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rena清洗制绒设备培训
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创富丰功 家电清洗项目助您一臂之力
&创富丰功&家电清洗项目助您一臂之力请花一点时间把下面介绍看完，看完定有收获！&&八十年代初，摆个地摊就能发财，可很多人不敢。九十年代初，买支股票就能挣钱，可很多人不信。有人说：“如果当初我也做，会比他们赚得更多”。不错，你的能力或许比他们强，本钱或许比他们多，经验也或许比他们丰富，可问题出在你当初没有做！现在一个新的商机已经到来，你还要考虑，还要之后再后悔吗？错过吗？你现在站在哪里并不重要，重要的是下一步你将要站在哪里！&心动更要行动！&一、开店之谈李克，一位经历过三次创业失败的80后大学生最终找到了他的创富之路——家电清洗。短短三年，这家公司就从最初投入的2万元升值到了数百万元。日前，李克向记者讲述了他创业的辛酸与快乐、经验与收获...详细请看人民网新闻.其实每个人只要努力，有善于发现新事物的眼睛，有深远的前瞻性，成功属于每个人.格科家电清洗--李克成功的起点，你，追求目标的导航二、格科家电清洗加盟有保障：&&&&1、看得到的核心竞争力——专业技术+专用产品+实效+功效（本公司产品均属自主研发）；&&2、看得到的产品质量——产品种类齐全，质量过硬专供美的，格力，安吉尔，沁园，&奔腾等150多个家电厂&商；&&3、看得到的市场——据总部12年数据表明，每个市县级区域至少有210万的现有市场等着你去服务，加上自己&新开发的市场，商机有多大？&&4、看得到的财富——中国的人口，农村的快速发展，健康环保的观念提升！&&5看得到的使命：美佳（格科）聚焦客户关注的挑战和压力，提供具有竞争力的解决&方案和产品，持续为客&户创造更大价值，诚信是我们生存之根本。&&6、看得到的支持：免加盟费，免费技术，免费提供经营模式指导，宣传品支持。每地区仅设1家，总部提供家&庭客户匹配给全国当地代理商，我下单，你服务，你赚钱！&&&&希望您抓住商机，占领市场!让加盟商节省很多的精力财力与时间为针对加盟商对美佳集团加盟商轻松创业走向财富之路！欢迎您的加盟与咨询！&&家电清洗行业是一个蕴涵大商机大市场的行业!现在这个行业正在慢慢崛起!&&考察市场，抓住商机，把握机会，创业丰功，创造美好的明天!欢迎各界人士咨询合作三、格科家电清洗行业市场前景分析&&1、&成本低，商机大！&&据环保专家介绍，家用电器在使用一段时间后，环境中的静电微粒、金属尘埃、油烟等，会在家电的电器元件和电路板上形成一层污垢膜，使家电在运行时产生的热量不易散发，影响家电运行的稳定性，可导致耗电量增大、使用寿命缩短，甚至引发火灾。而且，家电所产生强烈的静电会牢固吸附大量灰尘和污垢，使得家电内部逐渐变成滋生细菌的新场所。&&卫生防疫专家认为，在春夏交替之际，人们应该注重对家电如空调、冰箱的清洗保洁。因为室内的灰尘、污垢、细菌等积累堵塞在空调内部，从而可能导致使用者患上呼吸道疾病、皮肤病等“空调病”。百姓不了解“家电清洗”&&许多居民一听到“家电清洗”这个词，首先想到的是清洗吸油烟机或空调的过滤网，而对空调、冰箱、电视机、电热水器等电器的内部清洗感到新鲜。&&一位刘女士说，她家安装的是一台单冷空调，按使用手册中规定，空调需要在夏季使用前和秋季使用后各进行一次清洁保养，可实际上她只能对过滤网进行清洗，至于对蒸发器、冷凝器等细菌和有害物质较多的地方，她就不知道该怎样清洗了。&&消费者许先生说，他平时清洗家电时，仅仅停留于外壳擦洗等一些简单的清洗，虽然也曾想过将冰箱、电视机、影碟机和电脑内部清洗一下，可看到后壳上贴着的不得擅自打开的封条，只得作罢。&&&&&&2、前景广阔的新行业！！&&既然家电内部的污染对家电有损害、对人体有危害，定期对家电进行清洗就很有必要性。那么,怎么清洗，谁来清洗呢？&&据有关业内人士分析，形成这种状态的主要原因：&&一是消费者对家电清洗没有明确的概念；二是在国家制定的“家用电器三包服务规定”中，并没有明确的规定家电清洗这方面的内容及收费标准；三是专业技术人员欠缺。&&据在广州做家电营销多年的王女士介绍，目前在广州市场做家电做得最大的企业，年营业额至少在4亿元左右。也就是说，这家公司家电年销量在180万台到200万台之间，如果再把一些其它品牌家电销量算上，广州每年家电销售不会少于三四百万台。如果能给如此多的家电洗个澡的话，家电清洗市场前景将非常好。&&也正因如此，说明家电清洗服务业蕴藏着巨大商机，而且成品只需几百元，就可以实现利润100%增值。&格科家电清洗剂产品线齐全，能够全面满足全国消费者的需求！主要清洁产品有：&&1、厨房家电：饮水机除垢剂、饮水机消毒剂、冰箱消毒剂、油烟机清洗剂、豆浆机清洁剂、不锈钢清洁粉、烟机净、五加仑消毒剂、锅炉除垢剂；&&2、卫浴家电：洗衣机槽清洗剂、太阳能热水器清洗剂、地暖管道清洗除垢剂；&&3、其他家用电器：空调清洗剂、液晶屏清洁套装/电脑清洁剂，麦克风电话机消毒剂；&&4.&其他清洁保养用品：汽车水箱除垢剂、高级进口汽车蜡、地板蜡、皮具清洁膏。&&&&温馨提示：无论您是与家电清洗行业有关的、无关的，只要您怀有一
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浙ICP备号-1RENA前后清洗工艺培训Confidential一、什么是太阳能电池1.太阳能电池的原理太阳电池是利用光生伏特效应， 把光能直接转换成电能的一种器件。 它的工作原理可以概括成下面 几个主要过程：第一，必须有光的 照射，可以是单色光，太阳光或我 们测试用的模拟太阳光源。第二， 光子注入到半导体后
，激发出电 子―空穴对。这些电子空穴对必须 有足够的寿命保证不会在分离前被 附和。第三，必须有个静电场（PN 结），起分离电子空穴的作用。第 四，被分离的电子空穴，经电极收 集输出到电池体外，形成电流。2.制造太阳能电池的基本工艺流程前清洗（制绒）扩散后清洗（刻边/去PSG）PECVD SiNx丝网印刷 /烧结/测试二、前清洗（制绒）1.制绒工艺的分类： 制绒按工艺不同可分为碱制绒和酸制绒： 利用碱溶液对单晶硅不同晶面有不同的腐蚀速率（各向异性腐蚀）， 对（100）面腐蚀快，对（111）面腐蚀慢。如果将(100)作为电池的表面， 经过腐蚀、在表面会出现以 (111)面形成的锥体密布表面（金字塔状）， 称为表面织构化。 但是对于多晶硅，由于晶体排列方式杂乱，如果利用碱液，无法进行 腐蚀得到良好的金字塔织构化表面，此时只能用酸溶液进行各向同性腐蚀， 获得表面存在许多凹坑的表面结构，也能起到良好的陷光作用。单晶硅片碱制绒绒面形状多晶硅片酸制绒绒面形状2. 陷光原理：光在光滑半导体薄片表面上的 反射、折射和透射陷光原理图当入射光入射到一定角度的斜面，光会反射到另 一角度的斜面形成二次吸收或者多次吸收，从而增加 吸收率。腐蚀深度在4.4± 0.4? 时，制绒后的硅片表面反射率要一般 m 在20%~25%之间，此时得到的电性能较好。腐蚀深度与电性能间的关系在绒面硅片上制成PN结太阳电池，它有以下特点:(l)绒面电池比光面电池的反射损失小，如果再加减反射膜，其反射率可进一步降低。 (2)入射光在光锥表面多次折射，改变了入射光在硅中的前进方向，不仅延 长了光程，增加了对红外光子的吸收，而且有较多的光子在靠近PN结附近 产生光生载流子，从而增加了光生载流子的收集几率。 (3)在同样尺寸的基片上，绒面电池的PN结面积比光面大得多，因而可以提 高短路电流，转换效率也有相应提高。 (4)绒面也带来了一些缺点:一是工艺要求提高了；二是由于它减反射的无 选择性，不能产生电子空穴对的有害红外辐射也被有效地耦合入电池，使 电池发热；三是易造成金属接触电极与硅片表面的点接触，使接触电阻损 耗增加。三、RENA Intex前清洗（酸制绒）工艺RENA清洗设备 注：前、后清洗设备外观相同，内部构造和作用原理稍有不同1.RENA前清洗工序的目的：?去除硅片表面的机械损伤层（来自硅棒切割的物理损伤） ?清除表面油污（利用HF）和金属杂质（利用HCl） ?形成起伏不平的绒面，增加对太阳光的吸收，增加PN结 面积，提高短路电流（Isc），最终提高电池光电转换效率。降低表面反射，提高光电转换效率 ? 浓度: HF 32.2%， HNO3 10.4% ? 温度: 6 C 10 ? (chiller 冷水机组 ) C ? 时间: 2 分钟 清洗:? 水洗: DI C H2O 20 ? C? 碱洗: KOH / 5% , 20 ? , 0.5 分 C 钟 ? 酸洗: HF 5% , 20 ? , 1 分钟 C2.设备构造前清洗工艺步骤： 制绒→碱洗 →酸洗→吹干 RENA Intex前清洗设备的主体分为以下八个槽，此外还有滚轮、排 风系统、自动及手动补液系统、循环系统和温度控制系统等。Etch bath Dryer1 Rinse1 Alkaline RinseRinse2Acidic RinseRinse3Dryer2Etch bath：刻蚀槽，用于制绒。 所用溶液为HF+HNO3，主要工艺参数： Firstfill volume:480L; Bath processtemperature:7± 2 ℃ concentrations of chemical:HF(154g/L)&HNO3 (358g/L); Quality:100.0Kg; Setpoint recirculation flow:140.0L/ 制绒过程中根据腐蚀深度，可对温度作适当修正。越高的温度对应越快的反应 速度，故如果腐蚀不够则可适当提高反应温度，反之亦然。一般每0.1 ℃对应 约0.1? m的腐蚀厚度。当药液寿命（Quality）到后，需更换整槽药液。 刻蚀槽的作用： 1.去除硅片表面的机械损伤层； 2.形成无规则绒面。Alkaline Rinse：碱洗槽 。 所用溶液为KOH，主要工艺参数： Firstfill concentration of chemical:5%; Bath lifetime:250 Bath processtemperature:20±4 ℃ 当药液寿命（Bath lifetime）到后，需更换整槽药液。碱洗槽的作用：1.洗去硅片表面多孔硅； 2.中和前道刻蚀后残留在硅片表面的酸液。Acidic Rinse：酸洗槽 。 所用溶液为HCl+HF，主要工艺参数： Firstfill concentration of chemical:HCl(10%)&HF(5%); Bath lifetime:250 Bath processtemperature:20± 2 ℃当药液寿命（Bath lifetime）到后，需更换整槽药液。酸洗槽的作用： 1.中和前道碱洗后残留在硅片表面的碱液； 2.HF可去除硅片表面氧化层（SiO2），形成疏水表面，便于吹干； 3.HCl中的Cl-有携带金属离子的能力，可以用于去除硅片表面金属离子。Etch bath：刻蚀槽，用于制绒。 所用溶液为HF+HNO3 ，作用： 1.去除硅片表面的机械损伤层； 2.形成无规则绒面。Alkaline Rinse：碱洗槽 。 所用溶液为KOH，作用： 1. 对形成的多孔硅表面进行清洗； 2.中和前道刻蚀后残留在硅片表面的酸液。 Acidic Rinse：酸洗槽 。 所用溶液为HCl+HF，作用： 1.中和前道碱洗后残留在硅片表面的碱液； 2.HF可去除硅片表面氧化层（SiO2），形成疏水表面，便于吹干； 3.HCl中的Cl-有携带金属离子的能力，可以用于去除硅片表面金属离子。Rinse 1~3：水洗槽，水洗槽与槽之间相互联通。水洗槽中液面高度 Rinse 3＞Rinse 2 ＞ Rinse 1。进水口在Rinse 3处。 Dryer 1和Dryer 2为风刀，通过调节风刀的角度和吹风的压力，使硅 片被迅速吹干。 滚轮分三段设定速度，其中converyor1≤converyor 2≤converyor 3，（ 传送带）否则前快后慢，易在设备中因为叠片而造成碎片。滚轮速度 （即制绒时间）根据需要的腐蚀深度来进行设置，生产过程中可根据 测试结果来进行滚轮速度修正。一般滚轮速度慢，则反应时间增加， 腐蚀深度加深，反之亦然。 (注:前清洗速度最好不要超过1.2m/min，速度过快，一方面硅片清洗 或吹不干净，扩散容易出现蓝黑点片；另一方面碎片高，有时碎片会 堵住喷淋口，清洗后出现脏片。此外，滚轮速度也不可太慢，否则影 响产量。)补液:自动补液：当腐蚀深度控制在4.4± 0.4?m范围内时，硅片的腐蚀重量约 为0.3g/片，通过感应器计数，当跑片达到一定量时，机器自动对刻蚀槽 进行补液,其中HF量为0.05±0.005kg、 HNO3量为0.05±0.005kg。手动补液：根据实际硅片的腐蚀情况，有时需要进行手动补液。通常每次 补液量如下： Replenishment Etch bath: HF 9.000L （补液） HNO3 6.000L Replenishment Alkaline: KOH 2.000L Replenishment Acidic: HCl 4.000L HF 2.000L 也可根据实际情况减少或增加手动补液量。但用量比例按照上述之比例 ，补药过程一般不建议加入DI water。前清洗补液原则当腐蚀深度不够时，只对Etch bath进行手动补液。当 硅片表面有大量酸残留，形成大面积黄斑时，需要对KOH进行手动补液。当硅片经过风刀吹不干，则可能硅片表面氧化层未被洗净，此时可适当补充酸。SPC控制(Statistical Process Control)即统计过程 每批次抽取4片样品，测量腐蚀前后的质量差，然后根据公式可获得腐 蚀深度，125单晶要求控制腐蚀深度在4.4± 0.4?m ,同时制绒后的硅片反射 率要求控制在21%~24%之间。刻蚀深度与电性能间的关系设备的日常维护主要是滤芯的更换；视硅片清洗后 的质量排查可能的设备原因，调整喷淋和风刀的角度和 强度；药液寿命到后换药过程中清洗酸碱槽，以及清理 滚轮和各槽中碎片。需要注意的是碱槽的喷嘴角度和流量需要控制好， 否则碱液易喷至Rinse1中，而Rinse1中洗下的酸液和上 述碱液易在该槽中生成盐，使该处的滤芯很快被堵住而 失效。
3. 酸制绒工艺涉及的反应方程式:HNO3+Si=SiO2+NOx↑+H2O SiO2+ 4HF=SiF4+2H2O SiF4+2HF=H2[SiF6] Si+2KOH+H2O →K2SiO3 +2H2 NO2 + H2O = HNO3 + HNO2 Si + HNO2 = SiO2 + NO +H2O HNO3 + NO + H2O = HNO2主操作界面
Manual界面
刻蚀槽管路图A1. 换药时酸液流动方向 A2.补药时酸液流动方向 B. 循环时液体流动方向 C. DI Water 流动方向 D. Cool water 流动方向 E. Exhaust(acidic gas) V/V and Sensors a-c: liquid level sensor, a:under the level, not enough b: liquid is full c: liquid overfill d: liquid will overfall f: V/V open while liquid circulation g/G:MFC1 h: thermometer i: conductivity meter j: MFC2(Etch Bath airknife) k: MFC3 l:pumpc b akdhjgi G hhlf31
Rinse3CA. DI water流入方向 B. 循环水流向 C. 溢流向Rinse2， Rinse1bcaV/V and Sensors a.压力泵-将液体送入Rinse 槽 b. 流量计 c.滤芯
碱槽管路图A. B. C. D. E.换药时碱液流动方向 循环时液体流动方向 DI Water 流动方向 Cool water 流动方向 Drain的方向
Recipe界面
Replenish界面
4.前清洗换药规程5. 前清洗工序工艺要求? 片子表面5S控制 不容许用手摸片子的表片，要勤换手套，避免扩散后出现脏片。? 称重1.每批片子的腐蚀深度都要检测，不允许编造数据，搞混批次等。 2.要求每批测量4片。3.放测量片时，把握均衡原则。如第一批放在1.3.5.7道，下一批则 放在2.4.6.8道，便于检测设备稳定性以及溶液的均匀性。? 刻蚀槽液面的注意事项： 正常情况下液面均处于绿色，如果一旦在流片过程中颜色改变，立 即通知工艺人员。? 产线上没有充足的片源时，工艺要求: 1.停机1小时以上，要将刻蚀槽的药液排到tank，减少药液的挥发。 2.停机15分钟以上要用水枪冲洗碱槽喷淋及风刀，以防酸碱形成的 结晶盐堵塞喷淋口及风刀。 3.停机1h以上，要跑假片，至少一批（400片）且要在生产前半小时 用水枪冲洗风刀处的滚轮，杜绝制绒后的片子有滚轮印。? 前清洗到扩散的产品时间:最长不能超过4小时,时间过长硅片会污染氧化，到扩散污染炉管,从 而影响后面的电性能及效率常见故障 刻蚀深度不 稳定 硅片表面有 大面积黄斑 前 硅片表面有 清 小白条 洗 工 艺 滚轮速度较 低或较高原因及解决方法 a观察来片是否有异常，或者来片一批中是否是不同晶棒组成，因为 不同的片子会对应不同的刻蚀速率。 b查看溶液颜色，正常的颜色应该是灰色偏绿。如果觉得颜色过浅， 流假片，一般以400片为一个循环。然后测试4片硅片刻蚀深度。 观察碱槽溶液是否在循环，若没有循环，手动打开循环．若有循环则 说明碱浓度不够，需要补加碱． 观察气刀是否被堵，通过查看硅片通过气刀下方时表面液体有无被吹 干判断。a一般我们要求滚轮在1.0~1.2的速度下流片，因为过低的速度会影响 产量，过高的速度风刀很难将硅片吹干。所以如果滚轮速度小于1.0， 需要手动加液，一般按9升HF，6升HNO3进行补液。同时可以将温度 提高，以1度为一个单位升高（可在5~8度之间进行调整）。但是对于 温度的设定，我们一般选择较低的温度，因为较低的温度下可以得到 很稳定的化学反应，所以温度一般不建议调高，b如果滚轮速度过高，在温度降低仍不能满足要求的情况下，可以加 水，但是仅能以5升为一个单位加入。常见故障原因及解决方法碱槽或酸槽 不循环前 清 洗 碱槽或酸槽流 工 量变小 艺 流量突变，不 能达到工 艺设定流 量 水纹片观察设备下面的循环平衡有没有冒泡泡 原因分析：a: 可能风刀堵塞，使溶液跑到水槽2中； b: 可能喷淋堵塞； c: 可能滤芯堵塞； 解决方法：a:先期在初始界面处可以发现各自对应的模板,在“ready”“not ready”之间闪动，此时需要工艺立即 补液（HCL：HF：DI=8：3：23；KOH： DI=1：10） b:通知设备通风刀（冒泡泡）或清洗更换滤芯 （补加了药水后还 没循环，浮标沉到底部不起来）工艺需要检查槽中溶液是否满，如果不满则添加，如果是满的，则通知设备检 查滤芯是否需要更换或清洗。如果是满的，则进行补液操作 前清洗流量会突然变为0，此时设备会报警，工艺立即到现场通知生产停止投料， 通知设备人员调试设备，然后处理设备中的硅片，挑出外观未受影响的硅片继 续下传，外观受影响的隔离处理 用手可以抹去的，检查出料处滚轮的干净程度，一般是出料处风刀中间段滚轮 出现污染，需要设备擦拭，如果不严重，流假片也可以将脏东西带走。工艺卫生前后清洗附近地 用清水将拖把洗干净，拧干后将地面清理干净（须把拖把清 面 洗干净，不能只在地上喷了清水就拖地） 机台表面(包括 丝光毛巾用清水洗干净,拧干后擦拭台面,表面应该无污物,灰 设备后区) 尘 机台窗户 需用蘸了酒精的丝光毛巾擦拭干净，表面应该无污物,灰尘 运输硅片用的小 丝光毛巾用清水洗干净,拧干后擦拭,表面应该无污物,灰尘以 推车 及碎硅片 承片盒 用HF和HCL,2:1的比例浸泡2小时,然后用清水冲洗至PH值呈中 性后吹干放置承片盒的桌 丝光毛巾用清水洗干净,拧干后擦拭,表面应该无污物,灰尘以 子 及碎硅片 设备显示器键盘 丝光毛巾用清水洗干净,拧干后擦拭台面,表面应该无污物,灰 和鼠标 尘 电子天平台面 需用蘸了酒精的丝光毛巾擦拭干净，表面应该无污物,灰尘以 及碎硅片绝缘电阻测试台 需用蘸了酒精的丝光毛巾擦拭干净，表面应该无污物,灰尘以 面 及碎硅片 在制品和隔离品 丝光毛巾用清水洗干净,拧干后擦拭,表面应该无污物,灰尘以 台面 及碎硅片Confidential1、载片盒必须放在桌子上（不论是否有硅片在内） 2、操作员工接触圆片时须戴棉胶双层手套，禁止直接接触片子的表面，戴有橡胶手套后也需 要尽量少的接触硅片表面。 3、接触设备按键时不准带手套,必须全部裸手 4、橡胶手套必须保持干净、清洁，及时更换，接触硅片时必须戴上手 套，且保证手套上赃物 5、操作人员身上穿的净化服和净化鞋,必须穿戴整齐，必须保持洁净， 并定期清洗,清洗周期为2周 6、设备里的碎片在每周设备PM时必须清理干净 7、按照标示摆放物品，除标示区域以外不允许摆放任何其他物品 8、流程单不允许放在片盒中靠着硅片，需铺在片盒底下 9、设备的窗户在无异常状态下必须关闭 10、去测试测试片时需用干净的泡沫盒搬送，不能直接用手搬送 11、经过前清洗的硅片必须放在承片盒中，不能直接放在工作台面上 12、碎片盒中的碎片应及时清理 13、下料处的硅片应及时接受，不允许等硅片掉到设备下料端的槽体中 后再取硅片 14、不良须返工的硅片不能放在碎片盒中，需放在固定的地方统一返工 15、测量测试片时需生产一批测量一批，不允许一次性侧量好几批，这 样容易发生混批现象 16、由于碱与酸反应会生成盐的结晶，所以待料停止15分钟以上需要冲洗碱槽滚轮、喷淋、 风刀。已避免喷淋口，风刀口被堵。 17、如果有一个小时以上的待料停产，我们要求要将刻蚀槽的药液排到tank，减少药液的挥 发；并冲洗刻蚀槽滚轮，防止药液沉淀，产生滚轮印Confidential四、RENA InOxSide后清洗工艺培训1.后清洗的目与原理扩散过程中，虽然采用背靠背扩散，硅片的边缘将不可避免地扩 散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域 流到PN结的背面，而造成短路。此短路通道等效于降低并联电阻。 同时，由于在扩散过程中氧的通入，在硅片表面形成一层二氧化 硅，在高温下POCl3与O2形成的P2O5，部分P原子进入Si取代部分晶 格上的Si原子形成n型半导体，部分则留在了SiO2中形成PSG。后清洗的目的就是进行湿法刻蚀和去除PSG。2.湿法刻蚀原理:利用HNO3和HF的混合液体对扩散后硅片下表面和边缘进行腐蚀,去除边缘的N型硅,使得硅片的上下表面相互绝缘。边缘刻蚀原理反应方程式： 3Si + 4HNO3+18HF =3H2 [SiF6] + 4NO2 + 8H2O3.刻蚀中容易产生的问题及检测方法： 1.刻蚀不足：边缘漏电，Rsh（并联电阻）下降，严重可导致失效 检测方法：测绝缘电阻 2.过刻：正面金属栅线与P型硅接触，造成短路 检测方法：称重及目测 SPC控制：当硅片从设备中流转出来时，工艺需检查硅片表面状 态，绒面无明显斑迹，无药液残留。125单晶该工序产品单要求面腐 蚀深度控制在0.8～1.6μm范围之内,且硅片表面刻蚀宽度不超过2mm, 同时需要保证刻蚀边缘绝缘电阻大于1K欧姆。4.去除磷硅玻璃的目的： 1) 磷硅玻璃的存在使得硅片在空气中表面容易受潮，导致电流的降 低和功率的衰减。 2) 死层的存在大大增加了发射区电子的复合，会导致少子寿命的降 低，进而降低了Voc和Isc。 3) 磷硅玻璃的存在使得PECVD后产生色差。去PSG原理方程式： SiO2+4HF=SiF4+2H2O SiF4+2HF=H2[SiF6] SiO2+ 6HF=H2[SiF6]+2H2O去PSG工序检验方法： 当硅片从HF槽出来时，观察其表面是否脱水，如果脱水，则表 明磷硅玻璃已去除干净；如果表面还沾有水珠，则表明磷硅玻璃 未被去除干净，可在HF槽中适当补些HF。5.后清洗设备构造后清洗工艺步骤： 边缘刻蚀→碱洗 →酸洗→吹干 RENA InOxSide后清洗设备的主体分为以下七个槽，此外还有滚轮、 排风系统、自动及手动补液系统、循环系统和温度控制系统等。Etch bathRinse1 Rinse2Alkaline RinseHF bathRinse3Dryer2RENA Inoxide 大致构造上 片刻蚀槽 H2SO4/ HNO3/ HF水 喷 淋碱洗槽 NaOH水 喷 淋去PSG槽 HF水 喷 淋吹 干 风 刀下 片“一化一水”，硅片每经过一次化学品，都会经过一次水喷淋 清洗。 除刻蚀槽和第一道水喷淋之间,其它的槽和槽之间都有吹液风刀 除刻蚀槽外，其它化学槽和水槽都是喷淋结构，去PSG氢氟酸 槽是喷淋结构，而且片子进入到溶液内部。 最后一道水喷淋（第三道水喷淋）由于要将所有化学品全部洗 掉，所以水压最大。相应的，最后的吹干风刀气压最大。Etch bath：刻蚀槽，用于边缘刻蚀。 所用溶液为HF+HNO3+H2SO4， 主要工艺参数： Firstfill volume:270.0L; Firstfill volume H2SO4 :80.0L; concentrations of chemical:HF(35g/L)&HNO3 (350g/L); Quality:100.0Kg; Setpoint recirculation flow:22.0L/ Bath processtemperature:7± 2 ℃ 注意扩散面须向上放置， H2SO4的作用主要是增大液体浮力，使硅 片很好的浮于反应液上（仅上边缘2mm左右和下表面与液体接触）。根据刻蚀情况，可对温度作适当的修正。越高的温度对应越快的反应速度，故 如果刻蚀不够则可适当提高反应温度，反之亦然。当药液寿命（Quality）到 后，需更换整槽药液。 刻蚀槽的作用：边缘刻蚀，除去边缘PN结，使电流朝同一方向流动。Alkaline Rinse：碱洗槽 。 所用溶液为KOH，主要工艺参数： Firstfill concentration of chemical:5%; Bath lifetime:250 Bath processtemperature:22±4 ℃ 当药液寿命（ Bath lifetime ）到后，需更换整槽药液。碱洗槽的作用：1.洗去硅片表面多孔硅； 2.中和前道刻蚀后残留在硅片表面的酸液。HF Bath：HF酸槽 。 所用溶液为HF，主要工艺参数： Firstfill concentration of chemical: HF(5%); Bath ifetime:250 Bath processtemperature:22± 4 ℃当药液寿命（ Bath lifetime ）到后，需更换整槽药液。HF酸槽的作用： 1.中和前道碱洗后残留在硅片表面的碱液； 2.去PSGRinse 1~3为水洗槽； Dryer 2为风刀；滚轮分三段设定速度，可根据实际情况对滚轮速度进行修正。 基本的工艺调整原则、设备维护内容，注意事项都同于前清洗设备。Etch bath：刻蚀槽，用于边缘刻蚀。 所用溶液为HF+HNO3+H2SO4， 作用：边缘刻蚀，除去边缘PN结，使电流朝同一方向流动。 注意扩散面须向上放置， H2SO4的作用主要是增大液体浮力，使硅片 很好的浮于反应液上（仅上边缘2mm左右和下表面与液体接触）。 Alkaline Rinse：碱洗槽 。 所用溶液为KOH， 作用：中和前道刻蚀后残留在硅片表面的酸液。HF Bath：HF酸槽 。 所用溶液为HF， 作用：中和前道碱洗后残留在硅片表面的碱液；去PSG补液:自动补液：当单面刻蚀深度在0.8± 1.6?m范围内时，硅片的腐蚀重量 约0.05g/片，通过感应器计数，当跑片达到一定量时，机器自动对刻蚀 槽进行补液,其中HF量为0.025kg、 HNO3量为0.025kg。 手动补液：根据实际硅片的腐蚀情况，有时需要进行手动补液。每次补 液量如下： Replenishment Etch bath: HF 1.000L HNO3 3.000L H2SO4 3.000L Replenishment Alkaline: KOH 2.000L Replenishment Acidic: HF 2.000L后清洗补液原则当刻蚀深度不够时，只对Etch bath进行手动补液，补 液量根据实际腐蚀情况确定，但一般情况下补液过程不建议 加硫酸和去离子水（加硫酸易导致刻蚀槽温度升高，刻蚀后 硅片边缘发黑）。当硅片表面有大量酸残留，形成大面积黄 斑，或者硅片边缘发黑时，需要对KOH 进行手动补液。当 硅片经过风刀吹不干，则可能硅片表面PSG未被洗净，此时 可适当补充HF酸。后清洗工序工艺要求? 后清洗出来的片子，不允许用手摸片子的表面。收片员工只允许接触 片子的边缘进行装片。并且要勤换手套，避免PECVD后出现脏片！ ? 每批片子的腐蚀重量和绝缘电阻都要检测。 1.要求每批测量4片。 2.每次放测量片时，把握均衡原则。如第一批把测试片放1.3.5.7道， 下一批则放2.4.6.8道，便于监控设备稳定性和溶液的均匀性。 ? 生产没有充足的片子时，工艺要求： 1.如果有1小时以上的停机，要将刻蚀槽的药液排到tank，减少药液的 挥发。 2.停机后15分钟用水枪冲洗碱槽喷淋及风刀，防止酸碱形成的结晶盐 堵塞喷淋口及风刀。 3.停机1小时以上，要在开启机器生产前半小时用水枪冲洗风刀处的滚 轮，杜绝做出来的片子有滚轮印！? 后清洗到PECVD的产品时间最长不能超过4小时,时间过长硅片会污染 氧化，从 而影响产品的电性能及效率. ? 刻蚀槽液面的注意事项：正常情况下液面均处于绿色，如果一旦在流片过程中颜色改变，立 即通知工艺人员。常见故障原因及解决方法 a 观察速度是否小于0.7m/min，如果小于此参数，需要添加药 液提高速度。添加时以3升HNO3，1升HF为一个单位进行补液。 水在这台设备中不建议加入。所以补液时需要小剂量进行补液， 否则如果补液过多导致异常，十分麻烦。 b 通知放片时尽量将片子靠近些，降低液面高度，但是需要注意叠片 c 将流量降低，降低液面高度，但是需要观察片子是否能与溶液充分 接触。 d 将窗户打开一些调节排风 e 添加药液调节溶液浓度。 碱浓度不够，添加碱溶液（单补１L碱） 观察碱槽溶液是否在循环，若没有循环，手动打开循环 a增加流量，但需注意过刻（以一个流量为单位） b通知工艺技术员或工程师添加药液，提高液面 a观察来片是否有异常，或者来片一批中是否是不同晶棒组成，因为 不同的片子会对应不同的刻蚀速率。 b查看溶液颜色，正常的颜色应该是黄色。如果觉得颜色过浅，则流 假片，一般以400片为一个循环。然后测试4片硅片刻蚀深度。表面过刻大于 两毫米后 清 洗硅片边缘颜色发黑硅片表面有 大面积黄斑非扩散面有 较重滚轮印刻蚀深度不稳定后清洗机台的操作界面，基本的工艺要求，换药 规程等、基本都都同于前清洗设备。 需要注意的是：后清洗刻蚀槽处的排风很重要? 腐蚀溶液: HNO3 39% , HF 5% 温度: 6 C 8 ? C 时间: 1.5 C 2 分钟 清洗: ? 水洗: DI C H2O ? 碱洗: KOH 5% ，20 ? C ? 酸洗: HF 5% ， 20 ? CRENA刻蚀的机理尽管很复杂，但刻蚀反应不外分成两步：1.硝酸/亚硝酸（HNO2）将硅氧化成二氧化硅（主要是亚硝酸 将硅氧化）。2.二氧化硅和氢氟酸反应（快反应），生成四氟化硅和水（快 反应），四氟化硅又和水化合成氟硅酸进入溶液。3.硫酸不参与反应，仅仅是增加氢离子浓度，加快反应，增加 溶液黏度（增大溶液与PSG薄层间的界面张力）和溶液密度。RENA刻蚀的机理第一步、硅的氧化? 链的触发 硝酸将硅氧化成二氧化硅，生成二氧化氮或一氧化氮 Si+4HNO3=SiO2+4NO2+2H2O (慢反应) Si+2HNO3=SiO2+2NO+2H2O (慢反应) ? 链的扩展 二氧化氮、一氧化氮与水反应，生成亚硝酸，亚硝 酸很快地将硅氧化成二氧化硅 2NO2+H2O=HNO2+HNO3 (快反应) Si+4HNO2=SiO2+4NO+2H2O (快反应)（第一步的主反应 4HNO3+NO+H2O=6HNO2(快反应) 只要有少量的二氧化氮生成，就会和水反应变成亚硝酸 ，只要少量的一氧化氮生成，就会和硝酸、水反应很快地生 成亚硝酸，亚硝酸会很快的将硅氧化，生成一氧化氮，一氧 化氮又与硝酸、水反应。造成硅的快速氧化，硝酸则最终被 还原成氮氧化物。 最终硅片背面（与刻蚀溶液接触）被氧化RENA刻蚀的机理第二步、二氧化硅的溶解二氧化硅生成以后，很快与氢氟酸反应 SiO2+4HF=SiF4+2H2O;(四氟化硅是气体) SiF4+2HF=H2SiF6。 总反应 SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O最终刻蚀掉的硅以氟硅酸的形式进入溶液。RENA刻蚀的机理――溶液变绿亚硝酸本身并不是特别稳定，它会慢慢分解， 在时刻时停的小批量生产时，溶液中的亚硝酸浓 度的平衡点不会超过一定的限度，刻蚀溶液会一 直保持无色。大批量生产时，亚硝酸浓度平衡点 会有所上升，亚硝酸浓度的略微增加，会导致有 一个有趣的现象――溶液颜色变成淡绿色和绿色 只要刻蚀正常，溶液颜色变绿不会对片子效 率产生任何影响。刻蚀不合格片时可能会将一些 杂质引入刻蚀溶液，污染刻蚀溶液，但这与变绿 无关。RENA刻蚀工艺的关键 ――刻蚀槽补液? 根据刻蚀机理可以看出，随着刻蚀的进行， 硝酸和氢氟酸被消耗，必须要补充这两种酸， 否则刻蚀速率会急剧下降，乃至最后不反应， 那么就牵涉到一个问题：该怎么补？该补多少 ？RENA刻蚀工艺的关键 ――刻蚀槽补液? 以前发现，随着刻蚀片数的增加，刻蚀速率会不断下降，造 成为了保证刻蚀深度，不得不逐步降低刻蚀槽带速。15万片 以后，效率就不行了。（对应带速0.7m/min） ? 上述的这个工艺问题其实是因为补液不对，氢氟酸补少了。 对于刻蚀溶液而言，氢氟酸和硝酸二者之间只要有一个少了 ，另一者就是再多，刻蚀速率照样很低。 ? 对SE电池通过大量试验发现，RENA只有在刻蚀速率保持约 0.45um/min以上，对应带速在1.0m/min以上就能刻蚀1um 左右的刻蚀深度时，才能基本保持刻蚀的优势。当刻蚀速率 降到要使用0.7m/min以下的带速才能达到刻蚀深度时，效率 已低于等刻。RENA厂商的工艺主管Tomas先生也曾指出： “必须要有1.0m/min以上的刻蚀槽带速。” ? 所以，为了达到刻蚀溶液的使用寿命，必须保持住刻蚀速率 。RENA刻蚀工艺的关键――刻蚀槽补液0.178 0.176 0.174 0.172 0.17 0.168 0.166 0.164 0.162 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1SE电池具有代表性的效率（纵轴）-刻蚀速率（横轴）曲线之一刻蚀速率在0.4um/min以下时片子效率急剧变差RENA刻蚀工艺的关键 ――刻蚀槽补液EFF0.179 0.178 0.177 0.176 0.175 0.174 0.173 0.172 0.171 0.17 0.169 0 10 20 30 40 50 600.18 0.179 0.178 0.177 0.176 0.175 0.174 0.173 0.172 0.171 0.17 0.169 0.168 0.167 0 10 20 30 40 50EFFEFFEFF1.3-1.41.1-1.21.0m/min以上带速的比较（刻蚀深度不变）更多的生产和试验结果证实，带速在1.1m/min-1.5m/min(前提是保 证刻蚀深度)时，RENA刻蚀效果没有什么不同，但为了保证产能，必须 要有1.2m/min以上的刻蚀槽速率，从而相应地，刻蚀速率在 0.65um/min以上。RENA刻蚀工艺的关键 ――刻蚀槽补液以前不对的补液工艺是400片补入0.4L 硝酸和500片0.06L氢氟酸，氢氟酸补少了， 造成刻蚀速率的急剧下降。最后片子效率 不行了。 在Tomas先生的帮助下，并以刻蚀速 率等为主要标准进行了摸索和试验，最终 确立了每400片同时补入0.26L硝酸和0.13L 的氢氟酸的补液方案，对SE电池达到了 200万片的使用寿命。铺展就一定刻正面吗？――?挥发与输运的较量受PSG影响，对于没有去PSG的单晶片子，正 面会有溶液铺展。 ? 对于铺展上去了的溶液蒸发旺盛，PSG快速消 耗氢氟酸，这些因素造成溶液浓度下降，无法刻蚀 硅片；所以就需要从刻蚀溶液主体来输运酸以保持 浓度. ? 在PSG层厚度较厚时，正面溶液相对较多，表 面积相对下降，蒸发减轻，输运管道大，输运顺畅 ，造成正面被刻。 ? 硫酸有时虽会减少铺展，但它会减小氢氟酸、 硝酸的挥发，增加反应速率，有时甚至加深了正面 刻蚀。调节――配比氢氟酸多了会如何？铺展到硅片正面的刻蚀溶液，最边缘 会发干。这个现象曾指导我们摸索补液工艺。调节――配比? 硫酸能否对刻蚀速率产生影响？能！硫酸提高了氢离子浓度，能加快刻蚀反应的反应 速率。? 硫酸能调整铺展过宽导致的过刻吗？只有在某些情况下可以。此时刻蚀速率较低，加硫酸 以后，必须加大刻蚀槽带速，（当然前提是保证刻蚀深度 ），才有可能有所改善，否则很有可能铺展变小，但过刻 反倒变得更严重了，加硫酸也是很冒险的，硫酸加的多， 可能导致溶液密度大，硅片发飘，造成碎片；黏度大，片 子不沾液，TRASH率飙升。 ? RENA厂家的工艺人员指出，刻蚀溶液原初配液中硫 酸（80L）不需要再加了。但实际操作过程中，我们加到 过120L未发生异常情况。调节――温度和反应物浓度一样，温度对化学反应速率的影 响也很大，刻蚀反应也不例外。 在工艺未凋整期间，刻蚀溶液温度一般定为8 摄氏度（刻蚀槽内的刻蚀溶液，不是储备槽）。在 稳定刻蚀的时候，偏差一般在正负0.5度以内。偏 差一般不允许超过正负1度。 温度可以作为刻蚀速率的调节手段，但是这是 最后的手段。由于温度较高的情况下，刻蚀溶液在 刻蚀槽时会不稳定，所以一般不宜长时间超过10度， 当前我们的补液能保证刻蚀速率不下降，所以我们 无需调高刻蚀溶液的温度。调节――温度和反应物浓度一样，温度对化学反应速率的影 响也很大，刻蚀反应也不例外。 在工艺未凋整期间，刻蚀溶液温度一般定为8 摄氏度（刻蚀槽内的刻蚀溶液，不是储备槽）。在 稳定刻蚀的时候，偏差一般在正负0.5度以内。偏 差一般不允许超过正负1度。 温度可以作为刻蚀速率的调节手段，但是这是 最后的手段。由于温度较高的情况下，刻蚀溶液在 刻蚀槽时会不稳定，所以一般不宜长时间超过10度， 当前我们的补液能保证刻蚀速率不下降，所以我们 无需调高刻蚀溶液的温度。调节――初配液? 制备新的刻蚀溶液：先加水，再加硝酸和氢氟酸，最后加 入硫酸，硫酸加入会放出大量的热，所以硫酸一般是一次 加入几升，加入几升硫酸后溶液温度会很高，所以必须等 制冷系统将溶液温度降到一定温度以后才能再加入几升， 加入硫酸-制冷降温-加入硫酸-制冷降温循环往复，直到硫 酸量达到设定值（80L）。这一过程由RENA机硬件系统 自行完成。硫酸的加入很费时间，这也是刻蚀溶液换液至 少需要6-7个小时的主要原因。 ? 最后的一点硫酸加入后，并且刻蚀溶液温度冷却至8度即 告换液完成，可开始刻蚀。 ? 初配液配比：97.69L HNO3 / 14.81L HF / 157.5L H2O / 80L H2SO4 （原料是浓度为63.4%硝酸；浓度为49%氢氟 酸；去离子水和浓度为98.3%硫酸）调节――初配液1. 2. RENA机设备上的带速极限是1.5M/min（长时间运转） 初配液可能会刻蚀速率极高（达0.9um/min以上），以 至于即使带速达到极限，刻蚀深度依然达到1.2-1.4um （不论是SE还是HP） 去了PSG的片子，由于不存在正面铺展，刻蚀深度就是 达到2um也不会对效率有什么影响（试验结果），所以 此时可以投HP的片子，同时带速依然保持最大，减少 硅的溶解，以延长后期溶液的寿命。生产一段时间后， 很快溶液变绿，刻蚀速率经过一段时间后降至正常。 万一出现极端情况，生产了很长一段时间。腐蚀深度依 旧降不下来，可以将补液关掉，不补液，待刻蚀速率降 至正常后，再恢复补液，并正常的投片。 当然初配液最主要的可能性是一切正常。3.4.5.碱洗槽和去PSG氢氟酸槽? 碱洗槽的作用――碱洗槽在刻蚀槽、第一道水喷淋 之后。作用在于利用喷淋，中和并冲掉硅片背面（ 和刻蚀溶液接触的那一面）和边缘沾附的酸。 ? 由于NaOH吸收空气中的二氧化碳，生成碳酸钠析 出，造成结晶堵碱。温度低或长时间不用时，结晶 堵碱会很严重。 ? 碱洗槽和去PSG氢氟酸槽也需要补液，但工艺容差 极大，目前正在验证降低碱槽和氢氟酸槽的浓度实 验。 ? 碱洗槽和去PSG氢氟酸槽中的溶液均是200小时寿 命，到寿命必须更换。每次更换时，注意冲洗碱槽 内的结晶体。刻蚀线刻蚀线一个微过刻的片子对于直接RENA的片子，刻蚀后有时会有刻蚀 线――一条靠近边缘的淡淡的一条黑线 正常情况下刻蚀线到边缘的距离控制在 3mm以下，最宽不得超过3mm。刻蚀线刻蚀线一般是淡淡的一条黑线，而有时在边 缘会有很显眼的很黑很黑的线或黑区，这些东 西就不是刻蚀线了，而是没有洗干净的酸，此 时需要在碱槽手动补碱来解决。如果多次出现 这种情况，必须检查碱洗槽是否堵碱。 另外，对于没有去PSG的SE片子在极端情 况下的初配液可能会出现焦黑痕。除了初配液 的极高刻蚀速率大刻蚀深度情况可能导致焦黑 痕以外，其它情况下刻蚀后SE硅片边缘的任何 黑线都不是焦黑痕。先去PSG再RENA? 对于电池是先去PSG再RENA还是不去PSG直接 RENA。这是根据试验结果（HP先去比不去好， SE无差别）。造成这一结果的原因在于HP电池 的PSG厚度不合适（较厚），而目前的扩散工艺 还不可能控制PSG的厚度。 ? 大得多的工艺容差：无需考虑刻蚀溶液黏度过小 ? 强得多的抗设备故障和变动能力：即使刻蚀槽有 点风吹草动，对工艺亦无大碍。 ? 缺点：多一道去PSG工序。PPV材料的疲劳??1.2. 3. 4.构成RENA Inoxide 机器的主要材料是PPV聚四氟乙 烯材料。 没有十全十美的材料：PPV材料抗化学腐蚀能力 极强；但力学性能一般。长期使用下的材料疲劳、 磨损、形变会导致一些设备故障。 刻蚀槽：RENA机需要保持极精密的刻蚀槽尺寸和 各部件的相对位置位置。PPV材料的磨损和形变会 导致正确的尺寸、位置被破坏。导致刻蚀槽硅片不 沾液和沉入溶液（过刻）。 轴承座：PPV材料的磨损会导致轴承座夹不住轴， 出现滚轴爬起，导致碎片、刻蚀槽硅片不沾液和沉 入溶液（过刻） 滚轴断裂：PPV材料疲劳引起，导致歪片、划痕。 胶圈老化：导致划痕。碎 片1. 带速太高、某些材料疲劳导致的滚轴、轴承、 挡板变形，第三道水喷淋水压大、吹干风刀气 压大，碎片残留在道上没及时掉下去等等。 2. 对于某些差片子，可能还要下掉一些上滚轴。 3. 从吹干硅片角度讲，吹干风刀气压越大越好； 从降低碎片的角度讲，吹干风刀气压越小越好 ，所以要恰到好处。但对于力学性能极差的片 子，将没有任何气压调节窗口，即：不是吹不 干就是碎片。 4. 对于力学性能差的片子，不得不牺牲产能（降 低上片区/第三区带速）来降低碎片。其它? ? 制冷机跳闸与故障 碱喷淋后的吹液风刀堵孔：导致碱液被带出，频繁 出现碱槽液位过低的报警。 带速规范： 刻蚀槽带速≥第三区带速≥上片区带速+0.1m/min 刻蚀槽带速≥1.2m/min 相邻两区的带速差≤0.3m/min 在没有工艺调整的正常刻蚀的情况下，刻蚀槽带速 保持不变 产能受上片区、刻蚀槽、第三区这三个区域中 最慢的带速――上片区带速制约。? 1. 2. 3. 4. ?异常情况及排查过程? 腐蚀量异常处理及排查 可能是由于测量错误或刻蚀液浓度异常造成的。 1.多次测量，确保测量数值的准确性； 2.查看自动补液、温度、带速的设定是否正常 3.若腐蚀量偏小，建议首先考虑降低刻蚀槽带 速，其次是手动往刻蚀槽加些硝酸和氢氟酸（体 积比为2：1），最后考虑提升刻蚀槽温度（建议 不超过10度）； 4.若腐蚀量偏大，建议首先考虑提高刻蚀槽带 速，其次是暂时将自动补液量降低，待腐蚀深度 正常后再将参数改回，最后考虑提升刻蚀槽温度 （建议不低于6度）。异常情况及排查过程? RENA刻蚀后硅片表面色斑色差的分析、处理 可确定造成这一异常的原因是碱槽故障，主要有以 下原因 1.碱槽喷淋压力不够，致使碱液不能喷到硅片上， 碱洗不充分； 2.碱槽液位过低，碱循环停止，硅片没有得到碱洗 3.碱槽溶液浓度过低。 这些原因的解决方案:首先查看碱槽喷淋压力,若压 力小找设备人员调整碱槽流量,增大碱槽喷淋压力;其次 检查碱槽液位,确保碱槽液位正常(第二个液位感应器灯 亮);用PH试纸测试碱槽PH值,此项只能粗略检测,但对溶 液浓度的判断有很大意义.异常情况及排查过程? 刻蚀线异常的处理 刻蚀线可能会出现过宽或波纹状的异常,常见 原因有以下几点 1.刻蚀槽循环流量异常; 2.刻蚀槽溶液浓度异常; 3.整个设备内的排风情况 常见解决方案:调节刻蚀槽流量,一般为降低,观 察刻蚀槽后半段溶液铺展的情况;若循环流量调节 不能好转,可以调节溶液配比,具体调节方法根据当 时情况判断；用纸条测试设备内排风的稳定性， 若纸条波动较大，需调节排风。异常情况及排查过程? 刻蚀槽沾液情况不好的处理 沾液不好一般是由于刻蚀槽循环流量 低引起，有时也和溶液浓度配比有关系 。遇到这样的情况首先调节循环流量， 若调节无效可以适当调节溶液浓度，若 还是没有效果则需要对设备的滚轮和侧 档板进行调节。异常情况及排查过程? 下料口硅片不干燥的处理 硅片不够干燥是由于下料区分刀吹干 异常,可调节下料区分刀的压力,调节时需 注意对碎片率的影响,不能调节的太大。 ? 各道刻蚀不均的处理 一般是由于测试误差引起，重复测量 消除各道次间的差异。紧急情况的处理? 情况 一 ：刻蚀槽发生堵片 ? 此时片子正面一般都会沾上刻蚀液，从而 破坏正面的PN结。为防止刻蚀液被稀释，取 片时不宜用大量水冲洗。这种片子取出后，需 在手动状态下用RENA清洗这些片子（碱洗、 水洗、酸洗、吹干），将片子上残留的酸液洗 净，然后进行方块电阻的测量，电阻无异常的 可按正常程序继续生产下去（从RENA开始往 下做）；电阻异常的，扩散能返工好的在扩散 返工，扩散无法返工的从制绒开始重新做。紧急情况的处理? 情况 二 ：碱槽发生堵片 ? 片子在碱液中浸泡时间过长，硅片会于碱液 发生反应，正面的PN结很快就会受到破坏，而后 会腐蚀表面的金字塔，甚至达到抛光的效果。碱 槽发生堵片需立即用大量清水冲洗硅片，待片子 取出后，手动状态下用RENA清洗这些片子（水 喷淋、酸洗、吹干），将片子上残留的酸液洗净 ，然后进行方块电阻的测量，电阻无异常的可按 正常程序继续生产下去（从镀膜开始往下做）； 电阻异常的，扩散能返工好的在扩散返工，扩散 无法返工的从制绒开始重新做。紧急情况的处理? 情况 三 ：酸槽发生堵片 ? 片子在酸液中浸泡时间过长，硅片会 于酸液发生反应，在电池片表面形成一种 黄褐色的膜。酸槽发生堵片时立即用大量 清水冲洗，只要冲洗及时是不会有影响的 ，此时只要手动状态下用RENA清洗这些片 子（水喷淋、酸洗、吹干），然后从镀膜 开始往下做。紧急情况的处理? ? ? 情况 四 ：设备断电或重大报警导致的机器异常 停止 设备断电或异常停止后，刻蚀槽溶液会自 动打回储备槽。 1.若果设备立即就能恢复，此时将设备切换 到手动状态，将除刻蚀槽外的所有工序打开， 然后打开滚轮，让硅片及时走出。这种情况下 ，出现异常时已经经过碱槽的片子可正常往下 做；而停在刻蚀槽中的片子需重新完整的再经 过一遍RENA刻蚀：碱槽的片子需测一下方块 电阻，正常即可往下做，电阻变大需从扩散开 始返工。紧急情况的处理? 2.若果设备较长时间不能恢复，此时尽量用 水枪冲洗滞留在碱槽、酸槽中的片子，防止片 子与溶液发生反映。待设备恢复后，切换设备 到手动状态，将除刻蚀槽外的所有工序打开， 然后打开滚轮，让硅片及时走出。此时若硅片 表面颜色、外观没有变化，可以将出现异常时 已经经过碱槽的片子正常往下做；停在刻蚀槽 中的片子重新完整的再经过一遍RENA刻蚀； 碱槽的片子需测一下方块电阻，正常即可往下 做，电阻变大需从扩散开始返工。若碱槽硅片 已出现抛光现象或酸槽硅片的表面颜色已经变 化，需将碱槽和酸槽的片子从制绒开始返工， 其它槽的片子需重新做一遍RENA刻蚀。常用的工艺操作? 开机1.检查冷却水、电、气（包括N2 ，压缩空气），化学品（HF ，HNO3 ， H2SO4，NaOH）是否供应正常； 2.开机，开关位于灰色的电气箱上； 3.打开显示器； 4.登录。点击屏幕右上角“Login”，输入帐号和密码，点击“Login” ； 5.注意，在“Mode Off ”模式下，图表里的所有操作的单元显示“Off ”。 此外，当腐蚀溶液仍在储液槽里时，Etch Bath图表显示为“not ready” ； 6.输入相关工艺文件。点击进入“Recipe & Rec. Admin.”选择相应的 工艺文件后，点击“Load Recipe”&“Write recipe to PLC”； 7.返回主界面，点击“Mode Auto” 返回自动模式。 图表显示“Off ”( 蓝色)变成“Auto”(绿色)； 8.设备将自动从储液槽将溶液补入腐蚀槽 etch bath,图表显示为 “filling chemie”(黄色)； 9.等待直到腐蚀槽Etch Bath补满，温度达到设定值，图表显示为 “Full Chem.” and “ready” (两个都是绿色)。常用的工艺操作? 关机1.先确定设备内有没有硅片，待所有硅片出来后才能进行关机操作； 2.点击屏幕下方的“Stop”； 3.把Etch Bath的溶液排到储液槽。点击选择手动模式 “Mode Manual.” , 然后在选单 “Manual & Etch Bath”中，点击“Drain bath”； 4.等待Etch Bath排液完成显示“Empty”(黄色)； 5.点击“Mode Off” 进入离线模式； 6.检查设备门位置，调整好； 7.点击右上角的“Logoff”，一个视窗会跳出； 8.点击“Logoff”，设备门将被锁上； 9.如果设备门没有关好，alert警告会出现。 再次登录，调整好门并取 消警报； 10.关掉显示器； 11.关机，开关位于灰色的电气箱上。（注意：不要用设备的供电开关 关机）常用的工艺操作? 换液：1.Etch Bath C 选择Manual &Etch bath； C 点击“Mode Man.”按钮进入手动模式； C 点击“System draining ”，腐蚀槽和储液槽的化学品都将全部被排 掉； C 等溶液排放完，图表显示Empty(黄色)； C 点击“System rinsing”，程序开始对腐蚀槽以及储液槽补充水后循 环冲洗。本程序可以设定冲洗时间(Recipe &Etch bath，屏幕下方第 三个栏位)； C 最后，将水排掉，腐蚀槽和储液槽保持空的； C 点击“PT Filling Chemie”系统开始自动补液，直到图表显示“Full Chem.”换液完成。 （注：除此方法以外，直接点击“Bath change”设备将自动排液 、清洗、补液操作）常用的工艺操作? Alkaline Rinse 1.选择“Manual & Alkaline” 2.点击“Mode Man.”进入手动模式 3.点击 Draining”碱槽 Alkaline bath的化学品将被排 掉 4.等待直到图表显示为“Empty”(黄色) 5.点击“ Rinsing”（屏幕左边）冲洗Alkaline bath 。腐蚀槽将充满水进行循环冲洗。本程序可设定冲洗次数 (Recipe & Alkaline，屏幕下方第二栏位)。之后，将水排 掉，腐蚀槽保持空的； 6.建议用水枪冲洗机器里的盖子。 7.点击“Filling Chemie”系统开始自动补液，直到图 表显示“Full Chem.”换液完成。常用的工艺操作? HF Batch 1.选择“Manual & HF Bath” 2.按“Mode Man.”进入手动模式Mode M 3.点击“Draining”进行溶液排放，直到图示 “Empty”(S色); 4.点击“Rinsing (屏幕左面)冲洗槽子。 腐蚀槽和储 液槽将自动充满水并循环冲洗。 本程序可以设定冲洗次 数(Recipe & HF Bath，屏幕下方第二栏位)。之后，将水 排掉，直到图表显示“empty”(黄色); 5.同样建议用水枪冲洗机器里的盖子; 6.点击“Filling Chemie”系统开始自动补液，直到图 表显示“Full Chem.”换液完成常用的工艺操作? 参数的修改 C Etch Bath 1.选择“Recipe & Etch Bath” 2.找出需要修改的参数进行修改，修改后按“Enter”键输入 3.点击“Rec Admin &Writer recipe to PLC C Alkaline 1. 选择“Recipe & Alkaline” 2.找出需要修改的参数进行修改，修改后按“Enter”键输入 3.点击“Rec Admin &Writer recipe to PLC” C HF Bath 1.选择“Recipe & 向后一页&HF Bath” 2.找出需要修改的参数进行修改，修改后按“Enter”键输入 3.点击“Rec Admin &Writer recipe to PLC” C 带速的修改 1.选择“Recipe & conveyor” 2.找出需要修改的参数进行修改，修改后按“Enter”键输入 3.点击“Rec Admin &Writer recipe to PLC”常用的工艺操作? 手动加液 C Etch Bath、Alkaline 、HF Bath 1.选择“Replenish & “Etch Bath” 、“Alkaline” 、“HF Bath”” 2.找出对应物质的参数，输入你需要加入的量，修改后按“ Start”五、RENA设备常见报警信息1 关于waferjam（叠片）报警 出现此类报警时，工艺人请设备人员调整滚轮并取出碎片。如果是滚轮原因 造成上述报警，同时上级决定暂时不能停机，可选择不在报警道投片，待工艺 换药或设备PM时要求设备人员进行相应调整。此外可要求生产人员可适当增大 放员需检查各段滚轮是否正常工作，设备中是否出现卡片、碎片。如果出现上 述异常，需及时片间距，减少叠片的发生。 2 关于temperature（温度）报警 出现此类报警时，工艺人员需确认coolingunit在工作，确认有循环流量，然 后等待并观察温度是否降低。如果温度没有下降趋势，通知设备人员进行检查 。 3 关于pump（泵）报警 出现此类报警时，工艺人员需确认报警槽的溶液量是否达到液位要求，循 环是否正常。如有异常，补加药液并手动打开槽体循环。同时要求设备人员检 查该槽喷淋滤芯是否正常。 4 关于dry（风刀）报警 出现此类报警时，工艺人员需检查外围供气压力是否正常，风刀有无被堵 。并及时通知外围人员或设备人员作出相应调整。5 关于刻蚀槽flow（流量）报警 出现此类报警时，工艺人员需检查是否有碎片堵住药液入口。如有碎片 需取出后，将药液打入tank混匀溶液后重新将药液打入bath中。如果流量 不稳定报警，需要求设备人员检查相应传感器 6 关于overfilled（溶液过满）报警 出现此类报警时，工艺人员需要求设备检查液位传感器是否正常工作。 如果确实过满，则需要手动排掉部分药液，直到达到生产液位要求。 7 关于 tank empty（储药罐空）报警 出现此类报警时，说明外围相应储药罐中的药品已空，需及时通知外围 人员添加药液。 8 关于 valve blocked（阀门被堵）报警 出现此类报警时，则有阀门被堵，必须立即通知设备人员处理。 9 颜色突出指示的意义 出现报警信息时，各种颜色突出所指示的相关意义如下图所示六、如何减小RENA设备的碎片率放片方法应严格按照作业指导书，轻拿轻放在正确位 置。多晶156的硅片由于面积较大，如果放置的位置不正确， 很容易造成叠片卡片等，致使硅片在机器中碎裂。错误的位置正确位置122提高挡板的高度使得片子能够顺利的通过. 滚轮能够碰到挡板的地方，可以选择将挡板切掉一部分.盖子容易 碰到滚轮123减少CDA的压力，调节上下风刀的压力，使得上下压力到达均衡．调整风管的方向，确保O-ring没有碰到风管．调节挡板 和滚轮之 间的距离124调整喷淋管的位置，至滚轮能够光滑的运行． 调整风管和水管的位置，使得片子在通过的时候，不会影响片子的运行．125检查所有滚轮和O-ring的位置是正确的，确保上下滚轮在同一条线上． 调节滚轮的高度和水洗管的位置保证片子在传送过程中无偏移．如果发生 偏移会产生碎片．126调节滚轮１的速度小于滚轮２的速度，如果生产不赶产量，则尽量 让生产人员放片子不要太急，拉大片间距，这样片子进出设备较均匀， 不易产生叠片等现象．片子之 间距离 2cm127工艺人员在日常正常生产过程中，如果发现机器碎片， 一方面应该提醒产线员工注意放片规范，减少叠片和歪片； 另一方面，应巡查上述主要地方，及时找到并清理在设备 中残留的碎片，杜绝更多碎片的产生。128七、前后清洗十项影响效率、 良率(或特定电参数)的原因A.片源不同 这里提到的片源差异包括多晶硅料的不同（锅底料、 边皮料、金属硅、复拉料、重掺杂等等）以及晶体大小不 同（微晶片等），对于前清洗，片源不同，腐蚀量、腐蚀 速率和形成的绒面结构都会不同，短路电流将受到重大影 响，其他电性能也会受到一定程度的影响。后清洗双向切 割片的线痕过大会造成过刻等。预防措施： 1集中投片配合工艺对药液的调节 2每批产品测量刻蚀重量是有超规范B.药液浓度的稳定性 包括药液补加量的准确程度，药液的挥发，工艺参 数的设置等。预防措施： 1.设备带料不生产时把药液排到TANK槽中 2.控制稳定的温度 3.测量硅片反射率是否超规范 4.每批产品测量刻蚀重量是有超规范 5.希望设备端给设备安装实际测量药液补加的测量器C.温度的波动 温度直接影响片子与药液反应的程度，其波动的大 小和波动的周期直接影响批内和批次间腐蚀量和刻蚀 量的不同，进而导致电性能的波动。预防措施： 1.设备定期检查cool是否正常 2.设备端进行温度SPC监控 3.工艺每天检查温度趋势 4.测量硅片反射率是否超规范 5.每批产品测量刻蚀重量是有超规范D.设备喷淋的异常 喷淋的异常会导致药液残留和一些反应不能正常进行， 进而出现脏片。 预防措施： 1.设备每次做完PM时调整好喷淋角度，并用假片检查硅 片是否有脏片。 2.生产每两小时检查设备是否有碎片卡在滚轮中，堵住喷 淋口 3.盖挡板时须轻放，避面挡板打偏喷淋口 4.对于碱槽，当设备待料超过15分钟时必须冲洗喷淋及风刀E.过刻的异常 后清洗造成过刻，镀膜后黑边，且造成短路，从 而影响效率及良率 预防措施： 1.调节排风或降低流量或提高速度 2.设备端安装排风监控表，并每天检查 3.滚轮或槽体挡板变形，需调整滚轮或挡板 4.药液浓度异常，需调节浓度 5.希望设备端给设备安装实际测量药液补加的测量器F.设备滚轮的变形异常 导致碎片、腐蚀不均、过刻、硅片沾不到液等， 最终影响效率 预防措施： 1.设备PM时定期检查 2.工艺及时反馈刻蚀状况G.设备PM彻底性和细化 PM进行的彻底到位可以保证生产的正常进行，如滤芯 的清洗，清洗不好，可能导致水不干净，造成水痕脏片等； 碎片清理不彻底可能导致碎片流入药液管道造成药液流量降 低，滴定阀堵塞漏酸，造成脏片等。 预防措施： 1.要求设备PM之前必须冲洗各个槽滚轮，且在PM后工艺端 检查是否做到位，看碎片是否清洗干净，滚轮是否安装好等H.测量仪器的短缺 测量仪器的短缺会造成测量不能及时进行，产品质量不能 保证，甚至导致生产大量不良片后才发现。至少保证每两台 机器有一台测量仪器（电子天平和绝缘电阻测试仪）。预防措施： 1.设备定期检查测量仪器是否完好，准确 2.校正部门应定期校正测量仪器 3.应给每台设备配备测量仪器I.工艺规定和要求执行的不彻底 1.主要包括新换药液后和待机一段时间后跑假片，假片跑不够，就会出 现滚轮影或刻蚀量不够； 2.片源不足时集中投放，不然前清洗容易出现刻蚀量不均匀，后清洗容 易出现过刻； 3.清洗后的片子放置时间控制，硅片表面氧化，影响后面效率良率； 4.待料时滚轮不及时冲洗，容易出现碱槽喷淋风刀盐结晶堵塞，导致出 现脏片和 水洗1槽滤芯盐结晶堵塞，出现流量低，从而出现脏片等。 预防措施： 1.培训员工了解工艺规范 2.建立考核制度 3.工艺设备加强检查生产的执行情况J.员工的操作不当、质量意识欠缺以及作业区5S执行状况 主要表现为片子放反，出现不良时不能及时发现隔离 并通知工艺和设备，减少不良产生等。手套，片盒，桌面， 机台等卫生状况都会影响产品质量。预防措施： 1.培训员工了解工艺规范及5S规范 2.建立考核制度 3.5S、工艺、设备加强检查生产的执行情况八、前后清洗吹不干排查流程片子表面有水珠吹不干处理步骤流程图：表面有水吹不干 对切确认是否为来料问题设备人员检查风刀 察看外围气压设备检查各槽喷淋和滤芯 工艺检查药液质量向酸槽中添加少量HF向GP厂家的工程师 进行求助各种吹不干的片子处理方法：? 片子表面和边缘有严重水珠的片子要求全部进行返工处理，即使 晾干后也不能下传，仍然会在扩散造成不良。? 边缘有轻微水珠（直径小于1mm）的片子可以在充分晾干后可以进行下传。? 表面（包括制绒面和非制绒面）除边缘外有轻微水珠的片子不允许下传，要进行返工处理。注：吹不干的片子具体返工方法详见作业指导书中的各工序不良片返工处理流程。九、前后清洗十项影响效率、 良率(或特定电参数)的原因A.片源不同 这里提到的片源差异包括多晶硅料的不同（锅底料、 边皮料、金属硅、复拉料、重掺杂等等）以及晶体大小不 同（微晶片等），对于前清洗，片源不同，腐蚀量、腐蚀 速率和形成的绒面结构都会不同，短路电流将受到重大影 响，其他电性能也会受到一定程度的影响。后清洗双向切 割片的线痕过大会造成过刻等。预防措施： 1集中投片配合工艺对药液的调节 2每批产品测量刻蚀重量是有超规范B.药液浓度的稳定性 包括药液补加量的准确程度，药液的挥发，工艺参 数的设置等。预防措施： 1.设备带料不生产时把药液排到TANK槽中 2.控制稳定的温度 3.测量硅片反射率是否超规范 4.每批产品测量刻蚀重量是有超规范 5.希望设备端给设备安装实际测量药液补加的测量器C.温度的波动 温度直接影响片子与药液反应的程度，其波动的大 小和波动的周期直接影响批内和批次间腐蚀量和刻蚀 量的不同，进而导致电性能的波动。预防措施： 1.设备定期检查cool是否正常 2.设备端进行温度SPC监控 3.工艺每天检查温度趋势 4.测量硅片反射率是否超规范 5.每批产品测量刻蚀重量是有超规范D.设备喷淋的异常 喷淋的异常会导致药液残留和一些反应不能正常进行， 进而出现脏片。 预防措施： 1.设备每次做完PM时调整好喷淋角度，并用假片检查硅 片是否有脏片。 2.生产每两小时检查设备是否有碎片卡在滚轮中，堵住喷 淋口 3.盖挡板时须轻放，避面挡板打偏喷淋口 4.对于碱槽，当设备待料超过10分钟时必须冲洗喷淋及风刀E.过刻的异常 后清洗造成过刻，镀膜后黑边，且造成短路，从 而影响效率及良率 预防措施： 1.调节排风或降低流量或提高速度 2.设备端安装排风监控表，并每天检查 3.滚轮或槽体挡板变形，需调整滚轮或挡板 4.药液浓度异常，需调节浓度 5.希望设备端给设备安装实际测量药液补加的测量器F.设备滚轮的变形异常 导致碎片、腐蚀不均、过刻、硅片沾不到液等， 最终影响效率 预防措施： 1.设备PM时定期检查 2.工艺及时反馈刻蚀状况G.设备PM彻底性和细化 PM进行的彻底到位可以保证生产的正常进行，如滤芯 的清洗，清洗不好，可能导致水不干净，造成水痕脏片等； 碎片清理不彻底可能导致碎片流入药液管道造成药液流量降 低，滴定阀堵塞漏酸，造成脏片等。 预防措施： 1.要求设备PM之前必须冲洗各个槽滚轮，且在PM后工艺端 检查是否做到位，看碎片是否清洗干净，滚轮是否安装好等H.测量仪器的短缺 测量仪器的短缺会造成测量不能及时进行，产品质量不能 保证，甚至导致生产大量不良片后才发现。至少保证每两台 机器有一台测量仪器（电子天平和绝缘电阻测试仪）。预防措施： 1.设备定期检查测量仪器是否完好，准确 2.校正部门应定期校正测量仪器 3.应给每台设备配备测量仪器片子表面有水珠吹不干处理步骤流程图：表面有水吹不干 对切确认是否为来料问题设备人员检查风刀 察看外围气压设备检查各槽喷淋和滤芯 工艺检查药液质量向酸槽中添加少量HF向GP厂家的工程师 进行求助I.工艺规定和要求执行的不彻底 1.主要包括新换药液后和待机一段时间后跑假片，假片跑不够，就会出 现滚轮影或刻蚀量不够； 2.片源不足时集中投放，不然前清洗容易出现刻蚀量不均匀，后清洗容 易出现过刻； 3.清洗后的片子放置时间控制，硅片表面氧化，影响后面效率良率； 4.待料时滚轮不及时冲洗，容易出现碱槽喷淋风刀盐结晶堵塞，导致出 现脏片和 水洗1槽滤芯盐结晶堵塞，出现流量低，从而出现脏片等。 预防措施： 1.培训员工了解工艺规范 2.建立考核制度 3.工艺设备加强检查生产的执行情况J.员工的操作不当、质量意识欠缺以及作业区5S执行状况 主要表现为片子放反，出现不良时不能及时发现隔离 并通知工艺和设备，减少不良产生等。手套，片盒，桌面， 机台等卫生状况都会影响产品质量。预防措施： 1.培训员工了解工艺规范及5S规范 2.建立考核制度 3.5S、工艺、设备加强检查生产的执行情况十、前后清洗换药规程前清洗换药规程1、更换刻蚀槽药液主界面依次点击stop→Mode Manual停机并将机器切换成手动操作模式。主界面点击Manual进入手动换药界面(程序默认为刻蚀槽换药界面)刻蚀槽换药界面滚轮控制界面? 点击F11&&在出现的界面点击Drivers进入滚轮控制界面，依次点击 All conveyors→Start开启滚轮。点击F4&&回到刻蚀槽换药界面。 ? 点击System draining排去Bath槽和tank槽的药液。排药过程用水枪冲 洗刻蚀槽槽盖，滚轮。冲洗好后将槽盖关闭。冲洗过程中穿戴好防护 用具，注意安全。 ? 待图标显示Empty(黄色)，点击PT Filling DI加水清洗。? 待Prepping cabinet显示Full DI时，点击Fill bath将水打入bath槽。? 待bath槽显示Full DI时，循环2min清洗。 ? 点击System draining排水。待图标显示Empty(黄色)，排水完毕，清 洗结束。? 重复上述清洗步骤。清洗次数依据实际情况调整，一般为2次。 ? 点击PT Filling Chemie向tank槽添加药液。若加药过程外围药液量不 够报警，通知外围换药。待外围换药结束，确认无报警信息后点击 PT Filling Chemie继续加药。 ? 待Prepping cabinet显示Full Chemie时，点击Fill bath将药液打入bath 槽。? 待bath槽显示Full Chemie时，依次点击F11&&→Drivers进入滚轮控制 界面，依次点击All conveyors→Stop关闭滚轮。? 按F10返回主界面。 ? 依次点击Mode Auto→Start开启机器。2、更换碱槽药液? 主界面依次点击stop→Mode Manual停机并将机器切换成手动操作模式? 点击Manual进入手动换药界面(程序默认为刻蚀槽换药界面)? 点击F11&&在出现的界面点击Drivers进入滚轮控制界面，依次点击All conveyors→Start开启滚轮。点击F4&&回到刻蚀槽换药界面。 ? 点击Alkaline进入碱槽换药界面。 ? 点击Draining将药液排掉。 ? 待图标显示Empty（黄色），点击Filling DI加水清洗。 ? 待Alkaline Rinse图标显示Full DI时，点击Start circulation打开循环。 循环2min。清洗次数依实际情况而定（一般为2次），若清洗多次后水 仍呈乳白色，可与设备人员沟通更换滤芯。? 点击Stop→Draining将水排掉，待Alkaline Rinse图标显示Empty，排 水完毕，清洗结束。 ? 点击Filling Chemie添加药液。若加药过程外围药液量不够报警，通 知外围换药。待外围换药结束，确认无报警信息后点击PT Filling Chemie继续加药。 ? 依次点击F11&&→Drivers进入滚轮控制界面，依次点击All conveyors→Stop关闭滚轮。 ? 按F10返回主界面。 ? 依次点击Mode Auto→Start开启机器。3、更换酸槽药液? 主界面依次点击stop→Mode Manual停机并将机器切换成手动操 作模式 ? 点击Manual进入手动换药界面(程序默认为刻蚀槽换药界面) ? 点击F11&&在出现的界面点击Drivers进入滚轮控制界面，依次 点击All conveyors→Start开启滚轮。点击F4&&回到刻蚀槽换药 界面。 ? 点击F4&&切换至酸槽换药界面。酸槽换药界面?点击Draining将药液排掉。?待Acidic Rinse图标显示Empty（黄色），点击Filling DI加水清洗。?待Acidic Rinse图标显示Full DI时，表示水已加满。这 时设备进入自动循环状态，循环2min。清洗次数依实际 情况而定（一般为2次）。 ?点击Draining将水排掉，待Acidic Rinse图标显示 Empty，排水完毕。清洗结束。?点击Filling Chemie添加药液。若加药过程外围药液量不 够报警，通知外围换药。待外围换药结束，确认无报警信息 后点击PT Filling Chemie继续加药。?依次点击F11&&→Drivers进入滚轮控制界面，依次点击All conveyors→Stop关闭滚轮。?按F10返回主界面。?依次点击Mode Auto→Start开启机器。十一、前后清洗常见异常图片分析十二、前后清洗常见异常处理流程Thanks for your attention!
RENA前后清洗
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