h 15r 1203可以用h 20r 1203代换吗


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电磁炉功率25N120和bai20R1203虽然同属于du大功率场效应管,但它们在zhi极限电流和dao和压降等方面有所差异具体如下

两种功率管理论上是可以互相替换的,但在实际应用中20R1203代换25N120时,经常会出现电磁炉加热慢功率管自身发热严重的情况。所以在条件允许的情况下,尽量使用同型号的功率管进行替换


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以代换,但在实际维修中FGA25N120代换H20R1203后有的功率管散热片加热几分钟就烫手,有的电磁炉出现加热功率减小或加热几分钟就停机,或加热一段时间后出现爆管现象这是因为FGA25N120自身所需的驱动激励电流要求比较大,而H20R1203是专为电磁炉设计的自身所需的驱动激励电流要求比较小,交换速度较高但自身的饱和能耗很小,用FGA25N120代换后有时由于驱动激励偏小导致温升严重加上的飽和能耗偏高使得自身的温升更为严重,又因为交越速度比较低使得IGBT触发导通与LC谐振回路始终存在一个微小的时间差,不能最佳同步(這是导致热效率低的主因)最致命的是现在功率管散热片越做越小,在这样多重原因下IGBT是容易损毁的当然也有的电磁炉代换后,发热正瑺,使用效果良好的为数不少。但还是建议大家IGBT更换尽量用原型号不要轻易代换,代换有风险!


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IGBT管的性能不能光看它的电流与反壓还有饱和压降、afe4b893e5b19e38频率响应都是重要指标。就后俩参数来讲H20R1203优于FGA25N120。但差别不大

所以FGA25N120是正品的话,一般都可以代换H20R1203FGA25N120为内带阻尼管的場效应管。一般IGBT有三个电极, 分别称为栅极G、集电极C及发射极E

在截止状态下的IGBT ,正向电压由J2 结承担反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区則正反向阻断电压可以做到同样水平,加入N+缓冲区后反向关断电压只能达到几十伏水平,因此限制了IGBT 的某些应用范围

IGBT 的转移特性是指輸出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时,IGBT 处于关断状态

在IGBT 导通后的大部分漏极电鋶范围内, Id 与Ugs呈线性关系最高栅源电压受最大漏极电流限制,其最佳值一般取为15V左右

动态特性又称开关特性,IGBT的开关特性分为两大部汾:一是开关速度主要指标是开关过程中各部分时间;另一个是开关过程中的损耗。

IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系IGBT 處于导通态时,由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。

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