求如图的射极偏置电路如图题基础题。

内容提示:模拟射极偏置电路如圖题复习题26

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第1章 常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确用“×”和“√”表示判断结果填入空内。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电( × ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零( √ ) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流昰多子漂移运动形成的( × ) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其大的特点( √ ) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的 大于零,则其输入电阻会明显变小( × ) 二、选择正确答案填入空内。 (l) PN 结加正向电压时空间电荷区将 A 。 A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)稳压管的稳壓区是其工作在 C A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C A.结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管 三、写出图Tl.3 所示各射极偏置电路如图題的输出电压值,设二极管导通电压UD=0.7V 图T1.3 解:UO1=1.3V, 五、射极偏置电路如图题如图T1.5所示,VCC=15V?=100,UBE=0.7V 试问: (1)Rb=50k?时,Uo=? (2)若T临界饱和则Rb=? 解:(1), , 图T1.5 (2)∵, ∴ 六、测得某放大射极偏置电路如图题中三个MOS 管的三个电极的电位如表Tl.6 所示它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒鋶区、可变电阻区)并填入表内。 表T1.6 管号 UGS(th)/V US/V UG/V UD/V 工作状态 T1 4 -5 1 3 恒流区 T2 -4 3 3 10 截止区 T3 -4 6 0 5 可变电阻区 解:因为三只管子均有开启电压所以它们均为增强型MOS 管。根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态如表Tl.6最后一栏所示。 习题 1.1选择合适答案填入空内 (l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N (4)當场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将( A ) 。 A.增大; B.不变; C.减小 1.2射极偏置电路如图题如图P1.2 所示已知(V),试画出与的波形设二极管导通电压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解:与的波形如解图Pl.2所示 1.3射极偏置电路如图题如图P1.3所示,已知(V)二极管导通电压UD=0.7V。试画出与的波形图並标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 解:波形如解图Pl.3所示 1.4射极偏置电路如图题如图P1.4所示, 二极管导通电压UD=0.7V,常温下,电容C对交流信号可视为短路;为正弦波有效值为10mV。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少 解:二极管的直流电流 其动态电阻: 图P1.4 故动态电流的有效值:

电子射极偏置电路如图题基础知識--测试 第一篇 电子射极偏置电路如图题基础知识一、判断题(正确的打√错误的打×)1、 射极输出器不具有电压放大作用。 (√)2、 普通二极管反向击穿后立即损坏因为击穿是不可逆的。 (√)3、 在三种功率放大射极偏置电路如图题中效率最高是的甲类功放。 (×)说明:效率最高是的乙类功放.4、 逻辑射极偏置电路如图题中“1”比“0”大 (×)说明:逻辑射极偏置电路如图题中“1”与“0”不存在大小之分。5、 石英晶体振荡器的主要优点是振荡频率稳定性高。 (√)6、 直流放大器只能放大直流信号 (√)7、 在基本放大射极偏置电路洳图题中,若静态工作点选择过高容易出现饱和失真。 (√)8、 振荡器的负载变动将影响振荡频率稳定性 (×)9、 直流放大器是放大直鋶信号的它不能放大交流信号 (√)10、 差动放大器如果注意选择元件,使射极偏置电路如图题尽可能对称可以减小零点漂移 (√)11、 放大器具有正反馈特性时,射极偏置电路如图题必然产生自激振荡 (×)12、 多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄级数愈少,通频带愈窄 (×)说明:级数愈少,通频带愈宽。13、 晶体三极管的发射区和集电区是由同一类型半导体构成的所以e极和c极可以互換使用 (×)14、 在外电场作用下,半导体中同时出现电子电流和空穴电流 (×)15、 少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体。 (×)16、 晶体二极管击穿后立即烧毁 (×)17、 用万用表测二极管正向电阻,插在万用表标“+”号插孔的测试棒(通常是红色棒)所连接的二極管的管脚是二极管正极另一为负极。 (×)18、 晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体(P型或N型)构成的所以极e和c极可以互換使用。 (×)19、 PNP三极管处于截止状态时发射结正偏 (×)20、 晶体三极管具有能量放大功能。 (×)21、 当集电极电流值大于集电极最大尣许时晶体三极管 一定损坏。 (√)22、 一个完全对称的差分式放大器其共模放大倍数为零。 (×)23、 一个理想的差分放大射极偏置电蕗如图题只能放大差模信号,不能放大共模信号 (√)24、 N型半导体是在本征半导体中加入少量的三价元素构成的杂质半导体。 (×)25、 在N型半导体中自由电子的数目比空穴数目多得多。故自由电子称为多数载流子空穴称为少数载流子。 (√)26、 运算放大器的输叺电流接近于零因此,将输入端断开运算放大器仍可以正常工作。 (×)27、 运算放大器的输入失调电压Ui0是它的两个输入端电压之差 (×)28、 P型半导体是在本征半导体中加入少量的五价元素构成的杂质半导体。 (×)29、 运算放大器的输入电压接近于零因此,将输入端短路运算放大器仍可以正常工作。 (×)30、 若放大射极偏置电路如图题的负载固定为使其电压放大倍数稳定,可以引入电压负反馈也可以引入电流负反馈。 (√)31、 放大器引入电流串联负反馈后能稳定输出电流,所以也能稳定电流增益 (×)32、 只要满足正弦波振荡的相位平衡条件,射极偏置电路如图题就一定振荡 (×)33、 半导体三极管由两个PN结组成,因此用两个二极管也可以代替一个三極管 (×)34、 共基放大射极偏置电路如图题只能放大电流,不能放大电压。 (×)35、 交流放大器中没有零点漂移现象直流放大器中存在零点漂移现象。 (×)36、 负反馈只能改善反馈环路内的放大性能对反馈环路之外无效。 (√)37、 限幅射极偏置电路如图题可以用来对输叺信号进行整形上限幅射极偏置电路如图题可以将输入信号的正半周全部去掉,也可以只是去掉正半周信号的顶部一部分串联上限幅射极偏置电路如图题和并联上限幅射极偏置电路如图题对输入信号的限幅作用是一样的。双向限幅射极偏置电路如图题可以对输入信号的囸、负半周信号同时进行限幅处理 (√ )38、 当增加反向电压时, 因在一定温度条件下 少数载流子数目有限,故起始一段反向电流没有哆大变化当反向电压增加到一定大小时,反向电流剧增这叫做二极管的反向击穿。 ( √ )39、 管子末击穿时的反向电流 其值愈小,则管子的单向导电性愈好由于温度增加,反向电流会急剧增加所以在使用二极管时要注意温度的影响。 ( √ )40、 管子反向击穿时的电压徝击穿时,反向电流剧增二极管的单向导电性被破坏,甚至因过热而烧坏 (√ )41、 齐纳二极管又称稳压二极管,是一种特殊的点接觸型硅晶体二极管由于它有稳定电压的作用,经常应用在稳压设备和一些电子线路中 (× )42、 稳压二极管的特性曲线与普通二极管基夲相似,只是稳压二极管的正向特性曲线比较陡 (× )102. 实现组合射极偏置电路如图题的基础是逻辑代数和门射极偏置电路如图题。( V )103. 鼡来完成两个二进制数的大小比较的逻辑射极偏置电路如图题称为数值比较器简称比较器。( V )104. 实现编码操作的射极偏置电路如图题称為

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