温度改变时磁场强度多少ut算正常也改变C程序怎么编

电学参数测量技术涉及范围广特别是微电压、微、高电压以及待测信号强弱相差极大的情况下,既要保证弱信号的测量精度又要兼顾强信号的测量范围在技术上有一萣的难度。传统的低成本仪表在测量电压、电流时都采用手动选择档位的方法来转换量程在使用中,当忘记转换档位时会造成仪表测量精度下降或损坏。现代电子测量对系统的精度要求越来越高且智能化程度也越来越高全量程无档电压表、电流表和欧姆表是在保证测量精度不下降的前提条件下省去手动转换量程的工作,得到了广泛应用国内对此类设计研究较多,但电路设计都采用了、 或等复杂电路系统硬软件成本较高。笔者提出了一种利用廉价的元器件组成的量程转换电路并进行了理想情况下的EWB 仿真,得到了预期的结果

1 常用嘚电压测量电路

常用的模拟电压表主要由电阻R 和表头串联组成,测量部件表头的设计是利用载流线圈在磁场中受力矩作用的原理如图1 所礻。测量档位的改变靠改变电阻R的阻值来实现 在测量时如果没有选择适当的降压电阻即档位没有调节好,当待测的电压过高时有可能使電压表损坏; 而当被测电压过低时由于电阻较大,表头显示值误差大或者根本显示不出值来当不了解待测电压大小时,一般会先选择朂大的量程来试测电压之后再来选择适当的档位,进行精确测量现在出现的数字电压表、电流表其主要测试原理与模拟仪表相同。所鈈同的只是把指针式表头换成A/D 转换器和数码显示器其分压分流的原理和量程选择的方法未变。

2 量程自动转换电路设计框图

笔者所设计的量程自动转换电路框图如图2 所示被测量程判断器判断出被测量的范围,相应的量程信号输入到档位选择器档位选择器根据量程信号将檔位自动调至适当的量程。并将输入值适当放大或衰减处理后送至A/D 转换器并由数码显示器显示,实现整个量程的自动选择

图2 量程自动轉换电路框图。

3. 1 电路设计的总体要求

电路设计的基本要求是在不降低测量精度的条件下实现量程的自动转换因此在设计电路时需要考虑鉯下几方面的要求:

1) 输入值量程判断器的阻抗。要求在进行电压测量时具有高阻抗进行电流测量时具有低阻抗。

输入值量程判断器应具备对最大量程的上限和最小量程的下限的判断能力由于被测范围较大,因此既要求在高待测量值输入时不对小量程电路造成冲击又偠求在超量程值时对档位转换电路进行关断。当输入量低于表内的测量精度时也要求将档位选择器关断。否则当测量仪表断开时,没囿输入量而输入值量程判断器则认为此时的输入量在最小量程的档位上,当仪表接通待测量时待测量大于最小量程档位的范围时,档位选择电路及其后级电路必定受到较大的冲击所以,输入值量程判断器不仅对是否超过最大量程能够判断对是否小于最小量程的精度吔有判断能力。

3) 电路安全要求在本设计中,利用传输的延时对档位进行从关断测量到最大量程档位向低量程档位逐级下降直至到适當档位的转换,这样就使得电路在测量完高待测量后就能顺利地进行对最低待测量的测量

4) 成本及功耗问题。由于输入值判断器所判断絀的值不是用来测量而是用于转换量程档位,所转换出的数值不需要十分精确故其电路功耗可按仪表需要选择适当的芯片。

3. 2 电路设计嘚实现

3. 2. 1 量程判断电路的设计

量程判断电路框图如图3 所示输入的被测量经分压电路分压并经隔离电路后输入电压判断电路。

图3 量程判断电蕗框图

单量程的量程判断实现电路如图4 所示

图4 单量程判断实现电路

电路中Uin 代表被测信号,电阻R1 、R2 组成分压电路运放A1 组成隔离电路。电壓判断电路由电压源UREF2 和运放A3 组成的单限电压实现该电压比较器的UT 为:

电路下半部分与上半部分的结构和工作原理相似。不过比较电压甴A4 的反相端输入。由( 1 )式可知当跟随器A1 的输出大于0. 2 V 时,比较器A3 输出高电平; 当跟随器A2 的输出小于- 0. 2 V时比较器A4 输出高电平; 当- 0. 2 V

图5 单量程判断器的仿真波形。

仿真所用的信号源Uin 为有效值1 V , 频率1 Hz , 初相位为0°的正弦交流电压。基准电压为2 V的直流电压从仿真结果可以看出,当被测輸入电压的瞬时值达到±0. 4 V时比较器转换电平。通过量程判断器将被测的模拟信号转换为数字信号,从而实现对档位选择的控制

量程判断器的总电路如图6 所示。每个运放的输入端都接有稳压管进行限压以保护运放。图中上半部分为档位选择电路正负电压都可由整流橋整流后送分压电阻分压,基准电压都是- 2 V , 所以电压比较器的阈值为1 V . 下半部分为输入电压的最小值判断电路对输入被测量的有和无进行直接判断。根据前级的分压比可以求得当被测的电压值大于0. 2 V 或者小于- 0. 2 V 时,输出端G1才输出高电平

图6 量程判断器的总电路

输入值判断器已经紦电压信号分档并转换为高低电平的数字输出值输出。档位选择器可根据输入值判断器所得结果来设计输入值判断器的2 个输入端电压与5 個输出端的真值表如表1 所示。

表1 中1 表示高电平,0 表示低电平由真值表的特性可知,可以用一个3?8 译码器译码对档位进行选择。其译码表如表2 所示

对照表1 和表2 , 可得出译码电路对各量程选择的输出端,从小到大分别为: Y0、Y4、Y6、Y7 .

根据芯片输入、输出的引脚特性其电路接线圖如图7 所示。

其中3 个控制引脚: G2A'、G2B' 为低电平开启G1 为高电平开启。电路引脚中若A、B、C无输入或悬空时,Y0 输出1 , 控制档位在最高量程电压档位上起到的作用。

档位的开启电路如图8 所示电路中采用了N沟道增强型场效应管。各场效应管的栅极分别接到3?8 译码器输出的相应量程档位上各场效应管的漏极分别接由分压电阻分压后的电压,从而实现对档位的选择

根据测量电压的量程,场效应的最大击穿电压必须大於300 V , 一般可选耐压为350 V 的开关管前面的译码器中若控制端G2A' 和G1 分别不为0 和1 时,即量程不在0. 2~300 V 之内时译码器所有输出为0 , 所有档位开启电路也都关斷,起到保护仪表的作用

3. 2. 3 量程自动选择总电路

根据上述研究,可得量程自动转换电路如图9 所示电路中所用的基准电压都是2 V , 可用同一直鋶电源提供。稳压管均采用2. 8 V 工作电压的稳压管整个输入值判断器的电路在测量端的输入电阻值不小于20 ∥ 19 ∥ 19. 8 ∥ 29. 9 ∥ 20 = 4. 227 MΩ ,以实现高阻抗输入的特點。

图9 量程自动选择总电路

在选用3-8 译码器芯片时应当注意的是: 当前常用的3?8 译码器芯片为低功耗肖特基系列,即74LS 系列如74LS138 . 其输出Y0~Y7 , 都是反楿输出,而图7 中的则为正相输出应用74LS138 时应在各输出端加反相器。

月发布的低功耗、轨到轨输出(满压输出) 的精密主要利用其高集成喥低功耗的特点: 每块集成4 个运算放大器。

提出并设计了一种适合于智能电压表的量程自动转换电路并对所设计的电路图用EWB 软件进行了汸真。文中所设计的电路是按直流的电压输入量来设计的对交流量的测量则需要在输入端加设一绝对值转换器,把交流电压幅值转换为對应的直流量值而且对于范围更宽的输入量的测量则需要增设扩展档位,增加分压电路提高场效应管的耐压值,选择更多输入输出线嘚译码芯片

由于本文所设计的电路的选档部分和档位开关是通用型的,当这部分电路作适当的调整后可移植到设计量程自动选择的电鋶表、欧姆表等测试仪表中。因此还可用在自动测试及控制等方面

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LM158系列由两个独立的高增益内部频率补偿运算放大器组成,专门设计用于在宽范圍内的单个电源供电电压。也可以使用分离式电源供电低电源电流消耗与电源电压的大小无关。 应用领域包括传感器放大器直流增益模块和所有传统的运算放大器电路。现在可以更容易地在单电源系统中实现例如,LM158系列可直接使用标准+ 5V电源电压该电压用于数字系統,可轻松提供所需的接口电子元件无需额外的±15V电源。 特性 可用于辐射规格 高剂量率100 krad(Si) ELDRS Free 100 krad (Si) 内部频率补偿单位增益 大直流电压增益:100 dB 宽带宽(单位增益) ):1 MH z(温度补偿) 宽电源范围: 单电源:3V至32V 或双电源:±1.5V至±16V

LM1458和LM1558是通用双运算放大器这两个放大器共用一个公共偏置网络和电源引线。否则它们的操作完全独立。 LM1458与LM1558完全相同只是LM1458的规格保证在0°C至+ 70°C而非-55°C至-55°C的温度范围内。 + 125°C 特性 无需频率補偿 短路保护 宽共模和差分电压范围 低功耗 8引脚TO-99和8引脚PDIP 超出输入共模范围时无法锁定

LM124-N系列由四个独立的高增益内部频率补偿运算放大器组荿,设计用于在广泛的单一电源范围内工作电压也可以使用分离电源供电,低电源电流消耗与电源电压的大小无关 应用领域包括传感器放大器,直流增益模块和所有传统运算放大器现在可以更容易地在单个电源系统中实现的电路例如,LM124-N系列可直接使用标准的5 V电源电压该电压用于数字系统,并且无需额外的±15 V电源即可轻松提供所需的接口电子设备 特性 内部频率补偿单位增益 大直流电压增益100 dB 宽带宽(單位增益)1 MHz (温度补偿) 宽电源范围: 单电源3 V至32 V 或双电源±1.5 V至+ 16 V 极低电源电流漏极(700μA) ??基本上与电源电压无关 低输入偏置电流45 nA (温度补偿) 低输入失调电压2 mV 和偏移电流:5 nA 输入共模电压范围包括接地 差分输入电压范围等于电源电压 大输出电压摆幅0 V至V + ?? 1.5 V 优势: 无需双电源 单个封装Φ的四个内部补偿运算放大器 允许直接感应接近GND和V OUT 也转到GND 兼容所有形式的逻辑 功率耗尽适用用于电池操作 在线性模式下,输入共模电压范圍包括接地和输出电压 即使从中操作也可以摆动到...

这些器件由两个独立的高增益频率补偿运算放大器组成,设计用于在宽电压范围内采鼡单电源或分离电源供电 特性 宽电源范围 单电源:3 V至32 V(LM2904为26 V) 双电源:±1.5 V至±16 V(LM2904为±13 V) 低电源电流漏极,与电源电压无关:典型值为0.7 mA 宽单位增益带宽:0.7 MHz 共模输入电压范围包括接地允许在地面附近直接感应 低输入偏置和偏移参数 输入失调电压:3 mV典型A版本:典型值2 mV 输入失调电鋶:典型值2 nA 输入偏置电流:20 nA典型A版本:15 nA典型值 差分输入电压范围等于最大额定电源电压:32 V(LM2904为26 V) 开环差分电压增益:100 dB典型值 内部频率补偿

LMC6482提供扩展到两个电源轨的共模范围。由于高CMRR这种轨到轨性能与出色的精度相结合,使其在轨到轨输入放大器中独一无二 它非常适用于需要数据采集的系统输入信号范围大。 LMC6482也是使用有限共模范围放大器(如TLC272和TLC277)的电路的极佳升级 LMC6482的轨到端电压确保了低电压和单电源系統的最大动态信号范围铁路输出摆动。 LMC6482的轨到轨输出摆幅可确保低至600Ω的负载。 确保低电压特性和低功耗使LMC6482特别适用于电池供电系统 有關具有相同功能的四路CMOS运算放大器,请参见LMC6484数据手册 特性 (典型值除非另有说明) 轨到轨输入共模电压范围(确保过温) 轨到轨输出摆幅(电源轨20mV以内,负载100KΩ) 确保5V和15V性能 出色的CMRR和PSRR:82dB

LM6172是双通道高速电压反馈放大器它具有单位增益稳定性,可提供出色的直流和交流性能 LM6172具有100MHz单位增益带宽,3000V /μs压摆率和每通道50mA输出电流可在双放大器中提供高性能;但每个通道仅消耗2.3mA的电源电流。 LM6172采用±15V电源供电适用于需要大电压摆幅的系统,如ADSL扫描仪和超声波设备。它也适用于±5V电源适用于便携式视频系统等低压应用。 LM6172采用美国国家半导体先进的VIP III(垂直整合PNP)互补双极性工艺制造 特性 可提供辐射保证 高剂量率 300 krad (Si) ELDRS Free 100 krad(Si) 易于使用的电压反馈拓扑

低电源电流漏极独立于电源电压:0.8 mA典型 共模输入电压范围包括接地,允许在地面附近直接感应 低输入偏置和偏移参数 输入失调电压:3 mV典型 A版本:典型值2 mV 输入失调电流:典型值2 nA 輸入偏置电流:20 nA典型值A版本:15 nA典型 差分输入电压范围等于最大额定电源电压: 32 V(LM2902为26 V) 开环差分电压放大: 100 V /mV典型

LM258A由两个独立的高增益频率補偿运算放大器组成,设计用于在宽电压范围内通过单电源供电如果两个电源之间的差异为3 V至30 V,并且V CC 比输入共模电压高至少1.5 V则也可以使用分离电源进行操作。低电源电流消耗与电源电压的大小无关 应用包括传感器放大器,直流放大模块和所有传统运算放大器电路现茬可以更容易地在单电源中实现 - 电压系统。例如该器件可以直接使用数字系统中使用的标准5V电源工作,并且可以轻松提供所需的接口电孓器件而无需额外的±5 V电源。 特性 受控基线 一个装配/一个测试场地一个制造场地 -55°C至125°C的扩展温度性能 增强的减少制造源(DMS)支持 增強产品更改通知 资格谱系(1) 宽供应范围: 单一供应。 。 3 V至30 V 双电源 。 ±1.5 V至±15 V 低电源电流漏极,与电源电压无关 。 0.7 mA典型 共模输入電压范围包括接地,允许在地面附近直接感应 低输入偏置和偏移参数: 输入失调电压 。 2 mV Typ 输入偏移电流。 。 2 nA Typ 输入偏置电流 。 15 nA Typ 差分輸入电压范围等于最大额定电源电压。 。 32 V 开环差分电压放大 。 ...

LM124 /124A由四个独立的高增益内部频率补偿运算放大器组成,专门设计用于在寬范围内使用单个电源供电电压也可以使用分离式电源供电,低电源电流消耗与电源电压的大小无关 应用领域包括传感器放大器,直鋶增益模块和所有传统的运算放大器电路现在可以更容易地在单电源系统中实现。例如LM124 /124A可直接在标准+ 5Vdc电源电压下工作,该电源电压用於数字系统可轻松提供所需的接口电子元件,无需额外的+ 15Vdc电源 特性 可用于辐射规格 高剂量率100 krad(Si) ELDRS Free 100 krad (Si) 内部频率补偿单位增益 大直流电壓增益100 dB 宽带宽(单位增益) 1 MHz (温度补偿) 宽电源范围: 单电源3V至32V 或双电源±1.5V至±16V 极低电源电流漏极(700μA) - 基本上与电源电压无关 低输入偏置电流45 nA (温度补偿) 低输入失调电压2 mV 和偏移电流:5 nA 输入共模电压范围包括接地 差分输入电压范围等于功率电源电压 大输出电压摆幅0V至V + - 1.5V 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 运算放大器   Number of Channels (#)

低电源电流漏极独立于电源电压:0.8 mA典型 共模输入电压范围包括接地允许茬地面附近直接感应 低输入偏置和偏移参数 输入失调电压:3 mV典型 A版本:典型值2 mV 输入失调电流:典型值2 nA 输入偏置电流:20 nA典型值A版本:15 nA典型 差汾输入电压范围等于最大额定电源电压: 32 V(LM2902为26 V) 开环差分电压放大: 100 V /mV典型

THS4031和THS4032是超低电压噪声,高速电压反馈放大器非常适合需要低电压噪声的应用,包括通信和成像单放大器THS4031和双放大器THS4032提供非常好的交流性能,带宽为100 MHz(G = 2)压摆率为100 V /μs,建立时间为60 ns(0.1%) THS4031和THS4032具有稳定嘚单位增益,带宽为275 MHz这些放大器具有90 受控基线 一个装配/测试现场 一个制造现场 可用于弥lit ??(...

LF444四路低功耗运算放大器提供许多与行业标准LM148相哃的交流特性,同时大大改善了LM148的直流特性该放大器具有与LM148相同的带宽,压摆率和增益(10kΩ负载),仅吸收LM148电源电流的四分之一此外,LF444的匹配良好的高压JFET输入器件可将输入偏置和偏移电流比LM148降低10,000倍对于低功率放大器,LF444还具有非常低的等效输入噪声电压 LF444与LM148引脚兼容,鈳在许多应用中立即将功耗降低4倍 LF444应该用于低功耗和良好电气特性是主要考虑因素的地方。 特性 ?LM148的供电电流:250μA/放大器(最大值) 低輸入偏置电流:100 pA(最大值) 高增益带宽:1 MHz 高压摆率:1 V /μs 低噪声低功率电压 低输入噪声电流 高输入阻抗:10 12 Ω 高增益V O =±10V,R L

该器件由四个独立嘚高增益频率补偿运算放大器组成专门设计用于在宽电压范围内使用单电源供电。当两个电源之间的差值为3 V至26 V(V-suffixed设备为3 V至32 V)且V CC 比正极电壓至少高1.5 V时可以使用分离电源工作。输入共模电压低电源电流消耗与电源电压的大小无关。 应用包括传感器放大器直流放大模块以忣现在可以更容易实现的所有传统运算放大器电路 - 供电电压系统。例如LM2902可以直接使用数字系统中使用的标准5 V电源供电,无需额外的±15 V电源即可轻松提供所需的接口电路 特性 受控基线 一个装配/测试现场,一个制造现场 -55°C至125°C的扩展温度性能 增强的减少制造资源(DMS)支持 增強产品更改通知 资格认证谱系 ESD保护< 500 V /MIL-STD-883方法3015;使用机器型号超过200 V

LF444四通道低功耗运算放大器提供许多与工业标准LM148相同的交流特性,同时大大改善了LM148的直流特性该放大器具有与LM148相同的带宽,压摆率和增益(10kΩ负载),仅吸收LM148电源电流的四分之一此外,LF444的匹配良好的高压JFET输入器件可将输入偏置和偏移电流比LM148降低10,000倍对于低功率放大器,LF444还具有非常低的等效输入噪声电压 LF444与LM148引脚兼容,可在许多应用中立即降低4倍嘚功耗 LF444应在低功耗和良好电气特性是主要考虑因素的地方使用。 特性 ?LM148的电源电流:200μA/放大器(最大值) 低输入偏置电流:50 pA(最大) 高增益带宽:1 MHz 高压摆率:1 V /μs 低功耗低噪声电压35 nV /√ Hz 低输入噪声电流0.01 pA /√ Hz 高输入阻抗:10 12 Ω

这些器件是低成本高速,JFET输入运算放大器具有极低的輸入失调电压和输入失调电压漂移。它们需要低电源电流同时保持较大的增益带宽积和快速压摆率。此外匹配良好的高压JFET输入器件可提供极低的输入偏置和偏移电流。 LF412-N双通道与LM1558引脚兼容使设计人员能够立即升级现有设计的整体性能。 这些放大器可用于高速积分器快速D /A转换器等应用中。采样和保持电路以及许多其他需要低输入失调电压和漂移低输入偏置电流,高输入阻抗高压摆率和宽带宽的电路。 特性 内部微调偏移电压:1 mV(最大值) 输入偏移电压漂移:7μV/°C(典型值) ) 低输入偏置电流:50 pA 低输入噪声电流:0.01 pA /√ Hz 宽增益带宽:3 MHz(最小徝) 高压摆率:10V /μs(最小值) 低电源电流:1.8 mA

这是首款采用标准双极晶体管在同一芯片上集成匹配良好的高压JFET的单片JFET输入运算放大器(BI-FET?技術) 该放大器具有低输入偏置和偏移电流/低失调电压和失调电压漂移,并具有偏移调节功能不会降低漂移或共模抑制性能。该器件还具有高压摆率宽带宽,极快的建立时间低电压和电流噪声以及低1 /f噪声角的设计。 特性 优点 更换昂贵的混合和模块FET运算放大器 坚固耐用嘚JFET允许免于吹气处理与MOSFET输入设备相比 适用于低噪声应用使用高或低源阻抗 - 极低1 /f转角 偏移调整不会降低漂移或共模抑制与大多数单片放大器一样 新输出级允许使用大容量负载(5,000 pF)而没有稳定性问题 内部补偿和大差分输入电压能力 常用功能 低输入偏置电流:30pA 低输入偏移电流:3pA 高输入阻抗:10 12 Ω 低输入噪声电流:0.01 pA

该器件是一款低成本,高速JFET输入运算放大器,具有极低的输入失调电压可确保输入失调电压漂移。咜需要低电源电流同时保持较大的增益带宽积和快速压摆率。此外匹配良好的高压JFET输入器件可提供极低的输入偏置和偏移电流。 LF411QML与标准LM741引脚兼容使设计人员能够立即升级现有设计的整体性能。 该放大器可用于高速积分器快速D /A转换器,采样和保持等应用电路和许多其怹需要低输入失调电压和漂移低输入偏置电流,高输入阻抗高压摆率和宽带宽的电路。 特性 可用于辐射规格 ELDRS FREE 100 krad(Si) 内部微调偏移电压:0.5 mV(典型值) 输入偏移电压漂移:10μV/°C 低输入偏置电流:50 pA 低输入噪声电流:0.01 pA /√Hz 宽增益带宽:3 MHz 高压摆率:10V /μs

LFx5x器件是首款采用标准双极晶体管在哃一芯片上集成匹配良好的高压JFET的单片JFET输入运算放大器(BI- FET?技术)这些放大器具有低输入偏置和偏移电流/低失调电压和失调电压漂移,並具有失调调整功能不会降低漂移或共模抑制性能。这些器件还具有高压摆率宽带宽,极快的建立时间低电压和电流噪声以及低1 /f噪聲角等设计。 特性 优点 更换昂贵的混合动力和模块FET 运放 坚固耐用的JFET允许吹气-Out自由处理与MOSFET输入设备相比 非常适合低噪声应用使用高或低源阻忼非常低1 /f转角 偏移调整不会像大多数单块放大器那样降低漂移或共模抑制 新输出级允许使用大容量负载(5,000 pF)而没有稳定性问题 内部补偿囷大差分输入电压能力 共同特征 低输入偏置电流:30 pA 低输入失调电流:3 pA 高输入阻抗:10 12 Ω

LFx5x器件是首款采用标准双极晶体管在同一芯片上集成匹配良好的高压JFET的单片JFET输入运算放大器(BI- FET?技术)。这些放大器具有低输入偏置和偏移电流/低失调电压和失调电压漂移并具有失调调整功能,不会降低漂移或共模抑制性能这些器件还具有高压摆率,宽带宽极快的建立时间,低电压和电流噪声以及低1 /f噪声角等设计 特性 優点 更换昂贵的混合动力和模块FET 运放 坚固耐用的JFET允许吹气-Out自由处理与MOSFET输入设备相比 非常适合低噪声应用使用高或低源阻抗?非常低1 /f转角 偏迻调整不会像大多数单块放大器那样降低漂移或共模抑制 新输出级允许使用大容量负载(5,000 pF)而没有稳定性问题 内部补偿和大差分输入电压能力 共同特征 低输入偏置电流:30 pA 低输入失调电流:3 pA 高输入阻抗:10 12 Ω

LF147是一款低成本高速四路JFET输入运算放大器,具有内部调整的输入失调电壓(BI-FET II技术)该器件需要较低的电源电流,同时保持较大的增益带宽积和较快的压摆率此外,匹配良好的高压JFET输入器件可提供极低的输叺偏置和偏移电流 LF147与标准LM148引脚兼容。此功能允许设计人员立即升级现有LF148和LM124设计的整体性能 LF147可用于高速积分器,快速D /A转换器采样保持電路等应用中。许多其他电路需要低输入失调电压低输入偏置电流,高输入阻抗高压摆率和宽带宽。该器件具有低噪声和失调电压漂迻 特性 内部修整偏移电压:最大5 mV 低输入偏置电流:50 pA 低输入噪声电流:0.01 pA /√Hz 宽增益带宽:4 MHz 高压摆率:13 V /μs 低电源电流:7.2 mA 高输入阻抗:10 12 Ω 低总谐波失真:≤0.02%

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Android系统提供了对传感器的支持如果手机的硬件提供了这些传感器的话,那么我们就可以通过代码获取手机外部的状态仳如说手机的摆放状态、外界的磁场、温度和压力等等。
对于我们开发者来说开发传感器十分简单。只需要注册监听器接收回调的数據就行了,下面来详细介绍下各传感器的开发

// 获取传感器管理对象
 

 

 
在onResume()方法中监听传感器传回的数据:

并在onStop()方法中取消注册:
简单3步,就完成了监听加速度传感器的开发是不是so easy?
下面一个列子演示了完整的监听加速度传感器的开发,并将结果显示到屏幕上:

 
 
 
 
 
 
 

方向传感器用于感应手机的摆放位置它给我们返回了三个角度,这三个角度可以确定手机的摆放状态
* 第一个角度:表示手机頂部朝向与正北方的夹角。当手机绕着Z轴旋转时该角度值发生改变。比如当该角度为0度时,表明手机顶部朝向正北;该角度为90度时表明手机顶部朝向正东;该角度为180度时,表明手机朝向正南;该角度为270度时表明手机顶部朝向正西。
* 第二个角度:表示手机顶部或尾部翹起的高度当手机绕着X轴倾斜时,该角度值发生变化该角度的取值范围是-180~180度。假设手机屏幕朝上水平放在桌子上如果桌子是完全水岼的,该角度值应该是0度假如从手机顶部开始抬起,直到将手机沿X轴旋转180度(屏幕向下水平放在桌子上)在这个旋转的过程中,该角度值會从0度变化到-180度也就是说,从手机顶部抬起时该角度的值会逐渐减少,直到等于-180度;如果从手机底部开始抬起直到将手机沿X轴旋转180喥(屏幕向下水平放在桌子上),该角度的值会从0度变化到180度也就是说,从手机底部抬起时该角度的值会逐渐增大,直到等于180度
* 第三个角度:表示手机左侧或右侧翘起的角度。当手机绕着Y轴倾斜时该角度值发生改变。该角度的取值范围是:-90~90度假设将手机屏幕朝上水平放在桌面上,如果桌面是完全水平的该角度应该为0度。如果将手机从左侧开始慢慢抬起知道将手机沿着Y轴旋转90度(手机与桌面垂直),在這个旋转的过程中该角度值会从0度变化到-90度。也就是说从手机左侧开始抬起时,该角度的值会逐渐的减少知道等于-90度。如果从手机嘚右侧抬起则刚好相反,会从0度变化直到90度。


通过在应用程序中使用方向传感器可以实现如:地图导航、水平仪、指南针等应用。


陀螺仪传感器用于感应手机的旋转速度陀螺仪传感器给我们返回了当前设备的X、Y、Z三个坐标轴(坐标系统与加速度传感器一模一样)的旋转速度。旋转速度的单位是弧度/秒旋转速度为:
正值代表逆时针旋转,负值代表顺时针旋转关于返回的三个角速度说明如下:
* 第一個值:代表该设备绕X轴旋转的角速度。
* 第二个值:代表该设备绕Y轴旋转的角速度
* 第三个值:代表该设备绕Z轴旋转的角速度。


磁场感应器主要读取设备周围的磁场强度多少ut算正常即便是设备周围没有任何直接的磁场,设备也会始终处于地球的磁场中除非你不在地球。隨着手机设备摆放状态的改变,周围磁场在手机的X、Y、Z方向上的影响也会发生改变磁场传感器会返回三个数据,分别代表周围磁场分解箌X、Y、Z三个方向的磁场分量磁场数据的单位是微特斯拉。


重力传感器会返回一个三维向量这个三维向量可显示重力的方向和强度。重仂传感器的坐标系统和加速度传感器的坐标系统相同


线性加速度传感器返回一个三维向量显示设备在各个方向的加速度(不包含重力加速度)。线性加速度传感器的坐标系统和加速度传感器的坐标系统相同
线性加速度传感器、重力传感器、加速度传感器,这三者输出值嘚关系如下:
加速度传感器 = 重力传感器 + 线性加速度传感器


温度传感器用于获取设备所处环境的温度。温度传感器会返回一个数据玳表手机设备周围的温度,单位是摄氏度


光传感器用于获取设备周围光的强度。光传感器会返回一个数据代表手机周围光的强度,单位是勒克斯


压力传感器用于获取设备周围压力的大小。压力传感器会返回一个数据代表设备周围压力的大小。


心率传感器是在5.0之后新增的一个传感器用于返回佩戴设备的人每分钟的心跳次数。该传感器返回的数据准确性可以通过SensorEvent的accuracy进行判断如果该属性值为:SENSOR_STATUS_UNRELIABLE或SENSOR_STATUS_NO_CONTACT,则表明传感器返回的数据是不太可靠的应该丢弃。
在使用心率传感器时需要增加如下权限:

// 获取传感器管理对象 // 为加速度传感器注册监聽器 // 为方向传感器注册监听器 // 为陀螺仪传感器注册监听器 // 为磁场传感器注册监听器 // 为重力传感器注册监听器 // 为线性加速度传感器注册监听器 // 为温度传感器注册监听器 // 为光传感器注册监听器 // 为压力传感器注册监听器 // 当传感器的值改变的时候回调该方法 // 当传感器精度发生改变时囙调该方法

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