同功率电机功率和电压电压大好还是小好?

如何通过搅拌电流、电压、功率來判断物料的粘度

各位大神我现在做一个液液反应,随着反应的进行物料粘度会增大最后是通过粘度来判断反应终点的,由于在线粘喥计太贵且每次放些物料出来测粘度又很繁琐我想可不可以通过搅拌电机功率和电压的电流、电压、功率的变化来衡量粘度呢?不需要知道粘度的数值,只要知道到这个点放料就好
        之前尝试过测电机功率和电压电流发现有两个问题:第一,在搅拌过程中电机功率和电压嘚电流在同一时间段本身就在波动。波动幅度±0.3A第二从反应开始到结束,也就是粘度明显发生了很大变化后电流的变化也不大,整个過程电流变化不超过1A加上电流波动在±0.3A,所以通过这种方式来确定终点就不够准确啦!
        我想问的主要是两个问题:第一能不能通过测電机功率和电压相关数据来确定反应终点。第二能不能在电流的测定上想办法,让波动幅度变小或测得的数据变大是的看着更明显。謝谢!

  • 这个方案完全可行别说是小试装置,就是很多中试或者大装置都是通过检测搅拌电机功率和电压的参数来判断粘度的但前提是攪拌电机功率和电压的功率需要刚好适配,不然电流的变化值会很小推荐检测电机功率和电压功率值,因为搅拌一般都用变频输出的電流波形是调制波,普通的钳型表或者互感器测出来不准也可以在电机功率和电压和搅拌桨中间装扭矩检测装置,这样得到的数据更准確和稳定

  • 楼上说得对。补充一下电压也很重要,如果要靠电流判断反应终点除了电机功率和电压配置不能过大之外,还有就是要保證电压稳定举个例子,电压不稳电灯泡亮度都变化,这个时候对电机功率和电压的输入功率影响很大的

  • 这个方案完全可行,别说是尛试装置就是很多中试或者大装置都是通过检测搅拌电机功率和电压的参数来判断粘度的,但前提是搅拌电机功率和电压的功率需要刚恏适配不然电流的变化值会很小。推荐检测电机功率和电压功率值因为搅拌一般都用变频,输 ...

    谢谢那电机功率和电压功率如果配大叻,是不是电机功率和电压功率值测出来变化也会很小啊还有就是扭矩检测装置用在5吨釜上大概要多少钱

摘 要: 针对核辐射应急处理机器囚驱动系统体积小、驱动能力强且操控灵活的需求基于IR2184驱动并联MOS管H桥电路,设计了一种适用于特种机器人的低电压大功率电机功率和电壓驱动系统系统针对驱动中的尖峰问题设计了RCD吸收回路,并针对MOS并联中的局部过流问题设计了均流保护电路实验表明,驱动电压为24 V时驱动电流最大可达100 A,最终实现了对特种机器人的可靠控制关键词: 低电压大功率;MOS并联

摘 要: 针对核辐射应急处理机器人驱动系统体積小、驱动能力强且操控灵活的需求,基于IR2184驱动并联MOS管H桥电路设计了一种适用于特种机器人的电机功率和电压驱动系统。系统针对驱动Φ的尖峰问题设计了并针对中的局部过流问题设计了。实验表明驱动电压为24 V时,驱动电流最大可达100 A最终实现了对特种机器人的可靠控制。
关键词: 低电压大功率;MOS并联;RCD吸收回路;均流保护电路

现阶段电气系统抗核辐射的主要途径是使用铅屏蔽层将控制系统完全包裹起来,以达到屏蔽效果通常铅屏蔽层厚度约为7 cm。考虑到使用该方式对其进行抗核辐射加固会导致机器人体积庞大且笨重所以很有必要设計一款适用于核辐射应急处理机器人的底盘电机功率和电压驱动系统。
参考文献[1]设计了一款输出功率可达9 kW的电机功率和电压驱动器但该驅动器使用了28 V/125 V DC-DC变换器,使得驱动器体积非常庞大不适用于核应急处理机器人的底盘电机功率和电压驱动。参考文献[2]和参考文献[3]均设计了┅种输出电压为24 V、电流为10 A的驱动器由于其输出功率过小,显然也都不能用于核应急处理机器人的底盘电机功率和电压驱动
针对上述问題,本文提出一种使用IR2184驱动且由并联MOS管搭建的H桥大电流电机功率和电压驱动设计方案本文针对驱动中的尖峰问题设计RCD吸收回路,并针对MOS並联中的局部过流问题设计均流保护电路从而保证驱动器能可靠稳定地工作。

1 系统方案设计 本设计需要驱动的特种机器人重约850 kg所以要求底盘电机功率和电压的输出功率约为1 200 W,因此底盘电机功率和电压驱动器的输出功率至少应为1 500 W机器人只能由自身携带的电池供电,并且偠求其机动性强、体积小所以设计中需使用24 V电池为驱动供电。根据1.5倍峰值电流的标准[1]本文需设计一个输出电压为24 V、输出电流最大为100


驱動器的整体框图如图1所示,包括STM32最小系统、串口模块、DC-DC隔离电源模块、状态指示模块、电机功率和电压驱动电路和RCD吸收电路

本设计以STM32为控制核心,产生PWM波控制栅极驱动芯片IR2184进而驱动由NMOS并联搭建的H桥。同时本设计使用RCD吸收电路吸收电机功率和电压启停中的尖峰均流保护電路使得并联MOS管间的电流尽量均衡。

2.1 驱动电路设计 在H桥中要使NMOS管完全导通,要求VGS>10 V对于下桥臂,直接加10 V以上的电压就可使NMOS导通;但对上橋臂要使NMOS导通,就必须满足VG>VSS+10 V因此必须使用浮动栅极驱动,才能使得上桥臂导通栅极驱动芯片IR2184是悬浮栅极驱动芯片,具有自动死区时間控制所以本设计使用其作为NMOS的驱动芯片。


图2是IR2184的自举驱动电路由2片IR2184驱动一个由IRFP3206构成的H桥电路,实现对电机功率和电压的正反转控制其中,PWM1、PWM2是STM32产生的PWM经光耦隔离之后用来进行电机功率和电压速度控制的信号;D1~D4为泄放二极管作用是在没有栅极驱动信号时迅速泄放掉輸入电容中的电荷;D5~D8为12 V的稳压二极管,用作钳位以确保VGS电压正常,进而保证MOS管驱动正常;D11~D14为续流二极管用于增加MOS管的续流能力;R9~R12为下拉电阻;C3~C6为电源滤波电容,用于维持IR2184电源的稳定

2.2 RCD吸收电路 在驱动的实际测试过程中发现,在电机功率和电压启停时驱动器输出端有较夶冲击电压,有时甚至高达60 V这个电压可能将MOS管击穿,所以必须使用RCD吸收电路来滤除尖峰在如图3所示的电路(省略驱动电路)中,将RCD吸收电蕗并联在MOS管的漏极和源极之间以保证驱动器更加稳定可靠地工作。


为避免由反向恢复引起震荡而产生的过电压吸收电路中的二极管DA应該选择正向导通电压低、反向恢复时间短的二极管,在本设计中使用SS24

2.3 MOS管并联设计 所有并联的MOS管导通时的管压降是相同的,必然是饱和电壓小的MOS管先流过较大的电流由于功率MOS管的通态电阻RDS(on)具有正温度系数,因此从原理上讲,MOS管具有电流自动均衡分配的特性是很适合并聯的[6]。


图4所示为MOS管并联示意图(忽略2184驱动和RCD吸收电路)在本设计中采用3个MOS管并联的方式驱动电机功率和电压。为抑制栅极震荡每个MOS管嘟使用独立的栅极电阻;为保证各并联MOS尽可能地热耦合,并联的MOS安装在同一片散热片上;为保证MOS管并联驱动效果MOS管尽量选择性能接近的哃一批次MOS管。

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