什么是MRAM有什么特点 简称:MRAM
磁性隨机存储器是正在开发阶段的,基于半导体(1T)和磁通道(magnetic tunnel junction-MTJ)技术的固态存储介质属于非挥发性芯片。主要开发厂商有IBM、Infineon(英飞凌)、Cypress和Motorola(摩托罗拉)其擦写次数高于现有的Flash存储器,可达1015读写时间可达70nS。
中文:Rambus动态随机存储器
这是一种主要用于影像加速的内存 (Memory ) 提供了1000Mbps的传送速率,作業时不会间断比起动态随机存取内存 (DRAM ) 的200mbps更加快速,当然价格比要DRAM贵虽然RDRA无法完全取代现有内存,不过因为总线 (BUS) 速度的需求可以取代DRAM與静态随机存取内存 (SRAM ) 。 SDRAM的运算速度为100赫兹 (Hz ) 制造商展示的RDRAM则可达600MHz,内存也只有8或9位 (bit ) 长若将RDRAM并排使用,可以大幅增加频宽 (Bandwidth) 将内存增为32或64位。非易失性存储器电源撤除后,储存的信息(Data)依然存在在特殊管脚上施加电压,同时输出相应命令就可以擦除内部数据。典型应用於如电视机、空调中存储用户设置的参数。
{2IoG$[jerryer这种存储器支持再线修改数据每次写数据之前,必须保证书写单元被擦除干净写一个数據的大约时间在2-10ms之间。支持单字节单元擦除功能
什么是DRAM,有什么作用DRAM:动态随机存储器
一般计算机系统使用的随机存取内存(RAM)可分动态与靜态随机存取内存(SRAM)两种差异在于DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新,才能维系数据保存SRAM的数据则不需要刷新过程,在上電期间数据不会丢失。
非易失性存储器是目前在可在线可改写的非挥发性存储器中容量最大的存储器。支持再线修改数据写数据的速度比EEPROM提高1个数量级。
CxIoeQn Y6g/d VjerryerFlash应用于大容量的数据和程序存储如电子字典库、固态硬盘、PDA上的操作系统等。
flash用于存放程序代码eeprom的功能差不多,就是存储机制不一样而已速度稍快,易擦写多用于存放掉电不丢失的数据,ram数据掉电丢失但是速度很快,用于存放程序运行时候嘚变量等希望可以帮到你哦
各位请问谁有MC9S12XDG128的例程我用MC9S12DG128EEPROM的例程移植过去,XDG128R的EEPROM只能够写进一次以后怎么都不能再写了,只能重新下载程序不知道是什么原因。EEPROM的地址是用默认的0x800-0xFFF.谢谢 |
中级技术员, 積分 233, 距离下一级还需 67 积分 中级技术员, 积分 233, 距离下一级还需 67 积分
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实习生, 积分 10, 距离下一级还需 10 积分 實习生, 积分 10, 距离下一级还需 10 积分
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