结外加正向电压时扩散电流(
結达到动态平衡时,参与扩散运动的载流子数目(
)漂移运动的载流子数目
结外加反向电压变化时结电容近似为(
结正偏是指外接电源高电位端接
结反偏是指外接电源高电位端接
结的电流近似为零,经常忽略而当成截止
结的电容效应,反偏时主要取决于势垒电容
结的電容效应,反偏时主要取决于扩散电容
结存在电容效应故其单向导电的特性只局限于信号频率不太高的情况下。
结其结电容是一个明確的特定值,跟外接电压大小无关
因浓度所产生的的运动称为漂移运动。
结在无光照、无外加电压时结电流为零。
结外加反向电压时扩散电流大于漂移电流。
结的结面积及外加电源的频率的频率有关系因此结电容不是常量。
1.本征半导体电子浓度______空穴浓度N型半导体的电子浓度______空穴浓度,P型半导体的电子浓度______空穴浓度()
C、等于、小于、大于2.稳压管构成的稳压电路其接法是()
A、稳压②极管与负载电阻串联
B、稳压二极管与负载电阻并联。
C、限流电阻与稳压二极管串联后负载电阻再与稳压二极管并联
3.输入失调电压UIO 是()
A、两个输入端电压之差
B、输入端都为零时的输出电压
C、输出端为零时输入端的等效补偿电压。
4.抑制温漂(零漂)最常用的方法是采鼡()电路
5.以下属于半导体的是()
6. P型半导体中的多数载流子是()
B.自由电子C正电荷D空穴.
7.将PN结P区接电源负极N区接电源正极,此时PN結处于()偏置
B. .双向C单向D反向
8.将PN结两端加反向电压时,在PN结内参与导电的是()
B.自由电子C自由电荷D空穴和自由电子
9.PN结反向击穿後若这种击穿时可逆的,称为()
B.热击穿C反向击穿D完全击穿
10.如果二极管的正反向电阻都很大则该二极管()
11.如果二极管的正反向電阻都很小或者为零,则该二极管()
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