各位大侠,我想做一个直流电0.1-3v之间随便隔离变压器的隔离变压器器,应该如何做呢,谢谢赐教

我想制作一个低压大电流变压器,输入220v,输出12v,电流0至30A可无极调节!有那位高人知道请不吝赐教!_百度知道
我想制作一个低压大电流变压器,输入220v,输出12v,电流0至30A可无极调节!有那位高人知道请不吝赐教!
万分感谢!有那位高人知道请不吝赐教,电流0至30A可无极调节,输出12v,输入220v我想制作一个低压大电流变压器
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铁心式的现在很少用了,算算铁心形状和尺寸,但基本上用不成。我以前做过一个,不贵的,输出功率太小。师傅说是由于制作工艺问题。建议你买一个吧,造成实际与理论计算结果相差太远的缘故,空载功率太大先找资料设计一下、线圈匝数等,买一个电子式的吧,再动手做
先做个变压器220/12v,然后用一个单相调压器串接在变压器原边即可。简单实用。
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出门在外也不愁[原创]简明“反激变压器设计”,任何人看完应该不会有疑问的。-电源网
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[原创]简明“反激变压器设计”,任何人看完应该不会有疑问的。
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楼层直达:
关于的设计
基本步骤:
1、 确定Dmax和Vor。
2、 求匝比n。
3、 求初级量Lp。
4、 选择。
5、 求最小初级匝数。
6、 初级、次级和反馈绕组匝数关系。
7、 选择线经,确定初级、次级和反馈绕组匝数。
8、 做样品、调整参数。
参考例子。
回帖请回到最后面去,查找帖子真是太麻烦了。
&& 一、 确定Dmax和Vor&&&&
&&&&&&& 当开关管Q闭合时,初级线圈电压为:Vin(当输入为265V时,达到375V),如果变压器初级线圈为:Np;次级线圈为:Ns。匝比:
则:次级线圈的电压为:Vin/n。由于次级二极管D3反向,没有形成回路,所以线圈没有电流流经负载。而二极管的反向耐压:
VDf=Vin/n+Vo,
Vo为输出电压。
&&&&& &&&&当开关管Q关断时,变压器中储存的能量向负载释放。次级线圈的电压
VS=Vo+Vd,
Vd为整流二极管D3正向压降。
初级线圈的电压为:
VP=n*VS+Vleg。
Vleg为变压器漏感产生的尖锋电压;与输入电压反向。
设定Vor=n*VS,为反射电压。则开关管承受的电压
Vds=Vinmax+Vor+Vleg。
实际选择开关管是必须留20~50V的余量。
Vor=VDS-(Vinmax+Vleg+余量)=600-(375+120+20~50)=55~85V
VDS:开关管的额定耐压,600V
Vin:在265V输入时,375V
Vleg:一般在120V
余量:20V~50V
根据伏秒法则:Vin*Ton=Vor*Toff&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&
Ton:为开关管闭合时间。
Toff:为开关管关断时间。
占空比:D=Ton/(Ton+Toff),Ton+Toff为周期T。
Toff=T*(1-D)
所以: Vin*D=Vor*(1-D)
D=Vor/(Vin+Vor)
Dmax=Vor/(Vinmin+Vor)建议设置在0.3~0.5&&&&&&&&&&&& 当输入电压最小时取得最大占空比。
觉得有用的记得回帖哦,!
又一个好人呀。。顶。。。
楼主,有没有正激变压器的设计,最近有个任务做个单端正激变换器,看了好多正激变压器制作资料,但是比较难理解,不知你手上有没有现成的设计方法,感激不尽啊!
其实没有什么特别之处,正激变压器的作用相比反激的应该更容易理解,仅仅起的是变压的作用,关键是如何消磁,使其不磁饱和。占空比最好小于0.42,电感量按最大占空比时的初级峰值电流来计算。匝比按最小输入直流电压和输出电压的比例来计算,次级储能电感量要防止饱和。
楼主真好,多谢!
可以写一份原创贴出来啊
很好啊,谢谢
赞同。强烈要求!!!
不知道次级储能电感如何设计计算
平哥,前阵子我下载你的资料学习,现在对变压器设计还认识不深。希望你能加群,以后多向你学习学习。
欢迎各位电源爱好者一同加入,有交流才又进步······
真是,不好意思哦,都没有时间上QQ,不过有空还是会加的,谢谢!
真是太有用了,一下子了解了这些电压之间的关系,
楼主,小弟刚进入电源行业不久,刚做智能充电器,但是对变压器的安规距离始终还是不是很懂
入门学习的人的福音啊
茅塞顿开。谢谢楼主!!!
这种帖子真好!!!
学习ing,谢谢!
知识在传教中增值!顶
顶!!!谢谢分享
谢谢分享,不过觉得感量的确定有些简单了。
简单不好吗?都是可以推导的哦,另外,变压器设计本来就是一个折中的过程。&,自己可以去推导的。
确实,公式都是一样的简单。高手可以一次过,有的却要打几次样。我觉得差别应该就在这里。
我是初学都,下载你的文书看了一次又一次,可惜还是看不懂,我学单片机编程才看三次自己常用的程序都可以写了。主要是上面的字母表示什么我搞不懂。到现在我还不知道你第一步求的DMAX是什么。
最大占空比。后面有解释的。
你真厉害啊
哥们,不知道你还在电源网不,我想问一下关于单片机,我想学一下单片机,我现在在做开关电源!
单片机想说什么。大概应该没问题。
楼主,怎么下不了
可以下载阿。
里面的BCM是什么意思?连续,断续,还是临界连续?
CCM --连续,BCM或CRM---临界,DCM--断续。
谢谢营长这么认真!
陈工,我是初学者,看了你的反激电源工作模式的选择有个疑问:BCM模式时初级Ip=Ipk/(2*D),次级Io=Ipk2/[2*(1-D)]里面是不是有应该是Ip=(Ipk/2)*D,次级Io=(Ipk2/2)*(1-D)这样的,不是应该乘以占空比的吗
你是对的。
谢谢你的资料,对我帮助很大
陈工,我是初学者,我想问下Dmax是IC的规格书上规定的还是经验,比如您资料举例“Dmax= Vor/(Vin+Vor)=80/(80+84)=0.488,IC内部设计的最大占空比为0.6”啥意思,谢谢!
兄弟,你的是正确的吗,求回答
楼主是陈小平?
好东西,学习了!!
知识在传递中真值,谢谢
哥们太好了。
谢谢。非常谢谢
学习了,感谢楼主无私奉献!!!
初学者,多谢高手指教
好帖,很详细,很基础,非常适合初学者
有没有变压器绕制的知识啊,就是实际制作的注意事项
不错,学习了。
再向营长请教一个问题,我现在输出用的整流管用的是BYV28-200的二极管,经常会高温把管子烧毁,有没有什么好的二极管介绍几个型号给我。谢谢!
ES1J可以,ES系列的都可以,速度快,对于低压输出可以选择肖特基。
初学,非常有用,谢谢
谢谢分享!能不能帮我设计一下一下要求的变压器,输入范围150-350,输出电流为5A,电压20V,功率50W,我用 的是EI35。我用你的资料再自己算算看是不是一样的,当做是第一次实践!
跟贴请跟在最后,找了半天呢!
多谢楼主,又学习了
这个设计中用到了付秒法则,付秒法则只有在电流连续模式下才实用,对吗?
正好想认识一下这个东东,太感谢楼主了。
我对楼主表示最崇高的敬意,感谢你的奉献
好贴,学习很有帮助
不错,我是刚刚学 设计的。
在附件中有这样一个公式是怎么来的:
BCM时,Ipp=2*Pin/ (Vinmin* Dmax)
Iav=Pin/Vin_min
Iav=0.5*Ipp*Ton/T=0.5*Ipp*Dmax
比较实际,受教了。
陈大,有个问题想问问,我现在做一个160V dc 350mA输出的开关电源,一般我们选择VOR=90-120V的时候,那按公式得出,次级匝数不就比初级匝数的要多吗?如果按照我们变压器最基本的原理,这个不就成为了一个升压变压器吗?而我从供应商上面得回来的匝比却是初级匝数比次级匝数要高的。
请陈大解惑,感谢
你在100V输入时不是要NS比NP要高的
LZ,我需要设计一个反激变换器的开关电源,电路图我有了,但是不知道变压器的封装,不知道该怎么弄,能帮我看下嘛?留你的QQ吧,我加你。
& & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & &望回复!
总结得相当地好。。。。。
好人,学习!!!!!!!!
陈兄是个老好人
我设计了个单端反激变压器,输入dc75-90,输出800v0.1A,工作频率100khz,SG3524PWM驱动(Dmax=0.45)& ,推动管25N120&&&& 匝数& 40:450,EE40磁芯,变压器有兹兹声,个别出现磁芯发热现象,请营长指教!
占座学习,十分实用的资料
平哥你好,我看了你的变压器设计有点不理解,匝比你说是n=(Vor/vo+vd)但我看有些资料是n=Vmin*D/(Vf+Vd)(1-D) 那个才是正确的啊,呵呵新手希望指点下,谢谢
dou zhengque
都正确?可以解释下吗?如果是D=0.5,这两个公式应该是差不多
感觉每个人,每个地方,所以发表的变压器设计方法都是不一样的,且计算出来的参数也都不是一样的,到底那个是比较合理,正确的了?
是我,我也看过很多资料,发现设计变压器的方法都是不一样的,究竟哪一个是对的,很难判断,不过大家用不同的设计方式还是达到了设计的目的!!
很好,再看
各本书基本都是一种方法的,然后自己找到合适的
前辈,你好,你的帖子通俗易懂,很简洁明了。对初级菜鸟的我们帮助很大。请问按照这种思路是不是也可以绕指逆变的变压器。
根据我自己做过的几个反激电源来看,我最纠结的问题是我的电源在空载到满载整个过程如何选取DCM,BCM,CCM模式,有的说可以跨越3种模式,有的说从DCM跨越到CCM时存在什么右半平面问题,我数学不好,这个右半平面是个什么,只是有点点了解,不太明白,但我实际做出来的跨越这三种模式的样品,并没有任何问题。所以就更纠结。可以到我发的帖子里看看实物,有波形图。那是15w的带到19w也还没进入CCM,但是我做过带到19w以上直到进入CCM,也没发现什么异常,只是电压有一点点低落,纹波也没什么明显变化。所以我觉得诸如什么右半平面的理论有时是不是不用过多考虑,给自己增加烦恼。
好贴,值得分享!!!
看了看&& 介绍的很好&& 对我这样的初学者来说很有用
非常感谢!
好像没有磁芯气隙的设计来防止饱和,一般的反击变压器基本上都有
有哦,通过取Bm值来控制的(保证不进入磁饱和),由于Bm值留有余量,气隙已经包含了,只是没有去计算,由于不同厂家、不同系列的磁材料有所差别,因此去计算也意义不大。而制作样品并不需要提供气隙长度尺寸,所以只要控制Bm值就好了。Bm的取值一般:0.2~0.3。
还不会设计,学习中,能否帮设计一个TOP225电源的变压器,输入154-264,输出8V/5A,打算用EFD30的骨架,谢谢了!
没问题,请提供IC的DATEsheet。
好东西!!
也帮我设计一个EFD25变压器,AC80-265V&& DC110V& 0.3A&& ,IC是STR6252D& ,BOBBION5*5&&NP: P2-1,NS:P8-10 ,NA:P3-4
很好的帖子,学习了。陈工你好~气隙的要求还不是很懂,你说涵盖在Bm里面了,那实际的应用中还要不要计算呢,还有在选型的时候要不要对其进行选择?请教一下~
好贴& 就是看了这么都还是不怎么懂&& 太笨了啊我
&&& 学习;了!谢谢·
节日快乐!
如果是多路输出,变压器的匝数也是这么确定吗
算主输出那路,其他的按辅助绕组的算法一样就好了,算初级参数时按总功率哦。
我看上面的电压Vor是通过匝数比确定的,那么变压器还没有设计出来如何知道匝数比来确定反射电压Vor?
楼主,我也想知道这个问题?
另外开管管的耐压值又是由什么确定的呀?
由MOS的SPEC里的DS最高电压决定的,计算时还要约10%的减额。
老师请问下:选择磁芯,
Ap=AwAe=(Pt*10000)/2ΔB*f*J*Ku
={(17.2*0.35/0.76+17.2*0.35)*10000}/(2*0.25*.2)=0.0768是怎样算出来的& 我怎么么算都不对呀
大家儿童节、端午节快乐!!
老乡,你好!我也是赣州的!请教你两个问题:
1.》Ap=AwAe=(Pt*10000)/2ΔB*f*J*Ku,式中“Pt=P0/效率+P0“,Pt物理意义是什么?此式怎么推导出来?
2.》Isec(rms)=n*Ids(rms)*开根号[(1-Dmax)/Dmax]关系式,是否一定要在CCM下才成立?此式是怎样推导出来的?
以一请赐教,谢!有机会加我QQ:
好帖!感谢楼主分享!
有一个问题请教一下楼主,就是针对CCM,DCM,BCM三种工作模式,变压的初级峰值电流,初级电流有效值,次级峰值电流,次级电流有效值该如何计算?
初次级的电流关系:Ispk=n*Ippk
n:匝比:NP/NS
Ispk:次级电流峰值
Ippk:&初级电流峰值
谢谢支持!端午节快乐!!!
端午节快乐!
变压器线径的选择是不是按初次级的平均电流来选择线径?初次级的平均电流关系是不是也是和峰值电流的关系一样乘以匝比N
感谢楼主分享!
还有问题请教一下:
1.如果只知道输入电压范围(如90-264VAC),输出电压(如24V),输出电流(如1.8A),开关频率(如66KHz)的情况下,如何计算Ippk1,Ippk2,Ispk1,Ispk2?
2.初次级电流的有效值和峰值之间的关系有没有公式可以计算?
3.在选择开关MOSFET和输出整流DIODE时,对应的电流是应该以电流的峰值为依据还是电流的有效值为依据?通常MOSFET和DIODE的电流应力应选择为实际电流峰值(或有效值)的多少倍?
1、确定工作模式,CCM的话,纹波电流可以设置20%~60%,从而确定Ippk1,Ippk2,Ispk1,Ispk2?
2、有效值电流等于(Ippk2-Ippk1)除以2乘以占空比。
3、平均值就可以了,一般峰值都是平均值的几十倍。一般MOS管的平均电流选择5倍以上。二极管的3倍就可以了,主要看温升高不高了。实测试温升最重要。
这个案例设计表格中,第三步和第四步不太明白。请解释。
LP=VINmin*Tonmax/IPP=VINmin*VINmin*Dmax*Dmax*/(2*Pin*FS*k)
=84*84*0.488*0.488/(50*1.5*2*17.2*0.35/0.76)=1.414mH
这个中间的(50*1.5*2*17.2*0.35/0.76) 17.2& 0.76和0.35 这三组数据计算公式并没有啊。为什么是这样,请指教。谢谢
17.2是输出电压+次级整流二极管压降=3.3*5+0.7=16.5+0.7=17.2V
0.35是输出电流350mA
0.76是估算的效率
所以PIN=Vo*Io/e=17.2*0.35/0.76
50是工作频率FS=50K
&i see tks!
楼主 你好,请问1.5倍的k值 为什么选取1.5呀 谢谢了
为什么选取K=1.5呢,DCM的K值有没有宽窄电压之分了?
你好&& 这个k值为什么是1.5呢,一般在DCM中,K值取多少呢
陈工,您好!您说DCM模式要取一个K值,而且大于1,还说最好取1.5。但是我看很多地方的资料中,DCM模式时计算感量的公式中就根本没有K,& 而是按照您的那个BCM的公式在算感量的。您对此有何看法?谢谢!
你的公式有误,Is应该为&& CCM:Is=[(Ispk1+Ispk2)*0.5]*(1-D);
BCM:Is=(Ispk1*0.5)*(1-D);
DCM:Is=(Ispk1*0.5)*Td/(Td+Tdcm);
恩,楼主的公式有误。但是 你的DCM模式,我觉得应该是:
Is=(Ispk1*0.5)*Td/T
对,谢谢提醒,次级电流是要代入放电时间。
学习了,但是这上面的IS计算公式谁是对的呀,谢谢了
LZ,上面的IS计算公式谁是对的呀,谢谢了,再发一次吧
对,谢谢提醒,次级电流是要代入放电时间。
都搞晕了到底谁的对啊,是乘以D& 还是1-D啊
前辈,我所理解的CCM模式下Is=1/2.(Ispk1-Ispk2).(1-D)。是不是我哪里弄错了,请您指教。
楼主的帖子让人顿时明白了好多
好帖,看了好几遍了1
你好楼主。
向你请教一下,如果有PFC 是变压器如何设计.
楼主,我看你设计电源的效率是0.76,你是根据什么来设定这个参数的,为什么不设计为0.90呢?
经验,你看过5W能做到0.9的吗?在你选择一款IC的时候你就应该知道。
各位大侠,同问49楼兄弟一样的问题:
Vor=n*Vs,Vor可以随便取值?
Vor取值一定,那匝比n就确定了,难道匝数比n可以随便取的?
还有例子中Vor取80V,为什么不取70V或90V?这样设计出来的变压器完全不一样!
Vor的取值是MOS管耐压决定的,Vds=输入最大直流电压+Vor+漏感产生的尖峰电压+余量。
假如:600V的MOS,输入AC265V时输入最大直流电压为:375V,余量取30V,漏感尖峰取120V的话,Vor=600-375-120-30=75V;所以对于Vor有最大值的限制;为什么漏感尖峰取120V?那是因为取值过小的话,RCD吸收回路的功耗较大,影响效率的同时产生热。
像我是刚学这方面的,没有什么经验,听你说看IC就知道效率是多少了,你是根据那个参数来确定,请指教!
输出电压和功率,这些都是经验值,选IC时问一下IC原厂工程师就好了。
我可不可以这样理解:Vor取个随机的,但保证600V的MOS耐压,这只是初步确定的匝比,具体的匝比还要通过调试确定。
请问楼主,关于你计算电流时,电流密度怎么在变压器时候是4A/MMMMM
而计算线径大小时是6A/MMMM呢,怎么来确定电流密度的大小最适合
这个要看采用的骨架和磁芯,当然成本才是最关键的。在成本允许的情况下,用铜窗大的骨架。如果确定了骨架,就决定了铜窗的面积了,在这种情况下尽量让初次级的电流密度相等就好了,如果次级是三层绝缘线的话,可以取大一点。
也不能这样说,VOR决定占空比,占空比太小峰值电流就比较高,尽量让占空比接近0.5的Vor比较合理。
能说下怎样才能更好地确定开关电源的频率f吗,一般取多大,
宽电压和窄电压是否相同
对于宽范围输入的反击变换器建议VOR选在80-110这时占空比大约为0.4~,对变换器的工作有好处
楼主:关于Vor的计算,好多公式都把MOS的耐压确定为600V,但如果不用600V耐压的MOS管,比如700V& 800V& 900V等,此时Vor不就很高了。
我有这样的认识,VOR值 是在确定占空比后再计算出这个反射电压来的,预调反激式电源的最大占空比为0.45时则& 0.45=VOR/VOR+VINMIN 一般取VINMIN=100V,则VOR=81.8V 取82V
那如果MOS的耐压是800V那Vor的取值应该怎么取,是Vor=800-375-120-30=275V吗??求解啊。。。??
貌似很少,做应该能做到吧
很明了,非常感谢
做了几年的节能灯和镇流器,现在看前景应该改行了-做LED
现在也不是很好做啊,不过市场还是有的
学习啦!哈哈,真好!
真的很明白,谢谢,我学习了
楼主做的东西我也觉得很好,唯一遗憾的是我的基础太差,看了N遍还是有很多地方不明白,主要是那些公式的字母不知道代表什么意思。要是楼主或者好心人抽时间在公式下面标注一下的话那就真是很完美了。我想这也许也是有和我同感的朋友们的心声吧。谢谢楼主!
是啊& 用通俗的话 注明& 我也看不懂 可我想看懂
有时间的时候,再弄一下咯。
那太辛苦您了
感觉基本都有啊,注意阅读时连贯起来,都有注释的,如画红线处。
非常感谢楼主能在百忙中抽时间来做这些事,特别是这种精神值得敬佩。再次感谢!
不用谢!应该的,大家进步了,我们都高兴了。
经典 谢谢您啊
初级的匝数怎么来的?NP=4.65*29=134.85 取135圈.为什么乘29才是NP?29是NS 还是NA?
初级最小匝数:Np=Lp*Ipp/(Bm*Ae)=125,也就是大于125就可以了,
由于匝比为:4.65,可以算出次级匝数:NS=26.88172为小数,为了满足初级匝数大于等于125,次级匝数尽量接近整数,最后得到当次级为29匝时,初级为134.85接近135,所以最后初级取135,次级取29。看的时候连贯起来看哦!谢谢!
谢谢楼主详解,懂了。你这份变压器设计我研究了两天了。呵呵,,,
单看公式是比较抽象,最好有一款具体设计变压器的实例来说明,大家看起来也比较容易懂。
最后不是提供了实例吗?可以对照看啊。
楼主 麻烦您算下& 输入 90-255V& 输出 18V 0.35A&&& EE13&&& IC工作于132KHZ&&&
&& 我检查下我 和楼主您的有何 不同& 麻烦您了&&& 贴出来就好& 谢谢
工作于什么工作模式哦?
那就算BCM哦,最大占空比取0.5,最小直流输入电压VINmin取90V(由你的滤波电容决定),则Dmax=Vor/(VINmin+Vor)则Vor=90V,有电感公式可得初级电感量为:Lp=Dmax*Dmax*VINmin*VINmin*/(2*Pin*Fs*K)=0.5*0.5*90*90/[2*(18*0.35/0.8)*]=974uH&&&取1mH。
Fs为开关频率,K为系数,BCM取1。Pin为输入功率=18*0.35/0.8=7.875,0.8为效率。
匝比:n=NP/NS=Vor/(Vo+0.7)=90/18.7=4.8128
计算最小NP=Ipk*Lp/(B*Ae)=0.35*1000/(0.25*17.1)=81.87& 所以最少82圈
NS=NP/n=81.87/4.9&& 最少18圈
最后NP=101,NS=21.
另外,以后请你自己去算,最好自己动手.谢谢!
恩 谢谢您了
& 我算的是& 101& 22&&& 1.2MHZ&&&
&& 基本上一样的&& 万分感谢您&&&&&&&&&
方法一样,结果基本一样。
,下载,在学,谢谢
&尤其是FSZ1317来设计宽电压输入,小功率的电源很实用,我正准备用TNY255PN来做小功率电源,在我的半桥电路中给我的芯片单独提供电源。以后有很多请教楼主多,还希望楼主不吝指教。
谢谢!指教不敢,一起学习可以的。
好人呀,先看看,学习了,谢谢
楼主你好!我按你提供的方法用OB2263IC做了个LED电源,输入100V-260输出42V/0.42A负载带13支1W的要求来做的。我用的磁芯EFD25 85:21:9 L:0.48MH。然而我做的输出只有42V/0.38A怎样才能将电流调到0.42A?是不是我变压器参数不对呀,还请指教一下。谢谢了!
学习了,两个帖子都在仔细的理解中,有疑惑会请教大师的!
楼主不但技术好,人品也好!
你好,楼主。
我想问一下这里NP=Ipk*Lp/(B*Ae)的Ipk取0.35A吗?
还有DCM,CCM模式时,K值取多少呢?
他们的占空比也取0.5吗?
我也有这样的疑问 为什么Ipk 取0.35V呢
Ipk是初级电流峰值,这个由计算得到,2*输入功率/输入电压/占空比
楼主你好2个问题请教下。
在你的IPPmax计算中=2*17.2*0.35/(0.76*84*0.488)式中的输出功率不是应该VO*IO嘛,VS17.2是一个感应电压在传输过程中还要经过二极管。
DS=? 如电流0.0943A 密度6A/mm平方 DS怎么算出
另在计算LP时分解公式,K是怎么跑出来的
陈工您好,对于Ipk我也有些疑问:
“Ipk是初级电流峰值,这个由计算得到,2*输入功率/输入电压/占空比”这个公式和您的另份资料上的有点出入,应该是乘以占空比。
“BCM 时,Ipp=2*Pin/ (Vinmin* Dmax)”。
对于这个公式我有点疑问,式中为什么有2和Dmax,有没有一个详细的推导过程,我是菜鸟望指点!
为什么成101他21了
为什么成101和21了
IPK为什么等于0.35A?请教
工作于什么工作模式是由什么决定的呀
有IC 决定的。
为什么要接近135呢 当次级为28时 初级130.2不行吗
我 也有这样的疑问
计算的是最小初级匝数(大于等于该匝数变压器不饱和),至于为什么135?那是因为这样初级,次级,反馈绕组的实际匝比最接近理论计算值。
初学正好合用
很想找个高手做老师,看来找到了。
呵呵!本人不是高手。
楼主休要谦虚,我等才不是很了解呢。
有什么问题大家一起交流就好了。每个人都有一个慢慢积累的阶段,学习是没有极点的;本人也是技术泛泛,只不过分享一下自己的学习经验罢了,使之尽量实用化,简单化而已,让刚入门的同行少走一点弯路;在利益至上的今天,本人也体会了独学的艰难,进度缓慢;在公司上班只有竞争对手,很少良师益友。
小平是个好同志
过奖了,谢谢!
学习中····
楼主你好!我按你提供的方法用OB2263IC做了个LED电源,输入100V-260输出42V/0.42A负载带13支1W的要求来做的。我用的磁芯EFD25 85:21:9 L:0.48MH。然而我做的输出只有42V/0.38A怎样才能将电流调到0.42A?是不是我变压器参数不对呀,还请指教一下。谢谢了!
你是做恒流源吗?能不能把原理图贴出来?我帮你看看哦,常理来说,电流被限制住不是变压器的问题,是电路本身的问题,你先调调看吧,如果解决不了的话就贴出原理图来,分析一下。谢谢!
楼主你好,我做的确实是恒流源,这是我上传的图纸参数都是按上面做的,我自己搞了好久也没有搞定,希望你给我指点一下非常感谢!&
我不知道你的初级电流和变压器参数哦,但是我建议你先把R2 的电阻值改小试试,估计进入过功率保护了;如果还是不行的话,测试一下IC& 2脚对地的电压,看看是不是到了最大占空比了,调节R8的电阻值看看。变压器不会限制电流的,如果变压器设计异常应该是炸机才对。
谢谢你的帮助!我的变压器参数是EFD25 60:36:14 L:1.5MH 现在输入功率是20W,输出是42.2V/0.39A。R2改为0.33R也没有变化,IC的2脚是1.5V应该是正常的吧,输出电流还是调不到0.42A。另外问下你说的初级电流是怎样才可以测到?MOS管有点热调哪里?这是刚测的波形给我看下有没问题,谢了!&
有点怪怪的,蓝色的是变压器初级的波形吗?怎么没有一点尖峰呢?占空比也很小啊,看看同名端有没有错哦,不会接成正激了吧?前两天我朋友就把同名端弄错了,搞得输出电流小于设定值。
确实我也觉得这个MOS管VDS波形有点怪但就不知道是什么原因,我用这个变压器装到另一板上测得如下波形,另一板用的是SA7527IC。如果这个是正常的话那应该变压器的绕线是没有问题的对吧,另外又绕了两个也是一样的波形郁闷。这个参数也是输出只有42V/只有0.38A,也是做不到0.42A就是不知道调哪里才行?&
你是调单级PFC的吗?如果是单级PFC的话把电感量调到1mH看看。能不能贴个原理图,单级PFC的话还要调节反馈回路中的补偿电路,以前我做48V 1.4A的时候碰到过这种情况。
非常感谢你不厌其烦如此耐心的回复,像我这种菜鸟很多大师是不会理睬我们的,大多是因我们的问题太过简单而你却如此的宽心让我非常感激。&这个应该是单级PFC吧,原理图跟上面140贴是一样的。另外反馈回路的补偿电路该怎样调啊?&
你这不是什么PFC 吧,只是个很普通的PWM而已,你要调一下那两个电容104
呵呵,对,调一下C9 和C11的值吧。
多谢指点,都搞出笑话来了原来我这个电路只是普通的PWM电路。那这种电路只有恒压而已如用来做LED应该不是很好吧。如果我用SA7527的话应该就是单级PFC电路吧,这种电路做LED怎么样请说明一下。另外我想请教现在做LED有什么好的方案提供一下做参考?
说实话,OB的这个IC我以前接触过,但主要是用在整流器,适配器上面比较多。做LED用还比较少见,后来都在做LED这块了,我也就没关注它了。目前我们的电源是SA7527做输出调光用。还是可以的吧。但是做输入调光不知道如何。。。
噢,原来是这样啊。我也用7527做了个电路本来是按输出42V/0.42A带13支1W的LED灯,但我做的输出有42V但电流只0.39A,请问是什么原因?谢谢
请问是搭配358在用吗,如果是的话,那你358的旁路可能没搞好。
针对底端的应用用OB的这颗IC也是可以的,整流桥后电解电容换成“填谷式”,次级反馈环路换成简单的恒流线路。
针对高端一点的用SA7527比较实惠,当然还有其他的很多IC咯,如NCL30001,FAN7530,FAN7527,FL6961,L6562,还有ST的IC,国内也有很多L6562的PIN TO PIN IC ,大部分还是叫**6562的。很容易分辨的。
用填谷式的时候大家要注意了,小功率还可以,功率稍大的话,前级的EMI 滤波器的电感就会啸叫,所以我是不用这个线路的。
我的输出部分没有用358,就是按下图做的现在只用了一个恒压的431分压电阻是75K和4.7K,但是电流就是做不上0.42A。如果把431的分压电阻调整电压做高到43V以上话电流就上去了,请问我这样的调的话行不行?图纸就是按这个&
可以的,可能你的输出纹波电压过大引起的,本来在恒流输出时。恒压部分是应该不工作的,如果输出纹波电压过大使得恒压部分工作的话,那电流自然就上不去了,用示波器看一下输出电压是不是达到了你设置的限压值?作恒流电压是在正常恒流输出电压,输出电压不要达到限压值的。
谢谢你的帮助,有些东西还不是很明白想请教你。我现在把恒流电路也接上了输出电压41.8V/0.37A,输入功率是18W。用示波测输出电压只有40V,我的431分压电阻是75K/4.7K按正常来说输出应该是42.39V才对,但我的却没有。你说的《作恒流电压是在正常恒流输出电压,输出电压不要达到限压值的》这句我不是很明白请说一下。谢谢了
意思很简单,带载电压不能超过空载电压!!!一般来说带载最大电压要小于空载3V左右吧,这个要实际测试,计算只是参考!
实际计算出来的就应该是40V呀,没错呀?
怪不得,我这之前就用这个电路,有兹兹声
谢谢楼主的分享!
就是做限压恒流电路时,其实光耦处有两个反馈信号,电压反馈和电流反馈,值得注意的是这个两个反馈电路是分时工作的,在输出电流没有达到恒流值时恒压电路工作,输出电流达到恒流值时,恒压电路不工作,当电压电流都达到设定值时就是恒功率了。也就是说:当负载LED的电压值超过了电压输出电压的设定值时,电路工作在恒功率了,又因为LED在该正向压降时有唯一与之对应的电流,该电流取决于LED灯,而不是电源,电流自然达不到设定值。所以在做LED电源时通常要把电压值设置比实际LED的电压高一些。另如: 负载时10颗LED时,对应的电压应该在28~34V,不同厂家的LED会有差别。但是限压点应该设置大于34V才能保证用不同的厂家的LED都能保证工作在恒流区。谢谢!
非常感谢楼主如此耐心的讲解,我的基础太差需要一点时间去理解,也就是说我的输出电压要大于45V,那像1W的LED电流做多大为准,有的是20MA也有的30MA,电流的取值难道没有标准吗?刚开始接触LED电源搞了很久也没有搞明白总觉得很难,都快没有信心了还好有楼主这样的高手耐心的帮助让我重拾信心。谢谢!
小灯一般20mA,大灯350mA,模组的话,有500mA,700mA,1A,1.5A,2.1A等。
难得平哥这么的耐心,小弟自叹不如。顶起!
现在我431电阻用78K/4.7K,变压器也改了一下,输入功率是22.4W功因0.977输出电压是43.1V/0.45A,请问我的恒流电路怎么才能知道是恒流限压了?看到A433和几个电阻不知道怎么下手请指点。谢谢!这是我刚测的MOS管波形给看下是否正常,另外我的占空比是多少是否也正常如何改进?&
负载用水泥电阻来测试就可以了,比如40V,0.45A时,对应的阻值为88.8R,你调小电阻,如果电流没有变,输出电压变小,说明工作在恒流区。调大电阻阻值,大到一个值时输出电压不再变大,电流会减小,说明这个电压就是限定电压哦。应该跟空载电压很接近。你的RCD吸收电路是否吸收能力有点强了,把尖峰都给吸收掉了,可以适当调大一些RCD电路中的电阻阻值,对效率有点好处的。有条件的话买台好点的示波器吧。
你好,我又重新测了下波形如下好象尖峰正常了吧电感量是600UH,我没有改RCD电阻值和别的地方,可能是调取波形方法不对。你说的水泥电阻是指可调还是不可调的,然后象这种要功率多少W的就可以了,如果是生产的话做老化也是用水泥电阻做负载吗?我的示波器是安泰信ADS1102CA很便宜的东西,做LED电源也应该够用了吧,等以后搞熟了我再换台好点的。对楼主的感激之情发自肺腑,只能放在心里。谢谢!&
水泥电阻当然是可调的那种,功率要根据实际需要来选择,最好能适合大部分设计来用吧,至于老化,当然都是用水泥电阻来做了;一般的话,LED灯板与电源板的老化时间是不一样的,电源板至少要老化8小时,水泥电阻产生的热可以使环境温度上升,有利于老化;而灯板一般老化2~3小时就好了。至于波形,可以放大看看,如果示波器带宽较小的话,一些细节会看不到,主要是看看尖峰电压有没有达到MOS的耐压,在最高输入电压时一般控制在0.9倍的MOS额定耐压内就好了。
楼主真细心,也很耐心,看的我也真心佩服楼主,说声谢谢了,学习了~
知无不言,谢谢!
好帖,学习了
楼主你好!我这有个图想用358和431来做,输出还是42V0.42A。但有些元件的参数我不知取多少值D13 R28 R31 R32 R33 R34 R35,其它的是我自己标的也不知对不对你给我说一下吧,这个图是一个朋友发的也不知道行不行。谢谢。
请问下 你用的是什么牌子的示波器 什么型号?谢谢
不明白,大师,尖峰都被吸收掉了,怎么还能调大点电阻呢,请大师明示……
就是电阻调大点的话,尖峰会高一点,损耗也小一点,前提是在MOS耐压允许的情况下。
有一点不明:请问计算初级电感量时的K值如何决定?楼主文档里的例子K取1.5有什么根据?
CCM。BCM。DCM 3种情况下的K值有什么不同?盼高人解答  
仔细的研究了下,明白楼主的意思了,但是K的取值范围有0.2,取大了和取小了,设计出的电感和实际电感差别有多大?在你的例子当中,K值取了1.5,这个又是为什么呢?
此外,变压器的气隙有什么计算方法吗?
同问。K值是经验值么?为什么在别的论文中看到此K值为0.2左右,而且此K值似乎与变压器的磁化曲线有莫大联系,关乎磁化深度问题。求高人指点。
这里的K与别处看到的K是不一样的东西,这里的K表示的是初级峰值电流与磁化电流的关系,CCM时磁化电流小于初级峰值电流,所以K小于1,BCM时磁化电流等于初级峰值电流所以等于1,DCM时大于1。至于为什么这里取1.5,这个是根据IC的工作方式来确定的。由于该IC工作与DCM模式,考虑到一个合适的死区时间,所以取了1.5。当然工作于BCM或CCM也是可以的,只是不能恒流而已。
谢谢分享啊
你好,看了你帖子看了好几遍了,每次看都有点不大不小的收获,工作于BCM或CCM也是可以的,只是不能恒流而已,这句话怎么理解了
因为工作于CCM时,峰值电流不能降到0,而该控制方法是通过控制峰值电流和放电时间来控制输出电流的,如果电流峰值不能降到0的话,那电流自然就恒不住了。谢谢!
你所谓的磁化电流应该是指ΔI吧,对于CCM模式ΔI=Ipk1-Ipk2,而对于CCM和DCM模式ΔI=Ipk,所以我觉得BCM和DCM模式K值都应该是1 ,你取1.5无非是想取更大的余量吧
好贴啊,学习学习
你好,一直没有弄明白怎么算初级电感,看了你的文章很高兴。
你好,一直没有弄明白怎么算初级电感,看了你的文章很高兴。想问问和这个公式一样吗?
L=Dmax*Dmax*Vinmin*Vinmin/(2*Pin*fs*k)
L=[(Up1*Up2)/(Up1+Up2)]^2*T/2P0×0.0000001
这个是临界模式的电感公式,CCM与DCM是Ipk不一样,所以用了系数K。
楼主,谢谢你的共享,以前不懂有些地方不懂的,在这我能看到让我懂了。。谢谢你!!可不可留个Q或者邮箱等联系方式给我,以后有不懂的,能请教你。
楼主,谢谢你的共享,以前不懂的,在这我能看得懂。。谢谢你!!可不可留个Q或者邮箱等联系方式给我,以后有不懂的,能请教你。。
有问题站内短信就好了,我周末才有1~2小时上QQ的,其他时间没有空。电源网每天都会上来看看的(5~10分钟)。
哦。。好的。。对了。。关于那个变压器线径是如何选,你有没有关于变压器绕法的资料吗??一般通常哪种绕法比较好??
你好,在你反激设计里,初级次级的平均电流最大值0.0943A,是怎么算的??
学习了,谢谢这么认真的解说。
&楼主,您的推导,解决我长时间的困惑,太谢谢您了。
不知多路输出时,是否是怎么计算匝比呢?
根据总功率算初级参数,用普通方法算输出功率大的一路与初级的匝比,不同次级之间根据电压比来计算匝比。
谢谢楼主。想问一个很菜的问题,变压器绕好后,安装在电源板上,怎么判断变压器计算最合理?因为有很多经验公式,也可以计算。
方法对了,一般就那样了。
&&大师你好,我想请你帮我设计一下图纸中的变压器,输入3.3--3.6V,输出16V2A(MAX),谢谢
工作频率是多少?
感谢楼主的推导
楼主,你好,有个疑问请教你一下,既然VOR=N*VS,为什么又说VOR一般为55-80V左右,这是否矛盾。谢谢
Vor是根据MOS管的耐压来的,其他的所有有关于VOR的公式都只是以其为基准的为了推导出其他变量.
楼主:关于Vor的计算,好多公式都把MOS的耐压确定为600V,但如果不用600V耐压的MOS管,比如700V& 800V& 900V等,此时Vor不就很高了。
工作频率是50KHZ。谢谢大师!
初级电感量用60uH,变压器可以用PQ3220来做。NP=36,NS=175T,由于输入电流太大了,可能要选用更大的磁芯来做。不然会很烫;电感量不用变,匝数根据磁芯来计算。ER4220,NP=25,NS=120。初级用0.8mm*4,次级用0.55的三层绝缘线。如果还绕不下就用更大尺寸的磁芯。
谢谢大师!
楼主& 工作频率怎么选择& 一般 去经验值?
由IC本身决定的,定频一般会有:45、50
65、100、130KHz,如果不是定频的建议在50KHz。
谢谢,对于研究反激电源的很有参考价值!
谢谢楼主分享,受益匪浅!
真不错的资料,学习了
谢谢,楼主的资料定会好好学习,消化的
老师你好: 我有一个疑问,单端正激变换器,设计的开关频率是200khz,占空比为D,输入电压为90--270v,根据书上占空比公式 VO=Vin*D *ns/np& ,哪么 1.如果输入电压有变化,是否这个占空比与开关频率也会变化吗?如果这个开关频率是不会变的,这样的话,哪么这个占空比的变化的物理过程应该怎么理解?很头痛,望老师指点!
对于定频的开关频率不变,调节D,由于正激电源,变压器可以看成理想变压器,次级的储能电感可以看成是一个BUCK电路的电感,这样就好理解了。
楼主新年好!看了如此耐心的解答受益匪浅。
请问怎么确定 CCM DCM BCM工作模式?是否和电源功率有关系?
由IC的控制模式决定,普通适配器的一般是CCM,像3842、OB2268、LD7575、SG6848等;功率因数校正IC做的恒流电源一般BCM,像SA7525、L6562、FAN7527、FAN7530等;充电器控制IC用MOS管做开关管的一般DCM、像FSEZ、1016。用三机管做开关管的一般BCM,如IW1696等。
我现在要做1款输出功率45W的电源,使用OB2263 IC,那么是否应该是CCM模式?
类似功率的电源有很多,我测试了几个都是DCM工作模式,好像和你说的有点不一样?
这种带光耦反馈IC CCM、DCM、BCM都可以,只不过影响效率而已。
谢谢大师解答。我现在使用EFD30磁芯准备做1反激电源,AC90~264 输入,12V/3A输出,使用光耦反馈。PWM工作频率65K,能否帮我算算变压器参数?谢谢!
1.2mH&NP:NS:NA=57:8:12。
请问PIN哥用示波器测量开关管电压得到的波形就是占空比吗?求答案,谢谢……
求教:文档中的Vleg(漏感产生的尖峰电压)是怎么来的?有计算方法吗?和初级或次级电压有关系吗?
变压器本省的特性(不能转换到次级的那部分能量)产生的,这里假设的电压是用吸收电路吸收后的设计值。
那初级电压不同,Vleg也不同啊。初级电压和Vleg之间的映射关系是什么?
我的理解,初级电压和Vleg没有必然联系
如果考虑MOS管的耐压就有联系了。
lz很强大很耐心,永远支持!
选择磁芯 还是弄不明白。
弱弱的请教个问题:在文档资料中有个在BCM模式时,Ipp=2*Pin/Vinmax*Dmax; 话说,这其中这个2×Pin是怎么出来的呀,,
推了好久都没有推出来,,,
DCM模式与BCM模式应该公式什么的不会一样的吧,,,
 请多指教
电感的基本公式推导过来的;DCM CCM BCM的公式是一样的,不一样的是Ipk,代入不同模式下的Ipk就的到相应的公式了。
理解了,多谢指导
**此帖已被管理员删除**
谢谢楼主!新手学习。
太好了!!
有这么好的LZ,想不学会都难啊。
我对LZ的敬仰之情犹如滔滔江水,连绵不绝,又有如黄河之水泛滥,一发不可收拾也!
呵呵,学习了
那输入在380V  ac时~VOR该取多大呀
一样的算法啊,看你要用多少V的MOS管了。AC380的话Vdcmax达到537.32V,600V的MOS管是肯定行不通了。如果用800V的MOS的话,留80V的余量的话,Vor+漏感的电压就只剩下800-80-537.32=182.68V了,Vor可以取到80V吧。最小占空比=80/(80+537.32)=12.5%,这是理论值实际时还要考虑实际的最大输入电压呢,如果波动10%的话,Vdcmax将达到591V.最好用900V的MOS管了。
好贴,顶您。
你好,很感谢你的帖子,看完你的帖子我受益匪浅,现在我在模仿你的方法设计变压器,现在遇到个问题,我设计一款DC36V~60V输入,DC15V/4A输出的反激式开关恒流电源。在你的文档的例子里Vor取80V,MOS管VDS取650V,这是怎么确定?这是已知值吗?我设计的这个变压器Vor和VDS应该怎么确定,能不能Vor也取80V如果取这样取我的占空比就大于0.5了???Vleg的值我能不能也设计120V,???变压器的设计我纠结了好久了,到现在还没有弄明白,楼主请指点迷津啊。。
你的是DC电源,最大输入电压是60V,加10%的误差的话就是72V,最小输入电压是36V,同样加10%的误差就是32.4V。如果最大占空比取0.48的话,Vor为:Vor/(Vor+32.4)=0.48,Vor=30V,匝比NP:NS=2;MOS管的耐压要求,72+Vor+1.5*Vor=147V,可以用200V的。
很感谢你能在回复我的问题,我觉得问题解决了一大半,不过我还有一些不懂,你在文档中提到VDS=Vor+Vinmax+Vleg+余量,而你这里是72+Vor+1.5*Vor=147V,我想知道1.5*Vor是否等于Vleg+余量?且这里的1.5是怎么来的?Vleg要怎么确定?在文档中都没有看到气隙的设计,如果我们自制变压器时候,气隙要给多少?还有就是我设计的时候要怎样选工作模式?在上面帖子你有说到BCM和CCM不能恒流,我这是要做恒流源的,那是不是只能选DCM模式啊??&再次感谢楼主的回答,以后要好好跟楼主学习。。。
这里的1.5*Vor不包括余量,所以建议你用200V的MOS;这里的1.5的话一般使用吸收回路要达到的电压值,这个值过大的话,要求用更高电压的MOS;过小的话,功率都损耗在吸收电路了,影响效率,所以一般会用1.5左右;当然,如果MOS管耐压足够的话,可以选大一点哦,这样效率会高一点,不过高压点的MOS也贵一点的;至于什么模式的话,要看你用什么结构了,如果是带光耦反馈的话,什么模式都是可以的。如果用初级测控制的IC的话就用DCM或BCM。像这种DC/DC的话一般都会用次级LM358做恒流吧,所以用CCM咯。
我次级是用TSM103双运放,来做恒流的,这样可以用CCM模式吗?
很感谢你的细心指导。
现在我遇到一个问题,一个AC/DC电源模块,怎样测量它的的工作效率?以前遇到的是DC/DC模块,知道是输出的功率除以输入的功率。但当交流输入的时该怎么测。??
交流的话用参数仪或功率计来直接测试输入功率的。用万用表的交流挡来测试输入电压和电流也是可以的,但是不是很准哦!
你好& 我看了你的帖子学到很多,
可是我用你文章里面的公式设计的一款单级PFC LED驱动变压器,调试了好久不能正常工作,
输入交流电压 85-265&&& 效率85%&&&输出电压22V 输出电流2.2A &用的芯片是MT7930,可是根据他们提供的变压器计算工具计算出来的就能正常工作。计算工具计算的结果是感量164uH&& VOR=122& N=5.38& DMAX=0.39&&可是根据你的公式应该是DMAX=122/122+85=0.58&&&& DMAX怎么是0.39呢&&&& 还有就是初级感量根据你的公式算出来也不是164uH啊,
不知道能不能麻烦陈工帮忙计算一下,十分感谢
我用的UC3842做的恒流 不知道用什么模式 请问可以用CCM模式吗
感谢分享。
我看了你的帖子学到很多,
可是我用你文章里面的公式设计的一款单级PFC LED驱动变压器,调试了好久不能正常工作,
输入交流电压 85-265
输出电压22V 输出电流2.2A
用的芯片是MT7930,可是根据他们提供的变压器计算工具计算出来的就能正常工作。计算工具计算的结果是感量164uH
可是根据你的公式应该是DMAX=122/122+85=0.58
DMAX怎么是0.39呢
还有就是初级感量根据你的公式算出来也不是164uH啊,
不知道能不能麻烦陈工帮忙计算一下,十分感谢
工作模式不一样的,你用的这种IC只能工作在DCM模式。要知道具体的参数:工作频率,Ton,Toff时间才能计算。
小弟对开关电源设计不是太了解&&
这个工作频率参数是怎么获得的呢,是参考芯片数据手册吗,我看了下收据手册只有驱动级上升时间:50nS&& 下降时间:50nS&&&&&ton 和 toff 不是Ton=T*D
Toff=T*(1-D)
这个就是国内IC的短板了,把什么都当成秘密,规格书基本上是没有什么用的,仅仅是为了说明他公司有这个功能的产品而已。
非常感谢楼主,帖子写的非常好,特别是对于我们这种入门级的菜鸟很有指导意义啊。有个问题请教楼主:100W电源(输入:85~265Vac,三路恒压输出:5V/8A、15V/3A、-15V/1A;PF&0.95)能用单级PFC来做吗?
可以的啊,用光藕反馈,普通的PFC 控制芯片来做就好了,MOS管的容量取大一点,因为初级峰值电流会比较大,用2级的成本应该差不多?效果会好一点,输出纹波电流容易达到理想的值,用单级做的话必需用超大容量的电容来滤波,可以做,但不推荐你去做,建议你用2级的方案比较好。
多谢楼主,如果用两级来做的话不知道楼主能否给推荐几个IC啊,谢谢!
飞兆有两级集成在一片的IC,你可以去咨询一下。
多谢楼主,还有个问题就是我根据你那个单级PFC高频变压器的帖子算了下这个电源的变压器,得出初级感量:Lp=60uH;Np:Ns1:Ns2:Ns3=22:2:6:6;跟我之前算的差别还挺大,是否我算错了,楼主能否帮我纠正下,谢谢!
100w输出,假设效率0.9,输入电压范围85~265V,电感量应该在160uH左右吧,85*85*0.5*0.5/(2*(100/0.9)*50000)=162uH。普通反激的算法与PFC的有差异的。
哦,我的频率取的是100K,最大占空比也不到0.5,这里计算用的是最小频率,不知道这个频率的选取有什么要注意的没有,还有一点让我困惑的就是按Ve=Po/(100*Fs)算出来磁芯体积为:Ve=20000mm^3(Fs=50K),查表得到磁芯至少要ER42/15(Ve=19163mm^3);总觉得这磁芯没必要这么大啊,不知道楼主能不能帮看一看,是我哪里搞错了,还是本身就是需要这么大的磁芯,谢谢!
100K的话应该是80uH。
嗯,那关于上面说到的磁芯大小呢?
比PQ3230大点的应该就可以了。按上面的公式算出来的有比较大的余量了,温升控制在20~30度,实际考虑成本时可以用小一点哦。
TK5401 是ccm吗?如果在后面加电解电容 它会不会坏
LZ请教两个问题
1:输入最小电压我看有些资料写的是85*1.2=102V,和你的方法有很大相差,想知道为什么
2:输出功率是否还需要留有余量,比如16.5V0.35A,P=17.2*0.35=6W,则输出功率取6W的1.2倍左右?是否需要呢
谢谢,刚接触,有些疑问
1.2是电解电容滤波后的估计值,
恒压电源是要流余量的,恒流电源可以不要。
谢谢,那也就是说一般最小输入电压可以用102V的估计值是吗?还是用多少合适,有些不懂
由滤波电容的大小决定的。如果每瓦有1uF以上的话差不多,这个是可以计算出来的,请参考《精通开关电源设计》。
陈大,有个问题想问问,我现在做一个160V dc 350mA输出的开关电源,一般我们选择VOR=90-120V的时候,那按公式得出,次级匝数不就比初级匝数的要多吗?如果按照我们变压器最基本的原理,这个不就成为了一个升压变压器吗?而我从供应商上面得回来的匝比却是初级匝数比次级匝数要高的。
请陈大解惑,感谢
次级匝数是要比初级多来的,但是不叫升压变换器,在全电压范围内应该叫升降压。如果初级匝数要比次级多,那占空比将大于0.5,Vor大于输出。
如果初级匝数要比次级多,那占空比将大于0.5?
继续询问陈大,为什么我们是先假设VOR才确定占空比呢?我看了很多计算方法,上面都是要求先假设我们所选方案的占空比,然后才确认VOR,这样才决定匝比,
如果我们先假设VOR,那么我们VOR的取值为什么会是80V呢?
不好意思 我还没有搞明白 怎么发帖 只能点回复了 我也不明白这个问题 是先确定VOR呢 还是先确定DMAX呢 如果是先确定VOR那么这个VOR是如何确定的呢 如果先确定DMAX 那么这个DMAX一定不能大于0.5吗 在实际的工作中D有大于0.5的时候吧 望指教 谢谢
不同的IC,不同的工作模式,Dmax是不同的,正常来说先确定Vor。
VOR=Vds-(Vinmax+Vleg+余量)在还没有选定三极管的时候 怎么去确定Vds呢?Vleg又怎么去确定呢~
在选定用哪一款IC去设计的时候,这个时候设计变压器,是不是第一步先假设Dmax呢?就像之前您提到的IW1696工作在BCM模式,那这个时候Dmax设为0.5吗?
按顺序来就对了,你一定要逆着来,那就没有办法了。
顺序是怎么样的呢?在什么已知的情况下,首先确定Vor呢?多谢团长~~
MOS管,常用的无非就是600V 650V& 750V 800V的,考虑成本当然是用600V的咯,反激最大占空比最好不要大于0.5,对于带反馈的容易不稳定。
哈哈……太好了呢!我最近就按着这个档案在设计变压器,今天巧合碰到了作者!有几个疑问:
1、关于连续时候的Ipp计算。断续的时候公式可以理解,利用的三角形电流波的平均值和一个周期内的功来求的。可是连续的时候波形不是成了梯形波了吗?为什么是上面的那个式子呢?
2、AP算法的式子中那个△B是什么?
1,里面的K=1就是CRM,小于1,CCm; 大于1DCM,应该不难理解,这个是用来确定初级电流峰值的,初级电流峰值就决定了能量的多少?以及变压器的最小圈数(保证磁芯不进入饱和)
2,这个就不详细说了吧,找本磁芯的规格书就有了,△B=Bmax-Br。
那我明白了谢谢了~~
请问一下LZ,你有没有变压器的库?
LZ,我需要设计一个反激变换器的开关电源,电路图我有了,但是不知道变压器的封装,不知道该怎么弄,能帮我看下嘛?留你的QQ吧,我加你。
& & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & &望回复!
留下油箱吧,我传份变压器骨架手册给你就好了。
**此帖已被管理员删除**
还在不?我有些问题想问问你。。。
我是真正的菜鸟啊,好迷糊 我对上面的公式都能清楚,可是我对上面实际计算的时候那些单位用什么单位啊,比如BM& 我是用高斯呢还是特斯拉,磁芯截面积 我是平方厘米还是毫米&& 我好纠结啊& 还望群主指点迷津
BM:特斯拉
AE:平方毫米
楼主,我的反激电源,输出纹波过大是什么原因引起的?输出电容是4只1000UF的电容并联使用的,输出电压DC24V,纹波600mV.望楼主解惑,谢谢!
反激电源的缺点就是输出纹波电压较其他结构大,要抑制纹波电压输出可采用PI型滤波,加一个电感会好一点,但是很难抑制到很小的。其实你这个纹波电压已经算很小的了。才2.5%。
我想用SN03做款恒流电源,不知道工作模式,也不知道频率,我该用上面的什么公式,主啊
先找到datasheet 看看咯
一样的。。。
跟恒压差不多。。。
主要要知道输出的电压和电流。。。。直接按恒压设计就可。。。
很不错这贴
MARK下!!
能否也传一份变压器手册于我吧,本人最近也在研究变压器,从你的帖子中,让我对变压器有了更深的了解,你的功劳功不可没呀。
先MARK下了!!楼主牛逼
楼主你好2个问题请教下。
在你的IPPmax计算中=2*17.2*0.35/(0.76*84*0.488)式中的输出功率不是应该VO*IO嘛,VS17.2是一个感应电压在传输过程中还要经过二极管。
DS=? 如电流0.0943A 密度6A/mm平方 DS怎么算出
另在计算LP时分解公式,K是怎么跑出来的
17.2已经是加了二级管的电压,DS是铜线直径,K是电感电流纹波系数,CCM&1,CRM=1,DCM&1.
LZ,看了你的讲解,真是受益匪浅,能不能了一份资料到我的邮箱了,关于变压器的设计,谢谢!
Ds=0..0157
你的案例中=0.2726是怎么算出来的求解
还有你的Po应该是次级线圈功率吧
这个东西太久了,这个Ds是铜线的直径,算法是:面积=0..0157,直径=0.=0.005再开方*2,Ds=0.=0.14142mm。
楼主你好再辛苦你下,我还2个地方不明白
1、Vor=600-375-120-30=75
&&&&&&&&&&&&& 600开关管额定电压
&&&&&&&&&&&& 375 Vinmax=最高输入电压*1.414
我算出来的Vor是75你选的是80能分析下嘛你在没有计算的情况下设定80是怎么设定的,还有Vor是不是算出的值是多少,还是需要加百分之多少的余量
2、Vinmin=最小输入电压*1.2=最小输入电压*1.414-20(师傅教的)
你的是Vinmin=最小输入电压*1.414*(1-a)&& a这个电容因数怎么选取
最小输入电压不统一结果偏差很大,对于你的案例我算出来是
NP:215T& 在绕不下的情况下 215*0.6=129
Ns:49T&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&49*06=29
Na:49T&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 49*06=29
电感:1.63mH
漏感:1.63*0.03=48uH
帮我看下这样减圈数OK不
楼主你好再辛苦你下,我还2个地方不明白
1、Vor=600-375-120-30=75
&&&&&&&&&&&&& 600开关管额定电压
&&&&&&&&&&&& 375 Vinmax=最高输入电压*1.414
一般,30是MOS的余量,120是估算变压器漏感产生的尖锋电压(一般取100~120),实际的尖锋电压会超过这个值要用吸收回路来吸收掉,这个值越小就意味着要吸收的能量越多,影响效率;所以VOR一般取值范围在70~90之间,如果VOR越小就意味着占空比越小,峰值电流越大;所以一般取75~85为最合理的选择。
2、Vinmin=最小输入电压*1.2=最小输入电压*1.414-20(师傅教的)
你的是Vinmin=最小输入电压*1.414*(1-a)&& a这个电容因数怎么选取(这个实际上是可以计算的,请参考《开关电源设计》)
最小输入电压不统一结果偏差很大,对于你的案例我算出来是
NP:215T& 在绕不下的情况下 215*0.6=129(不能这样算的,足够的匝数才能保证变压器不进入磁饱和,正确的算发计算的是最小初级匝数:NPmin=Ippk*Lp/(Ae*B)),这里的Ippk是初级电流峰值,Lp是初级电感量,Ae是磁芯的截面积,B=Bmax-Br,一般取小于0.3。
Ns:49T&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&49*06=29
Na:49T&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 49*06=29
电感:1.63mH
漏感:1.63*0.03=48uH
帮我看下这样减圈数OK不
正激式变压器,其实没有什么特别之处,正激变压器的作用相比反激的应该更容易理解,仅仅起的是变压的作用,关键是如何消磁,使其不磁饱和。占空比最好小于0.42,电感量按最大占空比时的初级峰值电流来计算。匝比按最小输入直流电压和输出电压的比例来计算,次级储能电感量要防止饱和。
以下是我的理解:
楼主你好正激式占空比选取小于0.42,
电感量按最大占空比时的初级峰值电流来计算,在你的反激式设计中感量不就是按最大占空比时的初级峰值电流计算的Ipp=2*pin/Vinmin/Dmax
匝比按最小输入直流电压和输出电压的比例来计算,N=Vinmin/Vs
次级储能电感量要防止饱和?这个怎么控制
正激式变压器,其实没有什么特别之处,正激变压器的作用相比反激的应该更容易理解,仅仅起的是变压的作用,关键是如何消磁,使其不磁饱和。占空比最好小于0.42,电感量按最大占空比时的初级峰值电流来计算。匝比按最小输入直流电压和输出电压的比例来计算,次级储能电感量要防止饱和。
以下是我的理解:
楼主你好正激式占空比选取小于0.42,
电感量按最大占空比时的初级峰值电流来计算,在你的反激式设计中感量不就是按最大占空比时的初级峰值电流计算的Ipp=2*pin/Vinmin/Dmax
匝比按最小输入直流电压和输出电压的比例来计算,N=Vinmin/Vs(反激N=Vor/Vs)
要知道次级的峰值电流,然后设计合适的输出储能电感。
这样我们看了比较抽象,能不能传一份正激设计。
没有写,你自己去找吧。
/topic/764552
正激的资料可以看看这贴子。。。。
这个要顶,
不错,现学习中
发一个很经典的算法,不是我搞的哦,个人觉的比较适合初入门的,高手就不用看了&,对反激1-100W有用
下下来看看。。。
楼主,你好!本人在做一个80W的开关电源,用的IC是FAN6921,不知道变压器怎么设计,求帮忙!另:请发份变压器设计方面的资料给我,主要是反激式的,谢谢!
楼主:本人涉及电源行业不是很长,变压器设计还不是很懂,你能推荐几本关于变压器设计的书籍给我看看吗?我想由易到难的看,谢谢!
楼主的壮举真是惊天地!用了一个下午看楼主的贴 子~!收获不少,以前很多不明白的都在楼主的回复中得到了答案!感谢楼主这样的大好人!
陈工我看了你的资料,CCM 模式下电感量的计算你是用这个公式Lp=Vinmin*Tonmax/Ipp=Vinmin*Vinmin*Dmax*Dmax/(2*Pin*fs*K)你后面的设计例子那个IC是工作在DCM的也是用这个公式,只是CCM时K取值小于1& DCM时K职值大于1,我可以这样理解吗?这样理解对吗?有空希望解答下,谢谢!
晕倒。。。
CCM是K为0.6
DCM是K为1吧?
大侠不要晕倒,初学很多不懂,我是看了陈工的资料,他那里是这样写的,K=1为BCM,K〈1为CCM&&&& K〉1为DCM,
谢分享 &再请问各位大大有没有飞磁的磁芯目录 有的话发我邮箱 谢谢
学习拉~不过还是要自己算一才明白~
谢谢楼主无私的奉献!
LZ 您好,看过您整片帖子,收益匪浅,先表感谢,楼主幸苦了!对于您的算法,本人有一处尚不明白,还望不吝赐教。
“”对于 CCM 模式:由于电流并没有下降到 0,所以 Ippccm=K*IppBCM,K 小于 1。
所以:Lp=Vinmin*Tonmax/Ipp=Vinmin*Vinmin*Dmax*Dmax/(2*Pin*fs*K)
当输入为窄电压时:K 取 0.6~0.8
当输入为宽电压时:K 取 0.4~0.6”“
上述里面公式:(1)Ippccm=K*IppBCM。是什么意思,“Ippccm,IppBCM”是指连续模式和临界模式下的峰值电流吗?(2)如果是,这个公式又是怎么推出来的,因为明显Ippccm,和IppBCM是两个不同的工作状态,两个不同的状态参量,同一个变压器,不同状态下,(3)计算时,Ippccm,和IppBcm,如何确定呢?
平哥,有没有关于Bmax-Br的变压器规格书啊,我找了好久没有找到关于这个的,你有吗?可以发到我的邮箱吗?
您好,我是一名学生,刚学开关电源。用您提供的方法,设计了一个升压的flyback,D=0.4,f=40KHz,输入15-21V,输出36V,2A。这样我得到的原边电感才8uH左右,太小了吧,然后电流达到几十安培了。。。不太会,求指教
陈工,你好,很久没见你上来了,我用GL8211做了一个降压非隔离电源,用示波器测试栅极那里有一些过冲,还有一点点振荡,请问有什么办法可以改善?
这个方法做出来的是按照DCM模式设计的么
平哥 &我也是个初学者 & 看了您的资料我受益匪浅 &但是有个地方始终不明白 & 您平均电流是怎么算出来的了 &还有就是算线径不是按初级电流有效值算吗? 如果您有时间 &把在知道能否把怎么计算线径的方法在写的详细 & 呵呵 &感激不尽 &
陈兄,可有大功率,半桥之类的IC推荐 几个,想用半桥搞一个200W的电源
请问楼主你这个效率是怎么给出的??望答复,谢谢。&
这个是先自已定的。
如果有经验。就大概知道这个电压段效率了。
新手,跪求有关变压器绕制的视频教程!!!!
占个位置,有时间再来学习!!
我是新手,学习下,另外想知道绕在磁芯上的匝数与磁芯AL值的计算方法
不得不承认这是一个好帖
老兄可知道这种计算方法
MARK一下,正在学着做反激电源。
看了N多反激设计资料,仍是一知半解。
直到你的帖子出现,之前的疑惑烟消云散。
写的好,初学者的福音。
希望以后看能得到你的帮助!谢谢
反射电压为什么选那么多?有依据吗?依据是啥?
初级线圈就按哪个计算出来就可以了?输入高压时确定不会饱和?如果饱和,为什么?
如何验算?
不搞清楚不要随便乱发,好多刚入门的人这样会被你害死的。
学习中,明白了很多!,也还有好多不懂
收藏了,以后慢慢学习,谢了
超棒的帖子,正在学习中
收藏起来!
来迟了,这个一定要顶一个。
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