A3 反射式膜厚测量仪可用于测量半导体镀膜,手机触摸屏 ITO 等镀膜厚度,PET 柔性 涂布的胶厚等厚度,LED 镀膜厚度,建筑玻璃镀膜厚度及其他需要测量膜厚的场合。
A3可用于测量 2 纳米到 100 微米的膜厚,测量精度达到 0.1 纳米。
在折射率未知的情况下, A3 还可用于同时对折射率和膜厚进行测量。此外,A3还可用于***测量样品 的颜色和反射率。样品光斑在 1 毫米以内。 A3进行测量简单可靠,实际测量采样时间低于 1 秒。
配合我们的 Apris SpectraSys 软 件进行手动测量,每次测量时间低于 5 秒。
Bruggeman)EMA 等折射率模型。 同时,客户还可以通过软件自带数据库对材料,菜单进行管理并回溯检查测量结果。
基本上所有光滑的、半透明的或低吸收系数的薄膜都可以测量。
这包括几乎所有的电介质与半导体材料,例如:
有机电致发光器AIQ材料 |
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从事电子科技、通讯科技、计算机信息科技、新能源科技领域内的技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让,电子产品、通讯设备、计算机、软件及辅助设备、机电设备、金属材料、五金交电、仪器仪表、办公用品、日用百货的批发、零售,计算机信息系统集成,自有设备租赁,弱电工程施工,从事货物及技术进出口业务。【依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动。】 |
f.液相法镀厚的打底层
a.反应溅射:找到迟滞曲线的临界点,会加快沉积速率,且膜层质量好
b.射频溅射:提高功率和降低气压(如7.5mT)
5. 乙炔的引入可能会在反应溅射过程中存在不均匀现象,导致沉积膜层的质量在基片上有差异,从而反映出(规律)彩色条纹
a.其他条件相同,功率密度和时间对膜厚的影响近似正比关系。功率的提高有利于提高膜层的致密度和结晶情况;时间的增减影响基片的温升以及膜层厚度,间接影响结晶性
b.均匀性:光学均匀性、电学均匀性、膜厚均匀性。
d.直流:平稳电位,常规导电靶材如金属、ITO, 稳定沉积速率高
e.射频:高频震荡,常用13.56MHz,常用于绝缘(SiO2,AL2O3)、半导体、金属材料,膜层致密,沉积速率低。
a.电源辐射是存在的,尤其是射频电源
b.建议选用进口电源(AE等),国内射频电源反射功率2%,进口电源可控制在1W以下
c.电源匹配箱及阴极之间的连线均须屏蔽
d.电源匹配过程辐射泄露最大,因为匹配不好反射功率月高意味着反射越高
e.备孕及孕期,最好远离射频
a.射频溅射氧化物一般得出色膜层中会稍微有些氧元素缺失
b.可冲10%氧气改善
c.观察刻蚀跑道,如果与本体颜色一样可排出此问题,如果刻蚀跑道比本体暗很多,说明缺氧
a.溅射产额影响因素:入射离子能量&逸出原子的键合能
b.溅射的本质:撞击&逸出
c.撞击:动量越大—产额越高,工业普遍用Ar(成本&溅射产额综合考虑)
d.逸出:Al原子小且外层3个电子、结合力强,溅射产额较低
e.不同溅射产额在周期表中有规律的体现
a.影响因素:冷却、靶材、靶材结构
b.非极性、与膜层热膨胀系数区别大
c.本身粗糙度大、耐热性能差
a.基材选取:粗糙度低、放气量少
b.工艺真空度提高、工艺温度降低
c.表面预处理、涂敷底漆如UV有机涂层、等离子清洗
d.电源不匹配,起弧ARC
e.对于反应溅射,可能是氧化不彻底