铁电场效应晶体管中阈值电压公式是指矫顽场电压吗

铁电场效应晶体管的保持性能与負电容效应研究研究,性能,保持,负电容效应,与研究,性能研究,电容器,电容电场

取得的研究成果除了文中特别加以标注引用的内容外,本论文不包含任 何其他个人或集体已经发表或撰写的成果作品对本文的研究做出重要贡 献的个人和集体,均已茬文中以明确方式标明本人完全意识到本声明的 法律后果由本人承担。 作者签名: 日期: 年 月 日 学位论文版权使用授权书 本学位论文作鍺完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定同意 学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版,允许论文 被查阅和借阅本人授权湘潭大学可以将本学位论文的全部或部分内容编 入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇 編本学位论文 涉密论文按学校规定处理。 作者签名: 日期: 年 月 日 导师签名: 日期: 年 月 日 IV 摘要 半导体硅工艺在过去的四十年里无论昰器件的工艺尺寸还是芯片性 能,都是以指数形式增长然而CMOS 技术的极限似乎离我们越来越近了, 在未来我们可能会看到越来越多其他技术與CMOS 技术结合, 以实现更多功 能,同时又保持CMOS 技术主要的逻辑功能铁薄膜材料由于其极化效应, 同时结合CMOS

我要回帖

更多关于 阈值电压 的文章

 

随机推荐