半导体纳米材料已经成为一个活躍的研究领域相对半导体体材料,半导体纳米材料由于载流子在多个空间维度上受到限制,其态密度非常集中。在无电荷掺杂的情况下,基于洎由电子理论的预测,半导体纳米材料的吸收谱强度正比于态密度,带边呈现尖锐的吸收峰在电荷掺杂的情况下,半导体量子线的吸收谱可能發生很大改变。东京大学Akiyama小组首次在n型掺杂的砷化镓量子线中观测到了尖...