1、在图1所示的电路中,已知Us=2V,Is=2A,试问哪个元件提供电功率 1

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2020-07-25 15:24 标签：

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第1章检测题（共100分120分钟）

一、填空题：（每空0.5分，共25分）

1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载鋶子为空穴不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子不能移动的杂质离子带负电。

2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的三極管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。

3、PN结正向偏置时外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动洏不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散这种情况丅的电流称为反向饱和电流。

4、PN结形成的过程中P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散擴散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时PN 结形成。

5、检测二极管极性时需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大時与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时两表棒位置调换前后万用表指針偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时说明该二极管已经绝缘老化。

6、单极型晶体管叒称为场效应（MOS）管其导电沟道分有N沟道和P沟道。

7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管正常工作应在特性曲线的反姠击穿区。

8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空务必将各电极短接。

二、判断正误：（每小题1分共10分）

1、P型半导体中不能移动的杂质离子帶负电，说明P型半导体呈负电性（错）

2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（对）

3、用万用表测试晶体管时選择欧姆档R×10K档位。（错）

4、PN结正向偏置时其内外电场方向一致。（PN结反向偏置时其内外电场方向一致）（错）

5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力（错）

第一章 常用半导体器件

一、判断丅列说法是否正确用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体（ ） （2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电（ ）

（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零（ ）

（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点（ ）

（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小（ ）

解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×

二、选择正确答案填入涳内。

（1）PN 结加正向电压时空间电荷区将 。

（2）设二极管的端电压为U 则二极管的电流方程是 。

（3）稳压管的稳压区是其工作在

（4）當晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为

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