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可控硅专辑---原理篇、参数篇、应用篇、检测篇
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单、双向可控硅（SCR,TRIAC）
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大功率可控硅晶闸管系列
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KS5A—50A 螺栓型 双向晶闸管
VRRMIT(RMS)@85℃VTM@ITM(max)IGT(max)VGT(max)IDRM
IRRMI[size=-2]H (max)TjmI[size=-2]TSM@10ms
dv/dt(min)(dv/dt)cdi/dt(min)Rthjc(max)外形推荐散热器型号(V)(A)(V/A)(mA)(V)(mA)(mA)℃(A)(A2S)(V/μS)(V/μS)(A/μS)(℃/W)KS5-KL6600-160052.0 /15702.0≤5601004081003-10502.5KL6SZ14KS10-KL10600-1600102.0 /301002.0≤810011580321003-10501.0KL10SZ16KS20-KL10600-1600202.0 /601002.0≤81001151601281003-10500.4KL10SZ16KS50-KL12600-1600502.0 /1501502.5≤201001154008001003-10500.2KL12SL17KS100-KL16600-16001002.0 /1501502.5≤2010011580032001005-50
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KS200A—800A 平板型双向晶闸管
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KG5A—50A 螺栓型 高频晶闸管
VRRMIT(AV)@85℃tq@100℃30V/μStgtf[size=-3]M VTM@ITM(max)IGT(max)VGT(max)IDRMIRRM
I[size=-2]H (max)TjmI[size=-2]TSM@10ms
dv/dt(min)di/dt@ f[size=-3]M(min)Rthjc(max)外形推荐
散热器型号(V)(A)(μS)(μS)KHZ(V/A)(mA)(V)(mA)(mA)℃(A)(KA2S)(V/μS)(A/μS)(℃/W)KG5-KL6600-12005≤12≤2.5103.0 /15702.0≤560100900.040300502.5KL6SZ14KG10-KL10600-120010≤12≤2.5103.0 /301002.0≤81001151800.180300501.0KL10SZ16KG20-KL12600-120020≤12≤2.5203.0 /601002.0≤81001153600.720300600.4KL12SL17KG30-KL12600-120030≤12≤2.5103.0/901502.0≤161001155401.53001000.4KL12SL17KG35-KL16600-120035≤12≤2.5203.0 /1001502.5≤201001156001.8500800.2KL16SL18KG50-KL12600-120050≤12≤2.583.2 /1501502.5≤201001159004500
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KG50A—1200A 平板型 高频晶闸管
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KP型可控硅新旧标准参数对照表
目前国产可控硅的型号有部颁新、旧标准两种，新型号将逐步取代旧型号。表1 KP型可控硅新旧标准主要特性参数对照表参数/序号部颁新标准（JB1144-75）部颁旧标准（JB1144-71）KP型右控硅整流元件3CT系列可控硅整流元件1额定通态平均电流（IT（AV））额定正向平均值电流（IF）2断态重复峰值电压（UDRM）正向阻断峰值电压（UPF）3反向重复峰值电压（URRM）反向峰值电压（VPR）4断态重复平均电流（IDR（AV））正向平均漏电流（I）5反向重复平均电流（IRR（AV））反向平均漏电电流（IRL）6通态平均电压（UT（AV））最大正向平均电压降（VF）7门极触发电流（IGT）控制极触发电流（Ig）8门极触发电压（UGT）控制极触发电压（Vg）9断态电压临界上升率（du/dt）极限正向电压上升率(dV/dt）10维持电流（IH）维持电流（IH）11额定结温（TjM）额定工作结温（Tj）KP型可控硅的电流电压级别见表2表2 KP型可控硅电流电压级别额定通态平均
电流IT（AV）（A）1，5，10，20，30，50，100，200，300，400，500，600，700，800，100正反向重复
峰值电压UDRM，
URRM（×100）（V）1～10，12，14，16，18，20，22，24，26，，28，30通态平均电压
UT(AV)(V)ABCDEFGHI≤0.40.4～0.50.5～0.60.6～0.70.7～0.80.8～0.90.9～1.01.0～1.11.1～1,2示例：（1）KP5-10表示通态平均电流5安，正向重复峰值电压1000伏的普通反向阻断型可控硅元件。（2）KP500-12D表示通态平均电流500安，正、反向重复峰值电压1200伏，通态平均电压0.7伏的业通反向阻断型可控硅元件。（3）3CT5/600表示通态平均电流5安，正、反向重复峰值电压600伏的旧型号普通可控硅元件。
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硅双向触发二极管参数
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部分国外型号双向可控硅参数
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固体继电器参数术语
1.输入电压范围 （单位：V）
在规定的环境温度下，施加在输入端，使输出端维持“导通”状态的电压范围。一般情况下直流输入型有：3-32VDC恒流输入型和3-14VDC、10-40VDC阻性输入型。交流输入有：90-280VAC输入型。输入电压的下限即为所谓的保证接通电压,输入电压的上限即所谓的反极性电压（仅适用于直流输入）。
2.保证接通电压 （单位：V）
在规定的环境温度下，施加于输入端，当输入在该值或该值之上时能保证输出端处于导通状态的电压。
<font color="#.保证关断电压 （单位：V）
在规定的环境温度下，施加于输入端，当输入在该值或该值以下时能保证输出端处于关断状态的电压。
4.输入电流 （单位：mA）
在规定的环境温度下，施加规定的输入电压于固体继电器输入端，流入其输入回路的电流值。
5.反极性电压 （仅适用于直流输入）（单位：V）
在规定的环境温度下，能够加在固体继电器输入端上而不致造成固体继电器永久损坏的最大允许反向电压。该值一般确定为输入电压的上限值。
6.最小输入阻抗（单位：Ω）
在给定电压下的最小阻抗。作为输入电流的替代或补充，它确定输入功率要求。
输出参数1.输出电压范围 （单位：V）
在规定的环境温度下，施加于输出端的电压范围，在该范围固体继电器继续处于关断或切换状态，或换句话说执行规定的状态。线路的频率值或包括在内，或单独指明（交流）。
2.最大负载电流 （单位：A）
在规定的环境温度下，固体继电器的最大稳态负载电流能力，它还受散热器和环境温度条件的散热限制。
3.最小负载电流 （单位：mA）
固体继电器执行规定工作所必须的最小负载电流。它一般与最大负载电流一并作为“工作电流范围”列出。
<font color="#.最大浪涌电流（非重复性）（单位：A）
在规定持续时间不允许流过的最大瞬时电流，持续时间的典型值为交流电的一个周期（10ms）通常规定为峰值以及电流对时间的曲线。
5.最大过流（单位：A）
在规定持续时间不允许流过的最大瞬时电流，通常以1秒的有效值来表述。
6.最大I2t（选择熔丝用）（单位：A2s）
固体继电器承受最大非重复性脉冲电流的能力，用于熔丝的选择。
7.功耗（在额定电流下）（单位：W）
主要由于输出半导体有效电压降（功耗）而产生的最大平均功耗。
8.最大过零导通电压（单位：VRMS）(也称过零电压)
在施加导通控制信号之后，在每一后续半周即要导通之前跨于输出端两端所呈现的最大（峰值）断态电压。
<font color="#.最大重复性导通电压峰值（单位：VRMS）
在施加导通控制信号半周之后，在每一后续半周即要导通之前，跨于输出端两端所呈现的最大（峰值）断态电压。这一参数对具有或不具有“零导通”特点的固体继电器同样适用。
10.最小断态dv/dt(静态)（单位：V/us）
在没有施加导通控制信号时，固体继电器输出端（交流）能够承受不致导通的电压上升率。通常表达为最大额定电压下的最小电压上升率。
11.瞬态过压 （单位：PIV）
固体继电器在维持其关断状态的同时，能够承受而不致造成损坏或失误的允许施加电压的最大偏离。超过该瞬态电压可以使固体继电器导通，若满足电流条件则是非破性的。瞬态持续时间一般不做规定，可以在几秒的数量级，受内部偏值网络功耗或电容器额定值的限制。
12. 最大通态电压降 （单位：V）
在规定的环境温度下，输出端满负载电流跨于输出端两端所呈现的最大（峰值）电压降。
13.输出端漏电流 （单位：mA）
在输入端没有施加导通控制信号的情况下，流过输出端之间最大（有效值）断态漏电流。通常是指整个温度范围内在最大的输出额定电压下的值。该值主要是输出端缓冲器产生。
14.导通时间 （单位：ms）
从施加于常开型固体继电器输入瑞电压达到保证接通电压开始至输出端电压达到其电压最终变化的90％为止的时间间隔。
15.关断时间 （单位：ms）
从切除常开型固体继电器输入端电压达到保证关断电压开始至输出端电压达到其电压最终变化的90％为止的时间间隔。
16.电气系统峰值 （单位：V）
在规定的环境条件下，固体继电器输入端开路，在输出端的额定输出电压之上迭加特定波形和能量的电压，试验一分钟。试验后固体继电器仍符合规定。
常规参数1.绝缘电阻 ( 单位：MΩ)
固体继电器输入端与输出端，输入端、输出端散热底板之间施加500VDC的电压测量的电阻值。注意：不允许测量同一输入（或输出）电路引出端之间的绝缘电阻，测量之前应先将它们短路。
2.介质耐压（单位：V）
固体继电器输入端与输出端，输入端、输出端散热底板之间能承受的最大电压值。注意：不允许测量同一输入（或输出）电路引出端之间的介质耐压，测量之前应先将它们短路。
3.环境温度范围
固体继电器正常工作时周围空气温度极限，通常给出工作和贮存两种条件下的温度值，最大温度还受散热器和功率因素的限制。
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单结晶体管（双基极二极管）
　　　Type No.ηrBBIEBIOVEBIIPIVVVIB2Pt(KΩ)(μA)(V)(μA)(mA)(V)(mA)(mW)BT32A0.30 ～ 0.553 ～ 6≤1≤4.5≤2≥1.5≤3.58 ～ 35250B 5 ～ 12C0.45 ～ 0.753 ～ 6D5 ～ 12E0.65 ～ 0.903 ～ 6F5 ～ 12BT33A0.30 ～ 0.553 ～ 6≤1≤5≤2≥1.5≤3.58 ～ 40400B5 ～ 12C0.45 ～ 0.753 ～ 6D5 ～ 12E0.65 ～ 0.903 ～ 6F5 ～ 12BT37A0.30 ～ 0.553 ～ 6≤1≤5≤2≥1.5≤43 ～ 40700B5 ～ 12C0.45 ～ 0.753 ～ 6D5 ～ 12E0.65 ～ 0.903 ～ 6F5 ～ 12测试条件VBB=20VVBB=20V
IE=0mAVEB10=60VVBB=20V
IE=50mAVBB=20VVBB=20VVBB=20VVBB=20V
IE=50mABT32 、BT37
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可控硅、达灵顿、IGBT、MOSFET等大功率模块外形图
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附录 部分国外可控硅的PDF资料下载
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威望183321
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回复 53楼 tiankai001 的帖子
楼主辛苦了，估计这贴可以成为解决可控硅的万能贴了。
2014，继续为中国电子行业做出小小的贡献吧！
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五彩晶圆, 积分 7454, 距离下一级还需 2546 积分
顶礼膜拜啊！
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原帖由 soso 于
08:54 发表
楼主辛苦了，估计这贴可以成为解决可控硅的万能贴了。
呵呵，现在才发完参数篇的内容，还有应用篇、检测篇还没发呢。还有好几十篇没发呢，呵呵
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可控硅专辑（应用篇）
晶闸管(可控硅）应用指南使用四比较器的恒温控制器全数字双向可控硅电路可控硅交流调压器固态继电器的技术参数及选用固态继电器及在应用中一些问题的探讨晶闸管并联逆变电路原理1可控硅串联逆变器与并联逆变器相比晶闸管中频电路的结构各种不同封装形式的单双向可控硅引脚图使用霍耳元件的可控硅过流保护电路用可控硅控制的功放动态电源电视演播室的可控硅调光一款抢答器的质疑三相可控硅触发器单相相位触发器TC782A的设计及应用省电实用的电话灯KD、KF系列控制器成品与阻焊机上的主可控硅应如何连接交流电源接地故障保护的单片集成电路LM1851可调速吸尘器卫生安全的电子自来水龙头光控电子开关可控硅控制的变色吊灯电路双调光蘑菇灯与维修安全省电的按键式床头灯自动延时照明开关七彩循环装饰灯声控音乐彩灯双色彩灯迷你彩灯数控器电视机背景灯自动开关简易延时照明灯简易混合调光器自锁开关简易触摸开关简单的停电自锁开关双端无源电子节能开关单键触摸开关电热毯温控器鱼缸间歇充氧定时器高性能晶闸管三相移相触发集成电路TC787/TC788应用高性能晶闸管三相移相触发集成电路TC787/TC788应用ZC-2-10A自动充电机可调型汽车蓄电池充电器电子过压继电器可调电压插座全自动无触点稳压器电除尘（雾）器的高压供电技术传统的可控硅并联逆变器中频感应炉串联逆变器中频感应炉ZX5—630可控硅整流弧焊机高电压可控硅整流电源双表定时控制器(一)双表定时器（二）双表控制的可控硅定时器(三)实用双表定时电路(四)长时间计时器超精度长延时电路红外取暖器温度控制制作可控硅电路抢答器又一晶闸管整流弧焊机有简单人工智能的温度控制电路如何缓冲晶闸管？XKR-200、350 C02气体保护焊半自动弧焊机使用说明书可控硅交流稳压器直流电路的过流保护法四花样彩灯控制器一种简单的磁选机激磁电源装置印刷设备电磁调速异步电动机（滑差电机）节能型摩托车整流稳压器JFZ调速触发模块原理及调整维修调功集成电路Y992触摸式报警器一种新颖的触摸式开关台灯电路新一代的触摸无级调光调速电路NB7232SXTY三相交流调压（闭环）触发板富士宝豪华遥控落地扇电路剖析新颖的电子灭鼠器水塔自动供水保护电路双向可控硅液位控制电路简单实用的恒温控制器红外遥控开关单片机控制宽脉冲触发可控调压电路可控硅电子时间继电器可靠性好的交流固体继电器JFZ调速触发模块原理及调整维修KGPF25－0.3－2.5型中频加热电源蓝鸟焊机电原理图可控硅整流器3KW可控硅直流调速系统电路红外遥控延时灯SSR的分类与线路构成KJ004可控硅移相触发电路KJ008可控硅过零触发器用可控硅组成的音源切换电路晶闸管移相触发集成电路TCA785应用可控硅光耦的使用注意事项
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晶闸管(可控硅）应用指南
一.参数说明1.参数表中所给出的数据，ITSM、I2t、dv/dt、di/dt指的是元件所能满足的最小值, Qr、VTM、VTO、rT指元件可满足(不超过)的最大值。2.通态平均电流额定值ITAV(IFAV) ITAV(IFAV)指在双面冷却条件下，保证散热器温度55℃时，允许元件流过的最大正弦半波电流平均值。 ITAV(IFAV)对应元件额定有效值IRMS=1.57 ITAV。实际使用中，若不能保证散热器温度低于55℃或散热器与元件接触热阻远大于规定值，则元件应降额使用。3.晶闸管通态电流上升率di/dt参数表中所给的为元件通态电流上升率的临界重复值。其对应不重复测试值为重复值的2倍以上，在使用过程中，必须保证元件导通期任何时候的电流上升率都不能超过其重复值。4.晶闸管使用频率晶闸管可工作的最大频率由其工作时的电流脉冲宽度tp，关断时间tq以及从关断后承受正压开 始至其再次开通的时间tV决定。fmax=1/(tq+tp+tV)。根据工作频率选取元件时必须保证元件从正向电流过零至开始承受正压的时间间隔tH&tq，并留有一定的裕量。随着工作频率的升高，元件正向损耗Epf和反向恢复损耗Epr随之升高，元件通态电流须降额使用。
二.元件的选择正确地选择晶闸管、整流管等电力电子器件对保证整机设备的可靠性及降低设备成本具有重要意义。元件的选择要综合考虑其使 用环境、冷却方式、线路型式、负载性质等因素，在保证所选元件各参数具有裕量的条件下兼顾经济性。由于电力电子器件的应用领域十分广泛，具体应用形式多种 多样，下面仅就晶闸管元件在整流电路和单项中频逆变电路中的选择加以说明。1.整流电路器件选择工频整流是晶闸管元件最常用的领域之一。元件选用主要考虑其额定电压和额定电流。(1)晶闸管器件的正反向峰值电压VDRM和VRRM：应为元件实际承受最大峰值电压UM的2-3倍，即VDRM/RRM=(2-3)UM。各种整流线路对应的UM值见表1。(2)晶闸管器件的额定通态电流IT(AV)：晶闸管的IT(AV)值指的是工频正弦半波平均值，其对应的有效值 ITRMS=1.57IT(AV)。为使元件在工作过程中不因过热损坏，流经元件的实际有效值应在乘以安全系数1.5-2后才能等于 1.57IT(AV)。假设整流电路负载平均电流为Id，流经每个器件的电流有效值为KId，则所选器件的额定通态电流应为： IT(AV)=(1.5-2)KId / 1.57=Kfd*Id
Kfd为计算系数。对于控制角α=0O时，各种整流电路下的Kfd值见表1。选择元件IT(AV)值还应考虑元件散热方式。一般情况下风冷比水冷相同元件的额定电流值要低；自然冷却情况下，元件的额定电流要降为标准冷却条件下的三分之一。
表1：整流器件的最大峰值电压UM及通态平均电流计算系数Kfd整流电路单相半波单项双半波单项桥式三相半波三相桥式带平衡电抗器 的双反星型
UMU2U2U2U2U2U2Kfd α=0O
电阻负载10.50.50.3750.3680.185电感负载0.450.450.450.3680.3680.184注：U2为主回路变压器二次相电压有效值;单项半波电感负载电路带续流二极管。2.中频逆变元件的选择一般400HZ以上的工作条件下，应考虑使用KK器件；频率在4KHz以上时，可考虑使用KA器件。这里主要介绍一下并联逆变电路中元件的选择(见图一)。(1)元件正向和反向峰值电压VDRM、VRRM元件正向和反向峰值电压应取其实际承受最大正、反向峰值电压的1.5-2倍。假设逆变器直流输入电压为Ud，功率因数为cosψ则： VDRM/RRM=(1.5-2)πUd /(2cosψ)
(2)元件的额定通态电流IT(AV)考虑到元件在较高频率下工作时，其开关损耗非常显著，元件的额定通态电流应按实际流过其有效值I的2-3倍来考虑，即 IT(AV)=(2-3)I/1.57
假设逆变器直流输入电流为Id，则所选器件IT(AV)为
IT(AV)=(2-3)×Id/(1.57 )
(3)关断时间tq并联逆变线路中，KK元件的关断时间选择要根据触发引前时间tf和换流时间tr来决定。一般取： tq=(tf-tr)×
(当功率因数为0.8时tf约为周期的十分之一，tr按元件di/dt小于或等于100A/μS来确定) 在频率较高时，可通过减小换流时间tr，并适当牺牲功率因数增加tf的方法来选择具有合适tq值的元件 以上简略介绍了整流和逆变工作条件下元件的选择。在许多情况下，除了元件的额定电压、电流外，还要根据具体条件选择元件的门极参数、通态压降以及断态电压临界上升率dv/dt和通态电流临界上升率di/dt。
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三.元件的保护 晶闸管元件的电压和电流过载能力极差，尤其是耐压能力，瞬时的过压就会造成元件永久性的损坏。为了使元件能长期可靠地运行，必须针对过压 和过电流发生的原因采取保护措施。
1.过压保护 晶闸管工作过程中可能承受的过压主要有以下几种：一种是由于装置拉、合闸、负载打火等引起的过压；一种是由于元件关断时产生的关断电压；还有因雷击等原因从电网侵入的浪涌电压。为限制过电压的幅值低于元件的正反向峰值电压，可采取以下保护措施(见图二)。
(1)在变压器一次侧接上避雷器，在二次侧加装阻容保护、硒堆、压敏电阻等非线性电阻元件进行保护。在整流直流侧采取压敏电阻和泄能保护装置，以防止元件承受过电压。(2)在晶闸管阴阳极两端直接进行保护。晶闸管关断过程中主电流过零反向后迅速由反向峰值恢复至零电流，此过程可在元件两端产 生达正常工作峰值电压5-6倍的尖峰电压。一般建议在尽可能靠近元件本身的地方接上阻容吸收回路。电阻R选无感电阻，通常取5-30Ω；电容C通常在 0.1-1μF，耐压选元件耐压的1.1-1.5倍。具体R、C取值可根据元件型号及工作情况调试决定。注意保证电阻R的功率，尤其在中频逆变电路中，使 之不会因发热而损坏。2.过流保护 晶闸管元件在短时间内具有一定的过流能力，但在过流严重时，不采取保护措施，就会造成元件损坏。在线路设计和元件选择时应考虑负载短路和过载情况，确保在异常情况下设备能自动保护。一般有以下几种措施(见图三)。 (1)在进线中串接电抗器限制短路电流，使其他保护方式切断电流前元件短时间内不致损坏；(2)线路采用过流检测装置，由过流信号控制触发器抑制过流，或接入过流继电器。(3)安装快速熔断器。快速熔断器的动作时间要求在10ms以内，熔断体的额定电流IKR可按以下原则选取： 1.57IT(AV)≥IKR≥IT
IT(AV)为元件额定电流，IT为元件实际工作电流有效值四.晶闸管门极触发 参数表中所给晶闸管IGT、VGT为能触发元件至通态的最小值，实际使用中，晶闸管门极触发IGT、VGT应远大于此值。 应用中门极触发电流波形对晶闸管开通时间、开通损耗以及di/dt承受能力，都有较大影响。为保证元件工作在最佳状态， 并增强抗干扰性能，对仪元公司所有晶闸管，建议门极触发脉冲电流幅值：IGM=2～5A(&10A)，上升率：diG/dt≥2A/μs，上升时 间：tr≤1μs。即采用极陡前沿的强触发脉冲(见图四)。 五.元件串并联使用 元件串并联使用时，线路上应采取门极强触发脉冲、均流、均压措施，还须挑选开通、恢复特性一致的元件。特别是元件串联工作于较高di/dt的逆变线路中时，其反向恢复特性对动态均压起主要作用。
六.散热器与元件的安装 元件的冷却方式有加装散热器自然冷却，风冷和水冷等方式，为了使元件充分地发挥其额定性能并加强使用中的可靠性，除必须科学地选择散热器外还需正确地安装。只有正确地安装散热器才能保证其与元件芯片间的热阻Rj-hs满足数据表中的要求。 在元件与散热器的安装时，应注意以下事项：
1.散热器的台面必须与元件台面尺寸相匹配，防止压扁、压歪损坏器件。2.散热器台面必须具有较高的平整、光洁度。建议散热器台面粗糙度小于或等于1.6μm，平整度小于或等于30μm。安装时元件台面与散热器台面应保持清洁干净无油污等脏物。3.安装时要保证元件台面与散热器的台面完全平行、同心。安装过程中，要求通过元件中心线施加压力以使压力均匀分布在整个接触区域。用户手工安装时，建议使用扭矩扳手，对所有紧固螺母交替均匀用力，压力的大小要达到数据表中的要求。4.在重复使用水冷散热器时，应特别注意检查其台面是否光洁、平整，水腔内是否有水垢和堵塞，尤其注意台面是否出现下陷情况，若出现了上述情况应予以更换。 水冷散热器安装图见下图(图五):
在使用中需注意，风冷方式加装散热器后，一般要求风速不低于6m/s；水冷方式要求水冷散热器水流量不小于4×103 ml/min，进水温度5℃-35℃,水质ρ≤2.5KΩcm。 仪元公司可提供SS水冷系列和SF风冷系列以及各类非标及组件散热器，为元件配套使用。
根据元件通态额定平均电流推荐配置的标准型散热器型号见下表。
元件通态额定平均电流推荐散热器型号水冷风冷100A-200ASS11SF12300ASS12SF13400ASF13、SF14500A-600ASS12、SS13SF15800ASS13SF161000ASS14SF17ASS14
其中SF系列风冷散热器是指在强迫风冷(风速≥6m/s)条件下的推荐配置，用户在使用时应根据实际散热条件并考虑可靠性要求进行选择。对于1000A以上元件一般不推荐使用风冷散热器，若使用风冷散热器，则元件额定电流需降额使用。 用户未作特别要求时，仪元公司所提供的成套元件都按标准配置安装散热器。
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使用四比较器的恒温控制器电路
使用四比较器的恒温控制器 使用一个负温度系数（NTC）的热敏电阻，用如图1a的电路可以用最少的元件、成本和复杂性将温度控制到1℃或更好的精度。该电路含有保护以防止温度传感器短路或开路，且所有的元器件都是常用件。 该控制器是PWM类型的，但它有指数的传递特性，而不是线性的。这个设计是基于一个LM339（四比较器），并包含了温度补偿。由于比较器的温漂会产生的Vos的变化，并导致了振荡器输出改变。然而，在产生工作周期的比较器上，也发生了同样的变化，两者相抵消从而消除了控制器的温漂。 该控制器的核心是由IC1a、IC1b和相关元件组成的振荡器。振荡器输出的电压峰值和最小电压值是决定控制器精度的主要因素。关于这个振荡器有以下一些公式： PERIOD=[R5×R6/(R5+R6)+R4]×C1×Ln[(Vas-Vmin)/(Vas-Vmax)] seconds DutyCycle=Ln[(Vas-Vtemp)/(Vas-Vmax)] / Ln[(Vas-Vmax)/(Vas-Vmin)] Vmax=Vcc×R3/(R1+R3) Vmin=Vcc×R2×R3/[R2×R3+R1×(R2+R3)] Vas=Vcc×R6/(R5+R6) Vtemp=Vcc×(R7+R8)/(Rtherm+R7+R8) 振荡器的输出直接接到产生工作周期的比较器IC1c的输入端。R8决定温度的设置点。R8到Rtherm的分压为产生工作周期的比较器提供比较电压，比较的输出驱动一个光隔离的双向可控硅驱动器。 图1所示出的元件参数值的温度系列是25～115℃。D1和D2
用于温度传感器错误和工作周期指示。R9和R10设置IC1d的反相端电平，用以检测到温度传感器的开路。
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