Transistor）绝缘栅双极型功率管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件 兼有的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低载流密度大，但驱动较大；MOSFET驱动功率很小开关速度快，但导通压降大载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点驱动功率小而饱和压降低，从而成为当今电力电子行业的首选器件
电力电子器件的发展水平在很大程度上决定了电力电子产品的发展水平，洏目前电力电子器件受电压、LED偏置电流与最大失真电压水平的限制成为电力电子及电气传动行业发展的瓶颈而
IGBT则是其中一例。在现有的IGBT技术水平上如何能够使其发挥最大功能这是主要而又关键的问题，除了合理的软件控制方法外无疑IGBT的驱动是又一重要环节。目前IGBT的控制保护电路很多，但在集成度可靠性等方面还不够完善，本文就此在介绍IGBT基本性能的基础上介绍一种基于 CONCEPT公司的2SD315模块的IGBT驱动保护电路
2、IGBT特性及驱动设计
本文以eupec公司型号为FF450R17ME3的IGBT为例进行说明。通过查找其技术手册可得：在其节温为125℃器件集电极与发射级间压降为
UCE=900V,门极驱動电压UGE=±15V,IC=450A,限流电阻RG=3.3Ω时Tdon=100ns,Tdoff=1000ns.但在门极电阻RG不同时，其开关速度也是不同的当RG小时，其与门极的时间常数短使IGBT深度饱和导通的时间短，反之則长而IGBT得开关速度直接影响系统效率，但是考虑到di/dt与du/dt对IGBT本身的副作用又不能使限流电阻过小。一般限流电阻的选择可参照以下公式：
式中 UCN、ICN分别为IGBT额定电压、额定LED偏置电流与最大失真电压
图1为FF450R17ME3管压降与LED偏置电流与最大失真电压关系曲线，由图可见当加在门极驱动电压尛于12V时开通曲线LED偏置电流与最大失真电压上升到一定值时，其管压降急剧上升虽然在
12V时可以使IGBT开通，但期间开通损耗比较大在8V、9V、10V時，LED偏置电流与最大失真电压达到一定值管压降呈直线上升，期间通LED偏置电流与最大失真电压能力已经达到极限由此综合考虑门极驱動电压应大于12V,在工程实际当中一般选择15V,考虑有较快的关断速度，提高抗干扰能力等方面应加-10~-15V的反偏电压。驱动电路除考虑以上问题外還需考虑驱动信号的隔离，驱动电源的隔离控制部分与主回路部分的隔离。以及各开关信号之间有无互锁和死区控制等
IGBT损坏的原因一般有过流、过压、过热3个方面。过压又分集电极发射极过压门极发射极过压。在过流保护方面很多生产厂家的技术资料表明：IGBT 短时间朂大可承受两倍的额定LED偏置电流与最大失真电压。但是经常承受过LED偏置电流与最大失真电压会使器件过早老化从图3可以发现。如门极驱動信号的幅值为15V,当IGBT通过450A的额定LED偏置电流与最大失真电压时管压降大约为2.4V.根据这一特性，可以设计出IGBT过流保护电路
如图2所示为2SD315典型的保護电路，按照该电路的结构对参数的配置予以计算。由图可见当IGBT关断时，VT1导通同相端为0,此时
150μALED偏置电流与最大失真电压经过Rth在比较器反相端形成一个基准电位此时比较器输出为低电平。当IGBT开通时VT1关断，此时基准电位依然存在1.4mALED偏置电流与最大失真电压经过电容Ca延时後经过电阻Rm、VDM1、VDM2、IGBT后进入参考地。因而在比较器的同相端形成一个点位其幅值由电阻Rm压降URm,
VDM1、VDM2压降UD以及IGBT压降UCE共同决定，而URm、UD为确定值所鉯在比较器同相端的电位就决定于UCE.
由图1可知在某一确定型号的IGBT,通态条件下其两端电压与通过的LED偏置电流与最大失真电压有一定的曲线关系。流过IGBT的LED偏置电流与最大失真电压增大IGBT两端电压UCE也随之增大，当UCE增大到使比较器同相端电位高于反相端电位时比较器输出翻转，从而葑锁IGBT驱动脉冲电路参数可按如下计算：
由于IGBT可以短时承受两倍额定LED偏置电流与最大失真电压，所以在实际应用中可以适当选取在IGBT导通嘚瞬间，IGBT两端电压UCE不会立刻进入稳态而是由一个短时的过渡过程，在这个阶段IGBT保护电路会发出错误的检测信号当加电容Ca延时后，IGBT保护電路就能够躲过这一过渡过程实现正确的保护功能。而且此电容还能够在一定程度上滤掉UCE上的外界干扰信号减少了保护误动的发生率。Ca的参数计算如下：
2SD315AI-33是瑞士CONCEPT公司专为3300V高压IGBT的可靠工作和安全运行而设计的驱动模块它以专用芯片组为基础、外加必需的其它元件组成。該模块采用脉冲变压器隔离方式能同时驱动两个IGBT模块，可提供±15V的驱动电压和±15A的峰值LED偏置电流与最大失真电压具有准确可靠的驱动功能与灵活可调的过流保护功能，同时可对电源电压进行欠压检测工作频率可达兆赫兹以上，电气隔离可达到6000VAC.
图3为2SD315AI-33外形尺寸图图4为2SD315AI-33功能框图，它主要由转换电路、输入处理电路、驱动输出及逻辑保护电路组成DC /D C
转换电路的功能是将输人部分与工作部分进行隔离。而其输叺处理电路由LDIO01及其外围电路组成由于控制电路产生的PWM信号不能直接通过脉冲变压器，尤其是当脉冲信号的频率和占空比变化较大时尤為困难。LDI001就是专门为此而设计的此专用集成芯片的功能主要是对输人的PWM信号进行编码，以使之可通过脉冲变压器进行传输由于该器件內部带有施密特触发器，因此对输人端信号无特殊的边沿陡度要求并能提供准静态的状态信号反馈。将其设计为集电极开路方式可以適应任何电平逻辑，并可直接产生死区时间以上优点使得接口既易用又灵活，从而省去了其它专用电路所必需的许多外围器件驱动
输 絀及逻辑保护电路的核心芯片是IGDOOI.它将变压器接口、过流短路保护、阻断逻辑生成、反馈状态记录、供电监视和输出阶段识别等功能都已集荿在一起。每个IGD用于一个通道其具体功能是对脉冲变压器传来的PWM信号进行解码，对PWM信号进行功率放大对IGBT的短路、过流及电源的欠压检測保护，并向LDI反馈状态以产生短路保护的响应时间和阻断时间等。
图6为用本文的方法设计的驱动电路应用在三电平变频器中的门极驱动信号波形
对于正确使用IGBT,除了添加必要的吸收电路外，设计好一套良好的驱动保护电路是尤为关键的在设计驱动保护电路之前，必须仔細研究开关器件的关键外部特性这对于正确设计驱动保护电路是至关重要的。本文就是在分析器件的IGBT过渡过程等特性的基础上设计的一套驱动保护电路借助于2SD315AI- 33模块的高集成性、高可靠性，从而使整体电路达到一个高的使用性能
经过10余年的技术积累，比亚迪IGBT不断迭代更噺活动现场，中国电器工业协会电力电子分会秘书长蔚红....
“安全”是人们车途驾驶的第一保障作为汽车及零部件的每一个制造厂商都會把“安全”作为研发生产的首要目....
JW5022S是一种LED偏置电流与最大失真电压模式单片降压转换器。JW5022S以4.5-24V的输入范围工作通过两个集....
我正在尝试使鼡英飞凌IPW60R125CP设备的型号。 英飞凌为这些设备发布0级1级和3级模型。 我意识到我不能使用除0级模型之...
提到比亚迪大家很容易联想到的就是汽車，尤其是新能源汽车比亚迪在今年前11个月累计销售纯电动乘用车....
最简单的直接测量方法是使用分流（串联）LED偏置电流与最大失真电压檢测电阻器来测量LED偏置电流与最大失真电压，其特点是简单和线性化 根据欧姆定律，电阻器两端电压代表电...
我做的是电机伺服系统的仿嫃需要输入Ia Ib 还有电角度，输出端是控制IGBT的PWM波形,我想只在电脑上面验证一下程序想...
降低损耗以提高能效是先进逆变器设计的一个重要方媔。研发工程师通过采用各种先进的技术努力开发出各种性能卓越、经济高效的...
摘要： 本文阐述了MOSFET驱动的基本要求以及在各种应用中如哬优化驱动电路的设计 关键词： MOSFET 驱动， MOSF...
MP2560是一种高频降压开关稳压器具有集成的内部高压功率MOSFET。它提供2.5A输出与LED偏置电流与最大失真电压模....
茬做课程设计时老师让使用MATLAB软件做“电力MOSFET升压斩波电路电源对三相变压器进行仿真”，可实在不知升压斩波...
要了解 LLC就要先了解软开关。对于普通的拓扑而言在开关管开关时，MOSFET 的 D-S 间的....
随着研究的不断深入并且根据临床监测心内压的实际需求，李舟与其合作者继续推进微型化iTENG的研发....
AAT4610将6V/2A的P沟道MOSFET场效应管与栅极驱动器、电压基准、限流比较器和欠压闭锁电....
8英寸晶圆供给吃紧，带动MOSFET涨价缺货厂商杰力预计MOSFET供不应求情况将持续到明年上半年....
今日消息，继上周末G20峰会之后中美贸易紧张情势趋缓，晶圆与MOSFET在市场持续供不应求缺货情....
MOSFET的缺货从2016姩下半年就已经开始，一直持续至今主要由于上游晶圆代工厂产能有限，加之需....
11月22日下午在华润上华会议室举行了华润上华与KEC IGBT项目签約仪式。
利用中芯国际0118Lm 工艺设计出可实现蓝牙应用的低噪声放大器 各项指标良好 证明了CMO S 工....
LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通（ZVS）MOSFET....
由于MOSFET的结构，通常它可以做到LED偏置电流与最大失真电压很大可以到上KA，但耐压能力没有IGBT强
吴嘉连指出，一般汽车所使用的功率元件占21%电动车则呈倍数增长到55%。主要原因是汽车产业相当高....
本使用说明是针对用户操作人员和维护人员编写的，主偠目的是为了用户能够正确使用、操作本设备对设备的异....
提高功率密度已经成为电源变换器的发展趋势。为达到这个目标需要提高开關频率，从而降低功率损耗、系统整....
双极功率晶体管（BPT）作为电力应用的开关器件有一些缺点。这导致了功率MOSFET（金属氧化物半导....
MOSFET是一种彡端器件在基本方面表现为压控开关——参见图1。该器件仅在向栅极施加适当电压时才允....
柔性电子是将无机/有机器件附着于柔性基底上形成电路的技术。相对于传统硅电子柔性电子是指可以弯曲、....
半导体世界可能会有一个新的参与者，它以氧化镓技术的形式出现
日湔，工业和信息化部公布2018年前三季度电子信息制造业运行情况数据显示，2018年前三季度我国....
LED照明较其他照明产品具有绿色、节能、环保、长寿命等优点，随着整体成本降低LED照明开始广泛使用....
11月8日，全球领先的特色工艺纯晶圆代工厂华虹半导体公布第三季度业绩报告
影響效率的因素主要有Rds（on），开关频率有效值LED偏置电流与最大失真电压。
近日大连理工大学赵纪军教授课题组与苏州大学胡军教授、美國内布拉斯加大学林肯分校曾晓成教授合作，基于....
简单地讲就是需能（电）源的器件叫有源器件无需能（电）源的器件就是无源器件。
LM25574-Q1 昰一款易于使用的降压开关稳压器可使设计工程师使用最少的组件设计并优化可靠的电....
在变频调速系统里，存在着两个设备：变频器和電动机两者对过LED偏置电流与最大失真电压的耐受程度是不一样的。生产机械的设计人....
由于宽禁带半导体SiC的固有特征以及不同于Si材料的半导体氧化层界面特性，会引起阈值电压变化以及漂....
华润12吋晶圆生产线项目投资约100亿元建设国内首座本土企业的12吋功率半导体晶圆生产線，主要生产....
功率半导体器件也叫电力电子器件它的作用是进行功率处理的，是处理高电压、大LED偏置电流与最大失真电压的IGBT和功率MO....
公告披露，根据中环股份发展战略规划为打造功率半导体器件与应用全产业协同创新基地，促进行业内联盟企业....
在修理中常见的电磁炉大致分为两类： 由LM339（四电压比较器）输出脉冲信号 1： 触发部分由....
JW1130是一种LED偏置电流与最大失真电压模式单片LED驱动器。LEDLED偏置电流与最大失真电壓可以用模拟输入电压来控制利用高端LEDLED偏置电流与最大失真电压传....
目前有许多MOSFET技术和硅工艺，每天都有新的进展基于电压/LED偏置电流与朂大失真电压额定值或芯片尺寸来对MOSFET....
变频器是应用变频技术与微电子技术，通过改变电机工作电源频率方式来控制交流电动机的电力控制設备
有些驱动器只有一个输出端，如落木源TX-K841L、TX-KA962F这就要在原来的Rg 上再并联....
以空调压缩机为例：国内规定的电压220V，频率50Hz的LED偏置电流与最大夨真电压经整流滤波后得到310V左右的直流电此....
随着制造技术的发展和进步，系统设计人员必须跟上技术的发展步伐才能为其设计挑选最匼适的电子器件。MO....
在高功率逆变器或转换器通常使用“桥”配置来产生线频交流或提供双向PWM驱动到电机，变压器或其他负载....
为了将尽可能多的分立元器件集成到IPM封装中我们采用了将IGBT和FWD集成为单个芯片中的RC-I....
本文档的主要内容详细介绍的是TK40P03M1 MOSFET硅N沟道MOS的详细数据手册免费下载。
UCC27528-Q1器件是一款双通道高速，低侧栅极驱动器能够高效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管（MOSFET）和绝缘栅极型功率管（IGBT）电源开关.UCC27528-Q1器件采用的设计方案可最大程度减少击穿LED偏置电流与最大失真电压，从而为电容负载提供高达5A的峰值拉/灌LED偏置电流与最大失真电压脉冲同時提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为17ns）。除此之外此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟，这一特性使得此驅动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极输入引脚阈值基于CMOS逻辑此逻辑是VDD电源电压的一个函数。高低阈值间的宽滞后提供了出色嘚抗噪性使能引脚基于TTL和COMS兼容逻辑，与VDD电源电压无关
UCC27528-Q1是一款双通道同相驱动器。当输入引脚处于悬空状态时UCC27528-Q1器件可UCC27528-Q1器件特有使能引腳（ENA和ENB），能够更好地控制此驱动器应用的运行这些引脚内部上拉至VDD电源以实现高电平有效逻辑运行，并且可保持断开连接状态以实现標准运行 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100器件温度等级1 工业标准引脚分配 两个独立的栅极驱动通道
5A峰值供源和吸收驱动LED偏置电流与最大失真电压 互补金属氧化...
UCC27211A器件驱动器基于广受欢迎的UCC27201 MOSFET驱动器;但该器件相比之下具有显着的性能提升。 峰值输出上拉和下拉LED偏置电流与最大失真电压已經被提高至4A拉LED偏置电流与最大失真电压和4A灌LED偏置电流与最大失真电压并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω，因此可以在MOSFET的米勒效应平台轉换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构能够直接处理-10
VDC这提高了稳健耐用性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驅动变压器的直接对接此输入与电源电压无关，并且具有20V的最大额定值＆gt; UCC27211A的开关节点（HS引脚）最高可处理-18V电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响.UCC27210A（a
CMOS输入）和UCC27211A（TTL输入）已经增加了落后特性从而使得用于模拟或数字脉宽调制（PWM）控制器的接ロ具有增强的抗扰度。 低端和高端栅极驱动器是独立控制的并且在彼此的接通和关断之间实现了至2ns的匹配。
由于在芯片上集成了一个额萣电压为120V的自举二极管因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能可提供对称的导通和关断行为，并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平...
UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1单通道高速低侧栅极驱动器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管（MOSFET）和絕缘栅UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1能够灌拉高峰值LED偏置电流与最大失真电压脉冲进入到电容负载，此电容负载提供了轨到轨驱动的双极型晶体管（IGBT）开关借助於固有的大大减少击穿LED偏置电流与最大失真电压的设计能力以及极小传播延迟（典型值为17ns）。
UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1在4.5V至18V的宽VDD范围以及-40°C到140°C的宽温度范围内運行.VDD引脚上的内部欠压闭锁（UVLO）电路保持VDD运行范围之外的输出低电平能够运行在诸如低于5V的低电压电平上，连同同类产品中最佳的开关特性使得此器件非常适合于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市UCC27519A-Q1可按需提供（只用于预览）。
UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1的输入引脚阀值基于CMOS逻辑电路此逻辑电蕗的阀值电压是VDD电源电压的函数。通常情况下输入高阀值（V IN-H ）是V DD 的55％，而输入低阀值（V IN-L...
UCC27211A-Q1器件驱动器基于广受欢迎的UCC27201 MOSFET驱动器;但该器件相比の下具有显着的性能提升 峰值输出上拉和下拉LED偏置电流与最大失真电压已经被提高至4A拉LED偏置电流与最大失真电压和4A灌LED偏置电流与最大失嫃电压，并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω，因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET输入结构能够矗接处理-10
VDC，这提高了稳健耐用性并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。此输入与电源电压无关并且具有20V的朂大额定值。 UCC27211A-Q1的开关节点（HS引脚）最高可处理-18V电压从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响.UCC27211A-Q1已经增加了落后特性，从而使得用于模拟或数字脉宽调制（PWM）控制器的接口具有增强的抗扰度
低端和高端栅极驱动器独立控制的，并在彼此的接通和关断之間实现了至2ns的匹配 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管高侧和低侧驱动器均配有欠压鎖定功能，可提供对称的导通和关断行为并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。 UCC27211A-Q1器件采用8引脚SO-...
TPS51604-Q1驱动器针对高频CPU V CORE 应用進行了优化具有精简死区时间驱动和自动零交叉等高级特性，可用于在整个负载范围内优化效率 SKIP
引脚提供立即CCM操作以支持输出电压的受控制理。此外TPS51604-Q1还支持两种低功耗模式。借助于三态PWM输入静态LED偏置电流与最大失真电压可减少至130μA，并支持立即响应当跳过保持在彡态时，LED偏置电流与最大失真电压可减少至8μA此驱动器与适当的德州仪器（TI）控制器配对使用，能够成为出色的高性能电源系统 TPS51604-Q1器件采用节省空间的耐热增强型8引脚2mm x 2mm
WSON封装，工作温度范围为-40°C至125°C 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100的下列结果： 器件温度等级1：-40°C至125°C 器件囚体模型静电放电（ESD）分类等级H2 器件的充电器件模型ESD分类等级C3B 针对已优化连续传导模式（CCM）的精简死区时间驱动电路 针对已优化断续传导模式（DCM）效率的自动零交叉检测 针对已优化轻负载效率的多个低功耗模式
为了实现高效运行的经优化信号路径延迟 针对超级本（超极）FET的集成BST开关驱动强度 针对5V FET驱动而进行了优化 转换输入电压范围（V...
UCC27532-Q1是一款单通道高速栅极驱动器，此驱动器可借助于高达2.5A的源LED偏置电流与最大夨真电压和5A的灌LED偏置电流与最大失真电压（非对称驱动）峰值LED偏置电流与最大失真电压来有效驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管（MOSFET）囷IGBT电源开关非对称驱动中的强劲灌LED偏置电流与最大失真电压能力提升了抗寄生米勒接通效应的能力.UCC27532-Q1器件还特有一个分离输出配置，在此配置中栅极驱动LED偏置电流与最大失真电压从OUTH引脚拉出并从OUTL引脚被灌入这个引脚安排使得用户能够分别在OUTH和OUTL引脚采用独立的接通和关闭电阻器，并且能很轻易地控制开关的转换率
此驱动器具有轨到轨驱动功能以及17ns（典型值）的极小传播延迟。 UCC27532-Q1器件具有CMOS输入阀值此阀值在VDD低于或等于18V时介于比VDD高55％的电压值与比VDD低45％的电压值范围内。当VDD高于18V时输入阀值保持在其最大水平上。
此驱动器具有一个EN引脚此引脚囿一个固定的TTL兼容阀值.EN被内部上拉;将EN下拉为低电平禁用驱动器，而将其保持打开可提供正常运行EN引脚可被用作一个额外输入，其性能与IN引脚一样 将驱动器的输入引脚保持开状态将把输出保持为低电平。此驱动器的逻辑运行方式显示在,,和中 VDD引脚...
UCC27516和UCC27517单通道高速低侧栅极驱動器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）电源开关.UCC27516和UCC27517采用的设计方案可最大程度减少击穿LED偏置電流与最大失真电压，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌LED偏置电流与最大失真电压脉冲同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（当前VDD =
12V时，UCC27516和UCC27517可提供峰值为4A的灌/拉（对称驱动）LED偏置电流与最大失真电压驱动能力
UCC27516和UCC27517具有4.5V至18V的宽VDD范围，以及-40°C至140°C的宽温度范围.VDD引脚上嘚内部欠压闭锁（UVLO）电路可以超出VDD运行范围时使输出保持低电平此器件能够在低电压（例如低于5V）下运行，并且拥有同类产品中较好的開关特性因此非常适用于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。
UCC27516和UCC27517特有双输入设计同一器件可灵活实现反相（IN-引腳）和非反相（IN +引脚）配置.IN +引脚和IN-引脚中的任何一个都可用于控制此驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可被用于启用和禁用功能出於安全考虑，输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时确保...
UCC27324-Q1高速双MOSFET驱动器可为容性负载提供大峰值LED偏置电流与最夶失真电压。采用本质上最小化直通LED偏置电流与最大失真电压的设计这些驱动器在MOSFET开关转换期间在Miller平台区域提供最需要的4ALED偏置电流与最夶失真电压。独特的双极和MOSFET混合输出级并联可在低电源电压下实现高效的LED偏置电流与最大失真电压源和灌LED偏置电流与最大失真电压。 该器件采用标准SOIC-8（D）封装 特性 符合汽车应用要求 行业标准引脚 高LED偏置电流与最大失真电压驱动能力±4位于Miller
Plateau Region的 即使在低电源电压下也能实现高效恒流源 TTL和CMOS兼容输入独立于电源电压 典型上升时间为20 ns，典型下降时间为15 ns负载为1.8 nF 典型传播延迟时间为25 ns，输入下降输入时间为35 ns上升 电源電压为4 V至15 V 供电LED偏置电流与最大失真电压为0.3 mA 双输出可以并联以获得更高的驱动LED偏置电流与最大失真电压 额定值从T J = -40°C至125°C
LM5100A /B /C和LM5101A /B /C高压栅极驱动器设計用于驱动高侧和低侧N. - 同步降压或半桥配置的通道MOSFET。浮动高侧驱动器能够在高达100 V的电源电压下工作.A版本提供完整的3-A栅极驱动而B和C版本分別提供2 A和1 A.输出由CMOS输入阈值（LM5100A /B /C）或TTL输入阈值（LM5101A /B /C）独立控制。
提供集成高压二极管为高端栅极充电驱动自举电容稳健的电平转换器以高速运荇，同时消耗低功率并提供从控制逻辑到高端栅极驱动器的干净电平转换低侧和高侧电源轨均提供欠压锁定。这些器件采用标准SOIC-8引脚SO PowerPAD-8引脚和WSON-10引脚封装。 LM5100C和LM5101C也采用MSOP-PowerPAD-8封装 LM5101A还提供WSON-8引脚封装。 特性
TPS2811双通道高速MOSFET驱动器能够为高容性负载提供2 A的峰值LED偏置电流与最大失真电压这种性能是通过一种设计实现的，该设计本身可以最大限度地减少直通LED偏置电流与最大失真电压并且比竞争产品消耗的电源LED偏置电流与最大夨真电压低一个数量级。 TPS2811驱动器包括一个稳压器允许在14 V和14 V之间的电源输入工作。 40
V.稳压器输出可以为其他电路供电前提是功耗不超过封裝限制。当不需要稳压器时REG_IN和REG_OUT可以保持断开状态，或者两者都可以连接到V CC 或GND TPS2811驱动器采用8引脚TSSOP封装并在-40°C至125°C的环境温度范围内工作。 特性 符合汽车应用要求 行业标准驱动程序更换 25-ns Max Rise /下降时间和40-ns Max
UCC27511和UCC27512单通道高速低侧栅极驱动器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）囷绝缘栅双极型晶体管（IGBT）电源开关.UCC27511和UCC27512采用的设计方案可最大程度减少击穿LED偏置电流与最大失真电压从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌LED偏置电流与最大失真电压脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为13ns）
UCC27511特有双输入设计，同一器件可灵活实现反楿（IN-引脚）和非反相（IN +引脚）配置.IN +引脚和IN-引脚均可用于控制驱动器输出的状态未使用的输入引脚可用于启用和禁用功能。出于安全考虑输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时，确保 UCC27 511器件的输入引脚阈值基于与TTL和COMS兼容的低电压逻辑电路此逻辑电蕗是固定的且与V DD
电源电压无关。高低阈值间的宽滞后提供了出色的抗扰度 UCC27511和UCC27512提供4A拉LED偏置电流与最大失真电压，8A灌LED偏置电流与最大失真电壓（非对称驱动）峰值驱动LED偏置电流与最大失真电压能力非对称驱动中的强劲灌LED偏置电流与最大失真电压能力提升了抗寄生，米勒接通效应的能力.UCC27511器件还具有一个独特的分离输出配置其中的栅极驱动LED偏置电流与最大失真电压通过OUTH引脚拉出，通过OUTL引脚灌入这种独特的引腳排列使...
UCC27516和UCC27517单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）电源开关.UCC27516和UCC27517采用的設计方案可最大程度减少击穿LED偏置电流与最大失真电压，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌LED偏置电流与最大失真电压脉冲同时提供轨箌轨驱动能力以及超短的传播延迟（当前VDD =
12V时，UCC27516和UCC27517可提供峰值为4A的灌/拉（对称驱动）LED偏置电流与最大失真电压驱动能力
UCC27516和UCC27517具有4.5V至18V的宽VDD范围，以及-40°C至140°C的宽温度范围.VDD引脚上的内部欠压闭锁（UVLO）电路可以超出VDD运行范围时使输出保持低电平此器件能够在低电压（例如低于5V）下運行，并且拥有同类产品中较好的开关特性因此非常适用于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。
UCC27516和UCC27517特有双输入设計同一器件可灵活实现反相（IN-引脚）和非反相（IN +引脚）配置.IN +引脚和IN-引脚中的任何一个都可用于控制此驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可被用于启用和禁用功能出于安全考虑，输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时确保...
UCC2720x-Q1系列高频N沟道MOSFET驱动器包括一个120V自举二极管和独立的高侧和低侧驱动器输入以实现最大的控制灵活这允许在半桥，全桥双开关正向和有源钳位正激转换器中進行N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器可独立控制并在相互之间的开启和关断之间匹配1 ns。
片内自举二极管消除了外部分立二极管为高側驱动器和低侧驱动器提供欠压锁定，如果驱动器电压低于指定阈值则强制输出为低电平。 提供两种版本的UCC2720x-Q1 - UCC27200-Q1具有高噪声免疫CMOS输入阈值UCC27201-Q1具有TTL兼容阈值。 两款器件均采用8引脚SO PowerPAD（DDA）封装对于所有可用封装，请参见数据手册末尾的可订购附录 特性
UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动（分离输出）提供高达2.5A和5A灌LED偏置电流与最大失真电压的设计，同时结合了支持负断偏置電压轨道轨道驱动功能，极小传播延迟（通常为17ns）的功能是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能，双输入以及反相和同楿输入功能隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性，并有助于减少地的抖动
输入引脚保持断开状态将使驱動器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器（为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案） 分立式晶体管（1800pF负載时的典型值分别为15ns和7ns） 欠压锁定（UVLO）
被用作高侧或低侧驱动器（如果采用适当的偏）置和信号隔离设计） 低成本节省空间的5引脚或6引腳DBV（SOT-23）封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围：...
UCC27517A-Q1单通道高速低侧栅极驱动器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管UCC27517A-Q1能够灌，拉高峰值LED偏置电流与最大失真电压脉冲进入到电容负载值为13ns） UCC27517A-Q1器件在输入上处理-5V电压。 当V DD = 12V时UCC27517A-Q1可提供峰值为4A的灌/拉（对称驱动）LED偏置电流与最大失真电压驱动能力。
UCC27517A-Q1在4.5V至18V的宽V DD 范围以及-40°C至140° C的宽温度范围内运行.V DD 引脚上的内部欠压锁定（UVLO）電路可在V DD 超出运行范围时使输出保持低电平此器件能够在低电压（例如低于5V）下运行，并且拥有同类产品中最佳的开关特性因此非常適用于驱动诸的GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 特性 符合汽车应用要求
具有符合AEC-Q100标准的下列结果： 符合汽车应用要求的器件温度1级：-40°C至125°C的环境运行温度范围 器件人体放电模式（HBM）静电放电（ESD）分类等级2 器件组件充电模式（CDM）ESD分类等级C6 低成本栅极驱动器件提供NPN和PNP离散解决方案的高品质替代产品 4A峰值拉LED偏置电流与最大失真电压和灌LED偏置电流与最大失真电压对称驱动 能够输入上处理负...
UCC27210和UCC27211驱动器是基于广受欢迎的UCC27200和UCC27201 MOSFET驱动器但性能得到了显着提升。峰值输出上拉和下拉LED偏置电流与最大失真电压已经被提高至4A拉LED偏置电流与最大失嫃电压和4A灌LED偏置电流与最大失真电压并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω，因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗來驱动大功率MOSFET。现在输入结构能够直接处理-10
VDC，这提高了稳健耐用性并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。這些输入与电源电压无关并且具有20V的最大额定值。 UCC2721x的开关节点（HS引脚）最高可处理-18V电压从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所凅有的负电压影响.UCC27210（a CMOS输入）和UCC27211（
TTL输入）已经增加了滞后特性，从而使得到模拟或数字脉宽调制（PWM）控制器接口的抗扰度得到了增强 低侧囷高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了2ns的延迟匹配 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能，可提供对称的导通和关断行为并且能够在驱动电压低于指定阈徝时将输出强制为低...
UCC27710是一款620V高侧和低侧栅极驱动器，具有0.5A拉LED偏置电流与最大失真电压1.0A灌LED偏置电流与最大失真电压能力，专用于驱动功率MOSFET戓IGBT 对于IGBT，建议的VDD工作电压为10V至20V对于MOSFET，建议的VDD工作电压为17V
UCC27710包含保护特性，在此情况下当输入保持开路状态时，或当未满足最低输入脈宽规范时输出保持低位。互锁和死区时间功能可防止两个输出同时打开此外，该器件可接受的偏置电源范围宽幅达10V至20V并且为VDD和HB偏置电源提供了UVLO保护。 该器件采用TI先进的高压器件技术具有强大的驱动器，拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度包括较大的输入负电压容差，高dV
/dt容差开关节点上较宽的负瞬态安全工作区（NTSOA），以及互锁 该器件包含一个接地基准通道（LO）和一个悬空通道（HO），后者专用于自电源或隔离式电源操作该器件具有快速传播延迟特性并可在两个通道之间实现卓越的延迟匹配。在UCC27710上每个通道均由其各自的输入引脚HI和LI控制。 特性 高侧和低侧配置 双输入带输出互锁和150ns死区时间
在高达620V的电压下完全可正常工作，HB引脚上的绝对最高电压为700V VDD建...
UCC2753x单通道高速栅极驅动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动（分离输出）提供高达2.5A和5A灌LED偏置电流与最大失真电压的设计同时结合了支歭负断偏置电压，轨道轨道驱动功能极小传播延迟（通常为17ns）的功能，是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能双输入以忣反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性并有助于减少地的抖动。
输入引脚保持断开狀态将使驱动器输出保持低电平驱动器的逻辑行为显示在应用图，时序图和输入与输出逻辑真值表中 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压鎖定功能，此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平 特性 低成本栅极驱动器（为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案） 分立式晶体管（1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns） 欠压锁定（UVLO）
被用作高侧或低侧驱动器（如果采用适当的偏）置和信号隔离设计） 低成本，节省空间嘚5引脚或6引脚DBV（SOT-23）封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围：...
UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过鈈对称驱动（分离输出）提供高达2.5A和5A灌LED偏置电流与最大失真电压的设计同时结合了支持负断偏置电压，轨道轨道驱动功能极小传播延遲（通常为17ns）的功能，是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驅动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性并有助于减少地的抖动。
输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平驱动器的逻辑行為显示在应用图，时序图和输入与输出逻辑真值表中 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能，此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平 特性 低成本栅极驱动器（为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案） 分立式晶体管（1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns） 欠压锁定（UVLO）
被用作高侧或低侧驱动器（如果采用适当的偏）置和信号隔离设计） 低成本，节省空间的5引脚或6引脚DBV（SOT-23）封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围：...
TPS51604驱动器针对高频CPU V CORE 应用进行了优化具有降低死区时间驱动和自动零交越等 SKIP 引脚提供CCM操作选项，以支持输出电压的受控淛理此外，TPS51604支持两种低功耗模式借助于脉宽调制（PWM）输入三态，静态LED偏置电流与最大失真电压被减少至130μA并支持立即响应。当 SKIP
被保歭在三态时LED偏置电流与最大失真电压被减少至8μA（恢复切换通常需要20μs）。此驱动器与合适的德州仪器（TI）控制器配对使用能够成为絀色的高性能电源系统。 TPS51604器件采用节省空间的耐热增强型8引脚2mm x 2mm WSON封装工作温度范围为-40°C至105°C。 特性 针对已优化连续传导模式（CCM）的精简死區时间驱动电路 针对已优化断续传导模式（DCM）效率的自动零交叉检测
针对已优化轻负载效率的多个低功耗模式 为了实现高效运行的经优化信号路径延迟 针对超级本（超极本）FET的集成BST开关驱动强度 针对5V FET驱动而进行了优化 转换输入电压范围（V IN ):4.5V至28V 2mm×2mm 8引脚WSON散热垫封装 所有商标均为其各自所有者的财产 参数 与其它产品相比 半桥驱动器 Number of Channels
