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武汉奇迹科技有限公司Infineon英飞凌eupec欧派克IGBT命名规格-
<META content=" Infineon英飞凌eupec欧派克IGBT命名规格 一
Simens/EUPEC IGBT 命名系统: Simens/EUPEC IGBT 各型号中所指电流都是在Tc=80°C时的标称，有些公司的IGBT是Tc＝25°C的标称，敬请广大用户注意！B" http-equiv=description>
Infineon英飞凌eupec欧派克IGBT命名规格
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Infineon英飞凌eupec欧派克IGBT命名规格
Simens/EUPEC IGBT 命名系统: Simens/EUPEC IGBT 各型号中所指电流都是在Tc=80°C时的标称，有些公司的IGBT是Tc＝25°C的标称，敬请广大用户注意！BSM100GB120DN2K BSM-带反并联续流二极管(F.W.D)的IGBT模块BYM-二极管模块 100-Tc=80°C时的额定电流 GA-一单元模块 GB-两单元模块(半桥模块) GD-六单元模块 GT-三单元模块 GP-单元模块(功率集成模块)GAL-斩波模块(斩波二极管靠近集电极) GAR-斩波模块(斩波二极管靠近发射极) 120-额定电压×10 DL-低饱和压降 DN2-高频型 DLC-带(EmCon)二极管的低饱和压降
BSM系列是原西门子IGBT模块的命名系统。西门子IGBT模块归入EUPEC后，EUPEC标准系列IGBT模块仍沿用西门子型号编制系统。但EUPEC原侧重生产大功率或高压IGBT模块，即EUPEC IHM&IHV系列IGBT模块有其自身的命名系统,EUPEC以FF、FZ、FS、FP来命名。凡是EUPEC成为Infineon（英飞凌）100％子公司后，所有IGBT模块均按EUPEC
IGBT命名系统来命名.FF400R12KE3 FZ-一单元模块 FF-两单元模块(半桥模块) FP-七单元模块(功率集成模块) FD/DF-斩波模块 F4-四单元模块 FS-六单元模块 DD-二极管模块400-Tc=80°C时的额定电流 R-逆导型 S-快速二极管 12-额定电压×100 KF-高频型(主要在大模块上使用) KL-低饱和压降(主要在大模块上使用)KS-短拖尾高频型 KE-低饱和压降 KT-低饱和压降高频型二
Simens/EUPEC SCR 命名系统:T 930 N 18 T M C T-晶闸管 D-二极管 930-平均电流 0-标准陶瓷圆盘封装 1-大功率圆盘 4-厚19mm 6-厚35mm 7-厚08mm 8-厚14mm 9-厚26mm 3-光触发型N-相控器件 F-居中门极型快速晶闸管 S-门极分布式快速晶闸管 二极管 18 -耐压×100 B-引线型 C-焊针型 E-平板式 T-圆盘式 M-关断时间(A、B、C、D等表示关断时间) C ----关断电压斜率（B、C、F等） TT 430 N 22 K O F TT -双晶闸管结构
DD-双二极管结构 TD/DT- 一个二极管＆一个晶闸管 430-平均电流 N-相控器件F-居中门极型快速晶闸管 S-阴极交错式快速晶闸管 22-耐压×100 K-模块 O-关断时间 F-断电压斜率热门搜索：
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东莞乐拓实业有限公司，主要致力于电子零件、电子零件通路等6C产业的高科技企业，经营众多国内外品牌贴片电阻、贴片电容、钽电容、二三极管、IC等电子元件。 我们不仅坚持信念，努力执着钻研，更能洞悉市场需求，因而造就了今日的乐拓。乐拓销售多种领域应用的被动元件及集成电路，为客户提供高科技产品研发、技术支持，产品线横跨汽车、网络、无线通信、电脑、消费电子等领域技术，与世界先进产业主流并驾齐驱。 乐拓不断顺应客户与市场的需求，研发及生产一系列能够应用于本地市场的产品。同时我们凭借雄厚的技术实力和全球领先的经验，与包括富士康、TCL、中兴、华为等国内领先厂商展开深入合作，为中国电子行业的腾飞做出应有的贡献。 乐拓从开始创立之初就未放弃过电子元件通路这一市场，为了更好的服务于鹊馗嗟目簦卣估滞卦谥泄舐降耐肥谐。滞卦诠愣干枇⒘酥鞴芟鄣姆止荆饕涸鹄滞厮砭返南廴挝瘢滞兀郯NXP、AVX、TDK、YAGEO、ROHM、SAMSUNG等国际知名品牌的电子元器件，另外还有经销ST、IR、ON、TI、muRata等品牌产品。乐拓直接从世界各品牌半导体生产商原厂、总代理取得货源，奠定了乐拓的在半导体零件通路市场中的竞争力。 乐拓，不断致力于“全方位采购”以及“垂直供应”为客户提供更齐全、更有优势的产品，始终坚持努力提高自己，能够有效地配合客户的需求及提供客户更有效率的技术支持，提高附加价值。乐拓愿与您一直携手同进/。
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