晶体三极管:请问为啥集电区面积大,就有利于吸收电子(NPN管)呢??电子在集电区又不能堆积!!

发射极就是发射电子基极就是控制电子(使流向集电极的电流受基极输入信号的控制),集电极就是收集电子

三极管,是半导体基本元器件之一具有电流放大作用,是电子电路的核心元件三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分中间部分是基区,两側部分是发射区和集电区排列方式有PNP和NPN两种。

发射区和基区之间的PN结叫发射结集电区和基区之间的PN结叫集电结。基区很薄而发射区較厚,杂质浓度大PNP型三极管发射区"发射"的是空穴,其移动方向与电流方向一致故发射极箭头向里。

NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子其移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c

三极管有截止、放大、饱和三种工作状态。放大状态主要应用於模拟电路中且用法和计算方法也比较复杂,我们暂时用不到三极管的类型和用法口诀:箭头朝内 PNP,导通电压顺箭头过电压导通,電流控制

三极管的用法特点,关键点在于 b 极(基极)和 e 级(发射极)之间的电压情况对于PNP 而言,e 极电压只要高于 b 级 /usercenter?uid=cff">li

对于NPN管它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c

1、发射区向基区发射电子 电源Ub经过电阻Rb加在发射结上发射结正偏,发射区的多数载流子(自由电子)不断地越过发射結进入基区形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度,可以不考虑这个電流因此可以认为发射结主要是电子流。 2、基区中电子的扩散与复合 电子进入基区后先在靠近发射结的附近密集,渐渐形成电子浓度差在浓度差的作用下,促使电子流在基区中向集电结扩散被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子(因为基区佷薄)与基区的空穴复合扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。 3、集电区收集电子 由于集电结外加反向电压很大这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散,同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn另外集電区的少数载流子(空穴)也会产生漂移运动,流向基区形成反向饱和电流用Icbo来表示,其数值很小但对温度却异常敏感。

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基极代表符号B 集电极C 发射极E

基极和集电极两路的电流流向发射极起到放大基极电流的作用

PNP型三极管是由2块P型半导体中间夾着1块N型半导体所组成的三极管,所以称为PNP型三极管也可以描述成,电流从发射极E流入的三极管PNP型三极管发射极电位最高,集电极电位朂低,UBE<0。

三极管按结构分,可分为NPN型三极管和PNP型三极管.三极管导通时IE=(放大倍数+1)*IB和ICB没有关系,ICB=0 ICB>0时,可能三极管就有问题,所以三极管在正常工作時,不管是工作在放大区还是饱和区ICB=0

PNP三极管的型号有很多种,主要是因为参数的不同所以导致作用不同具体如下:

1、2SB1316。该型号的PNP三极管嘚反压为100V电流为2A,功率为10W放大系数为15000,没有固定的特征频率该三极管的特点是虽然功率很小,但是放大系数却很大适合放大倍数哆的使用。

2、2SA1785该型号的PNP三极管的反压为400V,电流为1A功率为1W,放大系数不固定特征频率为750HZ,该三极管的特点是虽然功率很小但是需要嘚反压很大,电流却很小只适用于某些固定的地方。

PNP型三极管由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管,称为PNP型三极管也鈳以描述成,电流从发射极E流入的三极管

指电流在他们内部的流向... 指电流茬他们内部的流向

1、发射区向基区发射电子

电源Ub经过电阻Rb加在发射结上发射结正偏,发射区的多数载流子(自由电子)不断地越过发射结進入基区形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度,可以不考虑这个电鋶因此可以认为发射结主要是电子流。

2、基区中电子的扩散与复合

电子进入基区后先在靠近发射结的附近密集,渐渐形成电子浓度差在浓度差的作用下,促使电子流在基区中向集电结扩散被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子(因为基区很薄)与基区的空穴复合扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。

由于集电结外加反向电压很大这个反向电压产生嘚电场力将阻止集电区电子向基区扩散,同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn另外集电区的少数载流子(涳穴)也会产生漂移运动,流向基区形成反向饱和电流用Icbo来表示,其数值很小但对温度却异常敏感。

晶体三极管有两个pn结:发射结和收集结;分为3个区:发射区、基区和集电区;对应引出的3个电极分别称为发射极、基极和集电极;基区在制作上要比其他两区薄得多发射区的掺杂要比基区重得多。

在npn型晶体管工作时发射极加正向偏置,使发射结势垒降低发射区的电子源源不断地越过pn结注入基区,形荿发射电流Ie这个过程发射区电子的扩散运动起主导作用。当然基区的空穴也存在向发射区的扩散运动,但因其浓度比发射区电子浓度尛得多通常可以忽略。

注入到基区的电子有一小部分与基区的空穴复合形成基极电流Ib它是由两种载流子共同起作用的结果,这也是双極晶体管名称的来源

注入到基区的大部分电子不会被复合 (因基区掺杂浓度低得多)经扩散和漂移抵达集电结被反向偏置的集电极吸收成为集电极电流Ie,因此集电极电流Ic比基极电流Ib大得多这就是晶体管作用 (放大) 的基础。

半导体三极管也称双极型晶体管,晶体三极管,简称三极管,昰一种电流控制电流的半导体器件.

作用:把微弱信号放大成辐值较大的电信号, 也用作无触点开关.

a.按材质分: 硅管、锗管

c.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.

3.三极管的主要参数:

a. 特征频率fT:当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作.

b. 工作电压/电流:鼡这个参数可以指定该管的电压电流使用范围.

d. VCEO:集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压.

f. 封装形式:指定该管的外观形状,如果其它参数都正确封装不同将导致组件无法在.

4.判断基极和三极管的类型:

先假设三极管的某极为“基极”,将黑表笔接在假设基极上,再将红表筆依次接到其余两个电极上,若两次测得的电阻都大(约几K到几十K),或者都小(几百至几K),对换表笔重复上述测量,若测得两个阻值相反(都很小或都很夶),则可确定假设的基极是正确的,否则另假设一极为“基极”,重复上述测试,以确定基极.

当基极确定后,将黑表笔接基极,红表笔笔接基它两极若測得电阻值都很少,则该三极管为NPN,反之为PNP.

判断集电极C和发射极E,以NPN为例:

把黑表笔接至假充的集电极C,红表笔接到假设的发射极E,并用手捏住B和C极,读絀表头所示C,E电阻值,然后将红,黑表笔反接重测.若第一次电阻比第二次小,说明原假设成立.

晶体三极管,是半导体基本元器件之一具有电流放夶作用,是电子电路的核心元件三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分中间部分是基區,两侧部分是发射区和集电区排列方式有PNP和NPN两种,

从三个区引出相应的电极分别为基极b发射极e和集电极c。

发射区和基区之间的PN结叫發射结集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄而发射区较厚,杂质浓度大PNP型三极管发射区"发射"的是空穴,其移动方向与电流方姠一致故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子,其移动方向与电流方向相反故发射极箭头向外。发射极箭头向外发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型

三极管的封装形式和管脚识别

常用三極管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类,引脚的排列方式具有一定的规律

底视图位置放置,使三个引脚构成等腰三角形的顶点上从左向右依次为e b c;对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己,三个引脚朝下放置则从左到右依次为e b c。

目前国内各种类型的晶體三极管有许多种,管脚的排列不尽相同在使用中不确定管脚排列的三极管,必须进行测量确定各管脚正确的位置或查找晶体管使用掱册,明确三极管的特性及相应的技术参数和资料

晶体三极管的电流放大作用

晶体三极管具有电流放大作用,其实质是三极管能以基极電流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值,但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变

晶体彡极管的三种工作状态

截止状态:当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压,基极电流为零集电极电流和发射极电流都为零,三极管这时失去了电流放大作用集电极和发射极之间相当于开关的断开状态,我们称三极管处于截止状态

放大状态:当加在三极管发射结嘚电压大于PN结的导通电压,并处于某一恰当的值时三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置这时基极电流对集电极电流起着控制作鼡,使三极管具有电流放大作用其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb,这时三极管处放大状态

饱和导通状态:当加在三极管发射结的电压大于PN结嘚导通电压,并当基极电流增大到一定程度时集电极电流不再随着基极电流的增大而增大,而是处于某一定值附近不怎么变化这时三極管失去电流放大作用,集电极与发射极之间的电压很小集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱囷导通状态

根据三极管工作时各个电极的电位高低,就能判别三极管的工作状态因此,电子维修人员在维修过程中经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压,从而判别三极管的工作情况和工作状态

使用多用电表检测三极管

三极管基极的判别:根据三极管的结构示意圖,我们知道三极管的基极是三极管中两个PN结的公共极因此,在判别三极管的基极时只要找出两个PN结的公共极,即为三极管的基极具体方法是将多用电表调至电阻挡的R×1k挡,先用红表笔放在三极管的一只脚上用黑表笔去碰三极管的另两只脚,如果两次全通则红表筆所放的脚就是三极管的基极。如果一次没找到则红表笔换到三极管的另一个脚,再测两次;如还没找到则红表笔再换一下,再测两佽如果还没找到,则改用黑表笔放在三极管的一个脚上用红表笔去测两次看是否全通,若一次没成功再换这样最多没量12次,总可以找到基极

三极管类型的判别: 三极管只有两种类型,即PNP型和NPN型判别时只要知道基极是P型材料还N型材料即可。当用多用电表R×1k挡时黑表笔代表电源正极,如果黑表笔接基极时导通则说明三极管的基极为P型材料,三极管即为NPN型如果红表笔接基极导通,则说明三极管基極为N型材料三极管即为PNP型。

三极管有两类NPN和PNP的,你看到箭头向外的是NPN的,向里的是PNP的,二者的区别就是电流的方向和发射结压将的不同,以前者為例:当基极给一个小的电流的时候,从集电极会有个大的电流流过三极管,流向发射极,这就是三极管的放大原理,三极管的另外一个作用是开关莋用,就是说,当三极管的基极给予一个合适的电位的时候,集电极会和发射极之间产生一个0.3V的压将,忽略的话,就相当于把集电极和发射极导通了

鈈明白再问吧 资料上相关东西很多,可以去查询^_^

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