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时间：2014-10-14 07:11
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半导体三极管参数符号及其意义-电子电路图,电子技术资料网站
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&半导体三极管参数符号及其意义
半导体三极管参数符号及其意义
作者：佚名&&来源：不详&&发布时间： 23:47:21&&[] []
三极管基础知识及检测方法： 一、晶体管基础 双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN
IB= 5V/50 k
= 0.1mA 如果晶体管的共发射极电流放大系数β = IC / IB =100,
IC= *IB=10mA<SPAN lang=EN-US style="COLOR: #0VRC=10mA*500=5VVCE=5Vibicc/ib=金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅 G
IDS 二、晶体管的命名方法按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。多数国产管用xxx表示，其中每一位都有特定含义：如 3 A X 31，第一位3代表三极管，2代表二极管。第二位代表材料和极性。A代表PNP型锗材料；B代表NPN型锗材料；C为PNP型硅材料；D为NPN型硅材料。第三位表示用途，其中X代表低频小功率管；D代表低频大功率管；G代表高频小功率管；A代表高频大功率管。最后面的数字是产品的序号，序号不同，各种指标略有差异。注意，二极管同三极管第二位意义基本相同，而第三位则含义不同。对于二极管来说，第三位的P代表检波管；W代表稳压管；Z代表整流管。上面举的例子，具体来说就是PNP型锗材料低频小功率管。对于进口的三极管来说，就各有不同，要在实际使用过程中注意积累资料。 常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列，欧洲的2Sx系列，在该系列中，第三位含义同国产管的第三位基本相同。三、 常用中小功率三极管参数表型号 材料与极性 Pcm(W)Icm(mA) BVcbo(V) ft(MHz) <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #DG6C SI-NPN <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #.1 <SPAN lang=EN-US style="COLOR: # <SPAN lang=EN-US style="COLOR: # &100 <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #DG7C SI-NPN <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #.5 <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #0 &60 &100 <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #DG12C SI-NPN <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #.7 <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #0 <SPAN lang=EN-US style="COLOR: # &300 <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #DG111 SI-NPN <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #.4 <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #0 &20 &100 <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #DG112 SI-NPN <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #.4 <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #0 <SPAN lang=EN-US style="COLOR: # &100 <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #DG130C SI-NPN <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #.8 <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #0 <SPAN lang=EN-US style="COLOR: # <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #0 <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #DG201C SI-NPN <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #.15 <SPAN lang=EN-US style="COLOR: # <SPAN lang=EN-US style="COLOR: # <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #0 C9011 SI-NPN <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #.4 <SPAN lang=EN-US style="COLOR: # <SPAN lang=EN-US style="COLOR: # <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #0 C9012 SI-PNP <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #.625 -500 -40 & C9013 SI-NPN <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #.625 <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #0 <SPAN lang=EN-US style="COLOR: # & C9014 SI-NPN <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #.45 <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #0 <SPAN lang=EN-US style="COLOR: # <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #0 C9015 SI-PNP <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #.45 -100 -50 <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #0 C9016 SI-NPN <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #.4 <SPAN lang=EN-US style="COLOR: # <SPAN lang=EN-US style="COLOR: # <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #0 C9018 SI-NPN <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #.4 <SPAN lang=EN-US style="COLOR: # <SPAN lang=EN-US style="COLOR: # <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #.1G C8050 SI-NPN <SPAN lang=EN-US style="COLOR: # <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #.5A <SPAN lang=EN-US style="COLOR: # <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #0 C8580 SI-PNP <SPAN lang=EN-US style="COLOR: # -1.5A -40 <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #0 <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #N5551 SI-NPN <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #.625 <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #0 <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #0 & <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #N5401 SI-PNP <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #.625 -600 <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #0 <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #0 <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #N4124 SI-NPN <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #.625 <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #0 <SPAN lang=EN-US style="COLOR: # <SPAN lang=EN-US style="COLOR: #0 四、用万用表测试三极管（1） 判别基极和管子的类型 选用欧姆档的R*100（或R*1K）档，先用红表笔接一个管脚，黑表笔接另一个管脚，可测出两个电阻值，然后再用红表笔接另一个管脚，重复上述步骤，又测得一组电阻值，这样测3次，其中有一组两个阻值都很小的，对应测得这组值的红表笔接的为基极，且管子是PNP型的；反之，若用黑表笔接一个管脚，重复上述做法，若测得两个阻值都小，对应黑表笔为基极，且管子是NPN型的。（2）判别集电极 因为三极管发射极和集电极正确连接时β大（表针摆动幅度大），反接时β就小得多。因此，先假设一个集电极，用欧姆档连接，（对NPN型管，发射极接黑表笔，集电极接红表笔）。测量时，用手捏住基极和假设的集电极，两极不能接触，若指针摆动幅度大，而把两极对调后指针摆动小，则说明假设是正确的，从而确定集电极和发射极。（2） 电流放大系数β的估算 选用欧姆档的R*100（或R*1K）档，对NPN型管，红表笔接发射极，黑表笔接集电极，测量时，只要比较用手捏住基极和集电极（两极不能接触），和把手放开两种情况小指针摆动的大小，摆动越大，β值越高。
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半导体二极管参数符号及其意义
CT---势垒电容
Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容$ S. A7 f# L# f6 E2 x, |7 V" G
5 Y; {+ J3 i& ?1 ^4 |2 b! y+ ]% r+ q
Cjv---偏压结电容7 ?8 A3 A. |% W9 C; k, O# X
0 E' H( v0 q+ I" G&&R% E) G
Co---零偏压电容
Cjo---零偏压结电容$ F7 Z1 ?5 |& T7 s
3 m/ O7 J&&M6 J" Y; j) q- Q6 v
Cjo/Cjn---结电容变化) V% n! B9 o& i! g+ o
Cs---管壳电容或封装电容8 Y4 S, s6 ~' e" s+ H( Z) A
Ct---总电容
CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比+ |) T/ I2 n( ~( L
7 H) t4 e* t7 u% b, i$ e
CTC---电容温度系数( V, U5 O6 j: v& j( g: a! A
Cvn---标称电容% d6 d3 h, W, @; T* V
IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 + p$ C( y6 r& n$ q: F/ H& X
4 \. C8 f$ u&&_% w&&\7 ?6 h
IF（AV）---正向平均电流, ^( I0 B( n( T) j# v! [
IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
) q9 [& e0 x0 d. H: G6 v- G
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流3 d, o. }9 D5 p
; c! Y7 M3 g8 h&&O4 c5 R9 Z
IFRM---正向重复峰值电流# Z; n! r/ G2 [9 \/ F# X
IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）2 }; C: o% b! ^$ J+ s1 U" ?
- ^&&J# b3 h* u2 N0 ~
Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
3 ?1 K/ G0 j% y
IF(ov)---正向过载电流
IL---光电流或稳流二极管极限电流, {3 K# g/ f. d0 p9 V. r
5 I# n% o* \! m0 n# I$ k$ f
ID---暗电流
# Y* A9 t! w. L- W&&S7 N
IB2---单结晶体管中的基极调制电流
IEM---发射极峰值电流
' J$ d7 A/ R# K) F) m) |
IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流
# s8 d% B: P8 |) \% E
IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流
ICM---最大输出平均电流+ ~( f) s. U$ Z: b
IFMP---正向脉冲电流
5 V( n4 c" v/ s5 t
IP---峰点电流
IV---谷点电流. s$ f) D4 S' d1 Q' @
; A' c) Q( C- t
IGT---晶闸管控制极触发电流
2 ^" I" k7 u7 j
IGD---晶闸管控制极不触发电流( W+ m6 t: [/ c( C, I# B( w, n
& J$ l& x. k9 w8 E$ ?
IGFM---控制极正向峰值电流9 }+ }0 J3 K+ e
4 \3 ~( F1 \% v% S% f, U* B% E
IR（AV）---反向平均电流
+ \2 k/ B7 z$ m5 `
IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
IRM---反向峰值电流
IRR---晶闸管反向重复平均电流. T% }- x& c: `" |4 N/ O
IDR---晶闸管断态平均重复电流
IRRM---反向重复峰值电流$ a/ Q& d4 U+ i/ P5 h4 s! H% t
- L3 G/ Z9 P3 ?: |2 Y
IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）
Irp---反向恢复电流$ d4 z$ \" y8 e
6 E3 \$ g( u+ ]2 E" z6 W/ H&&V
Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流% N" o1 z% x! Z1 H&&F- _, S9 t
Izk---稳压管膝点电流
1 o/ P7 V' d6 \" p6 E4 R
IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流# G# R6 J# w3 K/ z
IZSM---稳压二极管浪涌电流
IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流
8 J* q1 A0 m5 y! v
iF---正向总瞬时电流
0 c, W1 d8 F- @* H+ L
iR---反向总瞬时电流6 }% _* i: j% M: E8 {: @- |
: z$ \4 d" @: I9 ]: D
ir---反向恢复电流. c" L6 U. X4 Y; z8 s
( p1 o) C: q9 K
Iop---工作电流
; M8 u2 Z% |, v5 w
Is---稳流二极管稳定电流" x8 n* u* F4 W0 z
! b+ m0 c% M) }# Q" f2 m9 R
f---频率
: L2 s) d% X. O5 B' L
n---电容变化指数；电容比
- }( E0 Y. N- _&&}, }! \6 S0 v' `
Q---优值（品质因素）4 \1 P6 T: d1 x) ?2 l% k
" \7 n/ ^5 b8 {
δvz---稳压管电压漂移% r, X" F9 E3 F0 n0 `6 q" ^
di/dt---通态电流临界上升率
! z: N/ |* [5 J9 o
dv/dt---通态电压临界上升率
PB---承受脉冲烧毁功率1 i9 n1 @, R! H7 {. _
( Y$ y( P5 R( E0 y& s6 ~, ]
PFT（AV）---正向导通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
7 q8 ?1 F1 \&&O2 ^
PFT---正向导通总瞬时耗散功率
' o/ K. b4 ]) @9 G. C
Pd---耗散功率
PG---门极平均功率
PGM---门极峰值功率3 Q9 _: L% H- y6 v: h4 x7 v
) V- x3 ]# k, W# ~+ U
PC---控制极平均功率或集电极耗散功率5 g2 E( b) S; I! B
Pi---输入功率3 _% c6 |&&d/ L2 M8 x! Q2 V) H
- C7 z* s, h7 \9 s, p
PK---最大开关功率! j" _( [$ A$ S) l, N
1 `) u! ]6 N) `1 L3 u. k
PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率
PMP---最大漏过脉冲功率
PMS---最大承受脉冲功率! a7 C5 l" j* e/ w) g0 h
Po---输出功率
PR---反向浪涌功率
$ M- v( n8 ]7 ?4 ^
Ptot---总耗散功率
Pomax---最大输出功率1 O' h' R. t( f- V' [
Psc---连续输出功率
. _( b- K1 ]# I8 Z' K
PSM---不重复浪涌功率
PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率7 Z6 w7 D4 \# v+ m
9 D# A1 v) m( X
RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻
2 b4 F/ y7 z&&i& |
RBB---双基极晶体管的基极间电阻2 d+ y2 y' u' ?
1 e+ b5 ]- V( T5 ?! U
RE---射频电阻
RL---负载电阻
, [" k5 x$ U0 ?
Rs(rs)----串联电阻
% V# Y8 g, A) z6 k: x
Rth----热阻
, p, I" z3 G. `
R(th)ja----结到环境的热阻) O" n' q0 [$ ?/ v1 O9 T
Rz(ru)---动态电阻+ v4 E, N2 O7 F/ G" L2 E
R(th)jc---结到壳的热阻
r δ---衰减电阻
% y6 G9 |) V1 [4 C
r(th)---瞬态电阻+ y/ Y/ h6 n5 p, j# L4 y
Ta---环境温度
Tc---壳温6 U&&x, B1 E. y$ J; d) w
' p# z: I&&D& c' K. E
td---延迟时间
tf---下降时间
tfr---正向恢复时间
tg---电路换向关断时间
tgt---门极控制极开通时间) d6 M) r' K+ ^, B" \; \7 z8 ?
Tj---结温# e, ?9 h) e7 i# `- y
" |! J9 j& c3 F) c
Tjm---最高结温
# B; N1 J% n3 T) h( k6 t
ton---开通时间! F1 ?. g, P8 F0 k" Z
toff---关断时间% F: v' s8 a! P6 ]7 N* W$ f9 l
& @) S9 b1 l% H6 L9 q& w. C( w
tr---上升时间2 V3 F&&b& G+ Y&&}
# w# J4 |, b2 G5 a8 g
trr---反向恢复时间' x2 W- y' H& S
ts---存储时间
tstg---温度补偿二极管的贮成温度* C& @" \6 c: g
. U&&\4 O! D9 L; X&&?
a---温度系数! B2 i3 u) x$ ?: u
. x$ y! h+ P* A1 K- F- W' Y
λp---发光峰值波长, W+ i/ e+ x' K. Q* J
% E* K/ ]- X; Q&&{8 }# C/ }
△ λ---光谱半宽度
η---单结晶体管分压比或效率
VB---反向峰值击穿电压
Vc---整流输入电压7 R, J$ E( _0 d- h3 [; [
: u/ @. a- U+ M
VB2B1---基极间电压0 j2 m5 ~; M3 i&&o" o3 Z" x
. E) ~6 d' z# I# k
VBE10---发射极与第一基极反向电压
VEB---饱和压降
VFM---最大正向压降（正向峰值电压）
: ]2 d& s! I) g/ _" e
VF---正向压降（正向直流电压）
) N: D: P( S7 g( j
△VF---正向压降差
VDRM---断态重复峰值电压
VGT---门极触发电压9 M& ^- ]8 q2 w: C% Q9 ~
% }&&E, L/ H1 F9 q% S; O6 _8 D
VGD---门极不触发电压5 q&&`- P) i+ Z) ?$ g5 t
VGFM---门极正向峰值电压5 T6 T" V&&j9 M
VGRM---门极反向峰值电压
VF（AV）---正向平均电压7 m# f1 ?: Q- O* T% K8 p
Vo---交流输入电压
VOM---最大输出平均电压
Vop---工作电压0 O% ~7 e2 J4 W; {9 ]
1 R% W" [8 R) r/ {9 ^
Vn---中心电压
9 y% G. n4 G) _0 ?* G0 `
Vp---峰点电压2 r5 y& O8 B&&A&&b/ R
VR---反向工作电压（反向直流电压）
VRM---反向峰值电压（最高测试电压）- E2 I5 ~+ t% P* _&&A4 P
V（BR）---击穿电压
9 G) B" ?4 i# F' G! o
Vth---阀电压（门限电压）
' u( f& }' j' `* y
VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）
VRWM---反向工作峰值电压
V v---谷点电压
9 f* r9 F) K9 P; m/ W; z
Vz---稳定电压
△Vz---稳压范围电压增量& n8 b/ ^: ^8 _1 V' {
Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压
. {) Q5 T. P. u
av---电压温度系数# V8 R! s3 Y3 ~# @) `2 c
Vk---膝点电压（稳流二极管）5 u6 z+ _) Z2 m
5 G: J9 \&&u4 h& {
VL ---极限电压
一个小小的二极管居然有这么多参数呀，汗
长见识了...
一直在做二极管，现在才发现自己知道的太少了，感谢楼主！
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收藏 查看&2013中国半导体展览会本词条缺少信息栏、名片图，补充相关内容使词条更完整，还能快速升级，赶紧来吧！
～15日上海新国际博览中心“中国半导体展览会” 经过10年的发展，已成为国内外具有一定影响力的半导体业界盛会。
“中国半导体展览会”为从事集成电路设计、芯片加工、封装测试、半导体专用设备、半导体专用材料、半导体分立器件的海内外厂商，企事业单位搭建了一个展示最新成果，打造产品品牌的平台。而且聚焦产业政策解读，涵盖“体制创新、模式创新、技术创新”等内容的高峰论坛和专题研讨会，在业界有着极佳的口碑和知名度。
“十二五”是半导体产业发展的重要机遇期。国民经济和社会发展第十二个五年规划纲要、国务院关于加快培育和发展战略性新兴产业的决定，为半导体产业发展带来发展机遇和动力。市场推动产业发展，应用引领技术创新，由中国半导体行业协会、中国电子器材总公司、上海市经济和信息化委员会共同主办的”IC China 2013”将以“应用引领、共同发展”为主题，力邀国内外优秀半导体企业参展、参会；精心组织物联传感、智慧城市、汽车电子、医疗电子、移动终端等新兴产业成果展示，共同推进系统应用－半导体－专用设备、材料全产业链的发展。
“IC China 2013”以应用引领半导体产业创新，共同推动IT产业发展的全新风貌，展示在业界面前。展会同期还将举行2013中国国际半导体高峰论坛等重头活动。
2013第十一届中国国际半导体博览会暨高峰论坛筹展工作已全面启动，诚邀国内外半导体产业链各方面专业人士参展和参会，为促进半导体产业进步作出贡献，期待与您在IC China 2013现场相聚！全面展示半导体产业链，创新推动新兴产业发展 应用引领共同发展上海市人民政府指导单位:中华人民共和国工业和信息化部中华人民共和国科学技术部
主办单位:中国半导体行业协会中国电子器材总公司
上海市经济和信息化委员会
协办单位:国家集成电路设计产业化基地中国电子专用设备工业协会
中国电子材料行业协会上海科学技术开发交流中心
支持单位:中国电子信息产业集团公司中国电子科技集团公司
中国电子信息产业发展研究院中国电子器材工业总公司
中国通信工业协会中国电子音响工业协会
中国电子视像行业协会中国电子仪器行业协会
中国计算机行业协会 中国电子学会洁净技术学会
赛迪展览公司中国制冷空调工业协会洁净室技术委员会
境外支持:台湾半导体产业协会（TSIA）台湾区电机电子工业同业公会（TEEMA）
香港半导体行业协会（HKSIA）日本电子情报技术产业协会（JEITA）
韩国半导体产业协会（KSIA）日本半导体制造装置协会（SEAJ）
美国半导体行业协会 (SIA)美国半导体标准行业协会（JEDEC）
欧洲半导体行业协会（ESIA）全球半导体设备材料协会（SEMI）[2]
全球IC设计与委外代工协会(GSA)美国华美半导体行业协会（CASPA）
北美中国半导体协会（NACSA）
承办单位:上海冠通展览策划有限公司中电会展与信息传播有限公司
上海浦东新区人民政府上海市张江高科技园区管理委员会
上海张江（集团）有限公司中国电子商情 慧聪商情 半导体器件应用 仪器仪表商情 今日电子 集成电路应用电子产品世界 今日半导体 中国集成电路 印制电路信息 电子技术应用 半导体技术电子工业专用设备 电子元器件应用 中国电子报、IC设计与产品；IC设计工具及服务；芯片制造；封装测试；半导体专用设备与零部件；半导体材料；集成电路应用与解决方案；半导体分立器件；半导体光电器件、功率器件、传感器件；LED技术及相关产品；半导体及相关产品营销服务；二手设备产能提高解决方案、二手设备一站式系统、二手设备成功应用案例；以及物联网、智慧城市、智能家居、便携终端、汽车电子、医疗电子等应用产品等。类型
标准展位(3×3/9㎡)
双开口展位加收10%
室内空地(36㎡ 起)
不含场地管理费
RMB 15000/9㎡
RMB 1500/㎡
USD2520/9㎡
标准展位： (3M×3M)展位(包括三面围板、楣板、一桌二椅、220V电源插座、清洁费等)。
空地：不包括任何配套设施，需要者另行租用。最具影响力的国际半导体产业展示平台
IC China 2013是展示涵盖集成电路技术、产品，半导体器件和应用成果的综合性博览会，以半导体产业为基础，以应用成果展示为工作重点，IC China 2013必将成为国内外IC技术、产品和应用创新成果展示的平台。国家科技重大专项“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件（简称01专项）”“极大规模集成电路制造装备及成套工艺重大专项（简称02专项）”的研发成果展示是展会一道亮丽风景线。
把脉产业发展趋势的高峰论坛和专题技术研讨会
产业发展研究，市场报告，技术交流是高峰论坛与专题技术研讨会的重要内容。相关政府部门领导、行业专家学者、 国内外知名企业高管将应邀参会，报告产业发展研究成果，探讨市场走势，交流企业发展经验，展示新技术、新产品开发成果，真正发挥了把脉产业发展趋势的作用。
半导体技术与产品应用展示实现上下游产业无缝对接
IC China 2013 的主办方将努力工作，集中展示IC在物联网、云计算、汽车电子、医疗电子、便携式消费电子领域应用的最新成果。整机系统企业，通路商、分销商，半导体企业齐聚一堂共谋发展，成为展会最聚人气的亮点。
近五十家媒体的关注将使您市场推广的价值最大化
IC China2013期间将会聚集国家级权威媒体、地方媒体、专业媒体、行业媒体、平面媒体、网络媒体、各种新闻媒体，大篇幅、高密度、热点深度报道展会及会议的各种信息，对您的市场推广工作起到极大的宣传作用。
电子信息产业的空前盛会
IC China 2013与82届中国电子展[1]、2013亚洲电子展、2013中国消费电子展、2013中国LED展同期同地举办，形成电子信息全产业链互动，预期有3万专业买家期待您的光临。与会者包括企业的高层决策者、研发主管、采购主管等，博览会将对您展示形象、达成合作起到重要推动作用。同时，现场搭建独立的洽谈区域，根据买家和展商提供的商业目标和采购意向可开展一对一洽谈，展会期间不仅将通过产品/技术推介会，协助展商推荐自己的最新技术和产品；还将通过跨国会面会，将优质的国际买家引到您的面前。封面
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1000人以上
1、参展单位详细填写好《参展合同表》并加盖公章，邮寄或传真至组委会；
2、报名后，参展单位必须在7个工作日内将相关费用汇入组委会指定账户；
3、展位安排以“先报名、先交款、先安排”为原则，组委会有权对少量展位予以调整；
展品运输、展会接待、住宿等事宜将在开展前三个月组委[2]会另行发送参展商手册。
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第5章 半导体三极管电路|半​导​体​三​极​管
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(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件，帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战，既快速又符合高性价比。公司在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的世界一流、增值型供应链和网络。应用于LED照明的产品： LED驱动器(120及240 Vac，中等电压交流(AC)及直流(DC)、电池供电)
环境光传感器
通信(PLC)调制解调器
热管理产品
AC-DC及DC-DC控制器
电荷泵及电感升压型驱动器
恒流稳流器(CCR)
保护及分流
MOSFET及整流器
应用于智能电网的产品：
功率因数控制器、AC-DC及DC-DC控制器
MOSFET、整流器及三端双向可控硅开关元件(TRIAC)
电力线载波(PLC)调制解调器
滤波、输入/输出(I/O)及数据保护
线路驱动器及信号放大器
LCD背光驱动器
EEPROM存储器
智能卡接口
应用于汽车的产品：
混合信号专用集成电路(ASIC)
网络收发器
低压降(LDO)稳压器，开关电源(SMPS)
驱动器，预驱动器
电机驱动器(步进电机，无刷直流电机)
DC-DC稳压器
IGBT，(自保护)MOSFET
高压整流器
LED照明控制器
I/O、电路及数据保护
强固的标准逻辑产品
应用于计算机的产品：
应用于电源及电源适配器的功率因数控制器、AC-DC及DC-DC控制器
内核电压(Vcore)多相控制器
负载点(POL)控制器
MOSFET驱动器
高端及低端MOSFET
噪声消除数字信号处理器(DSP)
音频放大器和开关
I/O和数据保护
LCD背光驱动器
应用于无线的产品：
音频数字信号处理器(DSP)系统
音频放大器和开关
音频及EMI滤波器
I/O及数据保护
LED闪光和LCD背光驱动器
低功率DC-DC转换器
热管理产品
开关晶体管和MOSFET
环境光、接近及触摸传感器
应用于消费的产品：
应用于电源及电源适配器的功率因数控制器、AC-DC及DC-DC控制器
音频放大器、滤波器和开关
视频放大器和开关
负载点(POL)控制器
I/O及数据保护
时钟产生器和分配器
LCD背光驱动器
应用于医疗的产品：
应用于电源的功率因数控制器、AC-DC及DC-DC控制器
音频数字信号处理器(DSP)系统
EEPROM存储器
I/O及数据保护
LCD背光驱动器Keith D. Jackson (杰克信)
安森美半导体及SCI LLC总裁兼首席执行官和董事会成员
Keith D. Jackson先生于2002年11月获选为安森美半导体董事会成员，并被任命为公司总裁兼首席执行官(CEO)。Jackson先生具备30多年的半导体行业经验。(更多)
Donald A. Colvin (高云)
安森美半导体执行副总裁兼首席财政官Donald Colvin(高云)于2003年3月加盟安森美半导体及SCI LLC担任高级财务总监，现任执行副总裁兼首席财政官(CFO)。(更多)
Robert Charles Mahoney(马翰林)
安森美半导体销售及营销执行副总裁
Robert Mahoney于2002年11月加盟安森美半导体，曾担任不同职务。2006年6月，他出任的最新职务为安森美半导体及SCI LLC销售及营销执行副总裁。(更多)
William John Nelson
安森美半导体执行副总裁、首席运营官兼首席环境官
John Nelson博士于2007年5月加盟安森美半导体, 担任安森美半导体及SCI LLC执行副总裁兼首席运营官。2009年5月，Nelson博士又获任命为安森美半导体及SCI LLC首席环境官。(更多)
George H. Cave
安森美半导体高级副总裁、法律总顾问、首席守法和道德规范官/公司秘书
Sonny Cave自1999年8月开始担任安森美半导体及SCI LLC法律总顾问。他目前还担任公司高级副总裁、公司秘书及首席守法和道德规范官。(更多)
William A. Schromm
安森美半导体计算及消费产品部高级副总裁兼总经理
William Schromm自1999年8月起在公司任职，并自2006年5月起担任安森美半导体及SCI LLC 的计算及消费产品部高级副总裁兼总经理。(更多)
Michael A. Williams (威廉思)
安森美半导体汽车及电源部高级副总裁兼总经理
Andy Williams自1999年8月开始在公司任职，掌握过不同职能；并自2006年5月起，担任安森美半导体及SCI LLC汽车及电源部高级副总裁兼总经理。(更多)
William M. Hall
安森美半导体标准产品部高级副总裁兼总经理
William Hall于2006年5月加盟安森美半导体及SCI LLC担任标准产品部副总裁兼总经理。(更多)
Robert A. Klosterboer
安森美半导体数字及混合信号产品部高级副总裁兼总经理Robert Klosterboer于2008年3月加盟公司，目前担任安森美半导体及SCI LLC数字及混合信号产品部高级副总裁兼总经理。(更多)2010技术合规奖 - Celestica (授予安森美半导体、SANYO能源(美国)公司)
2010年卓越供应商奖 – 新金宝集团
CM《电子设计技术》创新奖电源器材与模块类“优秀产品奖”
AMIS-4《电子设计技术》创新奖通信与网络类“优秀产品奖”
获中国《电子元件技术网》选为 “2010年电子元器件（分立半导体类）领军厂商”
NCP5680 LED闪光驱动器荣获获《今日电子》“Top 10 DC-DC 2010奖”
荣获Raytheon Network Centric Systems颁发的“三星级供应商卓越奖”
荣获美国爱达荷州环境质量部颁发的预防污染冠军奖(Pollution Prevention Champions Award)
凭借卓有成效的长期协作，获Digi-Key颁发杰出销售表现奖
Celestica 2009 TCOO供应商奖之“执行奖”
Stack International 2009银奖
NCL30000 LED驱动器荣获《电子产品世界》“最佳应用奖”
2009年度优秀供应商奖 – 龙旗控股
最佳过压保护(OVP)器件：NCP370 - EN-Genius Networkgazine
2009热门电子产品100强 – EDN杂志
Rosemount 战略供应商奖 2009
NCP1034 高压PWM控制器获《今日电子》 &Top 10 DC-DC 2009& 奖
“网络拓展杰出成就” 2009 WebAward - Web Marketing Association
2009 年度战略供应商奖 - 青岛海信电器股份有限公司
卓越供应商巅峰成就奖(Pinnacle Award for Supplier Excellence) - Delphi
连续第四年获得中国最大的公开上市电信制造商及无线解决方案供应商中兴通讯(ZTE)颁发“年全球最佳合作伙伴奖”
Raytheon供应商卓越奖
2008年度优秀供应商奖 - 龙旗控股
Celestica 2008 “TCOO”供应商奖
群光电能”最佳全球合作伙伴”奖，表彰安森美半导体的高性能脉宽调制(PWM)控制器及零电压转换(ZVS)解决方案
Samsung Electro-Mechanics (SEM)“2008最佳供应商奖”
Universal Scientific工业有限公司“2007 Q3 – 2008 Q2杰出供应商奖”
华硕电脑“2007最佳合作伙伴奖”
连续第三年获得中国最大的公开上市电信制造商及无线解决方案供应商中兴通讯(ZTE)颁发“2008年全球最佳合作伙伴奖”
Raytheon导弹系统部“2008供应商满意奖”
和硕联合科技“最佳供应商奖”
安森美半导体菲尼克斯制造厂获美国“环保署(EPA)”认证
产品和技术奖项
ESD9L5.OS ESD保护二极管荣获美国《Electronic Products》杂志“年度产品&奖
NCP5392获中国《电子设计应用》杂志“2007绿色电源产品”奖
NUS3116凭借“最简化的便携产品充电方法”获EN-Genius Network “年度产品”奖
ESD9L系列电路保护器件获美国《Electronic Products》“年度产品”奖
NCP1337控制器获《电子工程专辑》电子成就奖(ACE)-电源产品类别“年度产品”奖
凭借为核子研究所作贡献获欧洲理事会表彰
NCP1605功率因数校正(PFC)控制器获《电子设计技术》2007年创新奖—电源器件与模块类别 “最佳产品”奖
NCP5810双输出转换器获《今日电子》 “Top 10 DC-DC 2007”奖
NCP1282脉宽调制(PWM)控制器获《电子设计应用》 “年度产品” 奖
NCP1271软跳周期模式PWM控制器获《电子产品世界》“编辑推荐”奖
《电子工程专辑》“年度最佳品牌”奖五家入围公司之一
NCP1337控制器获《电子工程专辑》电子成就(ACE)奖—电源类别“年度产品”奖
CIO杂志评选为“100佳CIO”之一
供应商及供应链奖项
Celestica 2007最佳TCOOTM(Total Cost of Ownership)供应商奖-凭借卓越的质量、供货、技术、服务、价格和灵活性获得“执行奖”
华硕电脑的和硕联合(Pegatron)/永硕联合(Unihan)部“最佳供应商”奖
创维集团“2007最佳电源供应商奖”
Denso America“年度供应商”优异表现证书
i2 和 i2 User Group “Ken Sharma供应链投资回报率表现卓越”奖
三星电子旗下Samsung Electro-Mechanics“2007最佳供应商”奖
伟创力 “2007最佳供应商”奖
海信“2007最佳电源方案供应商”奖
获Celestica颁发“Total Cost of Ownership (TCOO)供应商”奖。该奖项旨在表彰那些为Celestica及其客户提供最佳TCCO表现、并在质量、交货、技术、服务、价格和灵活性方面表现卓越的供应商
中兴通讯“2007年度全球最佳合作伙伴”奖 (连续3年)
三星电子旗下Samsung Electro-Mechanics&最佳供应商”奖
Solectron“杰出供应商”奖-2006 - 2007
天宇朗通 (Benywave) – “2007年优秀供应商”奖, 天宇朗通是中国领先的手机制造商。 安森美半导体是唯一获得该奖项的模拟及分立器件供应商。(连续2年)
Rockwell Collins “总裁奖”(AMIS)
Rockwell Collins “ASIC/MMIC/FPGA商品供应商”(AMIS)
Rockwell Collins “优选供应商”(AMIS)
Emerson Rosemount “战略供应商奖”(AMIS)
Ezairo&#系列可再配置专用信号处理器(RASSP)荣获由《Electronic Product Design》(EPD)杂志读者投票选出来的“医疗进步e-Legacy奖”。这个医疗进步奖项表彰能够改善患者诊疗条件、缓解或处理某种医疗状况、在第一时间或以一种更加有效的新方式来鉴别医疗状况的电子产品。 (AMIS)
Celestica 2006最佳TCOOTM(Total Cost of Ownership)供应商奖 – 凭借卓越的质量、供货、技术、服务、价格和灵活性而获此殊荣
富士康科技集团 “2006年度JIT工作推动供货商最佳贡献奖”
联想移动 - 2006年最佳供应商奖
龙旗控股有限公司 - 2006年度银牌供货商
英业达集团 - 2006年度最佳合作伙伴奖
2006年崧顺国际杯中国电源产品设计:
电视/视频图像类“高清显示屏幕内置电源”设计方案—最佳节能设计奖—平板电视电源系统设计方案
最佳节能设计推荐品牌—平板电视电源系统设计方案
便携式数码电子产品类“高清显示屏幕内置电源”设计方案—最佳节能设计奖—NCP5602/NCP5612白色LED驱动芯片彩屏电源管理设计方案
美国国家电子产品分销商协会 (NEDA) 年度最佳制造商奖授予在电子产品分销产业中最能体现合作伙伴精神的制造商—供应商。
NCP5381被《今日电子》杂志评为“Top 10 DC-DC 2006”，这是业界第一款异步双边缘脉宽调制 (PWM) 控制器。
EDN China 2006 年度创新奖颁发优胜产品奖给网络通信和电源器件与模块类产品
《电脑世界》荣誉计划供应链管理解决方案杰出成就桂冠
中兴通讯“2006年全球最佳合作伙伴”奖
乐山—菲尼克斯半导体有限公司)位列2005年度中国十大半导体封装测试企业
Magnachip Semiconductor, LLC（韩国首尔）客户褒赞奖
Lear声誉奖（半导体类别）2006年
Inventec公司 “2006最佳合作伙伴奖”
2006 Silver Supplier Award – 龙旗控股“2006银牌供应商奖”
Rockwell Collins“首选供应商奖”(AMIS)
Emerson Rosemount“战略供应商奖”(AMIS)
伟创力公司2005年度最佳供应商奖
富士康科技集团“2005年度JIT工作推动供货商最佳贡献奖”
伟创力公司全球供应商成就奖 （2005年3月）
安森美半导体日本索尼掌上游戏机千万颗芯片供应商奖
NIS5102获《电子设计应用》“2005年度最佳电路保护类产品奖”
NCP1337及NCP1603获《电子设计应用》“2005年度最佳电源管理类产品奖”
NCP4330获《今日电子》“Top 10 DC-DC 2005” 产品奖项 (2005年10月)
Stack International铜奖
NCP5214获《电子产品世界》“2005模拟IC创新产品精选编辑推荐奖”
NCP5214, NCP1337及NCP1653获《电子产品世界》2005模拟IC创新产品精选奖
安富利公司（亚洲）“2005年安富利亚洲龙奖”
Jabil Circuit (EMSI)：亚太区本年度供应商奖
安富利公司：2005年协同效益奖得主
i2 “供应链创新”Ken Sharma奖
Rockwell Collins“首选供应商”奖(AMIS)
Emerson Rosemount公司“战略供应商奖”(AMIS)
《电子产品世界》杂志2004模拟IC创新产品精选奖(2005年2月)
安富利亚洲龙奖（2004年10月）
安富利电子市场协同效益奖（2004年10月）
美国亚利桑那州质量联盟2004州立质量模范优异奖（2004年10月）
Jabil - 最佳半导体供应商（亚洲）奖（2004年8月）
NCP5331获中国《电子设计应用》颁发“电源管理类最佳设计奖” (2004年6月)
安森美半导体公司荣获英特尔首选的优秀供应商奖(2004年3月)
Delphi电子欧洲年度杰出质量供应商奖（2004年2月）
2003年Delphi电子和安全推荐奖（2004年2月）
NCP1653获《电子设计应用》“2004年最佳电源管理产品奖”
NCP1280, NCP1601, NCP1230, NCP, NCP及NCP2820获《电子产品世界》2004模拟IC创新产品精选奖
集成PWM控制器NCP103x系列 荣获《今日电子》&Top 10 DC-DC 2004&产品奖
Rockwell Collins“首选供应商”奖(AMIS)
Nortel Networks“首选供应商”奖(AMIS)
Alliant Techsystems“新产品开发杰出技术支援奖”(AMIS)
AutoXray“供应商感谢奖”(AMIS)
成为第一个也是惟一连续两年获中国中标认证中心颁发“中国节能认证合作伙伴奖”的芯片厂商(2003年11月)
伟创力公司2003年全球供应商成就奖（2004年5月）
安森美半导体芙蓉工厂获马来西亚人力资源部长大型制造企业雇主类别人力资源发展奖（2003年10月）
NCP1560获《今日电子》“Top 10 DC-DC 2003”产品奖项(2003年8月)
Celestica杰出伙伴奖(连续第四年)(2003年7月)
索尼绿色合作伙伴计划（2003年7月）
Continental Automotive Systems 2002年度有源电子类别供应商奖 （2003年7月）
Visteon北美年度最佳电子供应商(2003年3月)
所有工厂通过ISO14001环境风险管理认证（2003年3月）
伟创力公司全球供应商成就奖（2003年2月）
Rockwell Collins“首选供应商”奖(AMIS)
Abbott Labs“首先供应商”奖(AMIS)
Emerson Rosemount公司“战略供应商奖”(AMIS)
AMCC“价值中心奖”(AMIS)
Guidant“供应商质量领先奖”(AMIS)
伟创力公司 2002年环球供应商杰出表现奖(2002年12月)
三星-首选供应商(2002年12月)
i2-环球变革类别美洲地区年度Ken Sharma卓越奖(2002年11月)
斯洛伐克国家质量奖(2002年11月)
Celestica杰出伙伴奖(日)
旭电（Solectron）首选供应商(日)
摩托罗拉最佳半导体供应商(2002年3月)
Bosch中央采购部授予安森美半导体首选双极与晶闸管产品供应商
现代汽车卓越供货商奖(2002)
马来西亚Kilang Alam Ceria 环境管理奖 (2002)
Jabil-2002年度战略全球供应商奖
Stack 质量奖(2002年3月)
Emerson Rosemount公司“战略供应商奖”(AMIS)
捷克IIb类国家质量奖项-捷克共和国质量奖项委员会
2001 全面生产维护(TPM)卓越奖-日本设备维护协会
i2供应链管理未来景象大奖(2001年6月)
槟城摩托罗拉年度供应商2001年4月奖
Natsteel电子有限公司最佳销售商奖(2001年4月)
飞利浦电子2000年供应商奖(2001年4月)
Artesyn Technologies Asia Pacific, Ltd长期战略合作伙伴奖
西门子最具价值供应商奖(2001年2月)
Stack国际银奖-优质服务奖(2001)
Delphi-一级PPAP提名(2001年1月)
《福布斯杂志》工业机械和电气元件类别最佳广告奖（2000年10月）
首个在线样片订单纪念颁予韩湜迪先生（2000年3月）
马来西亚总理质量奖（2000年）
美国纳斯达克股票市场欢迎安森美半导体（ONNN）上市（2000年4月）
安森美半导体韩国获三星电子采购总监Dongwook Min颁表彰匾 （2000年12月）
ESG中国供应商TFE卓越奖（2000年12月）
摩托罗拉槟城奖—2000年持续提高质量优异贡献奖
西门子能源和自动化公司最具价值供应商奖（2000年）
宝丽来公司2000年度香港最佳供应商奖（2000年9月）
自1999年为美国半导体业协会（SIA）会员
旭电科技公司供应商增值计划摩托罗拉/安森美半导体首选供应商（1999年第3季）
Society of Hispanic Prof. Engineers—白金赞助商（年）
Roper Starch环球华尔街时报美西最佳版（1999年8月）
旭电科技公司供应商增值计划最低总成本（1999年第4季）
Cahners电子集团电子业持续承担感谢状（1999年）
伟易达电信杰出供应商奖（1999年）
美国内政部Bureau of Reclamation颁发实施节水杰出工作表彰（1999年）
“美国国家空气过滤协会(NAFA)”颁发的“清洁空气奖”(AMIS)
美国爱达荷州工艺管理“质量奖”(1996 -AMIS/Pocatello)
菲律宾“Quality Award for Quality Commitment”(1998-AMIS/Manila)
菲律宾“Quality Award for Quality Proficiency”(1999-AMIS/Manila)[1]
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