应用范围:放大,材料:硅(Si),封装形式:ZIP |
应鼡范围:放大,材料:硅(Si),封装形式:贴片型,集电极最大耗散功率PCM:1,集电极最大允许电流ICM:1,极性:NPN型,截止频率fT:1,结构:肖特基,封装材料:塑料封装,加工定制:是,击穿電压VCEO:1 |
应用范围:放大,材料:N-FET硅N沟道,种类:结型(JFET),沟道类型:N沟道,导电方式:耗尽型 |
应用范围:功率,材料:硅(Si),封装形式:直插型,极性:NPN型,加工定制:否,击穿电压VCEO:/ |
应用范围:功率,材料:硅(Si),封装形式:直插型,集电极最大耗散功率PCM:1,集电极最大允许电流ICM:1,极性:NPN型,截止频率fT:1,结构:点接触型,封装材料:树脂封装,加工定制:否,击穿電压VCEO:1 |
应用范围:放大,材料:硅(Si),封装形式:直插型,集电极最大耗散功率PCM:1,集电极最大允许电流ICM:1,极性:NPN型,截止频率fT:1,结构:点接触型,封装材料:树脂封装,加工定淛:否,击穿电压VCEO:1 |
应用范围:功率,材料:硅(Si),封装形式:直插型,集电极最大耗散功率PCM:10W,集电极最大允许电流ICM:0.5A,截止频率fT:0 |
应用范围:开关,材料:硅(Si),封装形式:直插型,極性:NPN型,加工定制:是,击穿电压VCEO:P |
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