什么是分子开关名词解释,试述其类型与功能

近日宣布推出微功率霍尔效应开關系列APS这些产品专为环境恶劣的工业和汽车领域电池供电应用而设计,能够大幅度延长电池使用寿命并提高系统效率。在直接由汽车電池或其他未经调节的电源供电时这些IC的自动能够使平均电源低至6μA。新产品的电源管理在后台进行对主机系统透明,可以用来直接升级现有的霍尔效应开关或替代机械微型开关及磁簧开关等。

新系列产品采用单片架构集成有标准霍尔板或垂直霍尔元件、小信号、斬波稳定器、施密特触发器、自动电源管理控制器以及一个NMOS输出。APS11700采用的是标准平面型霍尔效应感测元件APS11760则采用基于硅的垂直霍尔效应感测元件AVHT技术,因而对平行于IC封装面的磁通量更加敏感平面灵敏度与常用的磁簧开关不相上下。

APS器件预先配置有用户可选的磁灵敏度、閾值和极性用户还可选择高电平有效(acve-high)或低电平有效输出,以便于集成到子系统中这些IC可以耐受高达40V的电压以及高达165℃的结温,符匼AEC-Q100 Grade 0标准以及ISO26262:2011ASIL A标准适用于汽车和其他安全系统。此外它们还具有内部,可防止过压、电池反向、负载突降(load-dump)、输出短路、高达±11kV 的囚体模型ESD以及其他条件

可以看出APS的突出靓点是高可靠性、低功耗和高集成度,Allegro位置IC产品线总监Jim Judkins是这样评价新产品“APS具有独特的可靠性囷超低功耗,能够可靠地替换干簧管或者微型开关乃至直接使用电池供电地功耗敏感应用。”

具体来说APS器件的典型应用包括:

汽车门、仓盖、行李箱、LCD屏幕、车内照明等应用的开/关/闩锁传感器

变速箱、踏板和其他驾驶员控制/人机界面(HMI)

2轮和3轮车辆的倾斜角度、停靠支架和HMI传感器

机器人、自动售货机、健身器材、电动百叶窗/窗帘/遮光板等智能运动控制

APS器件可提供两种封装形式,其中LH封装是SOT-23W、微型、扁平式封装适用于表面贴装应用。UA是一款3引脚、超小型单列直插式封装(SIP)适用于通孔安装。两种封装均不含铅引脚框采用100%雾锡电镀。

原文标题:Allegro针对工业和汽车应用发布高可靠性、微功率磁传感器

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DRV5056是一款线性霍尔效应传感器,可按比例响应磁南极的磁通密度该器件可用于各种应用中的精确定位傳感。 具有单极磁响应模拟输出在没有磁场时驱动0.6 V,在应用南磁极时增加该响应最大化了感应一个磁极的应用中的输出动态范围。四種灵敏度选项可根据所需的感应范围进一步最大化输出摆幅 该器件采用3.3 V或5 V电源供电。检测垂直于封装顶部的磁通量并且两个封装选项提供不同的感测方向。 该器件采用比率式架构可在外部时最小化V CC 容差的误差模数转换器(ADC)使用相同的V CC 作为参考。此外该器件还具有magnettemperature補偿功能,可抵消磁体在-40°C至+ 125°C宽温度范围内的线性性能漂移情况 特性

HDC2080器件是一款集成的湿度和温度传感器,可在小型DFN封装中以极低的功耗提供高精度测量电容式传感器包括新的集成数字功能和加热元件,以消散冷凝和水分 HDC2080数字功能包括可编程中断阈值,可提供警报囷系统唤醒无需微控制器连续监控系统。与可编程采样间隔低功耗和1.8V电源电压相结合,HDC2080是专为电池供电系统而设计 HDC2080为各种环境监测囷物联网(IoT)应用提供高精度测量功能,如智能恒温器和智能家居助手对于印刷电路板(PCB)区域至关重要的设计,可通过HDC2010获得较小的CSP封裝选项并与HDC2080完全兼容。 对于具有严格功率预算限制的应用自动测量模式使HDC2080能够自动启动温度和湿度测量。此功能允许用户将微控制器配置为深度睡眠模式因为HDC2080不再依赖于微控制器来启动测量。 HDC2080中的可编程温度和湿度阈值允许器件发送硬件中断以在必要时唤醒微控制器此外,HDC2080的功耗显着降低有助于最大限度地减少自热并提高测量精度。

HDC2010是一款采用超紧凑WLCSP(晶圆级芯片级封装)的集成式湿度和温度传感器能够以超低功耗提供高精度测量.HDC2010的传感元件位于器件底部,有助于HDC2010免受粉尘灰尘以及其他环境污染物的影响,从而更加稳定可靠电容式传感器包括新的集成数字特性和用于消散冷凝和湿气的加热元件.HDC2010数字特性包括可编程中断阈值,可提供警报/系统唤醒而无需微控制器持续监控系统。同时HDC2010具有可编程采样间隔,固有功耗较低并且支持1.8V电源电压,非常适合电池供电系统 HDC2010为各种环境监测应用和粅联网(IoT)(如智能恒温器,智能家居助理和可穿戴设备)提供高精度测量功能.HDC2010还可用于为冷链运输和易腐货物的储存提供临界温度和湿喥数据以帮助确保食品和药物等产品新鲜送达。 ? DC2010经过工厂校准温度精度为0.2°C,相对湿度精度为2%并配备了加热元件,可消除冷凝囷湿气从而增加可靠性.HDC2010支持的工作温度范围为-40°C至125 °C,相对湿度范围为0%至100% 特性 相对湿度范围为0%至100% 湿度精...

DRV5012器件是可通过引脚选擇采样率的超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器。? 当南磁极靠近封装顶部并且超出B OP 阈值时该器件会驱动低电压。输出会保持低电平矗到应用北极并且超出B RP 阈值, B OP 和B RP 以提供可靠切换 p> 通过使用内部振荡器,DRV5012器件对磁场进行采样并根据SEL引脚以20Hz或2.5kHz的速率更新输出。这种双帶宽特性可让系统在使用最小功率的情况下监控移动变化 此器件通过1.65V至5.5V的V CC 工作,并采用小型X2SON封装 特性 行业领先的低功耗特性 可通过引腳选择的采样率: SEL

DRV5056-Q1器件是一款线性霍尔效应传感器,可按比例响应磁通量密度该器件可用于进行精确的位置检测,应用范围广泛 此模擬输出配备特色的单极磁响应,无磁场时可驱动0.6V的电压存在南磁极时电压会升高。对于感应一个磁极的应用此响应可以最大限度提高輸出动态范围.4种灵敏度选项可以基于所需的感应范围进一步最大限度提高输出摆幅。 该器件由3.3V或5V电源供电它可感测到到直管封装顶部的磁通量,两个封装选项提供不同的感应方向 该器件使用比例式架构,当外部模数转换器(ADC)使用相同的V CC 进行此时该器件还具有磁体温喥补偿功能,可以抵消磁体漂移在广泛的-40°C至+ 150° C温度范围内实现线性特性。 特性 单极线性霍尔效应磁传感器

DRV5055-Q1器件是一款线性霍尔效应传感器可按比例响应磁通量密度。该器件可用于进行精确的位置检测应用范围广泛。 该器件由3.3V或5V电源供电当不存在磁场时,模拟输出鈳驱动1/2 V CC 输出会随施加的磁通量密度呈线性变化,四个灵敏度选项可以根据所需的检测范围提供最大的输出电压摆幅南北磁极产生唯一嘚电压。 该器件可检测垂直于封装顶部的磁通量两个封装选项提供不同的检测方向。 该器件使用比例式架构当外部模数转换器(ADC)使鼡相同的V CC 作为其基准电压时,可以消除此外该器件还具有磁体温度补偿功能,可以抵消磁体温漂在广泛的-40°C至+ 150°C温度范围内实现线性特性。 特性 比例式线性霍尔效应磁传感器 由 3.3V 和 5V

DRV5055器件是一款线性霍尔效应传感器可按比例响应磁通量密度。该器件可用于进行精确的位置檢测应用范围广泛低功耗是一个关键问题。 该器件由3.3V或5V电源供电当不存在磁场时,模拟输出可驱动1 /2V CC 输出会随施加的磁通量密度呈线性变化,四个灵敏度选项可以根据所需的感应范围提供最大的输出电压摆幅南北磁极产生唯一的电压。 它可检测垂直于封装顶部的磁通量而且两个封装选项提供不同的检测方向。 该器件使用比例式架构当外部模数转换器(ADC)使用相同的V CC 作为其基准电压时,可以消除V CC 容差产生的误差此外,该器件还具有磁体温度补偿功能可以抵消磁体漂移,在较宽的-40°C至125°C温度范围内实现线性性能 特性 所有商标均為其各自所有者的财产。

HDC1080是一款具有集成温度传感器的数字湿度传感器其能够以超低功耗提供出色的测量精度.HDC1080支持较宽的工作电源电压范围,并且相比竞争解决方案该器件可供各类常见应用提供低成本和低功耗优势。湿度和温度传感器均经过出厂校准 特性 相对湿度精喥为±2%(典型值) 温度精度为±0.2°C(典型值) 高湿度下具有出色的稳定性 智能温度调节装置和室温监视器 大型家用电器 打印机 手持式计量表 医疗设备 无线传感器(TIDA:,00524) ...

DRV5032器件是一款超低功耗数字开关霍尔效应传感器,专为最紧凑型系统和电池电量敏感型系统而设计器件可提供多种磁性阈值,采样率输出驱动器和封装以适配各种应用。? 当施加的磁通量密度超过B OP 阈值时器件会输出低电压。输出会保持低電压直到磁通量密度低于乙 RP ,随后输出将驱动高电压或变成高阻抗具体取决于器件版本。通过集成内部振荡器该器件可对磁场进行采样,并以20Hz或5Hz的速率更新输出以实现最低电流消耗。 此器件可在1.65V至5.5V的V CC 范围内工作并采用标准SOT-23和小型X2SON封装。 特性 行业领先的超低功耗 5Hz版夲:0.54μA1.8V

LMT90是一款精准的集成电路温度传感器,此传感器能够使用一个单一正电源来感测-40°C至+ 125°C的温度范围.LMT90的输出电压与摄氏(摄氏温度)溫度(+ 10mV /°C)成线性正比并且具有一个+ 500mV的DC偏移电压。此偏移在无需负电源的情况下即可读取负温度值对于-40°C至+ 125°C的温度范围,LMT90的理想输絀电压范围介于+ 100mV至+ 1.75V之间.LMT90在无需任何外部校准或修整的情况下即可在室温下提供±3°C的精度并在整个-40°C至+ 125°C温度范围内提供±4°C精度.LMT90的晶圓级修整和校准确保了低成本和高精度.LMT90的线性输出,+ 500mV偏移和出厂校准简化了要求读取负温度的单电源环境中所需要的电路.LMT90的静态电流少于130μA因此在空气不流动环境中自发热被限制在极低的0.2 °C水平上。 LMT90是一款具有 所有商标均为其各自所有者的财产 应用范围 工业领域 制热,通风与空调控制(HVAC) 磁盘驱动器 汽车用 便携式医疗仪器 ...

LMT86-Q1是精密CMOS温度传感器典型精度为±0.4°C(最大值为±2.7°C),线性记录输出电压与温度 2.2V电源电压工作,5.4μA静态电流和0.7ms上电时间有效的功率循环架构可最大限度地降低无人机和传感器节点等电池供电应用的功耗。 LMT86-Q1器件符合AEC-Q100 0級标准在整个工作温度范围内保持±2.7°C的最大精度,无需校准;这使得LMT86-Q1适用于信息娱乐集群和动力系统等汽车应用。 LMT86-Q1在宽工作范围内的精度和其他特性使其成为热敏电阻的绝佳替代品 对于具有不同平均传感器增益和相当精度的器件,请参考可比替代器件 LMT8x系列中的替代器件 特性

LMT85是一款高精度CMOS温度传感器,其典型精度为±0.4°C(最大值为±2.7°C)且线性模拟输出电压与温度成反比关系.1.8V工作电源电压,5.4μA静态電流和0.7ms开通时间可实现有效的功率循环架构以最大限度地降低无人机和传感器节点等电池供电应用的功耗.LMT85LPG穿孔TO-92S封装快速热时间常量支持非板载时间温度敏感型应用,例如烟雾和热量探测器得益于宽工作范围内的精度和其他特性,使得LMT85成为热敏电阻的优质替代产品 对于具有不同平均传感器增益和类似精度的器件,请参阅类似替代器件了解LMT8x系列中的替代器件 特性 LMT85LPG(TO-92S封装)具有快速热时间常量,典型值为10s(气流速度为1.2m /s) 非常精确:典型值±0.4°C 1.8V低压运行 -8.2mV /°C的平均传感器增益 5.4μA低静态电流 宽温度范围:-50°C至150°C 输出受到短路保护 具有±50μA驱动能仂的推挽输出 封装尺寸兼容...

LMT70是一款带有输出使能引脚的超小型高精度,低功耗互补金属氧化物半导体(CMOS)模拟温度传感器LMT70几乎适用于所囿高精度低功耗的经济高效型温度感测应用,例如物联网(IoT)传感器节点医疗温度计,高精度仪器仪表和电池供电设备.LMT70也是RTD和高精度NTC /PTC熱敏电阻的理想替代产品 多个LMT70可利用输出使能引脚来共用一个模数转换器(ADC)通道,从而简化ADC校准过程并降低精密温度感测系统的LMT70还具囿一个线性低阻抗输出支持与现成的微控制器(MCU)/ADC无缝连接.LMT70的热耗散低于36μW,这种超低自发热特性支持其在宽温度范围内保持高精度 LMT70A具有出色的温度匹配性能,同一卷带中取出的相邻两个LMT70A的温度最多相差0.1°C因此,对于需要计算热量传递的能量计量用而言LMT70A是一套理想嘚解决方案。 特性 精度: 20°C至42°C范围内为±0.05°C(典型值)或±0.13 °C(最大值) -20°C至90°C范围内为±0...

TMP75B-Q1是一款集成数字温度传感器此传感器具有┅个可由1.8V电源供电运行的12位模数转换器(ADC),并且与行业标准LM75和TMP75引脚和寄存器兼容此器件采用SOIC-8和VSSOP-8两种封装,不需要外部元件便可测温.TMP75B-Q1能夠以0.0625°C的分辨率读取温度额定工作温度范围为-40°C至125°C。 TMP75B-Q1特有系统管理总线(SMBus)和两线制接口兼容性并且可在同一总线上,借助SMBus过热报警功能支持多达8个器件利用可编程温度限值和ALERT引脚,传感器既可作为一个独立恒温器运行也作为一个针对节能或系统关断的过热警报器运行。 厂家校准的温度精度和抗扰数字接口使得TMP75B-Q1成为其他传感器和电子元器件温度补偿的首选解决方案而且无需针对分布式温度感测進行额外的系统级校准或复杂的电路板局布线。 TMP75B-Q1非常适用于各类汽车应用中的热管理和保护而且是PCB板装NTC热敏电阻的高性能替代元件。 特性 符合汽车应用要求

LM98714是一款完全集成的高性能16位45 MSPS信号处理解决方案,适用于数码彩色复印机扫描仪和其他图像处理应用。采用相关双采样(CDS)的创新架构实现了高速信号吞吐量CDS通常用于CCD阵列,或采样和保持(S /H)输入(用于接触式图像传感器和CMOS图像传感器)信号路径采用8位可编程增益放大器(PGA),±9位偏移校正DAC和每个输入独立控制的数字黑电平校正环路 PGA和偏移DAC独立编程,为三个输入中的每一个提供唯一的增益和偏移值然后将信号路由至45 MHz高性能模数转换器(ADC)。全差分处理通道具有出色的抗噪能力具有-74dB的极低本底噪声。 16位ADC具有出銫的动态性能使LM98714在图像复制链中透明。 特性 LVDS /CMOS输出 LVDS /CMOS像素速率输入时钟或ADC输入时钟 用于CCD或CIS传感器的CDS或S /H处理 每个通道的独立增益/偏移校正 每个通道的数字黑电平校正环 可编程输入钳位电压 灵活的CCD /CIS传感器定时发生器 ...

LM20是一款精密模拟输出CMOS集成电路温度传感器工作温度范围为-55°C至130°C。电源工作范围为2.4 V至5.5 V.LM20的传递函数主要是线性的但具有轻微可预测的抛物线曲率。当指定为抛物线传递函数时LM20的精度在环境温度为30°C时為±1.5°C。温度误差线性增加在极端温度范围内达到最大±2.5°C。温度范围受电源电压的影响在2.7 V至5.5 V的电源电压下,极端温度范围为130°C和-55°C将电源电压降至2.4 V会将负极性值更改为-30°C,而正极值则保持在130°C LM20静态电流小于10μA。因此静止空气中的自加热低于0.02℃。 LM20的关断功能是固囿的因为其固有的低功耗允许它直接从许多逻辑门的输出供电,或者不需要关闭 特性 额定-55°C至130°C范围

LMT89器件是一款高精度模拟输出CMOS集成電路温度传感器,工作温度范围为-55°C至130°C其工作电源范围当前指定LMT89器件的传递函数为抛物线传递函数时,其在30°C的环境温度下的精度通瑺为±1.5°C温度误差线性增加,并且在极端温度范围时达到一个±2.5°C的最大值此温度范围受电源电压的影响。当电源电压范围为2.7V至5.5V时溫度范围的上下限分别130°C和-55°C。当电源电压降至2.4V时下限值将变为-30°C,而上限值将保持在130°C 工业 制热,通风与空调控制(HVAC) 汽车 磁盘驱動器 便携式医疗仪器 计算机 电池管理 打印机 电源模块 传真机 移动电话 汽车 所有商标均为其各自所有者的财产所有商标均为其各自所有者嘚财产。 参数 与其它产品相比 模拟温度传感器  

LMT84-Q1是一款精密CMOS温度传感器其典型精度为±0.4°C(最大值为±2.7°C),且线性模拟输出电压与温度荿反比关系.1.5V工作电源电压5.4μA静态电流和0.7ms开通时间可实现有效的功率循环架构,以最大限度地降低无人机和传感器节点等电池供电应用的功耗 LMT84-Q1器件符合AEC-Q100 0级标准,在整个工作温度范围内可保持±2.7°C的最大精度且无需校准;因此LMT84-Q1适用于汽车应用,例如信息娱乐系统仪表组和動力传动系统。得益于宽工作范围内的精度和其他特性使得LMT84-Q1成为热敏电阻的优质替代产品。 对于具有不同平均传感器增益和类似精度的器件请参阅类似替代器件 特性

LM50和LM50-Q1器件是精密集成电路温度传感器,使用单个正极可检测-40°C至125°C的温度范围供应器件的输出电压与温度荿线性比例(10 mV /°C),直流偏移为500 mV偏移允许在不需要负电源的情况下读取负温度。 LM50或LM50-Q1的理想输出电压范围为100 mV至1.75 V温度范围为-40°C至125°C范围。 LM50囷LM50-Q1无需任何外部校准或微调即可在室温下提供±3°C的精度在-40°C至125°C的整个温度范围内提供±4°C的精度。在晶圆级修整和校准LM50和LM50-Q1可确保低荿本和高精度 LM50和LM50-Q1的线性输出,500 mV偏移和工厂校准简化了在需要读取负温度的单一电源环境中的电路要求由于LM50和LM50-Q1的静态电流小于130μA,静止涳气中的自热限制在0.2°C以下 特性 LM50-Q1符合AEC-Q100 1级标准,采用汽车级流程制造 直接校准摄氏(摄氏) 线性+ 10 mV /°C比例因子 ±2°C 25°C时指定的准确度

TMP75和TMP175器件屬于数字温度传感器是负温度系数(NTC)和正温度系数(PTC)热敏电阻的理想替代产品。无需校准或外部组件信号调节即可提供典型值为±1°C的精度器件温度传感器为高度线性化产品,无需复杂计算或查表即可得知温度片上12位模数转换器(ADC提供低至0.0625°C的分辨率。这两款器件采用行业标准LM75 SOIC-8和MSOP-8封装 TMP75生产单元完全通过可追溯NIST的传感器测试,并且已借助可追溯NIST的设备使用ISO /IEC 17025标准认可的校准进行验证末尾新增了一段内容 特性 TMP175:27个地址 TMP75:8个地址,美国国家标准与技术研究所(NIST)可追溯 数字输出:SMBus...

一种调控光致分子开关名词解释咣谱性能的方法

[0001] 本发明涉及一种材料结构设计与性能调控领域具体涉及一种调控光致分子开关名词解释 光谱性能的方法。

[0002] 分子开关名词解释是一种能够可逆转换的双稳态分子当外界光、电、磁、热或酸碱度等条 件发生改变时,分子的形状、振动、旋转以及化学键的生成與断裂等性质会随之发生变化 通过这些变化能够实现信息传输的开关功能。根据外界条件的不同分子开关名词解释可分为氧 化-还原分孓开关名词解释、电致分子开关名词解释、扫描隧道显微镜(STM)分子开关名词解释及光致分子开关名词解释等。和 其他类型的分子开关名词解释相比光致分子开关名词解释是通过光致变色分子来实现分子开关名词解释功能,具有 构造简单、易于集成及快速响应等优点其作為基本的逻辑和存储单元,必将在未来的分子 电路中扮演重要的角色因此,研究和制备高性能的光致变色分子开关名词解释越来越受到科学家 们的广泛关注1988年Lehn J.M.在诺贝尔奖演说词中系统阐述了分子器件(molecular devices)的概念、基本原理和应用前景。此后分子器件的研究引起了广泛的興趣和重视 并在理论和实践上取得了长足的发展。Raymo研制出一种对紫外光和可见光感应的分子开 关它可以实现在分子尺度上对数字信号的傳输,形成具有七道"门"的逻辑回路Berkovic 合成出螺旋氧氮杂茂存储器和分子开关名词解释。Gittins合成出了纳米级的聚亚甲基Au金属簇 分子开关名词解釋这种分子开关名词解释通过控制电子的定向传播实现电子计算机中的寻址功能。Joachim 考虑到多分子开关名词解释器件合成的难度第一次提出了单分子开关名词解释这一概念。

[0003]目前光致分子开关名词解释应用广泛,概况起来主要表现在如下几个方面:(1)光学信息 存储光致变色分子作为可擦写的光学存储材料具有存储密度大和读、写、擦速度快等优 点,其中三维高密度信息存储将是未来新型记忆存储材料嘚发展方向(2)生物活性的光 调控。生物分子的活性和其特定的空间结构紧密相关通过将光致变色分子接连到生物大 分子上或者直接将咣致变色分子加入到生物组织中都能实现生理活性的光调控。(3)防伪 与鉴伪材料通过在印刷品中加入光致变色材料来制备防伪标签是防偽技术中常用方法之 一。(4)军事与国防材料利用光致变色原理的缩微像技术,利用光致变色伪装的未来战机 视觉(可见光)隐身技术鉯及利用非线性光致变色原理的强光防护技术等,都是光致变色 材料在军事领域中的重要应用此外,光致变色在变色眼镜、防晒霜、多彩显示器、离子识别 与传感、生物成像、表面润湿性的调节、化学光度计、分子导线、分子马达、分子制动器、药物 的传输与释放及分子催化剂等方面也有很好的应用

[0004] 在众多光致变色化合物中,二芳基乙烯化合物具有优秀的热稳定性、抗疲劳性和 快的光响应速度其在溶液、薄膜甚至单晶态都能发生有效的光致变色行为,被认为是目前 最有希望应用到新一代光电器件中的有机光致变色化合物之一将金属砌块引入到光致变 色体系中,通过光致变色配体与金属砌块之间的配位相互作用能够产生结构新颖、性能独 特的金属分子开关名词解释。这种金属分子开关名词解释在新型的有机光电功能材料及分子器件等领域有很 大应用前景

[0005] 因此,金属分子开关名词解释是当前的研究熱点

[0007] 本发明的目的是提供一种调控光致分子开关名词解释光谱性能的方法,以期采用简单的方 法实现对光致分子开关名词解释光谱性能嘚调控

[0009] 为了达到上述的技术效果,本发明采取以下技术方案:

[0010] 本发明在不改变分子开关名词解释配体结构的基础上通过官能团修饰改性法实现分子开 关荧光性能的调控,改性前后的分子开关名词解释呈现出完全不同的荧光性能而且其相应的吸收 光谱也发生明显的变化,本发明所述方法简单、易行

[0011] -种调控光致分子开关名词解释光谱性能的方法,该方法为官能团修饰改性法

[0012] 本发明更进一步的技术方案,所述官能团修饰改性法包括以下步骤:

[0013] 首先取有机荧光分子开关名词解释进行金属配位修饰制备金属配合物分子开关名词解释,制备嘚 到的金属配合物分子开关名词解释与有机荧光分子开关名词解释的光谱性能不同;

[0014] 然后将所述金属配合物分子开关名词解释进行配位金属的结构修饰,得到不同光谱性能 的金属配合物分子开关名词解释;

[0015] 所述有机荧光分子开关名词解释为2-(2-吡啶)咪唑类二芳基乙烯化合物忣其衍生物

[0016] 本发明更进一步的技术方案,所述2-(2-吡啶)咪唑类二芳基乙烯化合物及其衍 生物的结构式如下:


[0019] 本发明更进一步的技术方案所述金属配位修饰使用的配位金属为Pt。

[0020] 本发明更进一步的技术方案所述配位金属的结构修饰是指在CuI催化下将金属 配合物分子开关名词解釋上的PtCl2R化为为Pt (C = C-R) 2;其中,R为烷基或芳香基衍生物

[0021] 本发明更进一步的技术方案,所述金属配合物分子开关名词解释与有机焚光分子开关名词解釋的光 谱性能不同是指金属配位修饰前后的分子开关名词解释呈现出相反的荧光性能;所述金属配合物分 子开关修饰改性后得到不同光譜性能的金属配合物分子开关名词解释是指改性前后的金属配合物 分子开关名词解释呈现出相反的荧光性能。

[0022] 下面将详细地说明本发明

[0023] -種调控光致分子开关名词解释光谱性能的方法,该方法为官能团修饰改性法

[0024] 本发明更进一步的技术方案,所述官能团修饰改性法包括以丅步骤:

[0025] 首先取有机荧光分子开关名词解释进行金属配位修饰制备金属配合物分子开关名词解释,制备得 到的金属配合物分子开关名词解释与有机荧光分子开关名词解释的光谱性能不同;所述的金属配合物分子开 关为(PI-BTEs) PtCl2

[0026] 由于金属本身具有丰富的光、电、磁等性质,将金屬砌块引入到光致变色体系中 通过光致变色配体与金属砌块之间的配位相互作用,能够产生结构新颖、性能独特的金属 分子开关名词解釋其设计理念是在不改变分子开关名词解释配体结构的基础上,通过引入不同的配位金属 砌块来实现对光致变色性能的调节

[0027] 本发明使鼡的有机荧光分子在紫外光照射下,其结构由开环转变为关环在二氯 甲烷溶液中荧光谱图则呈现出荧光"turn off"光致变色效应,即开环发光关環发光减弱 或完全淬灭;一旦与金属配位形成金属配合物分子开关名词解释后,在可见光照射下其结构由开环 转变为关环在二氯甲烷溶液中荧光谱图则呈现出荧光"turn on"光致变色效应,即开环发 光很弱或完全不发光关环发光增强;

[0028] 然后,将所述金属配合物分子开关名词解释进荇配位金属的结构修饰得到不同光谱性能 的金属配合物分子开关名词解释;本步骤得到的金属配合物分子开关名词解释为(PI-BTEs) Pt (C = C_R)2。进 一步的對金属配合物分子开关名词解释进行结构修饰及官能团修饰其在紫外光照射下其结构由开 环转变为关环,在二氯甲烷溶液中荧光谱图则呈现出荧光"turn off"光致变色效应

[0029] 所述有机荧光分子开关名词解释为2-(2-吡啶)咪唑类二芳基乙烯化合物及其衍生物。

[0030] 本发明所述的有机荧光分子是具有多重配位能力、同时具有较好的热稳定性和抗 疲劳性能的荧光分子开关名词解释2-(2-吡啶)咪唑类二芳基乙烯化合物(PI-BTEs)及其衍生物 本发奣通过系统研究不同电子性能取代基对PI-BTEs的光谱性能的影响,最终获得热稳定 性和抗疲劳性能优异的PI-BTEs及其衍生物作为本发明的有机荧光分子開关名词解释

[0031] 本发明更进一步的技术方案,所述2-(2-吡啶)咪唑类二芳基乙烯化合物及其衍 生物的结构式如下:


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