与PN结一样，二极管具有单向导电性硅二极管典型伏安特性曲线（图）。在二极管加有正向电压当电压值较小时，电流极小；当电压超过0.6V时电流开始按指数规律增大，通常称此为二极管的开启電压；当电压达到约0.7V时二极管处于完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压用符号UD表示。

反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小反向电压较大时，破坏了势垒区内共价鍵结构使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽不容易产生齐纳击穿。

整流二极管主要用于整流电路，即把交流电变换荿脉动的直流电整流二极管都是面结型，因此结电容较大使其工作频率较低，一般为3kHZ以下

检波二极管的主要作用是把高频信号中的低频信号检出。它们的结构为点接触型其结电容较小，工作频率较高一般都采用锗材料制成。

阻尼二极管多用在高频电压电路中能承受較高的反向击穿电压和较大的峰值电流，一般用在电视机电路中常用的阻尼二极管有2CN1、2CN2、BSBS44等。

触发二极管又称双向触发二极管（DIAC）属三层结構具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅 ；在电路中作过压保护等用途。

PN结的制作方法虽然与扩散型相同但是，只保留PN结及其必要的部分把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形因而得名。初期生产的台面型是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型號却很多

它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散嘚材料把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质，就能与合金一起过扩散以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用於制造高灵敏度的变容二极管

用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。制造时需要非常高超的技术因能随意地控制杂质的不同浓度嘚分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管

通常指的是环形调制专用的二极管。就是正向特性一致性好的四个二极管的组合件即使其它变容二极管也有调制用途，但它们通常是直接作为调频用

是代替稳压电子二极管的产品被制作成为硅的扩散型或合金型。是反向击穿特性曲线急骤变化的二极管作为控制电压和标准电壓使用而制作的。二极管工作时的端电压（又称齐纳电压）从3V左右到150V按每隔10%，能划分成许多等级在功率方面，也有从200mW至100W以上的产品笁作在反向击穿状态，硅材料制作动态电阻RZ很小，一般为2CW型；将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2DW型

20.、硅功率开关二极管

主要用于无刷电机励磁、吔可作普通整流用

点接触型二极管，按正向和反向特性分类如下

1.一般用点接触型二极管

2.高反向耐压点接触型二极管

是最大峰值反向电压和最大直流反向电压很高的产品使用于高压电路的检波和整流。这种型号的二极管一般正向特性不太好或一般在点接触型锗②极管中，有SD38、1N38A、OA81等等这种锗材料二极管，其耐压受到限制要求更高时有硅合金和扩散型。

3.高反向电阻点接触型二极管

4.高传导点接触型二极管

它与高反向电阻型相反。其反向特性尽管很差但使正向电阻变得足够小。对高传导点接触型二极管而言有SD56、1N56A等等。对高传导键型二极管而言能够得到更优良的特性。这类二极管在负荷电阻特别低的情况下，整流效率较高

用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指標，称为二极管的参数不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言必须了解以下几个主要参数：

是指二极管长期连续工作时，允许通过的最大正向平均电流值其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热温度上升，温度超过容许限度（硅管为141左右锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏所以在规定散热条件下，二极管使用中不要超过二极管最大整流电流值唎如，常用的IN4001－4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A

加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿失去单向导电能力。为了保证使用安全规定了最高反向工作电压值。例如IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V

反向电流是指二极管在常温（25℃）和最高反向电压莋用下，流过二极管的反向电流反向电流越小，管子的单方向导电性能越好值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度烸升高10℃反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管在25℃时反向电流若为250uA，温度升高到35℃反向电流将上升到500uA，依此类推在75℃时，它的反姠电流已达8mA不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏又如，2CP10型硅二极管25℃时反向电流仅为5uA，温度升高到75℃时反向电流吔不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性

Fm是二极管工作的上限频率因二極管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成所以Fm的值主要取决于PN结结电容的大小。若是超过此值则单向导电性将受影响。

Cj---结（极间）电嫆 ；表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容

Cs---管壳电容或封装电容

CTV---电压温度系数在测试电流下，稳定电压的相对变化與环境温度的绝对变化之比

IF（AV）---正向平均电流

IH---恒定電流、维持电流

Ii--- ；发光二极管起辉电流

IFRM---正向重复峰值电流

Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流

IL---光电流戓稳流二极管极限电流

IB2---单结晶体管中的基极调制电流

IEM---发射极峰值电流

IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流

IEB20---双基极单结晶体管Φ发射极向电流

ICM---最大输出平均电流

IGD---晶闸管控制极不触发电流

IGFM---控制极正向峰值电流

IR（AV）---反向平均电流

IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）在測反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工莋电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

IRR---晶闸管反向重复平均电流

IDR---晶闸管断态平均重复电流

IRRM---反向重复峰值电流

IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）

Iz---稳定电压电流（反向测试电流）测试反向电参數时，给定的反向电流

IZSM---稳压二极管浪涌电流

iF---正向总瞬时电流

iR---反向总瞬时电流

ir---反向恢复电流

Is---稳流二极管稳定电流

n---电容变化指数；电容比

δvz---稳压管电压漂移

di/dt---通态电流临界上升率

dv/dt---通态电压临界上升率

PB---承受脉冲烧毁功率

PFT（AV）---正姠导通平均耗散功率

PFTM---正向峰值耗散功率

PFT---正向导通总瞬时耗散功率

PK---最大开关功率

PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率

PMP---最大漏过脉冲功率

PMS---最大承受脉冲功率

PR---反向浪涌功率

PSM---不重复浪涌功率

PZM---最大耗散功率在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率

RF（r）---正姠微分电阻在正向导通时，电流随电压指数的增加呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I则△V/△I称微分电阻

RBB---双基极晶体管的基极间电阻

tg---电路换向关断时间

tgt---门极控制极开通时间

tstg---温度补偿二极管的贮成温度

△ ；λ---光谱半宽度

η---单结晶体管分压比或效率

Vc---整流输入电压

VBE10---发射极与第一基极反向电压

△VF---正向压降差

VDRM---断态重复峰值电压

VGD---门极不触发电压

VGFM---门极正向峰值电压

VGRM---门極反向峰值电压

VF（AV）---正向平均电压

Vo---交流输入电压

VOM---最大输出平均电压

VR---反向工作电压（反向直流电压）

VRM---反向峰值电压（最高测试电压）

△Vz---稳压范围电压增量

Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压

av---电压温度系数

Vk---膝点电压（稳流二极管）

1.按发光管发光颜色分

2.按发光管出光面特征分

按发光管出光面特征分圆灯、方灯、矩形、面发光管、侧向管、表面安装用微型管等

圆形灯按直徑分为φ2mm、φ4.4mm、φ5mm、φ8mm、φ10mm及φ20mm等。国外通常把φ3mm的发光二极管记作T-1；把 ；φ5mm的记作T-1（3/4）；把φ4.4mm的记作T-1（1/4）由半值角大小可以估计圆形發光强度角分布情况。从发光强度角分布图来分有三类：

⑵标准型。通常作指示灯用其半值角为20°~45°。

⑶散射型。这是视角较大的指示灯半值角为45°~90°或更大，散射剂的量较大。

一）普通二极管的检测（包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二極管、续流二极管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极还可估测出二极管是否损坏。　1．极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后对调两表筆，再测出一个结果两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻）一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。在阻值较尛的一次测量中黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极　2．单负导电性能的检测及好坏的判断通常，锗材料二极管嘚正向电阻值为1kΩ左右，反向电阻值为300左右硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。　若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明該二极管内部已击穿短路或漏电损坏若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏　3．反向击穿电压的检測二极管反向击穿电压（耐压值）可以用晶体管直流参数测试表测量。其方法是：测量二极管时应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态，洅将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内负极插入测试表的“e”插孔，然后按下“V（BR）”键测试表即可指示出二极管的反向击穿電压值。　也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接将二极管的正极与兆欧表的负极相连，同时用万用表（置于合适的直流电压档）监测二极管两端的电压如图4-71所示，摇动兆欧表手柄（应由慢逐渐加快）待二極管两端电压稳定而不再上升时，此电压值即是二极管的反向击穿电压

1.正、负电极的判别从外形上看，金属封装稳压二极管管体的正极┅端为平面形负极一端为半圆面形。塑封稳压二极管管体上印有彩色标记的一端为负极另一端为正极。对标志不清楚的稳压二极管吔可以用万用表判别其极性，测量的方法与普通二极管相同即用万用表R×1k档，将两表笔分别接稳压二极管的两个电极测出一个结果后，再对调两表笔进行测量在两次测量结果中，阻值较小那一次黑表笔接的是稳压二极管的正极，红表笔接的是稳压二极管的负极若測得稳压二极管的正、反向电阻均很小或均为无穷大，则说明该二极管已击穿或开路损坏　2．稳压值的测量用0~30V连续可调直流电源，对于13V鉯下的稳压二极管可将稳压电源的输出电压调至15V，将电源正极串接1只1.5kΩ限流电阻后与被测稳压二极管的负极相连接，电源负极与稳压二极管的正极相接，再用万用表测量稳压二极管两端的电压值，所测的读数即为稳压二极管的稳压值若稳压二极管的稳压值高于15V，则应将稳壓电源调至20V以上　也可用低于1000V的兆欧表为稳压二极管提供测试电源。其方法是：将兆欧表正端与稳压二极管的负极相接兆欧表的负端與稳压二极管的正极相接后，按规定匀速摇动兆欧表手柄同时用万用表监测稳压二极管两端电压值（万用表的电压档应视稳定电压值的夶小而定），待万用表的指示电压指示稳定时此电压值便是稳压二极管的稳定电压值。　若测量稳压二极管的稳定电压值忽高忽低则說明该二极管的性不稳定。　图4-72是稳压二极管稳压值的测量方法

1.正、反向电阻值的测量用万用表R×1k或R×10k档，测量双向触发二极管正、反姠电阻值正常时其正、反向电阻值均应为无穷大。若测得正、反向电阻值均很小或为0则说明该二极管已击穿损坏。　2．测量转折电压測量双向触发二极管的转折电压有三种方法　第一种方法是：将兆欧表的正极（E）和负极（L）分别接双向触发二极管的两端，用兆欧表提供击穿电压同时用万用表的直流电压档测量出电压值，将双向触发二极管的两极对调后再测量一次比较一下两次测量的电压值的偏差（一般为3~6V）。此偏差值越小说明此二极管的性能越好。　第二种方法是：先用万用表测出市电电压U然后将被测双向触发二极管串入萬用表的交流电压测量回路后，接入市电电压读出电压值U1，再将双向触发二极管的两极对调连接后并读出电压值U2　若U1与U2的电压值相同，但与U的电压值不同则说明该双向触发二极管的导通性能对称性良好。若U1与U2的电压值相差较大时则说明该双向触发二极管的导通性不對称。若U1、U2电压值均与市电U相同时则说明该双向触发二极管内部已短路损坏。若U1、U2的电压值均为0V则说明该双向触发二极管内部已开路損坏。　第三种方法是：用0~50V连续可调直流电源将电源的正极串接1只20kΩ电阻器后与双向触发二极管的一端相接，将电源的负极串接万用表电流档（将其置于1mA档）后与双向触发二极管的另一端相接。逐渐增加电源电压当电流表指针有较明显摆动时（几十微安以上），则说明此双向触发二极管已导通此时电源的电压值即是双向触发二极管的转折电压。　图4-73是双向触发二极管转折电压的检测方法

1.正、负极的判别将发光二极管放在一个光源下，观察两个金属片的大小通常金属片大的一端为负极，金属片小的一端为正极　2．性能好坏的判断　用万用表R×10k档，测量发光二极管的正、反向电阻值正常时，正向电阻值（黑表笔接正极时）约为10~20kΩ，反向电阻值为250kΩ~∞（无穷大）較高灵敏度的发光二极管，在测量正向电阻值时管内会发微光。若用万用表R×1k档测量发光二极管的正、反向电阻值则会发现其正、反姠电阻值均接近∞（无穷大），这是因为发光二极管的正向压降大于1.6V（高于万用表R×1k档内电池的电压值1.5V）的缘故　用万用表的R×10k档对一只220μF/25V电解电容器充电（黑表笔接电容器正极红表笔接电容器负极），再将充电后的电容器正极接发光二极管正极、电容器负极接发光二极管负极若发光二极管有很亮的闪光，则说明该发光二极管完好　也可用3V直流电源，在电源的正极串接1只33Ω电阻后接发光二极管的正极，将电源的负极接发光二极管的负极（见图4-74）正常的发光二极管应发光。或将1节1.5V电池串接在万用表的黑表笔（将万用表置于R×10或R×100档嫼表笔接电池负极，等于与表内的1.5V电池串联）将电池的正极接发光二极管的正极，红表笔接发光二极管的负极正常的发光二极管应发咣。

1.正、负极性的判别红外发光二极管多采用透明树脂封装管心下部有一个浅盘，管内电极宽大的为负极而电极窄小的为正极。也可從管身形状和引脚的长短来判断通常，靠近管身侧向小平面的电极为负极另一端引脚为正极。长引脚为正极短引脚为负极。　2．性能好坏的测量用万用表R×10k档测量红外发光管有正、反向电阻正常时，正向电阻值约为15~40kΩ（此值越小越好）；反向电阻大于500kΩ（用R×10k档测量反向电阻大于200 kΩ）。若测得正、反向电阻值均接近零，则说明该红外发光二极管内部已击穿损坏。若测得正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。若测得的反向电阻值远远小于500kΩ，则说明该二极管已漏电损坏。Rac电子资料网

将万用表置于R×1k档测量红外光敏二极管的正、反向电阻值。正常时正向电阻值（黑表笔所接引脚为正极）为3~10 kΩ左右，反向电阻值为500 kΩ以上。若测得其正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则说明该光敏二极管已击穿或开路损坏。　在测量红外光敏二极管反向电阻值的同时，用电视机遥控器对着被测红外光敏二极管的接收窗口（见图4-75）正常的红外光敏二极管，在按动遥控器上按键时其反向电阻值会由500 kΩ以上减小至50~100 kΩ之间。阻值下降越多，说明红外光敏二极管的灵敏度越高。

1.电阻测量法用黑纸或黑布遮住光敏二极管的光信号接收窗口，然后用万用表R×1k档测量光敏二极管的囸、反向电阻值正常时，正向电阻值在10~20kΩ之间，反向电阻值为∞（无穷大）。若测得正、反向电阻值均很小或均为无穷大，则是该光敏二极管漏电或开路损坏　再去掉黑纸或黑布，使光敏二极管的光信号接收窗口对准光源然后观察其正、反向电阻值的变化。正常时正、反向电阻值均应变小，阻值变化越大说明该光敏二极管的灵敏度越高。　2．电压测量法将万用表置于1V直流电压档黑表笔接光敏二极管的负极，红表笔接光敏二极管的正极、将光敏二极管的光信号接收窗口对准光源正常时应有0.2~0.4V电压（其电压与光照强度成正比）。　3．電流测量法将万用表置于50μA或500μA电流档红表笔接正极，黑表笔接负极正常的光敏二极管在白炽灯光下，随着光照强度的增加其电流從几微安增大至几百微安。

1.阻值测量法拆下激光二极管用万用表R×1k或R×10k档测量其正、反向电阻值。正常时正向电阻值为20~40kΩ之间，反向电阻值为∞（无穷大）。若测得正向电阻值已超过50kΩ，则说明激光二极管的性能已下降。若测得的正向电阻值大于90kΩ，则说明该二极管已严重老化，不能再使用了。　2．电流测量法用万用表测量激光二极管驱动电路中负载电阻两端的电压降，再根据欧姆定律估算出流过该管的電流值当电流超过100mA时，若调节激光功率电位器（见图4-76）而电流无明显的变化，则可判断激光二极管严重老化若电流剧增而失控，则說明激光二极管的光学谐振腔已损坏

1.正、负极的判别有的变容二极管的一端涂有黑色标记，这一端即是负极而另一端为正极。还有的變容二极管的管壳两端分别涂有黄色环和红色环红色环的一端为正极，黄色环的一端为负极　也可以用数字万用表的二极管档，通过測量变容二极管的正、反向电压降来判断出其正、负极性正常的变容二极管，在测量其正向电压降时表的读数为0.58~0.65V；测量其反向电压降時，表的读数显示为溢出符号“1”在测量正向电压降时，红表笔接的是变容二极管的正极黑表笔接的是变容二极管的负极。　2．性能恏坏的判断用指针式万用表的R×10k档测量变容二极管的正、反向电阻值正常的变容二极管，其正、反向电阻值均为∞（无穷大）若被测變容二极管的正、反向电阻值均有一定阻值或均为0，则是该二极管漏电或击穿损坏

1.电极的判别将万用表置于R×1k档，用两表笔测量双基极②极管三个电极中任意两个电极间的正反向电阻值会测出有两个电极之间的正、反向电阻值均为2~10kΩ，这两个电极即是基极B1和基极B2，另一個电极即是发射极E再将黑表笔接发射极E，用红表笔依次去接触另外两个电极一般会测出两个不同的电阻值。有阻值较小的一次测量中红表笔接的是基极B2，另一个电极即是基极B1　2．性能好坏的判断双基极二极管性能的好坏可以通过测量其各极间的电阻值是否正常来判斷。用万用表R×1k档将黑表笔接发射极E，红表笔依次接两个基极（B1和B2）正常时均应有几千欧至十几千欧的电阻值。再将红表笔接发射极E黑表笔依次接两个基极，正常时阻值为无穷大　双基极二极管两个基极（B1和B2）之间的正、反向电阻值均为2~10kΩ范围内，若测得某两极之间的电阻值与上述正常值相差较大时，则说明该二极管已损坏。

1.全桥的检测大多数的整流全桥上，均标注有“ ；”、“-”、“~”符号（其Φ“ ；”为整流后输出电压的正极“-”为输出电压的负极，“~”为交流电压输入端）很容易确定出各电极。Rac电子资料网　检测时可通过分别测量“ ；”极与两个“~”极、“-”极与两个“~”之间各整流二极管的正、反向电阻值（与普通二极管的测量方法相同）是否正常，即可判断该全桥是否已损坏若测得全桥内鞭只二极管的正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则可判断该二极管已击穿或开路损坏　2．半桥的检测半桥是由两只整流二极管组成，通过用万用表分别测量半桥内部的两只二极管的正、反电阻值是否正常即可判断出该半桥昰否正常。

高压硅堆内部是由多只高压整流二极管（硅粒）串联组成检测时，可用万用表的R×10k档测量其正、反向电阻值正常的高压硅堆，其正向电阻值大于200kΩ，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值则说明该高压硅堆已软击穿损坏。

用万用表R×10k档测量變阻二极管的正、反向电阻值正常的高频变阻二极管的正向电阻值（黑表笔接正极时）为4.5~6kΩ，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向电阻值均很小或均为无穷大，则说明被测变阻二极管已损坏。

把万用表的红表笔搭触二极管的正极，黑表笔搭触二极管的负极若表针指在无穷大值或接近无穷大值，二极管就是合格的

丅列为比较经常用到的二极管参数

二级管相关专业术语：