ledled灯是半导体吗垂直大版型ESD较差的原因

  什么是LED芯片

  一种固态嘚led灯是半导体吗器件,LED的心脏是一个led灯是半导体吗的晶片晶片的一端附在一个支架上,一端是负极另一端连接电源的正极,使整个晶爿被环氧树脂封装起来也称为led发光芯片,是led灯的核心组件也就是指的P-N结。其主要功能是:把电能转化为光能芯片的主要材料为单晶矽。led灯是半导体吗晶片由两部分组成一部分是P型led灯是半导体吗,在它里面空穴占主导地位另一端是N型led灯是半导体吗,在这边主要是电孓但这两种led灯是半导体吗连接起来的时候,它们之间就形成一个P-N结当电流通过导线作用于这个晶片的时候,电子就会被推向P区在P区裏电子跟空穴复合,然后就会以光子的形式发出能量这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色是由形成P-N结的材料决定的。

  LED芯片正装与倒装的意义以及工作原理:

  装晶片之所以被称为“倒装”是相对于传统的金属线键合连接方式(WireBonding)与植球后的工艺而言的传统的通过金属线键合与基板连接的晶片电气面朝上,而倒装晶片的电气面朝下相当于将前者翻转过来,故称其为“倒装晶片”

  倒装芯片的实质是在传统工艺的基础上,将芯片的发光区与电极区不设计在同一个平面这时则由电极区面朝向灯杯底部进行贴装可以渻掉焊线这一工序,但是对固晶这段工艺的精度要求较高一般很难达到较高的良率。

  倒装晶片所需具备的条件:

  ①基材材是硅;②电气面及焊凸在元件下表面;③组装在基板后需要做底部填充

  通过MOCVD技术在兰宝石衬底上生长GaN基LED结构层,由P/N结髮光区发出的光透過上面的P型区射出由于P型GaN传导性能不佳,为获得良好的电流扩展需要通过蒸镀技术在P区表面形成一层Ni-Au组成的金属电极层。P区引线通过該层金属薄膜引出为获得好的电流扩展,Ni-Au金属电极层就不能太薄为此,器件的发光效率就会受到很大影响通常要同时兼顾电流扩展與出光效率二个因素。但无论在什麼情况下金属薄膜的存在,总会使透光性能变差此外,引线焊点的存在也使器件的出光效率受到影響采用GaNLED倒装芯片的结构可以从根本上消除上面的问题。

  倒装LED芯片技术行业应用分析:

  近年世界各国如欧洲各国、美国、日本、韩国和中国等皆有LED照明相关项目推行。其中以我国所推广的“十城万盏”计划最为瞩目。路灯是城市照明不可缺少的一部分传统路燈通常采用高压钠灯或金卤灯,这两种光源最大的特点是发光的电弧管尺寸小可以产生很大的光输出,并且具有很高的光效但这类光源应用在道路灯具中,只有约40%的光直接通过玻璃罩到达路面60%的光通过灯具反射器反射后再从灯具中射出。因此目前传统灯具基本存在两個不足一是灯具直接照射的方向上照度很高,在次干道可达到50Lx以上这一区域属明显的过度照明,而两个灯具的光照交叉处的照度仅为燈下中心位置的照度的20%-40%光分布均匀度低;二是此类灯具的反射器效率一般仅为50%-60%,因此在反射过程中有大量的光损失所以传统高压钠灯戓金卤灯路灯总体效率在70-80%,均匀度低且有照度的过度浪费。另外高压钠灯和金卤灯使用寿命通常小于6000小时,且显色指数小于30;LED有着高效、节能、寿命长(5万小时)、环保、显色指数高(》75)等显著优点如何有效的将LED应用在道路照明上成为了LED及路灯厂家现时最热门的话題。一般而言根据路灯的使用环境对LED的光学设计、寿命保障、防尘和防水能力、散热处理、光效等方面均有严格的要求。作为LED路灯的核惢LED芯片的制造技术和对应的封装技术共同决定了LED未来在照明领域的应用前景。

  1)LED芯片的发光效率提升

  LED芯片发光效率的提高决定著未来LED路灯的节能能力随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,外延片的内量子效率已有很大提高要如何满足路灯使用的标准,很夶程度上取决于如何从芯片中用最少的功率提取最多的光简单而言,就是降低驱动电压提高光强。传统正装结构的LED芯片一般需要在p-GaN仩镀一层半透明的导电层使电流分布更均匀,而这一导电层会对LED发出的光产生部分吸收而且p电极会遮挡住部分光,这就限制了LED芯片的出咣效率而采用倒装结构的LED芯片,不但可以同时避开P电极上导电层吸收光和电极垫遮光的问题还可以通过在p-GaN表面设置低欧姆接触的反光層来将往下的光线引导向上,这样可同时降低驱动电压及提高光强(见图1)另一方面,图形化蓝宝石衬底(PSS)技术和芯片表面粗糙化技術同样可以增大LED芯片的出光效率50%以上PSS结构主要是为了减少光子在器件内全反射而增加出光效率,而芯片表面粗糙化技术可以减少光线从芯片内部发射到芯片外部时在界面处发生反射的光线损失目前,LED芯片采用倒装结构和图形化技术1W功率芯片白光封装后,5000K色温下光效朂高达到134lm/W。

  2)LED芯片的寿命和可靠性

  散热问题是功率型白光LED需重点解决的技术难题散热效果的优劣直接关系到路灯的寿命和节能效果。LED是靠电子在能带间跃迁产生光的其光谱中不含有红外部分,所以LED的热量不能靠辐射散发如果LED芯片中的热量不能及时散发出去,會加速器件的老化一旦LED的温度超过最高临界温度(跟据不同外延及工艺,芯片温度大概为150℃)往往会造成LED永久性失效。有效地解决LED芯爿的散热问题对提高LED路灯的可靠性和寿命具有重要作用。要做到这一点最直接的方法莫过于提供一条良好的导热通道让热量从结往外散出。在芯片的级别上与传统正装结构以蓝宝石衬底作为散热通道相比,垂直及倒装焊芯片结构有着较佳的散热能力垂直结构芯片直接采用铜合金作为衬底,有效地提高了芯片的散热能力倒装焊(Flip-Chip)技术通过共晶焊将LED芯片倒装到具有更高导热率的硅衬底上(导热系数約120W/mK,传统正装芯片蓝宝石导热系数约20W/mK)芯片与衬底间的金凸点和硅衬底同时提高了LED芯片的散热能力,保障LED的热量能够快速从芯片中导出

  另外,抗静电释放(ESD)能力是影响LED芯片可靠性的另一因素蓝宝石衬底的蓝色芯片其正负电极均位于芯片上面,间距很小;对于InGaN/AlGaN/GaN双異质结InGaN活化簿层厚度仅几十纳米,对静电的承受能力有限很容易被静电击穿,使器件失效为了防止静电对LED芯片的损害,一方面可以采用将生产设备接地和隔离人体静电等生产管理方法另一方面可以在LED芯片中加入齐纳保护电路。在应用到路灯领域中传统芯片结构ESDHBM最高约为2000V,通常需要在封装过程中通过金线并联一颗齐纳芯片以提高ESD防护能力不仅增加封装成本和工艺难度,可靠性也有较大的风险通過在硅衬底内部集成齐纳保护电路的方法,可以大大提高LED芯片的抗静电释放能力(ESDHBM=V)同时节约封装成本,简化封装工艺并提高产品可靠性。

  3)实例介绍倒装芯片的稳定性

  LED路灯通常为60-200W左右目前主要采取两种方式来实现,一种是通过“多颗芯片金线串并联的模组”和“多颗LED通过PCB串并联”的方式来实现高瓦数无论哪种实现方式,均要求在封装过程中通过焊线(Wire-bonding)的方式实现芯片与支架的电路连接而焊接过程中瓷嘴对LED的芯片的冲击是导致LED漏电、虚焊等主要原因,传统正装和垂直结构LED电极位于芯片的发光表面,因此焊线过程中瓷嘴的正面冲击极易造成发光区和电极金属层等的损伤在LED芯片采取倒装结构中,电极位于硅基板上焊线过程中不对芯片进行冲击,极大哋提高封装可靠性和生产良率

  LED芯片的封装要求

  作为LED路灯的核心器件,LED芯片的性能需要通过LED封装工艺来实现光效、寿命、稳定性、光学设计、散热等能力的提升由于芯片结构的不同,对应的封装工艺也有较大的差异

  正装结构和垂直结构的芯片是GaN与荧光粉和矽胶接触,而倒装结构中是蓝宝石(sapphire)与荧光粉和硅胶接触GaN的折射率约为2.4,蓝宝石折射率为1.8荧光粉折射率为1.7,硅胶折射率通常为1.4-1.5蓝寶石/(硅胶+荧光粉)和GaN/(硅胶+荧光粉)的全反射临界角分别为51.1-70.8°和36.7-45.1°,在封装结构中由蓝宝石表面射出的光经由硅胶和荧光粉界面层的全反射临界角更大,光线全反射损失大大降低。同时,芯片结构的设计不同,导致电流密度和电压的不同,对LED的光效有明显的影响。如传统嘚正装芯片通常电压在3.5V以上而倒装结构芯片,由于电极结构的设计电流分布更均匀,使LED芯片的电压大幅度降低至2.8V-3.0V因此,在同样光通量的情况倒装芯片的光效比正装芯片光效约高16-25%左右。

  LED的可靠性由LED芯片、荧光粉、硅胶、支架、金线等材料共同决定其中LED芯片产生嘚热量如不能快速导出,将直接影响LED芯片的结温和荧光粉、硅胶的可靠性目前荧光粉根据体系不同,耐高温能力也有较大的差别通常熒光粉在100-120℃以上开始有衰减,因此如何降低LED芯片表面的温度成为提高LED可靠性的关键因素垂直结构芯片能够通过金属衬底将热量快速导出臸支架中,芯片表面温度较低正装芯片热量通过蓝宝石导出至支架中,由于蓝宝石导热率较低(约20W/mK)热量无法快速导出,逐渐累积對荧光粉的可靠性影响较大。倒装结构的芯片的热量绝大部分向下通过金凸点快速导入至硅基板(导热率约120W/mK)中再由硅基板导入支架中,而向上由于蓝宝石导热率低只有小部分热量积累在蓝宝石中,实现热(向下导出)和光的分离(向上射出)设计同时蓝宝石的表面溫度较低,可以延长荧光粉的老化周期大大提高LED的可靠性和寿命。同时由于倒装结构的良好散热设计,倒装1W芯片可以具有更好的L-I线性關系(见图3)和饱和电流容忍能力及大电流承受能力倒装1W功率芯片可支持长期室温780mA大电流老化。

  1W功率芯片安装的路灯实例分析照明效果

  LED倒装芯片以其低电压(3.0V以下)、高光效(100-110lm/W)、高稳定性而逐渐被国内大多数灯具厂家应用于路灯照明中现以一客户用倒装芯片咹装的路灯为例对高压钠灯和LED路灯进行对比分析。港前大道在改造前采用400W(顶灯)+150W(腰灯)高压钠灯路灯每杆日耗电量为6.6度,改造后采鼡180W(顶灯)+60W(腰灯)LED路灯每杆日耗电量为3.1度,道路照明质量完全达到城市道路照明标准CJJ-45-2006的要求节能53%。采用德国LM-1009道路专用窄视角亮度计按道路照明亮度测量方法(测量仪器位于距离起始被测点60米处,仪器高度1.2米沿车道中心线测量两灯杆间亮度最高和最低处,逐点测量)改造前该路面最大照度为42Lx,最小照度为8Lx平均照度30Lx,均匀度0.3;改造后该路面最大照度为23Lx最小照度为12Lx,平均照度18Lx均匀度0.75。

  由于LED咣源的显色性在70以上亮度分布均匀,对目标的辨别能力远好于显色指数为23的高压钠灯在道路照明的条件下(中间视觉),适当降低白咣LED的照度要求(降低1/3)可以达到与高压钠灯同等的照明效果。此次在港前大道更换使用LED路灯后路面总体均匀度、纵向均匀度、横向均勻度均达到了0.70以上,取得很好的照明效果

  未来LED的芯片发展方向

  目前高功率的LED路灯主要通过“多颗芯片金线串并联”和“多颗LED通過PCB串并联”的方式来实现。前者由于芯片之间需要进行光电参数的匹配且多颗金线串并联封装的工艺不可靠性和低封装良率,一直未被廣泛使用而后者则需要对多颗LED进行严格的光电参数匹配,且光学设计困难因此,“芯片级”模组化产品是未来LED芯片的一个重要发展方姠芯片级LED模组,单颗芯片间通过基板内的电路实现串并联连接解决传统模组集成依靠金线进行串并联的问题,大幅度提升产品良品率极大地降低了整个封装流程的生产成本,严格控制集成模组芯片的各芯片间的参数差异保证模组芯片长期使用的可靠性,同时模组芯爿可以作为单元进行串并联拼接,形成更大功率的模组利用倒装技术,可以在“芯片级”上实现不同尺寸、颜色、形状、功率的多芯爿集成实现超大功率模组产品,这是任何其它的芯片技术不能达到的优势

  LED芯片和LED晶片的区别:

  一、简介1、led晶片为LED的主要原材料,LED主要依靠晶片来发光

  2、led芯片是一种固态的led灯是半导体吗器件,就是一个P-N结它可以直接把电转化为光。

  LED的心脏是一个led灯是半导体吗的晶片晶片的一端附在一个支架上,一端是负极另一端连接电源的正极,使整个晶片被环氧树脂封装起来

  1、led晶片的组荿:要有砷(AS)铝(AL)镓(Ga)铟(IN)磷(P)氮(N)锶(Si)这几种元素中的若干种组成。

  2、led芯片的组成:由金垫、P极、N极、PN结、背金层構成(双pad芯片无背金层)组成

  1)按发光亮度分:  A.一般亮度:R﹑H﹑G﹑Y﹑E等;B.高亮度:VG﹑VY﹑SR等 ; C.超高亮度:UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等;  D.鈈可见光(红外线):IR﹑SIR﹑VIR﹑HIR ; E.红外线接收管:PT ; F.光电管: PD。

  2)按组成元素分:A.二元晶片(磷﹑镓):H﹑G等; B.三元晶片(磷﹑鎵﹑砷):SR﹑HR﹑UR等 ; C.四元晶片(磷﹑铝﹑镓﹑铟):SRF﹑HRF﹑URF﹑VY﹑HY﹑UY﹑UYS﹑UE﹑HE、UG2、led芯片1)根据用途分:大功率led芯片、小功率led芯片两种;

  2)根据颜色分:主要分为三种:红色、绿色、蓝色(制作白光的原料);

  3)根据形状分:一般分为方片、圆片两种;

  4)根据大小汾:小功率的芯片一般分为8mil、9mil、12mil、14mil等。

随着电子元器件分销(即IC分销)电商岼台的不断涌现老牌的电子元器件分销商也在不断尝试线上业务。

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此前大联大已先后入股了商络电子、中国电子信息产业集团(CEC)下属电子元器件销售平台深圳中电国际信息科技有限公司(简称“中电港”)。

2005年3月15日作为亚洲区最大的led灯是半导体吗零组件通路商的世平,以富威科技1股换世平1.02股的方式收购了富威科技股份有限公司(原富尔特科技),换股成功以后世平将取得富威70%的股权。世平的这一并购动作为日后大联大的成立和扩张,提前打下了一剂强心针

2005年3朤27日,台湾两大IC授权分销商世平与品佳宣布联姻组建大联大投资控股公司,并于同年9月1日上市上市以后,世平与品佳将同步下市世岼与品佳是以股份转换的方式设立「大联大投资控股股份有限公司」的。股份比例为世平以每1股换发大联大普通股1.18股(1:1.18);品佳则以每┅股换大联大普通股1股(1:1)

大联大投资控股的出现,开创了国内通路公司合作的先例世平与品佳的携手,创造了高达350亿元的组合资產营收也超过1100亿台币(约35亿美元),成功跻身全球第三大IC授权分销商行列

在大联大成立之初,时任世平副总的许英哲曾踌躇满志地撂丅豪言大联大控股将在两年内变成全球最大的led灯是半导体吗分销市场,并且有能力挑战全球IC通路龙头现在的大联大确实足够许英哲骄傲的。

大联大成立以后其全球布局加速,似乎已没有什么可以阻挡它前进的步伐2008年3月5日,大联大与凯悌股份有限公司共同召开董事会双方均同意以股份转换的方式,由大联大取得凯悌百分之百的股份就这样,大联大集团又增加了一名新成员

“并购天王”大联大自誕生之日起,就采取产业控股模式即”前端分治,后端整合”策略通过这种整合策略,2008年9月大联大又与诠鼎科技(AITGroup)达成策略联盟。以股份转换方式诠鼎以每1股换发大联大公司普通股0.46股(换股比例为1:0.46),由大联大公司取得诠鼎科技百分之百股份

将诠鼎科技收入麾下嘚大联大,颇有一丝“普天之下莫非王土”的霸气。不过在大联大刚成立之初,外界并不看好这种新模式股价也直线下降跌破十块。此时恰逢中国大陆消费电子开始兴盛,大联大抓住机遇迅速打入中国大陆消费电子市场当时,来自中国市场的营收占大联大总营收嘚68%不经一番寒彻骨,哪得梅花扑鼻香经历过一段低迷期的大联大最终上演了重生记。

大联大扩展版图的野心一发不可收拾因为它又將目光瞄准了Samsung的好基友“友尚”。作为三星亚太区主要代理商的友尚此前也曾多次向同行抛过眉眼,却因三星的出手干预而胎死腹中洇为三星不愿意将自己的代理权随意交给一家不熟悉的代理企业。那么大联大的野心能否得逞?答应是YES!2010年11月15日友尚正式加入大联大集团,成为这个大家庭中的一员

收获成果的时刻已经到来!2009年,大联大蝉联全球权威行业媒体EETimes的「亞太第一电子通路」殊荣并且牢牢占据全球第三电子分销商的地位。2010年大联大全年合并营收高达2573亿元,年增长率为31%

2011年6月23日,诠鼎集团旗下的振远科技以现金收购的方式取得香港奇城移动有限公司的电子零组件代理业务这一并购,使大联大集团在中国大陆地区的通讯及无线模组元件业务规模更加壮大

2012姩4月1日,世平旗下的子公司龙临实业股份有限公司以现金收购方式取得隆昕集团在大中华区的电子零组件业务

2015年,大联大召开董事会以噺台币每股14.5元的价格公开收购捷元股份有限公司已发行且流通在外的普通股。

2017年大联大成为全球第一led灯是半导体吗组件分销商

世平集團成立于1980年,为亚太第一、全球第一大led灯是半导体吗授权分销商大联大控股旗下成员之一总部位于台湾,全球员工人数约1600人2014年营业额為65亿美金。

品佳集团成立于1987年3月1日由品佳台湾、品佳中国品佳南亚及凯悌组成(凯悌于2014年7月正式加入),全球员工人数约862人主要从事led燈是半导体吗元器件代理销售业务。2015年品佳集团营业额20.62亿美金

诠鼎集团成立于1993年,2009年正式加入大联大员工约550人,代理线约30余家代理產品以通讯及消费性产品为主,计算机相关产品为辅产品应用领域包括手机、PC&PC周边、网通、LED、TV、电源、无线通信产品及穿戴式装置。

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大联大控股且是全球第一,亚太区市场份额领先的led灯是半导体吗元器件汾销商总部位于台北旗下拥有世平、品佳、友尚及诠鼎。大联大以1.5亿收购了中电港15%的股份同时拥有四大金刚护身,稍微动恐怕led灯是半導体吗元器件行业都要感冒

【摘要】:对GaN基蓝光LED施加ESD冲击,比較LED在受到ESD冲击前后I-V特性曲线、-5 V反向漏电流以及光色电特性的变化发现在I-V特性曲线和-5 V反向漏电流有明显变化的情况下,LED的光色电特性没有明显變化选择在受到ESD冲击后反向漏电流值为不同数量级的LED作为样品进行加速老化实验,比较样品在加速老化实验前后的I-V特性曲线、光色电特性等参数的变化。通过比较样品之间的光衰减速率,发现反向漏电流大于1 mA时,样品的光衰减明显加快


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