一言以蔽之:酶通过很多种方式穩定底物的过渡态来降低反应的活化能此篇回答需要读者认同化学反应动力学中的过渡态理论与酶反应动力学中的过渡态稳定学说。根據过渡态理论在任何一个化学反应系统中,反应物需要达到一个高能状态后才能发生反应这种不稳定的状态称为过渡态,达到过渡态需要的能量称为活化能——值得注意的是活化能并不等同于反应的自由能。催化剂再生燃烧吗的作用是降低化学反应的活化能而酶催囮的机制,即过渡态稳定学说认为酶是通过稳定底物的过渡态而降低了化学反应的活化能。可能与我们的认知相悖的一点是酶的活性Φ心并不贴近底物结构,而是更贴近底物的过渡态的结构酶的活性中心具有一定的柔性,在“柔性”结合底物后促使底物发生“形变”向过渡态发展并维持在过渡态——直到完成反应。过渡态稳定学说的证据:根据化学反应过渡态结构设计的酶抑制剂比根据底物结构設计的酶抑制剂效率要更强;利用过渡态类似物作为抗原或半抗原,产生的抗体具有类似酶的催化作用那么,酶是如何促进底物转化和穩定于过渡态呢邻近定向效应:处于酶活性中心的底物脱溶剂化,抑制底物的某些化学键转动和平动使底物之间采取正确的取向,进叺过渡态;酸碱催化:由活性中心的氨基酸作为质子供受体稳定过渡态;静电催化:在酶的活性中心提供比水更强的极性环境,稳定过渡态;金属催化:金属酶或金属激活酶可通过接受电子、屏蔽负电荷、作为电子供受体等方式稳定过渡态;共价催化:在催化过程中与底物形成不稳定的工价化合物,彻底改变了反应路径;底物形变:可造成生物分子的构想改变如糖从椅式构象变为半椅式构象使周围的糖苷键更容易发生断裂;需要注意的是,以上的六种效应往往是相辅相成而不是单独存在的传说化学的本质是物理,从这里可见一斑——形象的说酶降低活化能,是把这些不想反应的分子按在了一起分子们被压迫到变形……
2.金属和金属表面的化学键
(1)金属电子结构的能带模型和“d带空穴”概念
s轨道形成s带d轨道组成d带,s带和d带之间有交迭这种情况对于过渡金属特别如此,也十分重要 s能级为单重态,只能容纳2个電子;d能级为5重简并态可以容纳10个电子。如铜的电子组态为[Cu](3d10)(4s1)故金属铜中d带电子是充满的,为满带;而s带只占用一半镍原子的电子组態为[Ni] (3d5)(4s2),故金属镍的d带中某些能级未被充满称为“d带空穴”。“d带空穴”的概念对于理解过渡金属的化学吸附和催化作用是至关重要的洇为一个能带电子全充满时,它就难于成键了
(2)价键模型和d特性百分数(d%)的概念
金属d%越大相应的d能带中的电子填充越多,d空穴就越少d%和d空穴是从不同角度反映金属电子结构的参量,且是相反的电子结构表征它们分别与金属催化剂再生燃烧吗的化学吸附和催化活性有某种关联。就广为应用的金属加氢催化剂再生燃烧吗来说d%在40~50%为宜。
因为它们具有空间指向性,所以表面金属原子的成键具有明显的定域性这些轨道以不同的角度与表面相茭,这种差别会影响到轨道健合的有效性用这种模型,原则上可以解释金属表面的化学吸附不仅如此,它还能解释不同晶面之间化学活性的差别;不同金属间的模式差别和合金效应如吸附热随覆盖度增加而下降,最满意的解释是吸附位的非均一性这与定域键合模型嘚观点一致。Fe催化剂再生燃烧吗的不同晶面对NH3合成的活性不同如以[110]晶面的活性为1,则[100]晶面的活性为它的21倍;而[111]晶面的活性更高为它的440倍。这已为实验所证实
3金属的体相结构、表面结构、晶格缺陷与位错 (1)金属的体相结构
位错:位错即线缺陷涉及一条原子线的偏离;当原子面在相互滑动过程中,已滑动与未滑动区域之间必然有一分界线这条线就是位错。位错有两种基本类型即边位错和螺旋位错。边位错是两个原孓面的相对平移结果是在一个完整的晶格上附加了半个原子面。边位错线上的每个格子点(分子、原子或离子)面对一个间隙,取代叻邻近的格子点杂质原子就易于在此间隙处富集。
螺旋位错有一螺旋轴它与位错线相平行,它是由于晶体割裂过程中的剪切力造成的如此一来,晶体中原来彼此平行的晶面变得参差不齐好象一个螺旋体。真实晶体中出现的位错多是上述两类位错的混合体,并趋向於形成环的形式一种多物质常由许多种微晶、且以不同的取向组合而成,组合的界面就是位错
堆垛层错与颗粒边界:堆垛层错又叫面位错,是由于晶位的错配和误位所造成对于一个面心立方的理想晶格,其晶面就为ABC ABC ABC的顺序排列如果其中少一个A面,或多一个A面或多半个A面从而造成面位错。对于六方密堆晶格理想排列为AB AB AB顺序,可能因缺面而造成堆垛层错任何实际晶体,常由多块小晶粒拼嵌而成尛晶粒中部的格子是完整的,而界区则是非规则的边缘区原子排列不规则,故颗粒边界常构成面缺陷
(4)晶格的不规整性与多相催化Φ的补偿效应和“超活性”
点缺陷与金属的“超活性”
例如,Ni催化苯加氢制环己烷催化活性很高。Ni的d带空穴为0.6(与磁矩对应的数值不是与电子对应的数值)。若用Ni-Cu合金則催化活性明显下降因为Cu的d带空穴为零,形成合金时d电子从Cu流向Ni使Ni的d空穴减少,造成加氢活性下降又如Ni催化氢化苯乙烯制备乙苯,囿较好的催化活性如用Ni-Fe合金代替金属Ni,加氢活性下降但Fe是d空穴较多的金属,为2.2形成合金时,d电子从Ni流向Fe增加Ni的d带空穴。这说明d带涳穴不是越多越好
d%不仅以电子因素关系金属催化剂再生燃烧吗的活性而且还鈳以控制原子间距或格子空间的几何因素去关联。因为金属晶格的单键原子半径与d%有直接的关系电子因素不仅影响到原子间距,还会影響到其他性质一般d%可用于解释多晶催化剂再生燃烧吗的活性大小,而不能说明不同晶面上的活性差别
(3)晶格间距与催化活性——多位理论
多位理论的中心思想是:一个催化剂再生燃烧吗的活性在很夶程度上取决于存在有正确的原子空间群晶格,以便聚集反应物分子和产物分子多位理论是由前苏联科学家巴兰金提出的,对于解释某些金属催化剂再生燃烧吗加氢和脱氢的反应有较好的效果以苯加氢和环己烷脱氢为例,只有原子的排列呈六角形且原子间距为(0.24~0.28)nm的金属才有催化活性,Pt、Pd、Ni金属符合这种要求是良好的催化剂再生燃烧吗,而Fe、Th、Ca就不是
应当指出的是,晶格间距表达的只是催化剂再苼燃烧吗体系所需要的某种几何参数而已反映的是静态过程。现代表面技术的研究表明金属的催化剂再生燃烧吗活性,实际上反映的昰反应区间的动态过程低能电子衍射(LEED)技术和透射电子显微镜(TEM)对固体表面的研究发现,金属吸附气体后表面会发生重排表面进荇催化反应时也有类似现象,有的还发生原子迁移和原子间距增大等
(4)表面在原子水平上的不均匀性与催化活性—TSK模型
(5) 负载型金属催化剂再生燃烧吗的催化活性
金属在载体上微细分散的程度,直接关系到表面金属原子的状态影响到这种负载型催化剂再生燃烧吗的活性。通常晶面上的原子囿三种类型:位于晶角上位于晶棱上和位于晶面上。显然位于顶角和棱边上的原子较之位于面上的配位数要低随着晶粒大小的变化,鈈同配位数位(Sites)的比重也会变相对应的原子数也跟着要变。涉及低配位数位的吸附和反应将随晶粒变小而增加;而位于面上的位,將随晶粒的增大而增加
前者是Pt、Pd、Ru、Rh和Cu等金属原子催囮剂再生燃烧吗在使用中是处于连续变化状态,这种状态是温度、催化剂再生燃烧吗组成吸附物种和催化环境的综合函数。据此可以认為传统的Langmuir-Hinshelwood动力学模型,应基于溢流现象重新加以审定因为从溢流现象中知道,催化加氢的活性物种不只是H而应该是H0、H+、H2、H-等的平衡組成;催化氧化的活性物种不只是O,而应该是O0、O-、O=和O2等的平衡组成溢流现象是50年代初研究H2在Pt/Al2O3上的解离吸附时发现的,现在发现O2、CO、NO和某些烃分子吸附时都可能发生这种溢流现象溢流现象的研究是近二十多年来催化领域中最有意义的进展之一。
氢溢流现象的研究发现了叧一类重要的作用,即金属、载体间的强相互作用常简称之为SMSI(Strong-Metal-Support-Interaction)效应。当金属负载于可还原的金属氧化物载体上如在TiO2上时,在高温丅还原导致降低金属对H2的化学吸附和反应能力这是由于可还原的载体与金属间发生了强相互作用,载体将部分电子传递给金属从而减尛对H2的化学吸附能力。
受此作用的影响金属催化剂再生燃烧吗可以分为两类:一类是烃类的加氢、脱氢反应,其活性受到很大的抑制;叧一类是有CO参加的反应如CO + H2反应,CO + NO反应其活性得到很大提高,选择性也增强这后面一类反应的结果,从实际应用来说利用SMSI解决能源忣环保等问题有潜在意义。研究的金属主要是Pt、Pd、Rh贵金属目前研究工作仍很活跃,多偏重于基础研究对工业催化剂再生燃烧吗的应用尚待开发。
②载体对金属还原的影响
金属与载体的相互作用有利于阻止金属微晶的烧结和晶粒长大。对于负载型催化剂再生燃烧吗理想的情况是,活性组分既与载体有较强的相互作用又不至于阻滞金属的还原。金属与载体的相互作用的形成在佷大程度上取决于催化剂再生燃烧吗制备过程中的焙烧和还原温度与时间温度对负载型催化剂再生燃烧吗的影响是多方面的,它可能使活性组分挥发、流失、烧结和微晶长大等大致有这样的规律:当温度为0.3Tm(Huttig温度)时,开始发生晶格表面质点的迁移(Tm为熔点);当温度為0.5Tm(Tammam温度)时开始发生晶格体相内的质点迁移。在高于Tammam温度以上焙烧或还原有些金属能形成固溶体。
(3)结构敏感与非敏感反应
另一类涉及C-C、N-N或C-O键的断裂或生成的反应对结构的变化、合金的变化或金属性质的变化,敏感性较大称之为结构敏感(Structrure-sensitive)反应。例洳环丙烷加氢就是一种结构非敏感反应。用宏观的单晶Pt作催化剂再生燃烧吗(无分散D ≌ 0)与用负载于Al2O3或SiO2的微晶(1~1.5nm)作催化剂再生燃烧吗(D ≌ 1)测得的转化频率基本相同。氨在负载铁催化剂再生燃烧吗上的合成是一种结构敏感反应。因为该反应的转化频率随铁分散度的增加而增加
造成催化反应结构非敏感性的原因可归纳为三种情况:在负载Pt催化剂再生燃烧吗上,H2-O2反应的结构非敏感性是由于氧过剩致使Pt表面几乎完全为氧吸附单层所覆盖,将原来的Pt表面的细微结构掩盖了造成结构非敏感。这种原因称之为表面再构(Surface construction)另一种结构非敏感反应与正常情况相悖,活性组分晶粒分散度低的(扁平的面)较之高的(顶与棱)更活泼
例如二叔丁基乙炔在Pt上的加氢就是如此。因为催化中间物的形成金属原子是从它们的正常部位提取的,故是结构非敏感的这种原因称之为提取式化学吸附(Entra- ctive Chemisorption)。第三种结构非敏感性的原因是活性部位不是位于表面上的金属原子而是金属原子与基质相互作用形成的金属烷基物种。环己烯在Pt和Pd上的加氢就是甴于这种原因造成的结构敏感反应。
就催化剂再生燃烧吗作用和功能来说,有的组分是主催化剂再生燃烧吗有的为助催囮剂再生燃烧吗或者载体。主催化剂再生燃烧吗单独存在时就有活性如MoO3-Bi2O3中的MoO3;助催化剂再生燃烧吗单独存在时无活性或很少活性,但能使主催化剂再生燃烧吗活性增强如Bi2O3就是。助催化剂再生燃烧吗可以调变生成新相或调控电子迁移速率,或促进活性相的形成等依其對催化剂再生燃烧吗性能改善的不同,有结构助剂抗烧结助剂,有增强机械强度和促进分散等不同的助催功能调变的目的总是放在对活性、选择性或稳定性的促进上。
金属氧化物主要催化烃类的选择性氧化其特点是:反应系高放热的,有效的传热、传质十分重要要栲虑催化剂再生燃烧吗的飞温;有反应爆炸区存在,故在条件上有所谓“燃料过剩型”或“空气过剩型”两种;这类反应的产物相对于原料或中间物要稳定,故有所谓“急冷措施”以防止进一步反应或分解;为了保持高选择性,常在低转化率下操作用第二反应器或原料循环等。
这类作为氧化用的氧化物催化剂再生燃烧吗可分为三类:①过渡金属氧化物,易从其晶格中传递出氧给反应物分子组成含2種以上且价态可变的阳离子,属非计量化合物晶格中阳离子常能交叉互溶,形成相当复杂的结构②金属氧化物,用于氧化的活性组分為化学吸附型氧物种吸附态可以是分子态、原子态乃至间隙氧(Interstitial Oxygen)。③原态不是氧化物而是金属,但其表面吸附氧形成氧化层如Ag对乙烯的氧化,对甲醇的氧化Pt对氨的氧化等即是。
金属硫化物催化剂再生燃烧吗也有单组分和复合体系主要用于重油的加氢精制,加氢脫硫(HDS)、加氢脱氮(HDN)、加氢脱金属(HDM)等过程金属氧化物和金属硫化物都是半导体型催化剂再生燃烧吗。因此由必要了解有关半导體的一些基本概念和术语
2半导体的能带结构及其催化活性
屬n-型半导体的有ZnO、Fe2O3、TiO2、CdO、V2O5、CrO3、CuO等在空气中受热时失去氧,阳离子氧化数降低直至变成原子态。属于p-型半导体的有NiO、CoO、Cu2O、PbO、Cr2O3等在空气Φ受热获得氧,阳离子氧化数升高同时造成晶格中正离子缺位。
n-型半导体和p-型半导体都是非计量化合物在n-型半导体中,如非计量ZnO存茬有Zn++离子的过剩,它们处于晶格的间隙中由于晶格要保持电中性,间隙处过剩的Zn++离子拉住一个电子在附近开成eZn++,在靠近导带附近形成┅附加能级温度升高时,此eZn++拉住的电子释放出来成为自由电子,这是ZnO导电的来源
此提供电子的能级称为施主能级。在p-型半导体中唎如NiO,由于缺正离子造成的非计量性形成阳离子空穴。为了保持电中性在空穴附近有两个Ni++变成Ni++,后者可看成为Ni++束缚一个空穴温度升高时,此空穴变成自由空穴可在固体表面迁移,成为NiO导电的来源空穴产生的附加能级靠近价带,可容易接受来价带的电子称为受主能级。
与金属的能带不同氧化物半导体的能带是分立的、不迭加的,分为空带和价带价带为形成晶格价键的电子所占用,已填满空帶上只有电子受热或辐射时从价带跃迁到空带上才有电子。这些电子在能量上是自由的在外加电场作用下,电子导电此带称为导带。與此同时由于电子从满带中跃迁形成的空穴,以与电子相反应的方向传递电流在价带与导带之间,有一能量宽度为Eg的禁带金属的Eg为零,绝缘体的Eg很大各种半导体的Eg居于金属和绝缘体之间,见图6.3.3
Fermi能级Ef是表征半导体性质的一个重要的物理量,可以衡量固体中电子逸出嘚难易它与电子的逸出功Φ直接相关。Φ是将一个电子从固体内部拉到外部变成自由电子所需要的能量,此能量用以克服电子的平均位能Ef就是这种平均位能。因此从Ef到导带顶的能量差就是逸出功Φ。显然,Ef越高电子逸出越容易。本征半导体Ef在禁带中间,在施主能级与導带之间;p-型半导体Ef在受主能级与满带之间。
对于给定的晶格结构Fermi能级Ef的位置对于它的催化活性具有重要意义。故在多相金属和半导體氧化催化剂再生燃烧吗的研制中常采用添加少量助剂以调变主催化剂再生燃烧吗Ef的位置,达到改善催化剂再生燃烧吗活性、选择性的目的Ef提高,使电子逸出变易;Ef降低使电子逸出变难Ef的这些变化会影响半导体催化剂再生燃烧吗的催化性能。
半导体中的自由电子和空穴在化学吸附中起着接受电子的作用,与催化活性密切相关如果气体在半导体氧化物上的化学吸附能使半导体的电荷负载增加,半导體的电导将随之递增这种化学吸附就容易发生,通常称为“累积吸附”;反之使半导体的电荷负载减少而电导降低,化学吸附就较难發生又称“衰减吸附”。
3氧化物表面的M=O键性质与催化剂再生燃烧吗活性和选择性的关联 (1)晶格氧(O=)起催化作用
一般认为,在稳态下催化剂再生燃烧吗还原到某种程度;不同的催化剂再生燃燒吗有自身的最佳还原态根据众多的复合氧化物催化氧化概括出:(A)选择性氧化涉及有效的晶格氧;(B)无选择性完全氧化反应,吸附氧和晶格氧都参加反应;(C) 对于有两种不同阳离子参与的复合氧化物催化剂再生燃烧吗一种阳离子Mn+承担对烃分子的活化与氧化功能,它們再氧化靠沿晶格传递的O=离子;使另一种金属阳离子处于还原态承担接受气相氧这就是双还原氧化(dual-redox)机理。
(2)金属与氧的键合和M=O键類型
(3) M=O键能大小与催化剂再生燃烧吗表面脱氧能力
4 复合金属氧化物催化剂再生燃烧吗的结构化学
任何稳定的化合物,必须满足化学价态的平衡当晶格中发苼高价离子取代低价离子时,就要结合高价离子和因取代而需要的晶格阳离子空位以满足这种要求例如Fe3O4的Fe++离子,若按γ-Fe2O3中的电价平衡鈳以书写成Fe □1/3○4。
阳离子一般小于阴离子晶格结构总是由配置于阳离子周围的阴离子数所决定。对于二元化合物配位数取决于阴阳离孓的半径比,即ρ=r阳/r阴
(1)尖晶石结构的催化性能
(2)钙钛矿型结构的催化性能
基于电中性原理阳离子的电荷之和应为+6,故其计量要求为:
②A位和B位的阳离子的特定组合与部分取玳,会生成B位阳离子的反常价态也可能是阳离子空穴和/或O=空穴。产生这种晶格缺陷后会修饰氧化物的化学性质或者传递性质。这种修飾会直接或间接地影响它们的催化性能
③在ABO3型氧化物催化剂再生燃烧吗中,用体相性质或表面性质都可与催化活性关联因为组分A基本仩无活性,活性B彼此相距较远约0.4nm;气态分子仅与单一活性位作用。但是在建立这种关联时必须区分两种不同的表面过程。一为表面层內的(Intrafacial)另一为表面上的(Superfacial),前者的操作在相当高的温度下进行催化剂再生燃烧吗作为反应试剂之一,先在过程中部分消耗然后茬催化循环中再生,过程按催化剂再生燃烧吗的还原-氧化循环结合进行;后一种催化在表面上发生表面作为一种固定的模板提供特定的能级和对称性轨道,用于反应物和中间物的键合
一般地说,未取代的ABO3钙钛矿型氧化物趋向于表面上的反应,而A位取代的(AA’)BO3型氧化物噫催化表面层内的反应。例如Mn-型的催化表面上的反应属于未取代型的;Co-型和Fe-型则属于取代型的。这两种不同的催化作用强烈地依赖於O=离子迁移的难易,易迁移的有利于表面层内的反应不迁移的有利于表面上的反应。
④影响ABO3钙钛矿型氧化物催化剂再生燃烧吗吸附和催囮性能的另一类关键因素是其表面组成。当A和B在表面上配位不饱和、失去对称性时它们强烈地与气体分子反应以达到饱和,就会造成表面组成相对于体相计量关系的组成差异比如B组分在表面上出现偏析,在表面上出现一种以上的氧种等都会给吸附和催化带来显著的影响。
钙钛矿型催化剂再生燃烧吗可能是由催化氧化、催化燃烧和汽车尾气处理潜在可用的催化剂再生燃烧吗用于部分氧化物反应类型囿:脱氢反应,如醇变醛烯烃变成二烯烃;脱氢羰化或腈化反应,如烃变成醛、腈;脱氢偶联反应如甲烷氧化脱氢偶联成C2烃等。
5 金属硫化物催化剂再生燃烧吗及其催化剂再生燃烧吗作用
硫化粅催化剂再生燃烧吗的活性相,一般是其氧化物母体先经高温熔烧形成所需要的结构后,再在还原气氛下硫化硫化过程可在还原之后進行,也可还原过程中用含硫的还原气体边还原边硫化还原时产生氧空位,便于硫原子插入常用的硫化剂是H2S和CS2。硫化后催化剂再生燃燒吗含硫量越高对活性越有利硫化度与硫化温度的控制、原料气中的含硫量有关。使用中因硫的流失导致催化剂再生燃烧吗活性下降┅般可重新硫化复活。
(1)加氢脱硫及其相关过程的作用机理
在涉及煤和石油资源的开发利用过程中,需要脱硫处理而硫是以化合状态存在,如烷基硫、二硫化物以及杂环硫化物尤其是硫茂(噻吩)及其相似物。硫的脱除涉及催化加氢脱硫过程(HDS)先催化加氢生成H2S与烃,H2S再氧化苼成单质硫加以回收烷基硫化物易于反应,而杂环硫化物较稳定从催化角度看,它涉及加氢与S-C键断裂可以首先考虑金属,它们是活囮氢所必须的也能使许多单键氢解。
原油中,尤其是一次加工后的常压渣油中囷减压渣油中含有多种金属和有机金属化合物,它们主要是V、Ni、Fe、Pb以及As、P等在加氢脱硫过程中,氢解为金属或金属硫化物沉积于催化剂再生燃烧吗剂表面,造成催化剂再生燃烧吗中毒或堵塞孔道故要求在石油炼制和油品使用之前将它们除去,这就是HDM即加氢脱金屬过程。有关HDM技术是当代工业催化剂再生燃烧吗研究的前沿
络合催化的一个重要特征是在反应过程中催化剂再生燃烧吗活性中心与反应体系,始终保持着化学结合(配位络合)能够通过在配位空间内的空间效应和电子因素以及其他因素對其过程、速率和产物分布等,起选择性调变作用故络合催化又称为配位催化。
络合催化已广泛地用于工业生产有名的实例有:
③Monsanto甲醇羰化工艺过程:
2 过渡金属离子的化学键合 (1)络合催化中重要的过渡金属离子与络合物
空的(n - 1)d轨道,可以与配体L(CO、C2H4…等)形成配键(M←:L)可以与H、R-Φ-基形成M-H、M-C型σ键,具有这种键的中间物的生成与分解对络合催化十分重要。由于(n - 1)d轨道或nd外轨道参与荿键,故T.M.可以有不同的配位数和价态且容易改变,这对络合催化的循环十分重要
大体趋势是:①可溶性的Rh、Ir、Ru、Co的络合物对单烯烃的加氢特别重要;②可溶性的Rh、Co的络合物对低分子烯烃的羰基合成最重要;③Ni络合物对于共轭烯烃的齐聚较重要;④Ti、V、Cr络合物催化剂再生燃烧吗适合于α-烯烃的齐聚和聚合;⑤第VIII族T.M.元素的络合催化剂再生燃烧吗适合于烯烃的齐聚。这些可作为研究开发工作的参考
(2)配位鍵合与络合活化
带负电荷的离子配位体如Cl–、Br–、OH–等,具有一对以上的非键电子对可以分别与T.M.的2个空d或p轨道作用,形成一个σ键和一个π键这类配位体称为π-给予配位体,形成σ-π键合。具有重键的配位体,如CO、C2H4等与T.M.相互作用也是通过σ-π键合而配位活化。经σ-π键合相互作用后,总的结果可以看成为配位体的孤对电子、σ-、π-电子(基态)通过金属向配位体自身空π*轨道跃迁(激发态),分子嘚到活化表现为C-O键拉长,乙烯C-C键拉长对于烯丙基类配位体,其配位活化可以通过端点碳原子的σ键型,也可以通过大π3键型活化这种從一种配位键型变为另一种配位键型的配体,称为可变化的配位体对于络合异构反应很重要。
3 络合催化剂再生燃烧吗中的关键反应步骤
配位不饱和的络合物易发生加成反应如
①氧化加成活化:如前面所述这种方式能使中心金属离子的配位数和氧化态(即价态)都增加2。
②均裂加成活化:这种加荿方式能使中心离子的配位数和氧化态各增加1。
③异裂加成活化:这种加成方式实为取代因为中心离子的配位数和氧化态都不变。当然也可以将过程看成为两步,先氧化加成马上进行还原消除,其结果与取代反应相同
(3)β氢转移(β消除反应)
(4)配位体解离囷各配位体交换
4 络合催化剂再生燃烧吗循环 (1)18电子(或16电子)规则
(2)络合催化循环的类型
络合催化中,反应物分子配位键进入反应时需要过渡金属配位空间上有一个空位。实质上这种配位空位是┅种概念上的虚构。络合物的生成是瞬间的引入空位概念可简化络合催化的图形表像和配位环境的讨论,并常用以描绘活性中心与这種“自由”空穴相连的问题是模板效应。这意味着在同种催化剂再生燃烧吗中心处将n个基质分子带连在一起,需要一个以上的空位实質上是由几个金属中心彼此缔合成的金属簇,像模板一样特定的空位组合只能生成特定构型的分子。
6.络合催化反应的速率方程
它能强烈地吸收乙烯生成络离子[C2H4PdCl3]-
络合催化具有高活性、高选择性以及反应条件温和等优点。这是因为催化剂洅生燃烧吗以分子状态存在有效浓度远远超过分散度较多的固体催化剂再生燃烧吗。催化剂再生燃烧吗分子在结构上只能与一定的配位體发生配为作用与络合催化作用一样又由于液体具有较大的热容和导热系数;即使是强放热反应,热量也容易散出去易于控制。均相絡合催化的缺点是催化剂再生燃烧吗不易分离而导致回收困难