重点研究领域基于对主要申请机构纳米光电相关专利的解读, 表 4~表 8分别列出清华大学、浙江大学、复旦大学、上海交通大学、上海大学纳米光电技术重点研究领域, 代表了成果及其技术水平。 4 结论中国纳米光电技术领域专利申请共计 3 167件, 其中发明专利申请涉及 2 984件,占专利申请总量的比例高达 94.2%。专利申请总体趋势方面,2004年开始,中国纳米光电技术领域专利数量快速增长,纳米光电技术领域的研究逐步升温,发展态势良好。技术生命周期方面,中国纳米光电技术仍处于发展的初期;纳米光电技术的重点布局方面,纳米光电子器件、纳米光电材料、纳米工艺技术和纳米检测技术在光电产业中的应用等领域较为突出。地区分布方面,呈现出南北两大核心的局面,主要集中在经济较为发达的华东和华北地区。北方以北京为中心,辐射天津、吉林、辽宁等地区,南方以上海为中心,江苏、浙江、广东等省市同步发展,此外,中部地区的发展也逐步兴起。(下转第 5页) 第 10期 陈福集,等:基于演化博弈的网络舆情传播的羊群效应研究 ·5· 成的公信力下降损失 之差与政府因发布信息所得到的的额外收益 R的比值小于网民追随的概率时,就有 P一 1,即政府最终会选择发布信息的策略。所以降低政府信息发布成本 c,提高政府因不发布信息所造成的公信力下降的损失 ,提高政府因发布信息所获得的额外收益 ,都有利于推动政府采取发布信息的策略。具体做法如缩短政府发布信息的流程,提高网民主人翁意识等。由公式 2可知,当网民因采取追随策略而政府却不发布信息的损失 s与 s、网民因政府发布信息并采取追随策略的额外收益,、网民因政府发布信息却不追随所遭受的损失 三者之和的比值大于政府发布信息的概率时,就有 q一 1,即网民最终会选择追随的策略;所以提高网民因政府发布信息并采取追随策略的额外收益 r,提高网民因政府发布信息却不追随所遭受的损失 tc,,降低网民因采取追随策略而政府却不发布信息的损失 s,都有利于网民采取追随的策略。具体做法如及时发布信息或就已发生过的类似网络舆情事件中网民采取不好观点所造成的危害进行张贴宣传等。相反, 当 g一 0,网民最终会选择不追随策略,也就是保留自己的观点,“反沉默螺旋”现象随之产生。由政府和网民的复制动态关系图及其分析可知, 政府发布信息概率和网民追随概率的初始状态将会影响政府和网民的最终策略选择,进而影响网络舆情的演化方向。政府若要利用羊群效应成功引导网络舆情,就应该使其发布信息的概率和网民追随的概率落在某一个初始区域内。如当政府在网民心目中的公信力极度低下,网民选择追随策略的概率极低,此时初始状态落在 A区域里,其博弈结果是政府最终将选择不发布信息,网民选择不追随策略。羊群效应进行研究。在对羊群效应中的网民、政府进行简要界定之后,分别就网民群体内部、网民和政府之间的羊群效应建立两个演化博弈模型,并分别得出相应的指导意义。凡事都具有两面性,网络舆情传播过程中的羊群效应也不例外。一方面其可能加速网民盲从、跟风,对社会造成危害;另一方面又会加快信息传播速度,实现信息公开,提高社会效率。因此,政府可以积极利用羊群效应有利的方面,使网络舆情向政府期望的方向演化。如政府可以通过采取及时发布信息、培养意见领袖、提高网民对信息的解读能力和评判能力,提高网民的素质等措施对网民群体内部的羊群效应加以控制或利用。此外,政府还可以积极利用其与网民之间的羊群效应,在网络舆情事件演化过程中起“羊头”作用,进而引导网络舆情。本文所建立的模型对网络舆情演化过程中的羊群效应做了简化,虽然能在一定程度上还原和解释该效应,但对其影响因素考虑不够全面,还未考虑到一些随机因素和干扰因素。这将有待进一步研究,以期对羊群效应的建模和分析更加符合现实,进而更有针对性地提出更加合理的、有建设性的指导意义。参考文献[1] [2] [3] [4] [5] 4 结束语 [6] 本文运用演化博弈理论对网络舆情传播过程中的曾润喜.网络舆情管控工作机制研究[J].图书情报工作, -82 穆卫东,黄炜.警惕新闻转载中的“羊群效应”[J].青年记者,l一61 韩少春,刘云,张彦超,等.基于动态演化博弈论的舆论传播羊群效应[J].系统工程学报,):275-281 李平,曾勇.资本市场羊群行为综述[J].系统工程学报, ):176-183 雷跃捷,辛欣.网络传播概论[M].北京:中国传媒大学出版社, 毕宏音.网民的网络舆情主体特征研究[J].广西社会科学, 20o8(7):166-169 (责编:白燕琼) (上接第 56页) 重点研究机构方面,高等院校和中科院系统占据研究主体,企业较少,且企业多与高等院校、科研院所合作申请专利。总体而言,中国纳米光电产业技术仍主要处于科学发现和小试阶段,应用市场未真正起步、产业化尚未实现。目前,中国纳米光电产业技术的研究热点集中于:低维纳米结构制备及其光电性质、有 无机纳米复合材料、纳米光电催化材料、半导体光电纳米材料、太阳能电池、表面等离子体光子学等领域。参考文献[1]
程开富.纳米光通信技术的核心——纳米光电子器件[J].电子科学技术评论, [2]
明海,陈博,李晴,等.纳米光子学的最新进展[J].物理,):636-640 [3] 程开富.纳米电子/纳米光电子技术[J]。飞通光电子技术, ):76-80 [4] 刘文兰.纳米光电子器件最新进展及发展趋势[J].传感器世界,-9 [5] 李琳,于凤梅.纳米光电子器件在照明,显示技术中的发展和应用[J].广东技术师范学院学报, [6] 罗百辉.纳米科技:走出实验室[EB/OL].[2012一O3—22]ht- tp://it.//contenU5947711.htm (责编:自燕琼)播放器加载中，请稍候...
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2013 基于专利分析的我国纳米光电产业技术发展研究曹 晨 2
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