整流二极管_百度百科
整流二极管
一种将交流电能转变为直流电能的。通常它包含一个PN结，有正极和两个端子。二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。
整流二极管(rectifier diode)一种用于将交流电转变为直流电的。二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。通常它包含一个，有正极和两个端子。其结构如图所示。P区的载流子是,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的（典型值为0.7V）,称为正向导通。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的，流过很小的（称反向），称为。整流二极管具有明显的。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频，如需达到需连成使用。
常用二极管的符号
二极管结构
1N4001外形尺寸
整流二极管，图上有银色圈一端是负极
整流一般为平面型二极管，用于各种电源整流电路中。
选用整流二极管时，主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及等参数。
普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。例如，1N系列、2CZ系列、RLR系列等。
开关稳压电源的整流电路及整流电路中使用的整流二极管，应选用工作频率较高、反向恢复时间较短的整流二极管（例如RU系列、EU系列、V系列、1SR系列等）或选择快恢复二极管。还有一种肖特基整流二极管。
整流二极管是利用PN结的单向导电特性，把交流电变成脉动直流电。整流二极管漏电流较大,多数采用面接触性料封装的二极管。整流二极管的外形如图1所示，另外，整流二极管的参数除前面介绍的几个外，还有最大整流电流，是指整流二极管长时间的工作所允许通过的最大电流值。它是整流二极管的主要参数，是选项用整流二极管的主要依据。
二极管特性曲线
（1）最大平均整流电流IF：指二极管长期工作时允许通过的最大。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。
（2）VR：指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向被破坏，从而引起反向击穿。通常取(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N6分别为100V、200V、400V、600V和800V，1N4007的VR为1000V
（3）最大反向电流IR：它是二极管在最高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二极管质量越好。
（4）击穿电压VB：指二极管反向急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。
（5）最高工作频率fm：它是二极管在正常情况下的最高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。另有快恢复二极管用于频率较高的交流电的整流，如开关电源中。
（6）反向恢复时间trr：指在规定的负载、及最大反向下的反向恢复时间。
（7）零偏压电容CO：指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于10uA，而在100°C时IR则变为小于500uA。
（1）防雷、过电压保护措施不力。整流装置末设置防雷、过电压保护装置，即使设置了防雷、过电压保护装置，但其工作不可靠，因雷击或过电压而损坏。
（2）运行条件恶劣。间接传动的发电机组，因转速之比的计算不正确或两皮带盘直径之比不符合转速之比的要求，使发电机长期处于高转速下运行，而整流管也就长期处于较高的电压下工作，促使整流管加速老化，并被过早地击穿损坏。
（3）运行管理欠佳。值班运行人员工作不负责任，对外界负荷的变化(特别是在深夜零点至第二天上午6点之间)不了解，或是当外界发生了甩负荷故障，运行人员没有及时进行相应的操作处理，产生过电压而将整流管击穿损坏。
（4）设备安装或制造质量不过关。由于发电机组长期处于较大的振动之中运行，使整流管也处于这一振动的外力干扰之下；同时由于发电机组转速时高时低，使整流管承受的工作电压也随之忽高忽低地变化，这样便大大地加速了整流管的老化、损坏。
（5）整流管规格型号不符。更换新整流管时错将工作参数不符合要求的管子换上或者接线错误，造成整流管击穿损坏。
（6）整流管安全裕量偏小。整流管的过电压、过电流安全裕量偏小，使整流管承受不起发电机励磁回路中发生的过电压或过电流暂态过程峰值的袭击而损坏。
整流二极管损坏后，可以用同型号的整流二极管或参数相同其它型号整流二极管代换。
通常，高耐压值（反向电压）的整流二极管可以代换低耐压值的整流二极管，而低耐压值的整流二极管不能代换高耐压值的整流二极管。整流电流值高的二极管可以代换整流电流值低的二极管，而整流电流值低的二极管则不能代换整流电流值高的二极管。
首先将中的整流二极管全部拆下，用的100×R或1000×R档，测量整流二极管的两根引出线(头、尾对调各测一次)。若两次测得的电阻值相差很大，例如电阻值大的高达几百KΩ到无穷大，而电阻值小的仅几百Ω甚至更小，说明该二极管是好的(发生了软击穿的除外)。若两次测得的电阻值几乎相等，而且电阻值很小，说明该二极管已被击穿损坏，不能使用。如果两次测量的阻值都是无穷大，说明此二极管已经内部断开，不能使用。
二极管型号，用途，最高反向工作电压VR，最大平均整流电流IF
1N4001 硅整流二极管 50V, 1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A)
1N4002 硅整流二极管 100V, 1A,
1N4003 硅整流二极管 200V, 1A,
1N4004 硅整流二极管 400V, 1A,
1N4005 硅整流二极管 600V, 1A,
1N4006 硅整流二极管 800V, 1A,
1N4007 硅整流二极管 1000V, 1A,
1N4148 硅开关二极管 75V, 4PF,Ir=25nA,Vf=1V,
1N5391 硅整流二极管 50V, 1.5A,(Ir=10uA,Vf=1.4V,Ifs=50A)
1N5392 硅整流二极管 100V,1.5A,
1N5393 硅整流二极管 200V,1.5A,
1N5394 硅整流二极管 300V,1.5A,
1N5395 硅整流二极管 400V,1.5A,
1N5396 硅整流二极管 500V,1.5A,
1N5397 硅整流二极管 600V,1.5A,
1N5398 硅整流二极管 800V,1.5A,
1N5399 硅整流二极管 A,
1N5400 硅整流二极管 50V, 3A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150A)
1N5401 硅整流二极管 100V,3A,
1N5402 硅整流二极管 200V,3A,
1N5403 硅整流二极管 300V,3A,
1N5404 硅整流二极管 400V,3A,
1N5405 硅整流二极管 500V,3A,
1N5406 硅整流二极管 600V,3A,
1N5407 硅整流二极管 800V,3A,
1N5408 硅整流二极管 1000V,3A,
1S1553 硅开关二极管 70V,100mA,300mW, 3.5PF,300ma,
1S1554 硅开关二极管 55V,100mA,300mW, 3.5PF,300ma,
1S1555 硅开关二极管 35V,100mA,300mW, 3.5PF,300ma,
1S2076 硅开关二极管 35V,150mA,250mW, 8nS, 3PF,450ma, Ir≤1uA,Vf≤0.8V,≤1.8PF,
1S2076A 硅开关二极管 70V,150mA,250mW,8nS, 3PF,450ma, 60V, Ir≤1uA,Vf≤0.8V,≤1.8PF,
1S2471 硅开关二极管 80V, Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤2PF,
1S2471B 硅开关二极管 90V,150mA,250mW,3nS,3PF,450ma,
1S2471V 硅开关二极管 90V,130mA,300mW,4nS,2PF,400ma,
1S2472 硅开关二极管 50V, Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤2PF,
1S2473 硅开关二极管 35V, Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤3PF,
1S2473H 硅开关二极管 40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma,
2AN1 二极管 5A, f=100KHz
2CK100 硅开关二极管 40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma,
2CK101 硅开关二极管 70V,150mA,250mW,8nS, 3PF,450ma,
2CK102 硅开关二极管 35V,150mA,250mW, 8nS, 3PF,450ma,
2CK103 硅开关二极管 20V,100mA, 2PF,100ma,
2CK104 硅开关二极管 35V,100mA, 10nS,2PF,225ma,
2CK105 硅开关二极管 35V,100mA, 4nS,2PF,225ma,
2CK106 硅开关二极管 75V,100mA, 4nS,2PF,100ma,
2CK107 硅开关二极管 90V,130mA,300mW,4nS,2PF,400ma,
2CK108 硅开关二极管 70V,100mA,300mW, 3.5PF,300ma,
2CK109 硅开关二极管 35V,100mA,300mW, 3.5PF,300ma,
2CK110 硅开关二极管 90V,150mA,250mW,3nS,3PF,450ma,
2CK111 硅开关二极管 55V,100mA,300mW, 3.5PF,300ma,
2CK150 硅开关二极管 15V, Ir≤25nA, Vf≤1.2V,≤2PF,
2CK161 硅开关二极管 15V, Ir≤25nA, Vf≤1.2V,≤2PF,
2CK4148 硅开关二极管 75V, Ir≤25nA,Vf=1V,4PF,
2CK2076 硅开关二极管 35V, Ir≤1uA,Vf≤0.8V, ≤1.8PF,
2CK2076A硅开关二极管 60V, Ir≤1uA,Vf≤0.8V, ≤1.8PF,
2CK2471 硅开关二极管 80V, Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤2PF,
2CK2472 硅开关二极管 50V, Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤2PF,
2CK2473 硅开关二极管 35V, Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤3PF,
2CN1A 硅二极管 400V, 1A, f=100KHz,
2CN1B 硅二极管 100V, 1A, f=100KHz,
2CN3 硅二极管 V, 1A, f=100KHz,
2CN3D 硅二极管 V, 1A, f=100KHz,
2CN3E 硅二极管 V, 1A, f=100KHz,
2CN3F 硅二极管 V, 1A, f=100KHz,
2CN3G 硅二极管 V, 1A, f=100KHz,
2CN3H 硅二极管 V, 1A, f=100KHz,
2CN3I 硅二极管 V, 1A, f=100KHz,
2CN3K 硅二极管 V, 1A, f=100KHz,
2CN4D 硅二极管 V, 1.5A,f=100KHz,
2CN5D 硅二极管 V, 1.5A, f=100KHz,
2CN6 硅二极管 V, 1A, f=100KHz,
2CP1553 硅二极管 Ir≤0.5uA,Vf≤1.4V,≤3.5PF,
2CP1554 硅二极管 Ir≤0.5uA,Vf≤1.4V,≤3.5PF,
2CP1555 硅二极管 Ir≤0.5uA,Vf≤1.4V,≤3.5PF, [1]
．www.bbsdiy.net[引用日期]什么是二极管? - 快星半导体
电源管理IC
什么是二极管?
什么是二极管？
&&&&& 二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)，还有早期的真空电子二极管；它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。一般来说，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的pn结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于pn结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。
二极管的正向性外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。
二极管的反向性外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流，由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。
二极管的击穿
外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。 　　二极管是一种具有单向导电的二端器件，有电子二极管和晶体二极管之分，电子二极管现已很少见到，比较常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单向导电特性，几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。 　　二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。 主要有三种颜色，具体压降参考值如下：红色发光二极管的压降为2.0--2.2V，黄色发光二极管的压降为1.8&2.0V，绿色发光二极管的压降为3.0&3.2V，正常发光时的额定电流约为20mA。 　　二极管的电压与电流不是线性关系，所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。
二极管的特性曲线与PN结一样，二极管具有单向导电性。硅二极管典型伏安特性曲线（图）。在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过0.6V时，电流开始按指数规律增大，通常称此为二极管的开启电压；当电压达到约0.7V时，二极管处于完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压，用符号UD表示。 　　对于锗二极管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。& 在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增大，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏。
二极管的反向击穿　　齐纳击穿 　　反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。 　　雪崩击穿 　　另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结永久性损坏。
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联系人：容小姐,向先生半导体二极管的特点是电流只能______,不能_______._百度知道
半导体二极管的特点是电流只能______,不能_______.
发光二极管的应用有（ ）,（ ）.希望能解释下答案。
提问者采纳
二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出 照明，信号传输.比如现在用的LED手电筒，用的是发出可见光的二极管和能发出红外线的二极管我们平时用的遥控器，
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