阻容晶闸管触发两端并联阻容吸收电路的目的是

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2016-06-14 03:43 标签： 晶闸管两端并联阻容

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  一、阻容晶闸管触发(可控硅)两端為什么并联电阻和电容在实际阻容晶闸管触发(可控硅)电路中常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路    我们知道，阻容晶閘管触发(可控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt它表明阻容晶闸管触发(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使阻容晶闸管觸发(可控硅)从断态转入通态的最低电压上升率若电压上升率过大，超过了阻容晶闸管触发(可控

  一、阻容晶闸管触发(可控硅)两端为什么并聯电阻和电容在实际阻容晶闸管触发(可控硅)电路中常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路
我们知道，阻容晶闸管触发(鈳控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt它表明阻容晶闸管触发(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使阻容晶闸管触发(可控矽)从断态转入通态的最低电压上升率若电压上升率过大，超过了阻容晶闸管触发(可控硅)的电压上升率的值则会在无门极信号的情况下開通。即使此时加于阻容晶闸管触发(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压也可能发生这种情况。因为阻容晶闸管触发(可控硅)可以看作昰由三个PN结组成
在阻容晶闸管触发(可控硅)处于阻断状态下，因各层相距很近其J2结结面相当于一个电容C0。当阻容晶闸管触发(可控硅)阳极電压变化时便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结这个电流起了门极触发电流作用。如果阻容晶闸管触发(可控硅)在关断时阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，阻容晶闸管触发(可控硅)误导通现象即常说的硬开通，这昰不允许的因此，对加到阻容晶闸管触发(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制

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