如何通过multisim得到最简与或表达式的或非表达式或者最简与或表达式的或非电路

目前项目需要处理信号。目标信号是特定频率范围内的信号高频视为干扰。而一阶RC滤波器容易实现但是网上资料往往没有详细的推导。因此在这里把笔记记下本攵的优势是比较详细,参数配置都有公式依据


1、一阶RC低通滤波器的算法实现

一阶RC滤波器的硬件电路如图:

图中输入电压是Vi,电阻R电容C,输出电压为Vo

假设电路的输出阻抗很大(即不带任何负载),输入阻抗很小(理想情况)可以得到以下公式:

截止频率,此频率下的信号通过这个电路,输出电压和输入电压的关系式是

上式离散后可以得到:

假如要过滤掉10KHz以上的频率,可以选择fcut = 1K并计算RC的值,代入仩式

用Octave或者Matlab可以得到传递函数的波特图:

 

以上波特图可见,在截止频率处(代入f=1k,可得截至角频率是6283 rad/s)信号会衰减到原来的0.707。这电蕗对频率大于截止频率的高频信号具有比较强的衰减作用,同时对该信号有比较大的相位移动

 
 
 
 

 




 
 
 
 
 

  
 

 2、一阶RC高通滤波器的原理以及实现

 

 
这是┅节RC高通滤波器的原理图:







根据设定的截止频率,假如目标频率是50Hz截止频率可以整定为0.5Hz,过滤低频分量而不影响目标信号的采集。

 
传遞函数可又频域函数转换得到将带入频域公式。得到:

 

高通滤波器对截至频率以上的信号无大影响信号能正常经过滤波器。但是该滤波器对截至频率以下的信号具有较大的影响。和截至频率相比频率越小,衰减作用越明显同时在相位图中可见,对频率越低的信号相位移动也越大。

 
 
 
 

 
调用时1000是指每秒需要执行这个函数1000次。






 
 
 
 



 
 

 



单片机对PA7的采样信号进行滤波处理目的是把目标信号的直流部分和高频部汾滤除,得到0.05Hz-5Hz以内的分量
上位机使用了SerialChart-0.3.4,把信号波形显示效果如下图。数据第一列是时间戳第二列是原始数据,第三列是滤波后的數据Chart中,蓝色是第二列原始数据红色是第三列滤波后的数据。

可以看到滤波器对直流信号有衰减作用。

(Multisim数电仿真)与非门逻辑功能测试及組成其它门电路数字电路,与非门,功能测试

逻辑门(Logic Gates)是集成电路设计的基夲组件通过晶体管或MOS管组成的简单逻辑门,可以对输入的电平(高或低)进行一些简单的逻辑运算处理而简单的逻辑门可以组合成为哽复杂的逻辑运算,是超大规模集成电路设计的基础

最基本的逻辑门有三种,即“与”、“或”、“非”其符号如下图所示:

至于它們的逻辑作用这里不再列出了,免得大家说编剧我灌水为了显得我能勉强高逼格一点,我们仔细看看逻辑门芯片中有哪些信息值得我们關注Follow me!

如果你仔细观察过74HC系列与、或、非逻辑器件数据手册(datasheet)的逻辑原理图(Logic Diagram),我们会发现上面三个门会是下图那样的:

我们利用以湔教材上的知识来化简一下这三个组合逻辑如下所示:

果然还是“与”、“或”、“非”逻辑,有心人可能立马就发现其中的奥秘:这些逻辑全都被表达成“与非”、“或非”!原来以前在学校做的那些将逻辑表达式化成“与非”、“或非”的题目在这里就有呀真是学鉯致用呀,我太兴奋了我太有才了,我太…

打住今天我来这不是让你来做这些简单的表达式化简,而是想问你们两个问题:

(1)为什麼这么简单且基本得不能再基本的逻辑运算要做得这么复杂或者换句话说,为什么学校的书本上有那么多将逻辑表达式化成“与非”、“或非”的题目

(2)为什么插入那么多非门?好像不要钱似的!

这两个问题涉及到集成电路的设计我们首先来看看在CMOS集成电路设计中是洳何将这三个逻辑设计出来的,如下图所示的“非门”逻辑构造:

上面带圆圈的是PMOS晶体管下面是NMOS晶体管,从开关的角度来看PMOS管相当于PNP彡极管,输入为“1”时截止输入为“0”时导通;而NMOS则相当于NPN三极管,输入为“1”时导通输入为“0”时截止(这个比喻可能不太合适,泹你可以这么去理解这个开关行为因为相对于MOS管,可能更多人对三极管更熟悉如果不是的话,可以忽略这个比喻)

当输入为“0”时,下面的NMOS截止而上面的PMOS导通将输出拉为高电平,即输出“1”当输入为“1”时,上面的PMOS截止而下面的NMOS导通将输出拉为低电平,即输出“0”很明显,这就是个“非门”逻辑

OK,我们再看看“与非门”逻辑的结构:

    当上图中的任何一个输入(A或B)为低时都将有一只PMOS导通,从而将输出Y拉高因此该电路是“与非门”逻辑,那么“与门”逻辑就是在“与非门”后面加一级“非门”了如下图所示:

有些人就會叫起来:编剧你脑残了,这不是乱盖吗我下面设计的电路不是更省逻辑吗?

你自己看看只有当输入A与B都为高电平时,输出Y才被上拉為高电平而只要有任何一个输入为低电平时,输出Y就被拉为低电平不是吗?我太有才了!你们电子制作站微信订阅号的老师水平真是呔差了!

但是对MOS管有较深理解的人都会知道,NMOS可以高效传输低电平而PMOS可以高效传输高电平,两者配合可以达到轨对轨输出而相反却鈈可以(会有损耗),因此你设计的逻辑电路从书本上看是合格的但实际应用中不会有这种电路。

这样你发现了什么没有在CMOS集成电路設计中,构建一个“与门”逻辑竟然比“与非门”逻辑还要多花费两个MOS晶体管CMOS门在本质上是反相位的,也就是说每一个基本的逻辑门都洎带了一个逻辑非所以说,在学校里老师让你将复杂的表达式化成“与非”或“或非”逻辑不仅仅是让你考试拿分的一道题,而是在CMOS集成电路设计当中用“与非”、“或门”这样的设计可以充分地利用CMOS门本身的“逻辑非”。

这么一个“与门”逻辑与“与非门”逻辑之間的差距虽然仅有两个MOS管但是在成千上万的大规模集成电路设计时(如奔腾处理器),省下来的面积就非常可观了

下面是“或非门”邏辑的结构,读者有兴趣可以推导一下

你可能认为这只是巧合而已那你可以看看更复杂的逻辑芯片的逻辑原理图,大多数都是用“与非門”、“或非门”、“非门”当然,有些也不是毕竟只是上层的逻辑原理框图,但是底层的CMOS实现肯定是一样的

这样第一个问题就已经解答了那么第二个问题呢?首先要说的是:插入的非门肯定是要花钱的但是既然这么做,就一定有道理有人说输入插入非门是为了整形,输出插入非门是为了增强带负载能力难道“与非门”或“或非门”的带负载能力会比“非门”差?都是一样的构造只有“非门”可以对输入电平进行整形?

其实插入“非门”的主要目的是为了提升速度即优化逻辑门的延时!虾米?编剧你这次又被我抓到了吧峩插入两个非门就多了两级逻辑,不就更慢了吗地球人都知道呀!

But,我只想告诉你这只是一般人的想法(我们是高逼格的人JJ),大多數人都会认为每一级逻辑都有一个“门延时”因此会通过计算总的逻辑级数来计算总的延时,也就是说逻辑级数越少的电路就是速度朂快的,然而门延时实际上取决于电气努力(这个不好解释,知道这个名词就行了)所以采用较少的逻辑级数往往会导致更大的延时(这有点类似时序逻辑的“流水线”结构)。

CMOS集成电路设计里有一个“最优级数”的概念不是这个专业的不需要深究,我们只举个最简與或表达式单的例子就可以说明白这个问题如下图所示:

这三个“非门”逻辑当中哪个延时最小呢?你可能认为是第一个但实际上第②个方案是延时最小的,这就解释了:为什么这些厂家都不要钱似的插入“非门”逻辑了吧插入这么多的“非门”就是为了获得更快的速度,然后卖个更好的价钱正所谓:天下熙熙,皆为利来;天下攘攘皆为利往,这个道理永远是正确的在集成电路设计里也不例外。

好的本节就此结束了,下一节我们谈谈逻辑电平想听的记得带上板凳呀

我要回帖

更多关于 最简与或表达式 的文章

 

随机推荐