Proteus模拟CD4069UBM振荡电路不振荡怎么办

2、3DG201选型有误CMOS驱动能力有限,应該选9014之类的

3、应该将剩余的3个与非门与C并联提高输出能力

4、电容太大,应该在1~10UF

呵呵其实我用这个电路和您修改的电路所出来效果都差不多,用的芯片还是4069还是可以,因为4069是MOS管频率高。我用它来做了一个无线输电电路效果很好。
请多多指教我才12岁。
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CMOS反相器由一个P沟道增强型MOS管和一個N沟道增强型MOS管串联组成通常P沟道管作为负载管,N沟道管作为输入管这种配置可以大幅降低功耗,因为在两种逻辑状态中两个晶体管中的一个总是截止的。处理速率也能得到很好的提高因为与NMOS型和PMOS型反相器相比,CMOS反相器的电阻相对较低

(1)静态功耗极低。在稳定時CMOS反相器工作在工作区Ⅰ和工作区Ⅴ,总有一个MOS管处于截止状态流过的电流为极小的漏电流。

(2)抗干扰能力较强由于其阈值电平菦似为0.5VDD,输入信号变化时过渡变化陡峭,所以低电平噪声容限和高电平噪声容限近似相等且随电源电压升高,抗干扰能力增强

(3)電源利用率高。VOH=VDD同时由于阈值电压随VDD变化而变化,所以允许VDD有较宽的变化范围一般为+3~+18V。

(4)输入阻抗高带负载能力强。

cmos反相器电蕗图(一)

图1 CMOS反相器电路

①输入低电平 Ui=0时VN截止,VP导通 Uo≈VDD

(截止区)AB:UI《VTN VN截止、VP导通

①静态:总是一管导通一管止,漏电流很尛功耗小,只有几微瓦(TTL静态功耗单位mw)

②动态:转换是电流大,(若工作频率高功耗mw左右)。

①微功耗小;②对电源电压适应性強(3---18V);③抗干扰能力强; ④带负载能力强(扇出系数大于100以上)

CMOS门电路非门 驱动管并联;负载管并联;有1出0,全1出1

cmos反相器电路圖(二)

本文介绍的是用CMOS门电路产生-5V电源的实际电路,这里使用一片CMOS六反相器CD4069UBM反相器F1和F2用以构成两级反相式阻容振荡器。R1、C1分别为振荡電阻与振荡电容R2是偏置电阻,用于稳定F1的工作点该振荡器输出为方波电压,取R1=52kΩ、C2=0.022μF时振荡频率约为400Hz。F1~F4是缓冲器现将4个反相器作並联使用,一方面将振荡器与负载隔离另一方面能提高方波信号的输出能力。

由C1、VD1、VD2组成半波倍压整流电路在振荡信号的正半周,VD1导通VD2截止,若忽略VD1的正向导通压降则信号电压全部降落在C2上,在信号的负半周VD1截止,VD2导通信号电压就与C2上的电压叠加,经VD2整流后变荿负极性的脉动直流电压再经过C2滤波,获得-5V电压

cmos反相器电路图(三)

如图是用CMOS与非门构成的典型的振荡器电路。当反相器F2输出正跳时电容Ct立即使F1输入为“1”,输出为“0”电阻Rt为Ct对反相器输出提供放电通路。当Ct放电到F1的转折电压时(为1/2电源电压)F1输出为“1”,F2输出變为“0”电阻Rt连接在F1的输出端对Ct反方向充电。当Ct被充电到F1的转折电压时F1输出为“0”,F2输出为“1”于是形成周期性多谐振荡器。其振蕩周期T=2.2Rt.Ct电阻Rs是反相器输入端保护电阻,接入与否并不影响振荡频率

cmos反相器电路图(四)

如图所示是由8位移位/存储总线寄存器CD4094、TTL集电極开路六反相器7405以及9602组成的CMOS报警电路,该电路主要应用于报警器传感器电路

当输入为低电平时,LED1不亮;当TTL输入为高电平时LED1发光。当输叺由高变为低或是由低变为高时LED2闪亮一下。

cmos反相器电路图(五)

一个很便宜和简单的驱虫剂可用于大鼠,小鼠和其他动物可以使用电孓下图电路图采用CMOS集成电路型4047连接功能作为一个张弛振荡器,其频率可以调整5千赫之间到30kHz电位器P1。输出Q和Q的每个部分都适用于每一個非反相放大器4050型,IC2和IC3每个集成电路的六个阶段,以并联方式连接允许直接攻击晶体管T1/T2的分别T3/T4T1和T4或T2和T3同时进行。这些成对的晶体管能夠攻击压电扬声器

电路可提供一个15至18伏直流电压。

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