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_ :下划线标识下标
三极管是在PN結的基础上形成的。它的构成呢有两种形式:
这两种类型性是由N和P的排列方式所决定的
NPN型,是从上到下先N再P再N;PNP型呢就是和她反过来
发射极是基集和集电极的公共极,所以电路中发射集又叫共射极
发射极和基极连成的回路。
集电极和基极连成的回路
NPN型电流向外流,PNP型電流向里流
画的画,就按照左下角和右下角的画在这里插入图片描述
将平的那面对着我们自己,然后呢从左到右依次是发射集,基極和集电极
临界饱和管压降一般硅为0.3V,锗为0.1V
一般e和b的差值,约为0.3或者0.7
其中处于中间的就是基极。
在放大区中集电极电流和基极电流是由一定的正比关系的:
后面的反向饱和电流太小了,所以被忽略掉了
以丅三个区的判断方法是一致的。
在这个电路中β和它的平均数,我们默认是相等的。所以以下就用β了。
截止区在放大区的下面。
基极和發射极差0.7V或0.3V大的是硅,小的是锗
在放大区的前提下,基极的电位是居中的
三极管工作区域分析(电压法) |
---|
0 |
三极管工作区域分析(电壓法) |
---|
注:其它集的电流也是一样的。
电流法判断的时候因为电流大小是不变的,所以电流法中两类三极管的判断依据是一样的
这个時候呢,称之为临界饱和状态
在三极管中,因为都有PN结所以就相当于二级管的衍生,又因为U_CE约等於U_on,所以导通电压的变化曲线应该是等于输出电压的变化曲线的。
所以升高温度,会使U_on减小所以,升高温度也会使输出电压减小哃时,反向导通电流也会增大以NPN型三极管举例,如图:
我们发现确实是如此的其中,反向饱和电流还要增大的多些比图片左边图像間距还要再大。
同时温度升高会使左边图像整体下移,右边图像整体上移β变大。
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我们发现,当U_BE增加到1V以后u_CE就基本不变了。这是因为半导体特性所决定的集电极收集自由电子的能力达到了稳定,所以U_CE不再增加
当温度升高时,三极管的输入特性左移;当温度降低时三极管的输入特性右移。发射结电压UBE具有负温度系数
当温度升高时,输出特性将整体上移且间距增大,说明ICEO、β增大。反之,当温度降低时,输出特性将整体下移,且间距减小。
图中的U_CC就是集电极电源,这样画的目的就是说这一侧接的是集电极的正极这样就是一条回路,如图:
这里电压有多个所以很难直接求,我们就采用电流法的方式来判断电路处在哪个区然后求出对应的集电极电流。
首先我们假设该电路为临界饱和状態,求其饱和电流I_CS
根据电路分析基础有什么用中的基尔霍夫电压原理,列出第一个回路方程:
现在我们来判断,当箭头指向A的时候因为发射结正偏
当箭头指向B的时候,之前临界饱和参数不变只是电阻發生了改变,带入之前的公式求出I_B然后和I_BS对比。发现该电路处于放大区。求出I_CS=1.824mA
当箭头指向C的时候,因为等电位所以I_B为零,此时峩们认为电路处在截止状态,所以I_CS为零
现在我们来判断,当箭头指向A的时候因为发射结正偏
当箭头指向B的时候,之前临界饱和参数不變只是电阻发生了改变,带入之前的公式求出I_B然后和I_BS对比。发现该电路处于放大区。求出I_CS=1.824mA
当箭头指向C的时候,因为等电位所以I_B為零,此时我们认为电路处在截止状态,所以I_CS为零