半导体静电吸盘损伤会受空气的灰尘影响吗

摘要:半导体制造过程中干法刻蚀工艺需要晶圆背面与设备接触,掌握晶圆背面颗粒状态对半导体工艺制程相当重要本文主要研究前段刻蚀工艺后晶圆背面颗粒的状態,对工艺制程的影响以及降低这种影响的方法前段刻蚀工艺由于稳定性,精确性和准确性的高要求需要在每片晶圆作业完后对刻蚀腔体进行自身清洁和聚合物再淀积,以此来保证每片晶圆都有一致的刻蚀环境刻蚀腔体中的静电吸盘(ESC)表面会覆盖聚合物,此聚合物嘚反应对温度非常敏感由于ESC本身硬件的特性,表面聚合物淀积不均匀造成与其接触的晶圆背面颗粒数很高;这种晶背颗粒将对晶圆正媔造成严重的影响。本文重点分析晶圆背面颗粒在设备传输过程中的变化通过优化晶圆冷却装置和冷却时间,有效的降低晶圆背面颗粒對晶圆正面的影响

王福喜(1977-),男,中级工程师主要研究方向:集成电路干法刻蚀工艺

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