氧化钨靶材做完第一次磁控溅射靶材之后变黑了一圈儿。是怎么回事？

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2015-04-12 09:20 标签： 磁控溅射靶材
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磁控溅射靶材中毒
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用磁控溅射做 二氧化钒薄膜 请问有二氧化钒的靶材吗
还有一个问题 射频电源的回馈太高了 是怎么回事 有什么影响
用金属钒靶，然后热氧化退火 : Originally posted by Airystar at
用金属钒靶，然后热氧化退火 用二氧化钒靶溅射呢 : Originally posted by 锡伯 at
用二氧化钒靶溅射呢
... 我实验室以前也用二氧化钒靶（射频靶）做过，最终的相变特性不是很理想，比不上用直流溅射钒金属膜然后氧化得到的VO2的特性，应该说各有优劣势吧，至于纯二氧化钒靶也是有买的 : Originally posted by Airystar at
我实验室以前也用二氧化钒靶（射频靶）做过，最终的相变特性不是很理想，比不上用直流溅射钒金属膜然后氧化得到的VO2的特性，应该说各有优劣势吧，至于纯二氧化钒靶也是有买的... 如果用金属钒靶，射频和直流制备出来的薄膜有区别吗 有二氧化钒靶材，我们可以提供。
惠州天亿提供各种金属靶材，合金靶材，陶瓷靶材及蒸发料, QQ号，:victory: 不如买这三种靶材去试试比较下有什么不同吧。 金属钒靶，五氧化二钒靶，二氧化钒靶，我公司都可以提供
惠州天亿提供各种金属靶材，合金靶材，陶瓷靶材及蒸发料, QQ号， 二氧化钒靶材也可以做的，我们以前有用过，后来就都用单质V靶材了，你可以去中诺新材看看，我们实验室好多材料都是从他们那边做的，用着还算是不错的:D : Originally posted by Airystar at
用金属钒靶，然后热氧化退火 射频溅射可以吗 不是直流溅射 : Originally posted by Airystar at
我实验室以前也用二氧化钒靶（射频靶）做过，最终的相变特性不是很理想，比不上用直流溅射钒金属膜然后氧化得到的VO2的特性，应该说各有优劣势吧，至于纯二氧化钒靶也是有买的... 用金属靶材 射频做有影响吗？ 我这个电源就是射频电源 : Originally posted by Airystar at
我实验室以前也用二氧化钒靶（射频靶）做过，最终的相变特性不是很理想，比不上用直流溅射钒金属膜然后氧化得到的VO2的特性，应该说各有优劣势吧，至于纯二氧化钒靶也是有买的... 能否告知具体联系方式？:hand: : Originally posted by Airystar at
我实验室以前也用二氧化钒靶（射频靶）做过，最终的相变特性不是很理想，比不上用直流溅射钒金属膜然后氧化得到的VO2的特性，应该说各有优劣势吧，至于纯二氧化钒靶也是有买的... 我想问下你们变温电阻是怎么测试的& &我也在做二氧化钒& &有时间可以沟通下& &我qq
var cpro_id = 'u1216994';
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磁控溅射腔室内的铝靶变质了 急！急！急！
磁控溅射镀铝，基底上的铝膜不是正常的金属铝的颜色，靶材拿出来后变成下图这样，中间和边缘部分发黑，溅射环内像结晶状的东西，不平整。溅射过程中没有通氧气，请问一下有经验的童鞋，这个是怎么回事呢？
WT`T@NV5ZC@KY8@14`M_`PL.jpg
我用过的AL靶也是这个样子，应该没关系，如果还可以起弧
实在不行，你可以拿去抛光一下
把表面的那层黑色的氧化物抛光掉。 感觉有点像靶中毒。以前用过Ag靶会变黑，但没像你这样出现中心结晶 铝把很容易被氧化的，特别是在你镀完膜之后，把电极温度很高直接暴露在空气中就被氧化了，建议你在镀完膜之后也抽真空放置。真空度不用太低。 你去测一下EDX或者mapping看看是什么物质，也有可能是碳化和氧化共同作用的结果。 你设备的真空度有问题，或是您通入的气体不纯，从靶的表面看，是很明显的Al靶表面氧化，就是常说的中毒。这也和靶的本身纯度晶型有关。
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用磁控溅射法制备MgF2薄膜，为什么薄膜变黑了？
本人刚刚接触磁控溅射技术，用射频法制备MgF2薄膜，靶材为99.99%MgF2化合物靶材，呈现透明，但是制备出的薄膜确偏黑色，溅射几次后，靶材也变黑了，请问各位做过溅射的大神，为什么会变黑，这个黑色的物质还是不是MgF2？溅射功率为150W，Ar气流量为50sccm，溅射时间为2h，衬底温度为350摄氏度。
你的靶基距多少,压强多少？真空度不够，功率也可能过高。。。 : Originally posted by tonylei1990 at
你的靶基距多少,压强多少？真空度不够，功率也可能过高。。。 您好！靶心距基板中心约10cm，抽真空压强低于9E-4Pa，低于150W时就镀不上薄膜了。请您指点一二。 : Originally posted by Apple.D. at
您好！靶心距基板中心约10cm，抽真空压强低于9E-4Pa，低于150W时就镀不上薄膜了。请您指点一二。... 我抽真空压强都在2E-4Pa左右，你溅射时的压强是多少？溅射时并不是功率越大越好，要配合你的压强与靶基距使用。 : Originally posted by tonylei1990 at
我抽真空压强都在2E-4Pa左右，你溅射时的压强是多少？溅射时并不是功率越大越好，要配合你的压强与靶基距使用。... 我会试试把真空抽到2E-4Pa。我溅射时的工作压强是2Pa，不知道有没有问题，另外你说“要配合你的压强与靶基距使用”，这个怎么配合？有没有什么准则或者原理，能否分享一下你的经验？ 工艺就自己摸索吧，一般靶基距与靶材的直径有一定的关系，我现在也不能确定了。。。自己找找吧。功率和靶材面积有关系。压强刚才是小一点，我认为2Pa还可以。具体的还是要找点相关文章，做个正交试验，确定工艺 : Originally posted by tonylei1990 at
工艺就自己摸索吧，一般靶基距与靶材的直径有一定的关系，我现在也不能确定了。。。自己找找吧。功率和靶材面积有关系。压强刚才是小一点，我认为2Pa还可以。具体的还是要找点相关文章，做个正交试验，确定工艺 请问“正交试验”是什么实验？:sweat:问题好像有点小低级，不过真心不知道，谢谢 : Originally posted by saiwing at
请问“正交试验”是什么实验？:sweat:问题好像有点小低级，不过真心不知道，谢谢... 百度吧 你们在哪里啊？我最近也想用磁控溅射做陶瓷薄膜呢！ : Originally posted by nuaayizhou at
你们在哪里啊？我最近也想用磁控溅射做陶瓷薄膜呢！ 我在深圳，你呢？ : Originally posted by Apple.D. at
我在深圳，你呢？... 我在南京呢，太远了 : Originally posted by nuaayizhou at
我在南京呢，太远了... 呵呵，没事，有什么问题咱们可以一起交流一下。 从描述来看，是温度太高，时间太长~你先试试低电温度，短时间的效果~一步一步来~刚做嘛，别太跨越 : Originally posted by Apple.D. at
呵呵，没事，有什么问题咱们可以一起交流一下。... 好的，谢谢了，我QQ：加一下，好好交流 : Originally posted by Adrean at
从描述来看，是温度太高，时间太长~你先试试低电温度，短时间的效果~一步一步来~刚做嘛，别太跨越 您好！低温，短时间的条件我也试过，基片上没有沉积薄膜，加温后，溅射1小时才检测到薄膜的存在。
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