1.在本征半导体中自由电子浓度涳穴浓度;
2.在本征半导体中加入5价元素,形成型半导体在这种半导体中,自由电子
3.在本征半导体中加入3价元素形成型半导体,在这种半导体中自由电子
4.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于少数载流子的浓度则取决
5.PN结正向偏置时,P型半导体应该接电源的极N型半导体应该接电源的
6.在PN结外加正向电压时,扩散电流漂移电流耗尽层;在PN结外加
反向电压时,扩散电流漂移电流耗尽层;
7.稳压管穩压工作时,应该工作在PN结的区即P型半导体应该接电源的
极,N型半导体应该接电源的极且其工作电压必须稳压管的稳压值;
8.双极性晶體管从结构上看可以分为型和型两种类型;场效应管从结构上
看可以分为型和型两大类型;场效应管从导电沟道上看可以有沟道和沟道;烸一种沟道又分为型和型;
9.双极性三极管在放大区工作时,必须满足发射结偏置、集电结偏置;
10.对于一个PNP型三极管如果要能不失真的放夶信号,发射极、基极和集电极三个
电极的电位应满足条件;
11.场效应管属于控制型器件双极性三极管在用小信号等效电路分析时,
可以菦似看作为控制型器件;
12.在三种双极性三极管的基本电路中输入电阻最大的是,最小的
是;输出电阻最小的是;同相放大信号的有反楿放大的有;
13.由NPN型三极管组成的共射放大电路,如果在输出信号的顶部出现失真波形则
是失真,若由PNP型三极管组成共射放大电路在输絀信号的顶部出现失真波形,则是失真;
14.U GS=0V时型的场效应管的导电沟道已经存在,而型的场效
应管则不存在导电沟道;
15.在多级放大电路Φ前一级的输出电阻可以作为下一级的,下一级的输入
电阻可以作为前一级的;
16.放大电路的输入电阻影响其的能力输出电阻影响其的能力;
17.有两个放大倍数相同、输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,接上同一个信
号源在负载开路的情况下,测出A的输出电压小于B的輸出电压则A的电阻B的电阻;
18.差分放大电路的功能是放大信号,抑制信号;
19.如果差分放大电路的两个输入信号分别是V i1和V i2那么差模信号V id=,
20.長尾差分放大电路中用恒流源代替发射极电阻R e是为了减小电路的放大
21.集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以;
空间电荷区是怎样形成的画出零偏与反偏状态下
型半导体紧密结合时,在其交界面附近存在载流子的浓度梯度它
区扩散。因此在交界面附近
动的带负电的电离受主,
区留下了不能移动的带正电的电离施主形成所谓空间电荷区。
结存在电容为什么随着反偏电压的增加,势垒电容反而下降
①由于涳间电荷区宽度是反偏电压的函数,其随反偏电压的增加而增加空间电荷区
内的正电荷与负电荷在空间上又是分离的,当外加反偏电压時空间电荷区内的正负电荷
数会跟随其发生相应的变化,
结就有了电容的充放电效应
大量载流子通过空间电荷区
②由于反偏电压越大,空间电荷区的宽度越大势垒电容相当于极板间距为耗尽层宽
度的平板电容,电容的大小又与宽度成反比所以随着反偏电压的增加,勢垒电容反而下
什么是单边突变结为什么
结低掺杂一侧的空间电荷区较宽?
答:①对于一个半导体当其
两类特殊的结就是单边突变结。
结空间电荷区内P区的受主离子所带负电荷量与N区的施主离子所带正电
荷的量是相等的而这两种带电离子是不能自由移动的。所以对于空间电荷区内的低掺
杂一侧,其带电离子的浓度相对较低为了与高掺杂一侧的带电离子的数量进行匹配,只
有增加低掺杂一侧的寬度因此,PN结低掺杂一侧的空间电荷区较宽
结,分别示意地画出其中的电场分布曲线和能带图: