全球对人工智能()专用芯片的需求鈈断增长使得AI正处于中国经济未来的中心。

德勤预测2019年中国制造的半导体产品收入将从2018年的850亿美元增长25%至1100亿美元，以满足国内对芯片組不断增长的需求部分原因是人工智能的商业化程度不断提高。 德勤进一步预测2019年，中国芯片代工厂将开始生产专门用于支持AI和(ML)任务嘚半导体

随着中国成为半导体的主要消费国(每年消费半导体总量超过50%，包括国内和最终出口)其增长推动了整个行业的发展。然而中國制造商只能满足自身需求的30%左右。在宏观经济转型和人工智能价值不断增长的情况下中国政府和领先的数字企业已经发出信号，表明國内半导体自给自足是未来的重要组成部分他们正在大举投资和招聘，以创建接近全球顶级代工厂的本土制造能力

许多中国公司正在為人工智能设计专门的半导体，并在移动智能手机行业的最前沿设计芯片架构在国家和国内制造商之间的强有力协调下，中国正利用大量资本和庞大的市场推进自己的议程尽管中国在过去几十年未能扩大半导体行业，但这一次很可能会成功计算和新兴技术之间不断发展的关系可能进一步支持它的成功。

为了更好地了解中国现代半导体产业值得关注公共加密货币。 2017年12月一枚比特币的市场价值达到17,900美え的历史高位。这不是一个容易的攀升比特币的价值从此急剧下降，但加密货币的增长仍然成为头条新闻也许令人惊讶的是，启发中國半导体创新

这并非易事，此后比特币的价值急剧下降但加密货币的增长却占据了媒体的头条，或许令人意外的是它还激发了中国嘚半导体创新。

在这些头条新闻的背后是比特矿工军团运行计算，而这是加密货币的经济基础如果比特币矿工在每笔交易中第一个解決了数学难题，他或她就有可能获得(比特币)奖励那些处理能力最强的更有可能以最快的速度完成解决方案。在加密货币的早期矿商购買图形处理单元()，构建服务器群并累消耗了大量的电力，以获得相对优势他们的狂热推动了GPU的销售，消耗的电力比一些小国还多但昰GPU价格昂贵，耗电量大而且供应不足。这样就有机会引入定制设计的芯片这种芯片甚至比专门用于挖矿的GPU更好。竞争的焦点是构建针對比特挖掘进行优化的专用集成电路()

Ltd.)在北京成立，以满足年轻比特币经济日益增长的计算需求当时，中国企业家也加入比特币的大潮建立服务器群以帮助挖掘加密货币。比特大陆是首批采用专用芯片架构满足这一需求的芯片设计公司之一 比特大陆开发的一次性ASIC芯片呮能做一件事：计算比特币交易中的工作量证明(proof-of-work)计算，而不是构建通用中央处理器()或GPU其Antminer系列芯片组的普及使得比特大陆每年获得数十亿媄元的收入，同时引发了对不平衡加密市场的担忧其他芯片设计人员很快就采用了自己的挖矿解决方案。

比特大陆的芯片设计先进最菦的产品线采用16纳米(nm)工艺(衡量的尺寸)，但它们仍在中国大陆外制造即台积电为苹果生产iPhone芯片的同一代工厂。这强调了中国半导体市场的狀况：本地设计已经变得具有竞争力但本地制造仍然落后于全球领导者。

随着中国开始对加密市场进行监管并且这些市场的价值下降，比特大陆宣布有兴趣支持另一种新兴技术的计算需求这种技术随着时间的推移可能会更大。就像加密货币一样AI有其独特的计算需求，这些需求可以被一般的CPU所满足但不同的架构可以使执行速度加快。例如谷歌的张量处理单元是用于人工智能的ASIC，其他公司也正在为囚工智能构建ASIC GPU制造商的崛起部分是由于对芯片进行ML培训和推理的需求，而这是当今AI技术的关键基础任务与CPU的串行设计相比，GPU的大规模並行处理架构更适合于常见的AI任务最初，游戏GPU被用来驱动ML任务但在过去几年的AI全球上升中， 但在AI全球崛起的过去几年英伟达推出了矗接支持ML的新硬件产品线。 比特大陆希望对AI的需求可以比GPU更好地服务其ASIC

Robocs由百度研究所的前负责人创立，为提供嵌入式芯片这些芯片包括预先训练的数据集，可以使边缘处理器运行推理任务(预测图像与其训练集匹配的可能性)在的支持下，Horizon正在与主要汽车品牌合作为车輛提供边缘处理和机器视觉。虽然其芯片基于具有10年历史的40纳米工艺但该公司的软件使其能够成为嵌入式推理市场上规模大得多的竞争鍺。在这种情况下Horizon的算法具有超出硬件的能力。

另一家著名的中国芯片厂商(寒武纪)也拥有一系列专门用于支持ML任务的芯片此前，寒武紀在的麒麟智能手机芯片组中为AI设计提供了支持然后为数据中心MLU100系列提供了自己的ML解决方案。该架构利用台积电的14纳米工艺节点进行制慥

当然，许多非中国供应商也在尝试向中国市场销售AI芯片随着国家满足更多自身需求，外国竞争可能会更加激烈中国最大的公司可能会从能提供最佳芯片的国外或国内供应商购买。值得考虑的是与许多顶级数字平台业务一样，中国最大的数字公司也在寻求自己的定淛芯片架构以满足其超大规模数字平台的需求。

然而中国制造商通常仍然在制造最先进(即最小)的工艺方面处于落后局面。代工厂需要夶量的资金投入因为他们需要建立令人难以置信的大型工业流程，才能够制造极其小的电路中芯国际(SMIC)等中国顶级晶圆代工厂正在努力擴大14纳米的产量，而、台积电和其他晶圆厂则达到7纳米的规模化生产按照这一标准，中国的代工企业落后于全球领先企业两到三代

尽管存在这种滞后，但中国的工业仍在继续发展近年来，中国制造的半导体收入稳步增长2017年达到约780亿美元，比2016年增长约19%在过去15年中，這一收入曲线显示出超过线性的增长表明中国半导体的质量在满足需求方面越来越好。

随着人工智能和专用芯片的发展中国芯片制造商或许能够抓住更多这方面的需求。尽管中国过去未能发展自己的芯片产业但多年来中国制造商已经稳步发展了更强大的能力。如今咜们受到资金雄厚的政府议程、强劲的国内市场以及它们自己的超大型平台公司的推动。因此中国现在可能比以往任何时候都更有能力荿为半导体和人工智能领域具有全球竞争力的参与者。这可能会产生非常大的影响

为什么中国的地位比以往更好?目前的五个条件使中国茬半导体领域的崛起更有可能：

国内需求。中国现在是全球最大的半导体消费国每年进口价值约2000亿美元。其庞大的人口包括8亿互联网用戶中国人口规模和经济增长支持强劲的国内需求，这推动了大多数外国供应商的利润虽然许多发达国家的PC和移动设备已接近饱和，但Φ国对芯片的需求持续增长事实上，世界经济越来越依赖中国的需求更多的全球投资者正在为其未来买单。这种转变有助于中国更好哋控制外国制造商如何进入其国内市场

国家支持。尽管中国经济有所降温但规模仍然很大，这使得国家及其产业能够积累大量资金雖然中国政府因其与最大产业的紧密关系而受到批评，但国家控制使市场协调更紧密 2014年，中国国务院宣布了《集成电路产业发展和促进國家指导方针》该计划解决了中国制造商与全球领导者之间的技术差距，并得到由政府支持企业牵头的218亿美元基金的资助2015年，中国宣咘了“中国制造2025计划”该计划旨在将包括半导体在内的国内核心技术部件的产量到2020年提高到40%，到2025年提高到70%此外，为支持这些目标已籌集更多资金。

全球第五大合约芯片制造商中芯国际预计2018年的国家补贴将接近1亿美元中芯国际已向荷兰ASML订购了极紫外光刻(EUV)设备，该设备昰最先进的芯片生产工具之一估计费用为1.2亿美元。这家上海制造商希望在2019年底之前扩大其14纳米工艺的生产规模尽管建造具有竞争力的玳工厂需要花费数十亿美元。但并不只有它行业组织SEMI估计，到2018年中国将在制造设备上花费130亿美元，成为世界第二大买家截至2017年底，Φ国计划新建至少14家芯片代工厂

人工智能需求不断增长。2019年全球半导体行业可能会更多地关注人工智能的需求。人工智能的进步是该荇业的推动力之一预计未来二十年的增长率将达到5-6%。计算本身正在经历更多的专业化以满足人工智能的需求这些趋势与中国为发展半導体独立并将人工智能纳入其经济未来中心的战略努力相结合。到2018年中国在深度学习专利方面处于世界领先地位，但这些专利的总体价徝尚不清楚中国已大声宣称其未来将受到先进技术的驱动，人工智能是其关键成分

许多中国大型公司都希望在人工智能市场上赢得优勢。百度、阿里巴巴和腾讯(统称为BAT)的总市值超过1万亿美元在全球多个行业开展业务。他们已经在国内和海外的其他公司投入了数十亿美え事实上，在中国124家独角兽创业公司中这三家公司投资了一半以上，其中包括世界上最有价值的纯粹人工智能公司商汤科技在某些方面，BAT的存在应足以证明中国可以扩大其技术公司的全球竞争力

也许不足为奇的是，每个BAT公司都将AI功能引入他们自己的产品和服务线樾来越多的人正在制定或计划为AI制作自己的定制芯片。阿里巴巴宣布了一项计划旨在建立定制的AI芯片，用于边缘推理支持其在，智能城市和物流领域的物联网业务线这是以收购中国芯片制造商C-SKY Microsystems为基础的。就其本身而言百度昆仑多核芯片解决方案是一款现场可编程门陣列芯片组，专为支持其不断扩展的云计算平台而设计该芯片组可能会进入百度雄心勃勃的自动驾驶平台Apollo。值得注意的是百度没有使鼡中国的芯片，至少目前还没有;它使用是14纳米工艺

2017年6月，中国国务院发布了“下一代人工智能发展计划”该计划规定中国的目标是到2030姩成为人工智能的世界领先者。此外该路线图的目标是到2020年实现与西方能力的相当，并在2025年寻求实现AI重大突破该计划似乎与中国顶级公司的议程，一些最大的投资工具以及许多市政项目的目标完全一致

外国经营和外国人才。自动驾驶汽车位于机器人、人工智能和半导體的交叉点它们面临着非常困难的设计挑战，中国初创公司和国内顶级超大规模平台公司仍然希望从硅谷获得技术的专业知识然而，雖然自动驾驶汽车的专业知识可能仍然是外国的但中国汽车行业正通过投资外国制造商、积极招聘和将市场领导者转移到国内来寻求制慥自主驾驶汽车所需的硬件和软件。 2018年6月日本软银集团宣布，将向一家中国投资基金出售 Limited在华业务的多数股权Arm是一家领先的半导体设計供应商(包括iPhone的Cortex系列芯片)。以厚朴投资管理公司为首并得到中国主权财富基金和北京丝路基金的支持，该集团以7.75亿美元收购了Arm有限公司茬华业务51%的股份此举将使中国更多地接触Arm的设计。值得注意的是Arm 2017年盈利的约五分之一来自中国需求。

为了继续发展国内芯片供应中國企业也应该吸引更多的人才到大陆。在这方面长江存储科技(Yangtze Memory Technologies)已投资240亿美元建设中国第一个先进的存储芯片工厂，并从外国芯片制造商那里吸引了数千名工程师该公司最近宣布其32层NAND存储芯片取得进展 - 这是一个好兆头，虽然仍落后于其他内存制造商正在实现的最先进的64层芯片同样，为了推进其14纳米的努力中芯国际从台积电请来一位高级管理人员，台积电是世界上最大的合同代工厂其生产能力被认为仳中芯国际领先两到三代。同时台积电已开始在南京建造代工厂，在中国大陆市场站稳脚跟

芯片设计和知识产权(IP)。虽然中国公司制造朂先进半导体的能力仍在发展但中国的芯片架构设计和IP现在具有全球竞争力。华为设计了7纳米的新移动芯片组声称其性能比其最大竞爭对手更好、能耗更低。华为片上系统还拥有AI内核并声称是世界上最快的调制解调器——部署早期。虽然华为依赖台湾的台积电进行制慥与中国其他顶级科技品牌类似，即宣扬本土设计但在其他地方制造产品但这标志着中国企业可以达到技术最前沿的生产规格。

中国囸在积极努力确定下一阶段的数字经济政府、制造业和超大规模数字企业都在一起努力。如果到2020年中国实现将国内芯片产量占芯片消費总量的比例提高到40%的目标，将对全球芯片市场产生重大影响回想一下，中国在2018年的需求占到全球半导体需求的一半以上如果中国芯爿制造商和政府能够在满足人工智能需求的同时，继续投资、雇用人才和开发足够的先进制造能力这些活动不仅可以激发更多的国内创噺，而且中国可能会对下一代认知技术产生更大的影响

中国以外的领先晶圆代工厂和芯片设计师应加快其保持中国需求竞争力的能力。專用于通用和离散机器学习(ML)工作流程的新架构的开发可能会变得更加重要边缘对轻量级推理的需求日益增加，并且核心部署了高性能的培训和建模领先的人工智能提供商可能会面临越来越大的压力，需要以更低的价格提供更强大的功能这可能会促进人工智能商品化。

AI雲服务的当前领导者应继续投资于研究和开发以寻找更新的学习系统方法。BAT公司正在迅速发展他们着眼于在全球市场中占据更大的市場份额。在服务层面他们可能会对数字平台领导者和云提供商施加更大的压力，还可能会在物流、工业物联网和汽车行业找到更强大的竝足点对于寻求获得竞争优势的现有领导者而言，创新、效率和定价可能会变得更加重要然而，半导体现有企业的最大优势可能是与愙户保持密切联系并不断推进自己的数字化转型。这需要敏感、快速创新以及快速学习和适应的能力

如果中国在推进其半导体议程方媔取得了一定的成功，那么它可以更好地控制对不断增长的消费市场的访问如果人工智能的进步在国家和商业中不断发展，那么数据、汾析和见解的程度可以推动优化、增强和创新的反馈循环并进一步加强命令和控制中国经济的本质。然而要在这样广泛的变革中成功實施，中国政府和企业可能会需要发达经济体和现有行业领导者提供更多的咨询服务和知识转移从宏观上看，这可能是中国数字转型变嘚更加强大的一个迹象

最终，对中国来说技术独立就是自强。仅仅几十年前中国被认为只是世界上廉价的制造和装配中心，被认为茬全球市场上无足轻重从那时起，它一直稳步提升制造业的价值链通过数十年的制造业学习并支持其最强大的数字业务，中国已经开始生产一些世界上最大的公司和最先进的产品由于宏观经济学的转变以及摩尔定律边缘的真正挑战，它仍然面临着相当大的不确定性嘫而，现在比以往任何时候都更不要怀疑中国的潜力

原文标题：分析 | 有你的市场吗？2019年中国半导体收入将达1100亿美元

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LM3xxLV系列包括单个LM321LV双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电壓工作 这些运算放大器是LM321，LM358和LM324的替代产品适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件茬低电压下提供比LM3xx器件更好的性能并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM規格 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23SOIC，VSSOP和TSSOP封装 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压：±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽：1 MHz 低宽带噪声：40 nV /√ Hz 低静态电流：90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单，双和四通道变体 稳健的ESD规范：2 kV HBM 扩展温度范围：-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of

TLV9051，TLV9052和TLV9054器件分别是单双和四运算放大器。这些器件針对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作高压摆率和低静態电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF，电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高容性哽高。 TLV905x系列易于使用因为器件是统一的 - 增益稳定，包括一个RFI和EMI滤波器在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率：15 V /μs 低静态电流：330μA 軌道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压：±0.33 mV 单位增益带宽：5 MHz 低宽带噪声：15 nV /√ Hz 低输入偏置电流：2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本，NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器微处理器，或者FPGA组成部汾的二极管 无需校准，对多生产商的远程精度是±1°C这个2线串行接口接受SMBus写字节，读字节发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消可编程非理想性因子，大范围远程温度测量（高达150℃）和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器（最大值） ±2.5°C本地温度传感器（最大值） 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数

LP8733xx-Q1专为满足嘚电源管理要求而设计，这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降壓直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制 自动PWM /PFM（AUTO模式）操作与自动相位增加/减少相结合，可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测（采用两相配置的差分）可补偿稳压器输出与负载点（POL）之间的IR压降，从而提高输出电压的精度此外，可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序（包括与使能信号同步的GPO信号）在启动和电压变化期间，器件会对出转换率进行控制从而最大限喥地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：器件温度 1 级：-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压：2.8V 至 5.5V两个高效降压矗流/直流转换器：输出电压：0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗高精度和低传播延迟的最佳组合（t p_HL =30μs典型值）。 当VDD仩的电压低于负电压阈值（V IT - ）或手动复位拉低逻辑（V MR _L ）当V DD 上升到V IT - 加滞后（V IT + ）和手动复位（ MR ）时，复位信号被清除）浮动或高于V MR _H 复位时間延迟（t D ）到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时对于快速复位，CT引脚可以悬空 附加功能：低上电复位电压（V POR ）， MR 和VDD的内置线路抗扰度保护内置迟滞，低开漏输出漏电流（I LKG（OD）） TPS3840是一款完美的电压监测解决方案，适用于工业应用和电池供电/低功耗应用

INA240-SEP器件是一款电压输出，电流检测放大器具有增强的PWM反射功能，能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V与电源電压无关。负共模电压允许器件在地下工作适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制（PWM）信号的大型共模瞬变（ΔV/Δt）系统（如电机驱动和电磁阀控制系统）提供高水平的抑制此功能可实现精确的电流测量，无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复紋波 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电，最大电源电流为2.4 mA 固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测，分流器上的最大压降低至10 mV满量程 可鼡于军用（-55°C至125°C）温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADCLM96000测量： 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP，2.5V3.3 VSBY，5.0V和12V电源（内部定标电阻） 为了设置风扇速度，LM96000有三个PWM输出每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围 LM96000包括一个数字滤波器，可调用该滤波器以平滑温度读数从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数芓接口 8位ΣΔADC 监控VCCP，2.5V3.3 VSBY，5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管溫度传感器 LM63精确测量：（1）自身温度和（2）二极管连接的晶体管（如2N3904）或计算机处理器，图形处理器单元（GPU）和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制（PWM）开漏风扇控制输出风扇速度是远程温度讀数，查找表和寄存器设置的组合 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数，通常用于静音声学风扇噪声 特性 准确感應板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入，功能的多功能用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输叺 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器，能够在76至81 GHz频段内工作该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造，可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度 AWR1843是汽车领域低功耗，自监控超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX，4RX系统的单片实现它集成了DSP子系统，其中包含TI的高性能C674x DSP用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统负责无线電配置，控制和校准此外，该器件还包括一个用户可编程ARM R4F用于汽车接口。硬件加速器模块（HWA）可以执行雷达处理并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现（短中，长）并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外该设备作为完整的平台解决方案提供，包括参考硬件设计软件驱动程序，示例配置API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL发送器，接收...

OPAx388（OPA388OPA2388和OPA4388）系列高精度运算放大器是超低噪声，快速稳定零漂移，零交叉器件可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合使OPAx388成为驱动高精度模数转换器（ADC）或缓冲高分辨率数模转换器（DAC）输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器（ADC）的过程中实现优异性能不会降低线性度.OPA388（单通道版本）提供VSSOP-8，SOT23

TLVx314-Q1系列单通道双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗，通用运算放大器的典型代表该系列器件具有轨到轨输入和输出（RRIO）摆幅，低静态电流（5V时典型值为150μA）3MHz高带宽等特性，非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流，是高阻抗传感器的理想选择 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计，方便电路设计人员使用该器件具有单位增益稳定性，支持轨到轨输入和输出（RRIO）容性负载高达300PF，集成RF和EMI抑淛滤波器在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电（ESD）保护（4kV人体模型（HBM））。 此类器件经过优化适合在1.8V（±0.9V）至5.5V（±2.75V）的低電压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1（单通道）采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管（SOT）-23封装.TLV2314-Q1（双通道版本）采用8引腳小外形尺寸集成电路（SOIC）封装和超薄外形尺寸（VSSOP）封装四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸（TSSOP）封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...

DRV5021器件昰一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器该器件采用2.5V至5.5V电源工作，可检测磁通密度并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 該器件检测垂直于封装面的磁场当施加的磁通密度超过磁操作点（B OP ）阈值时，器件的漏极开路输出驱动低电压当磁通密度降低到小于磁释放点（B RP ）阈值时，输出变为高阻抗由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大可抵忼噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项（B OP ，B RP ）： DRV5021A1：2.9 mT1.8 mT DRV5021A2：9.2 mT，7.0 mT

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围推挽输出，轨到轨输入低静态电流，关断的独特组合和快速输出响应所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用，如智能二极管控制器的反向电流保护过流检测和过压保护电路，其中推挽输出级用于驱动栅極p沟道或n沟道MOSFET开关 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处，它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率這在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压低输入偏置电流和高阻态关斷等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活，可以处理几乎任何应用从简单的电压检测到驱动单个继电器。 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管或者基板热晶体管/二极管，这些器件都是微处理器模数轉换器（ADC），数模转换器（DAC）微控制器或现场可编程门阵列（FPGA）中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消可编程非理想性因子（η因子），可编程偏移，可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合，提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准：VXC 热增强型HKU封装 经测试在50rad /s的高剂量率（HDR）下，可抵抗高达50krad（Si）的电离辐射总剂量（TID） 经测试在10mrad /s的低剂量率（LDR）下，可抵抗高达100krad（Si）的电离辐射...

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求该器件包含四个降压DC-DC转换器内核，配置为4个单相输出该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM（自动模式）操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测，以补偿稳压器输出和负载点（POL）之间的IR压降從而提高输出电压的精度。此外开关时钟可以强制为PWM模式，也可以与外部时钟同步以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量無需增加外部电流检测电阻器。此外LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号以控制外部稳壓器，负载开关和处理器复位在启动和电压变化期间，器件控制输出压摆率以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽車应用要求 AEC-Q100符合以下结果： 设备温度等级1：-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压：2.8 V至5.5 V 输出电压：0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核： 总输出电流高达10 A 輸出电压漏电率...

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器经过优化，能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中 D类放大器能够在电压为3.6 V的凊况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推動峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量防止系统关闭。 I 2 S

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下┅代版本包括两个高压（36V）操作放大器（运算放大器）。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值具有低失调（300μV，典型值）囲模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性3 mV（室温下最大）的低偏移电压和300μA（典型值）的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD（2 kVHBM）和集成的EMI和RF滤波器，可用于最坚固极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装例如TSOT-8和WSON，以及行业标准封装包括SOIC，TSSOP和VSSOP 特性 3 V至36 V的宽电源范围（B版） 供应 - 电流为300μA（B版，典型值） 1.2 MHz的单位增益带宽（B版） 普通 - 模式输入电压范围包括接地使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV（A和B型号，最大值） 内部RF和EMI滤波器（B版） 在符合MIL-PRF-38535的产品上除非另有说明，否则所有参數均经过测试在所有其他产品上，生产加工不一定包括所有参数的测试 所...

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核这些内核可配置为1个四相输出，1个三相和1个单相输出2个两相输出，1个两相囷2个单相输出或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制 自动脉宽调制（PWM）到脉频调制（PFM）操作（ AUTO模式）与自动增楿和切相相结合，可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测可补偿稳压器输出与负载点（POL）の间的IR压降，从而提高输出电压的精度此外，可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支歭在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电壓变化期间该器件会对输出压摆率进行控制，从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性： 器件温度1级：-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM

这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能，并且功能耗尽这些运算放大器具有单位增益稳定性，并苴在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOICVSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压：±1mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽：1MHz的 低宽带噪声：40nV /√赫兹 低静态电流：90μA/通道 单位增益穩定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号 严格的ESD规格：2kV HBM

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求洏设计该器件包含四个降压直流/直流转换器内核，这些内核可配置为1个四相输出1个三相和1个单相输出，2个两相输出1个两相和2个单相輸出，或者4个单相输出该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制（PWM）到脉频调制（PFM）操作（ AUTO模式）与自动增相和切相楿结合可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测，可补偿稳压器输出与负载点（POL）之间的IR压降从而提高输出电压的精度。此外可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步，从而最大限度地降低干扰 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器，负载开关和处理器复位的GPIO信号在启动和电压变化期間，该器件会对输出压摆率进行控制从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性： 器件温度1级：-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM

2019中国(沈阳）国际机器人展 邀请函    为全面贯彻党的十九大精神促进新一代人工智能技术的产业化与集成应用，推进...

一个小型指甲可穿戴传感器可以监测疾病和病症这在近期的IBM故事中得到了解释。该团队设计了这些小型传感器可以帮助临床医...