2、电路如图一所示3-2所示，已知R=3Ω，L=1H，C=1F，uC(0－)=0，iL(0－)=1A；求t≥0的uC (t)及iL(t)。

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2019-05-30 03:28 标签： 电路如图一所示
（1）求静态工作点IBQ、ICQ和UCEQ（2）电壓放大倍数Au。... （1）求静态工作点IBQ、ICQ和UCEQ
（2）电压放大倍数Au。

题目中缺一个晶体管用的材料这个条件如果是锗半导体材料的晶体管，基极－发射极电压约0.25V（常按0.3V计算）硅材料半导体晶体管基极－发射极电压约0.65V（常按0.7V计算）

下面按硅晶体管考虑计算：

由RB1、RB2分压比是4/1，和电源電压是25V得知基极电位约5V则发射极电压约4.3V，发射极电阻为1.5kΩ，

则发射极电流约为2.87mA

基极电流＝发射/（β＋1）＝40.4μA，

集电极电流＝发射极电鋶－基极电流＝2.83mA

题目中缺一个rbe（发射结电阻）条件，所以不能计算电压放大倍数该参照不能凭计算得到，就象β一样，由晶体管型号和规格给定，也可以通过实验测量得到。在题目中应该作为已知条件给定。否则可能无法计算电压放大倍数。

但是如果电路中没有Ce则　電压放大倍数≈集电极电阻/发射极电阻，有了发射极电容时就不能这样估算了

注意：现在网上有一种错误计算方法，就是 rbe＝发射结导通電压÷基极电流。实际上rbe比这样计算出来的电阻小得多理论上只有基极电流极大时才可以近似相等。因为晶体管发射结是非线性器件非线性器件的电阻要用 r＝dU/dI 来计算，也就是说在不同的基极电流情况下，rbe是不同的见下图：

这是晶体管基极－发射极的输入特性曲线，非常明显用Ube/Ib计算出的Rbe与rbe相差很大电阻其实在U/I坐标图中就是曲线上各点的余切值，垂直的线电阻为0水平的直线电阻为∞，而45°的直线就是1电流的单位是μA，那就是1MΩ，说明rbe和Rbe的角度差一点就可能相差数kΩ至数百kΩ。所以不能用Ube/Ib求rbe除非基极电流非常大时两条线才接近平行。

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如图10-26所示已知r=6cm，d=8cmq1=3×10-8C，q2=-3×10-8C求：(1)将电荷量为2×10-9C的点电荷从A点移到B点，电场力做功多少(2)将此点电荷从C点移到D点，电场力做功多少

电动机得到的功率转化为两部分：机械功率和电动机导线内阻上的发热功率所以电动机转化的机械功率为：P 机 =P 电 -I 2 R m =0.56 W-0.1 2 ×2 W=0.54 W.

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