PJ15254r7是什么电子元件件

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2020-04-17 14:03 标签： 4r7是什么电子元件

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的总稱 电子元件:指在工厂生产加

产生电子,它对电压、电流无控制和变换作用,所以又称无源器件。按分类标准,电子元件可分为11个大类 电子器件:指在工厂生产加工时改变了分子结构的成品。是指电子管和晶体管,现在泛指用半导体材料...” 

这个是什么元件呢 叫什么名字 谢谢

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IGBT原意是指：绝缘

就是集VMOS管电压激勵和达林顿功率晶体管大电流低导通电阻特性于一体当然它还具有高速，高可靠低开关损耗，低脉冲拖尾电流和对温度不敏感等VMOS管所擁有的一切优点

参考资料： 集成开关电源的设计制作调试与维修


知道合伙人数码行家 推荐于

2010年毕业于北京化工大学北方学院计算机科学與技术专业毕业，学士学位工程电子技术行业4年从业经验。


晶体管是由BJT(双极型

管)和MOS(绝缘栅型场

功率半导体器件, IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点GTR饱和压降低，载流密度大但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快但导通压降大，载流密度小IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低非常适合应用于直流电压为600V及以上嘚变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT结构是一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构N+区称为源区，附于其上的电极称为源极P+区称为漏区。器件的控制区为栅区附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成在漏、源之间的P 型區（包括P+和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区与漏区和亚溝道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用向漏极注入空穴，进行导电调制以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏極IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流使IGBT 导通。反之加反向门极电压消除沟道，切断基极电流使IGBT 關断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子）对N 一层进行电导调制，减小N一层的电阻使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压

本回答由深圳市猎芯科技有限公司提供

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