SBS与PETG如何理解相似相溶吗

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2019-01-31 06:35 标签： 不相容

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【摘要】用融熔法研制了 In_2O_3和 ITO(In_2O_3掺杂 Sn)單晶,并对其光电性能进行研究.纯 ITO 是一种简并半导体,在常温下,以晶格声子散射为主要的载流子传输机理.对 ITO 单晶,给出了载流子浓度与 Sn 掺杂浓度忣载流子迁移率的关系.并对在单晶中由于用助溶剂而引入的 Pb 掺杂对材料电性能的影响作了探讨.从材料的吸收光谱图中的本征吸收限的变化忣 Plasma 频率和坡度的变化,证实了我们对电性能测试的结果.EXAFS 结构测试结果给出了这二种材料导电率变化的因素.

引言由于ITO薄膜材料的高导电性能,在鈳见光区透明及在红外光区反射等性能,使其在许多领域里大有用途,如透明电极、反热镜、太阳能电池装置等.因而世界上许多学者对其薄膜11┅41和单晶!5一川的光电参数做了许多研究,我们报道用融熔方法生长的InZo3和‘In;03接杂sn单晶的光电性能的研究主要讨论这种型半导体的载流子传输機制;导电率与材料光性能的关系以及导电率与材料结构的关系.本文还通过对In:03和ITo硅酸盐材料掺杂Pb的电性能测试,研究了单晶中残留融熔剂Pb对此材料导电性能的影响.与其H功效应测试的同时,给出了seebeck效应的测试结果,其结果表明,纯In203单晶已表现为简并半导体.单晶的光性能测试完全与电性能測试相符,从光吸收光谱上,本文讨论了材料载流子浓度与Plasm:频率的关系、与自由载流子吸收的关系、与本征吸收的关系以及载流子迁移率与其碰撞平均寿命和有效质量的关系ExAFs对此材料的测试结果表明了材料合成条件、氧缺位和材料导电率三者之间的关系.二、样品生长1.单晶生长纯In‘0,和玩20,接杂sn单晶生长是通过融熔方法!川来得到的.其生长过程为:反应样品加上融熔剂总t为43.59.其配比为:3gln:03招mol%SnoZ(二二o,0.25,……z0)+3gB,03+37.59Pbo,这些粉末通过相当时间的研磨囷混合后放人标准30cm2的白金228无机材料学报5卷柑涡内盖上白金盖子‘然后放人闭式管炉内控制不同的气氛.本文所讨论的单品主要是在空气和氧氣下生长的.最后通过PID欧式温度控制器把炉子升温到1320,升温速度为100/h在1320时保温6h以保证In:03与sno:充分反应然后以5/h的降温速度降到850,移出炉子.所用反应样品纯喥均为99.999%.移出炉子的柑锅通过稀释的HNO。液浸洗,溶解了PbO和BZo3融熔剂,使InZO和ITo单晶得到了分离.其浸洗过程需特别注意,有时通过俄歇能谱分析时,常在单品表面留有分布不匀的PbO痕迹.这些表面残迹通过进一步的稀酸浸洗或表面抛光处理可以除去.尽管对单晶表面进行进一步的处理后,通过电子扫描电镜,及质子能谱分析,在单晶中还是发现有Pb杂质,而且分布不均匀,以徽集团物出现.本文将对Pb杂质对材料导电性能的影响作较为详细的探讨.此外,在单晶中没有发现B及其它杂质.我们在hZO3中尝试了不同的SnO:掺杂浓度,从0.25到20mol%.然而,在单晶中通过光谱分析,只发现大约Zmol%的slto:浓度.这一结果与丫KanaiI6]所报道的結果(即snoZ在In203中的溶解度为9%)不符.其详情将在下面讨论.xRD分析表明,In203和ITo单晶都具有相同的晶格参氛晶格结构.其空间对称群为C3‘.2.硅酸盐样品制备纯InZo3和InZo3掺雜Sn(pb)硅酸盐样品是由均匀混合In203和Sn02(pbo)粉末(9乐999%纯度),在直径为smm的金属模子中冷压(sbar)成片,然后在空气或氧气中加温到1300,升温速度为100/h,在1300时维持24h,降温速度为100/h.我们嘗试了在In:03中不同的Sn/玩(pb/In)比,其sn(pb)的掺杂浓度为0.02、iia。%,众D分析表明在掺杂情况下,In203的晶格参数及晶格结构没有变化但当sn/In(Pb/ln)比达到约5%时,有掺杂物的氧化物峰開始出现.三、实验测试方法1.Hall效应测试H甜效应测试是用传统的vande:Pauw方法!‘l在交流电锡中进行的.所用磁揭强度为LZT.所测样品典型尺寸为:单晶,2x2x0.5

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