1km/nm(1公里/纳秒[比一秒小十亿倍的叫纳秒]),这种速度快不快?

10纳秒时间单位。一秒的10亿分之┅即1秒=10的9次方纳秒。常用作内存读写速度的单位其前面数字越小表示速度越快。<br/>纳秒符号ns(英语:nanosecond).<br/>1纳秒等于十亿分之一秒(10^(-9)秒)<br/>1納秒=1000皮秒<br/>1,000纳秒=1微秒<br/>1,000,000纳秒=1毫秒<br/>1,000,000,000纳秒=1秒。毫秒与KB是2个不同的物理量!毫秒是时间的单位KB在计算机上一般指数据量、流量,所以它们是不能等哃的!数据量一般是以每秒中多少kB或多少MB来表示即


原标题:相变材料能在0.5纳秒内快速切换

   英国剑桥大学、新加坡数据存储研究所与新加坡技术和设计大学的科学家经过研究发现用可以在不同电状态间快速来回切换嘚相变材料替代硅,他们有望研制出信息处理速度快1000倍且更小、更环保的计算机研究发表在最新一期的美国《国家科学院学报》上。

  据美国《大众科学》网站近日报道研究人员表示,这种基于硫化物玻璃的“相变材料(PCMs)”能在十亿分之一秒(0.5纳秒)内在合适的電脉冲下,在晶体和导电状态与玻璃和绝缘状态之间可逆地快速切换。在由这种材料制成的非易失性存储器单元内逻辑操作和存储可茬同一处进行,从而节省时间和能源;而在硅基计算机内逻辑操作和存储在不同的地方进行。

  目前在大多数计算机、手机和平板電脑内,计算都由硅基逻辑设备进行计算结果也由硅制成的固态存储器存储。以前增加计算能力的主要方法是通过减少逻辑设备的大尛来增加其数量,但这种方法很快会行不通因为目前最小的硅基逻辑和存储设备约为20纳米,而且采用层级架构构造而成为了增加芯片仩设备的数量,这些设备被制造得越来越小层与层之间的缝隙也变得越来越小,可能会使存储在非易失性存储器设备某些区域内的电子從缝隙中逃走导致数据损失。而由相变材料制成的设备能克服这种限制因为其已被证明能小到2纳米。

  因此为了在不增加逻辑设備数量的情况下提高处理速度,替代方法是增加每个设备能执行的计算数量用硅根本无法做到这一点,而研究人员已经证明相变材料邏辑/存储设备可以做到这一点。

  相变材料首次于上世纪60年代研制而成最初被用于光存储设备(比如可重写的DVD等)内,现在主要用于電存储领域且在某些智能手机内替代硅基闪存尽管已被证明能执行逻辑计算,但这种相变材料也有缺陷:目前它们的运算速度无法与矽相比,而且在初始的非结晶状态下不稳定不过,研究人员在最新研究中发现通过执行可逆的逻辑操作过程――从晶体状态开始,接著在单元内融化这种相变材料再到执行逻辑操作,这种材料不仅可以变得更稳定而且能更快地执行操作

  该研究的领导者、剑桥大學化学学院的斯蒂芬?艾略特说:“我们希望用由相变材料制成的非易失性设备替代需要不断刷新而耗能费时的动态随机存储器(DRAM)和逻輯处理器,最终研制出运行速度更快且更环保的计算机”

(责编:郭方园(实习生)、赵竹青)



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比秒还小的时间单位叫什么?它的速度是多少?

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