硅是什么?_百度作业帮
硅以大量的硅酸盐矿和石英矿存在于自然界中.如果说碳是组成生物界的主要元素,那么,硅就是构成地球上矿物界的主要元素.硅在地壳中的丰度为27.7%,在所有的元素中居第二位,地壳中含量最多的元素氧和硅结合形成的二氧化硅SiO2,占地壳总质量的87%.我们脚下的泥土、石头和沙子,我们使用的砖、瓦、水泥、玻璃和陶瓷等等,这些我们在日常生活中经常遇到的物质,都是硅的化合物.硅,真是遍布世界,俯拾即是的元素.单晶硅和多晶硅的区别是,当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,则形成单晶硅.如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则形成多晶硅.硅有晶态和无定形两种同素异形体.晶态硅又分为单晶硅和多晶硅,它们均具有金刚石晶格,晶体硬而脆,具有金属光泽,能导电,但导电率不及金属,且随温度升高而增加,具有半导体性质.晶态硅的熔点1410C,沸点2355C,密无定形硅是一种黑灰色的粉末.硅的化学性质 硅在常温下不活泼,其主要的化学性质如下：(1)与非金属作用 常温下Si只能与F2反应,在F2中瞬间燃烧,生成SiF4.Si+F2 === Si+F4 加热时,能与其它卤素反应生成卤化硅,与氧反应生成SiO2:Si+2F2 SiF4 (X=Cl,Br,I) Si+O2 SiO2 (SiO2的微观结构) 在高温下,硅与碳、氮、硫等非金属单质化合,分别生成碳化硅SiC、氮化硅Si3N4和硫化硅SiS2等.Si+C SiC 3Si+2N2 Si3N4 Si+2S SiS2 (2)与酸作用 Si在含氧酸中被钝化,但与氢氟酸及其混合酸反应,生成SiF4或H2SiF6:Si+4HF SiF4↑+2H2↑ 3Si+4HNO3+18HF === 3H2SiF6+4NO↑+8H2O (3)与碱作用 无定形硅能与碱猛烈反应生成可溶性硅酸盐,并放出氢气：Si+2NaOH+H2O === Na2SiO3+2H2↑ (4)与金属作用 硅还能与钙、镁、铜、铁、铂、铋等化合,生成相应的金属硅化物.硅的用途 ①高纯的单晶硅是重要的半导体材料.在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素,形成p型硅半导体；掺入微量的第VA族元素,形成n型和p型半导体结合在一起,就可做成太阳能电池,将辐射能转变为电能.在开发能源方面是一种很有前途的材料.②金属陶瓷、宇宙航行的重要材料.将陶瓷和金属混合烧结,制成金属陶瓷复合材料,它耐高温,富韧性,可以切割,既继承了金属和陶瓷的各自的优点,又弥补了两者的先天缺陷.可应用于军事武器的制造 第一架航天飞机“哥伦比亚号”能抵挡住高速穿行稠密大气时磨擦产生的高温,全靠它那三万一千块硅瓦拼砌成的外壳.③光导纤维通信,最新的现代通信手段.用纯二氧化硅拉制出高透明度的玻璃纤维,激光在玻璃纤维的通路里,无数次的全反射向前传输,代替了笨重的电缆.光纤通信容量高,一根头发丝那么细的玻璃纤维,可以同时传输256路电话,它还不受电、磁干扰,不怕窃听,具有高度的保密性.光纤通信将会使 21世纪人类的生活发生革命性巨变.聚氧硅材料的应用1 ④性能优异的硅有机化合物.例如有机硅塑料是极好的防水涂布材料.在地下铁道四壁喷涂有机硅,可以一劳永逸地解决渗水问题.在古文物、雕塑的外表,涂一层薄薄的有机硅塑料,可以防止青苔滋生,抵挡风吹雨淋和风化.天安门广场上的人民英雄纪念碑,便是经过有机硅塑料处理表面的,因此永远洁白、清新.硅橡胶具有良好的绝缘改组,长期不龟裂、不老化,没有毒性,还可以作为医用高分子材料.硅油,是一种很好的润滑剂,由于它的粘度受温度变化的影响小,流动性好,蒸气压低,在高温或寒冷的环境中都能使用.硅元素进入有机世界,将它优异的无机性质揉进有机物里,使有机硅化合物别具一格,开辟了新的领域.[电子]amorphous silicon
The company also uses triple - junction amorphous silicon cells, and its modules be attached to roofing materials.
这家公司也使用了三结非晶硅电池, 并且它们的电池也能铺设在屋顶上.
Recent progress in research, development and application for a Si solar cells are reviewed.
综述了非晶硅(a-Si)太阳电池在研究 、 开发和应用方面的新进展.
It researches the digital radiography technology based on the amorphous silicon flat panel detector.
研究了基于非晶硅面阵探测器的对焊缝数字射线检测技术.
1.amorphous silicon
1.amorphous silicon
amorphous silicon α-Si 又称。单质硅的一种形态。棕黑色或灰黑色的微晶体。硅不具有完整的金刚石晶胞，纯度不高。熔点、密度和硬度也明显低于晶体硅。
有非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)、铜铟硒系(CIS、CIGs)和碲化镉(CdTe)、染料敏化TiO。
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Amorphous Silicon
非晶硅（Amorphous Silicon），为硅的一种形态，原子成混乱排列，但对光有较佳吸收率是其特点，在太阳能电池中为主要的发电层 …
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amorphous silicon, a-Si
非晶硅(Amorphous silicon, a-Si)，又名无定形硅，是硅的一种同素异形体。晶体硅通常呈正四面体排列，每一个硅原子位于正四面体 …
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注：TFT LCD可分为多晶硅(Poly-Si TFT)与非晶硅(a-Si TFT)，两者的差异在于电晶体特性不同。多晶硅的分子结构在一颗晶粒（Grain…
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非晶硅薄膜
a-Si thin film 　　　　二、非晶硅薄膜（a-Si thin film）太阳能电池工艺及技术发展　　　　三、碲化镉（CdTe）系薄膜太阳能电池工艺及技术发展 　　　　四、砷化镓（G…
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a-Si film 非晶硅薄膜,amorphous silicon... ... ) a-Si:H film 非晶硅薄膜 ) a-Si film 非晶硅薄膜 ) a-Si thin film 非晶硅薄膜.
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非晶硅太阳能电池
Amorphous silicon solar cell 孤独星空 - 孤独星空 - 网易博客 ... AC 交流电 Amorphous silicon solar cell 非晶硅太阳能电池 Ampère 安培.
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a-SiGe ...更充分地利用太阳光谱. 因微晶硅薄膜和多晶硅薄膜比非晶硅锗(a-SiGe)具有更窄的带隙(1.12eV),用a-Si/μc-Si和a-Si/poly-Si叠层结.
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单质硅是比较活泼的一种非金属元素，它能和96种稳定元素中的64种元素形成化合物。硅的主要用途是取决于它的半导性。硅材料是当前最重要的半导材料。世界年产量约为3×10^6kg。
性质概括：带有金属光泽的灰黑色固体、硬度大、有脆性、常温下化学性质不活泼.
晶体硅：一个直径75mm的，可集成几万至几十万甚至几百万个元件，形成了，从而出现了微型计算机、微处理机等。由于当前信息工程的发展，硅主要用于微电子技术。以硅晶闸管为主的电力半导体器件，元件越做越大，与硅相比集成电路正相反，在直径为75mm的硅片上，只做一个能承受几kA电流和几kV电压的元件，这种元件渗透到电子、电力、控制3个领域就形成了一门新学科——电力电子学。为适应大规模集成电路的发展、正向大直径、高纯度、高均匀性，无缺陷方向发展。最大硅片直径已达150mm，实验室的高纯硅接近理论极限纯度。常用的太阳能电池是硅电池。如果在1平方米面积上铺满硅，就可以得到100W电力。的性能稳定，高，体积小，重量轻，很适合作太空航天器上的电源。美国的大型航天器——太空实验室上就安装有4块太阳能电池帆板，它们是由平方厘米大小的单晶硅太阳能电池排列组成的，发电功率大约为12KW。
晶体硅包括和，晶体硅的制备方法大致是先用碳还原SiO2成为Si，用HCl反应再提纯获得更高纯度多晶硅，单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或，然后用或从熔体中生长出棒状单晶硅。硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%，甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。
熔融的单质硅在凝固时硅原子以排列成许多，如果这些晶核长成晶面取向相同的，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。
制造和原理
“硅”是我们这个星球上储藏最丰量的材料之一。自从19世纪科学家们发现了晶体硅的半导体特性后，它几乎
晶体硅太阳能电池
改变了一切，甚至人类的思维。20世纪末，我们的生活中处处可见“硅”的身影和作用，晶体硅太阳能电池是近15年来形成产业化最快的。生产过程大致可分为五个步骤：a、提纯过程 b、拉棒过程 c、切片过程 d、制电池过程 e、封装过程。
太阳光照在半导体p-n结上，形成新的——电子对，在p-n结电场的作用下，空穴由n区流向p区，电子由p区流向n区，接通电路后就形成电流。这就是太阳能电池的工作原理。
化学及物理性质
具有的物理性质，有较弱的，其随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。硅材料_百度百科
重要的半导体材料，化学元素符号Si，电子工业上使用的硅应具有高纯度和优良的电学和机械等性能。硅是产量最大、应用最广的半导体材料，它的产量和用量标志着一个国家的电子工业水平。
在研究和生产中，硅材料与硅器件相互促进。在第二次世界大战中，开始用硅制作雷达的高频晶体检波器。所用的硅纯度很低又非单晶体。1950年制出第一只硅晶体管，提高了人们制备优质硅单晶的兴趣。1952年用直拉法(CZ)培育硅单晶成功。1953年又研究出无坩埚区域熔化法(FZ)，既可进行物理提纯又能拉制单晶。1955年开始采用锌还原四氯化硅法生产纯硅，但不能满足制造晶体管的要求。1956年研究成功氢还原三氯氢硅法。对硅中微量杂质又经过一段时间的探索后，氢还原三氯氢硅法成为一种主要的方法。到1960年，用这种方法进行工业生产已具规模。硅整流器与硅闸流管的问世促使硅材料的生产一跃而居半导体材料的首位。60年代硅外延生长单晶技术和硅平面工艺的出现，不但使硅晶体管制造技术趋于成熟，而且促使集成电路迅速发展。80年代初全世界产量已达2500吨。硅还是有前途的太阳电池材料之一。用多晶硅制造太阳电池的技术已经成熟；无定形膜的研究进展迅速；非晶硅太阳电池开始进入市场。
硅是元素半导体。电活性杂质磷和在合格半导体和多晶硅中应分别低于0.4ppb和0.1ppb。拉制单晶时要掺入一定量的电活性杂质，以获得所要求的导电类型和电阻率。铜、金、铁等和非金属碳都是极有害的杂质，它们的存在会使PN结性能变坏。硅中碳含量较高，低于1ppm者可认为是低碳单晶。碳含量超过3ppm时其有害作用已较显著。硅中氧含量甚高。氧的存在有益也有害。直拉硅单晶氧含量在5～40ppm范围内；区熔硅单晶氧含量可低于1ppm。
硅具有优良的半导体电学性质。禁带宽度适中，为1.12电子伏。较高，电子迁移率为1350厘米2/伏·秒，空穴迁移率为480厘米2/伏·秒。本征电阻率在室温(300K)下高达2.3×105欧·厘米,掺杂后电阻率可控制在104～10-4 欧·厘米的宽广范围内，能满足制造各种器件的需要。硅单晶的非平衡少数载流子寿命较长,在几十微秒至1毫秒之间。热导率较大。化学性质稳定，又易于形成稳定的热氧化膜。在平面型硅器件制造中可以用氧化膜实现PN结表面钝化和保护，还可以形成金属-氧化物-半导体结构,制造MOS和集成电路。上述性质使PN结具有良好特性，使硅器件具有耐高压、反向漏电流小、效率高、使用寿命长、可靠性好、热传导好，并能在200高温下运行等优点。
硅单晶主要技术参数有导电类型、电阻率与均匀度、非平衡载流子寿命、晶向与晶向偏离度、晶体缺陷等。
导电类型 　导电类型由掺入的施主或受主杂质决定。P型单晶多掺硼，N型单晶多掺磷,外延片衬底用N型单晶掺锑或砷。
电阻率与均匀度 　拉制单晶时掺入一定杂质以控制单晶的电阻率。由于杂质分布不匀，电阻率也不均匀。电阻率均匀性包括纵向电阻率均匀度、断面电阻率均匀度和微区电阻率均匀度。它直接影响器件参数的一致性和成品率。
非平衡载流子寿命 　光照或电注入产生的附加电子和空穴瞬即复合而消失，它们平均存在的时间称为非平衡载流子的寿命。非平衡载流子寿命同器件放大倍数、反向电流和开关特性等均有关系。寿命值又间接地反映硅单晶的纯度，存在重金属杂质会使寿命值大大降低。
晶向与晶向偏离度 　常用的单晶晶向多为 (111)和(100)（见图）。晶体的轴与晶体方向不吻合时，其偏离的角度称为晶向偏离度。
生产电子器件用的硅单晶除对位错密度有一定限制外，不允许有小角度晶界、位错排、星形结构等缺陷存在。位错密度低于 200/厘米2者称为无位错单晶，无位错硅单晶占产量的大多数。在无位错硅单晶中还存在杂质原子、空位团、自间隙原子团、氧碳或其他杂质的沉淀物等微缺陷。微缺陷集合成圈状或螺旋状者称为旋涡缺陷。热加工过程中，硅单晶微缺陷间的相互作用及变化直接影响集成电路的成败。
单晶硅的制作
硅单晶按拉制方法不同分为无坩埚区熔(FZ)单晶与有坩埚直拉(CZ)单晶。区熔单晶不受坩埚污染，纯度较高，适于生产电阻率高于20欧·厘米的N型硅单晶（包括中子嬗变掺杂单晶）和高阻 P型硅单晶。由于含氧量低，区熔单晶机械强度较差。大量区熔单晶用于制造高压整流器、晶体闸流管、高压晶体管等器件。直接法易于获得大直径单晶，但纯度低于区熔单晶，适于生产20欧·厘米以下的硅单
晶。由于含氧量高,直拉单晶机械强度较好。大量直拉单晶用于制造MOS集成电路、大功率晶体管等器件。外延片衬底单晶也用直拉法生产。硅单晶商品多制成抛光片，但对FZ与CZ单晶片须加以区别。外延片是在硅单晶片衬底（或尖晶石、蓝宝石等绝缘衬底）上外延生长硅单晶薄层而制成，大量用于制造、高频晶体管、小功率晶体管等器件。
单晶硅的应用
在中的应用，高纯的单晶硅是重要的半导体材料。在光伏技术和微小型半导体逆变器技术飞速发展的今天，利用硅单晶所生产的太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能，实现了迈向绿色能源革命的开始。
硅是地壳上最丰富的元素半导体, 性质优越而工艺技术比较成熟,已成为的主要原料。为适应超大规模集成电路的需要,高完整性高均匀度(尤其是氧的分布) 的硅单晶制备技术正在发展。虽然在超速集成电路方面砷化镓材料表现出巨大的优越性，但尚不可能全面取代硅的地位。硅材料在各种晶体三极管、尤其是功率器件制造方面仍是最主要的材料。无定形硅可能成为同单晶硅并列的重要硅材料。无定形硅和多晶硅太阳电池的成功将使硅材料的消耗量急剧增加。什么是硅晶片
什么是硅晶片
& && & 硅是一种灰色、易碎、四价的非金属化学元素。地壳成分中27.8%是硅元素构成的，其次是氧元素，硅是自然界中最丰富的元素。在石英、玛瑙、燧石和普通的滩石中就可以发现硅元素。硅是建筑材料水泥、砖、和玻璃中的主要成分，也是大多数半导体和微电子芯片的主要原料。有意思的是，硅自身的导电性并不是很好。然而，可以通过添加适当的搀杂剂来精确控制它的电阻率。
& && & 制造半导体前，必须将硅转换为晶圆片。这要从硅锭的生长开始。单晶硅是原子以三维空间模式周期形成的固体，这种模式贯穿整个材料。多晶硅是很多具有不同晶向的小单晶体单独形成的，不能用来做半导体电路。多晶硅必须融化成单晶体，才能加工成半导体应用中使用的晶圆片。
加工硅晶片
& && & 生成一个硅锭要花一周到一个月的时间，这取决于很多因素，包括大小、质量和终端用户要求。超过 75%的单晶硅晶圆片都是通过 Czochralski (CZ) 方法生长的。CZ 硅锭生长需要大块的纯净多晶硅将这些块状物连同少量的特殊III、V族元素放置在石英坩埚中，这称为搀杂。 加入的搀杂剂使那些长大的硅锭表现出所需要的电特性。最普通的搀杂剂是硼、磷、砷和锑。因使用的搀杂剂不同，会成为一个 P 型或 N型的硅锭（P 型 / 硼 ， N 型 / 磷、 锑、砷）。
& && & 然后将这些物质加热到硅的熔点--摄氏1420度之上。一旦多晶硅和搀杂剂混合物熔解，便将单晶硅种子放在熔解物的上面，只接触表面。种子与要求的成品硅锭有相同的晶向。为了使搀杂均匀，子晶和用来熔化硅的坩埚要以相反的方向旋转。一旦达到晶体生长的条件，子晶就从熔化物中慢慢被提起。生长过程开始于快速提拉子晶，以便使生长过程初期中子晶内的晶缺陷降到最少。然后降低拖拉速度，使晶体的直径增大。当达到所要求的直径时，生长条件就稳定下来以保持该直径。因为种子是慢慢浮出熔化物的，种子和熔化物间的表面张力在子晶表面上形成一层薄的硅膜，然后冷却。冷却时，已熔化硅中的原子会按照子晶的晶体结构自我定向。
& && & 硅锭完全长大时，它的初始直径要比最终晶圆片要求的直径大一点。接下来硅锭被刻出一个小豁口或一个小平面，以显示晶向。一旦通过检查，就将硅锭切割成晶圆片。由于硅很硬，要用金刚石锯来准确切割晶圆片，以得到比要求尺寸要厚一些的晶片。金刚石锯也有助于减少对晶圆片的损伤、厚度不均、弯曲以及翘曲缺陷。
& && &&&切割晶圆片后，开始进入研磨工艺。研磨晶圆片以减少正面和背面的锯痕和表面损伤。同时打薄晶圆片并帮助释放切割过程中积累的硬力。研磨后，进入刻蚀和清洗工艺，使用氢氧化钠、乙酸和硝酸的混合物以减轻磨片过程中产生的损伤和裂纹。关键的倒角工艺是要将晶圆片的边缘磨圆，彻底消除将来电路制作过程中破损的可能性。倒角后，要按照最终用户的要求，经常需要对边缘进行抛光，提高整体清洁度以进一步减少破损。
& && & 生产过程中最重要的工艺是抛光晶圆片，此工艺在超净间中进行。超净间从一到一万分级，这些级数对应于每立方米空间中的颗粒数。这些颗粒在没有控制的大气环境下肉眼是不可见的。例如起居室或办公室中颗粒的数目大致在每立方米五百万个。为了保持洁净水平，生产工人必须穿能盖住全身且不吸引和携带颗粒的洁净服。在进入超净间前，工人必须进入吸尘室内以吹走可能积聚的任何颗粒。
& && & 大多数生产型晶圆片都要经过两三次的抛光, 抛光料是细浆或者抛光化合物。多数情况下，晶圆片仅仅是正面抛光，而300毫米的晶圆片需要双面抛光。除双面抛光以外，抛光将使晶圆片的一面象镜面一样。抛光面用来生产电路，这面必须没有任何突起、微纹、划痕和残留损伤。抛光过程分为两个步骤，切削和最终抛光。这两步都要用到抛光垫和抛光浆。切削过程是去除硅上薄薄的一层，以生产出表面没有损伤的晶圆片。最终抛光并不去除任何物质，只是从抛光表面去除切削过程中产生的微坑。
& && & 抛光后，晶圆片要通过一系列清洗槽的清洗，这一过程是为去除表面颗粒、金属划痕和残留物。之后，要经常进行背面擦洗以去除最小的颗粒。
& && & 这些晶圆片经过清洗后，将他们按照最终用户的要求分类，并在高强度灯光或激光扫描系统下检查，以便发现不必要的颗粒或其他缺陷。一旦通过一系列的严格检测，最终的晶圆片即被包装在片盒中并用胶带密封。然后把它们放在真空封装的塑料箱子里，外部再用防护紧密的箱子封装，以确保离开超净间时没有任何颗粒和湿气进入片盒。
& && & 半导体或芯片是由硅生产出来的。晶圆片上刻蚀出数以百万计的晶体管，这些晶体管比人的头发要细小上百倍。半导体通过控制电流来管理数据，形成各种文字、数字、声音、图象和色彩。它们被广泛用于集成电路，并间接被地球上的每个人使用。这些应用有些是日常应用，如计算机、电信和电视，还有的应用于先进的微波传送、激光转换系统、医疗诊断和治疗设备、防御系统和NASA航天飞机。
我有几点不明白 硅晶圆上的晶体管是怎么排列的??? 是均匀的随机排列还是整齐的排列
要是均匀的随机排列那又是怎么让电流准确的送到每一个晶体管的 从晶体管里出来的后又怎么送出去的???
如果是整齐的排列 那又是怎么让其排列起来的 电流又是怎么进入和流出的????
期待答案中~~谢谢`!!!
leogao99 at
QUOTE:Originally posted by Laurel at
第三幅图上的晶圆片为什么是彩色的呢？ 这应该是由于光的反射和干涉形成的效果。就像你看光碟时的效果一样。
leogao99 at
QUOTE:Originally posted by lq3385 at
我有几点不明白 硅晶圆上的晶体管是怎么排列的??? 是均匀的随机排列还是整齐的排列
要是均匀的随机排列那又是怎么让电流准确的送到每一个晶体管的 从晶体管里出来的后又怎么送出去的???
如果是整齐的排列 那又 ... 圆晶上的晶体管是有一定的规则排列的，这与MASK的设计规则有关。在IC设计中，layout的功能就是决定晶体管的排列方式。
当然在圆晶上一个MASK得到的晶体管是水平的，几个mask的效果就会叠垒。电流的流动是由金属层完成。
请问 哪里有大图下载呢 ?想做桌面 呵呵
路过，谢谢！！
学到很多啊
counterall at
不错，很通俗易懂，谢谢共享
skyming730 at
ocean:你好!&&我是做300mm的,为什么300毫米的晶圆片需要双面抛光,它的反面有什么用处吗? 还有 生成一个300mm的硅锭周期大概需要多久啊?
& && && && & 硅锭被刻出一个小豁口或一个小平面，除了显示晶向以外还有什么作用吗?在机器上的定位也是靠的它那个小豁口吗? 希望能帮忙解释一&&
& && && && & 下,不胜感激!
十分感谢知识共享！
skyming730 at
希望知道上面问的问题能回答一下阿！！！ 感激不尽阿！！
QUOTE:原帖由 skyming730 于
00:28 发表
ocean:你好!&&我是做300mm的,为什么300毫米的晶圆片需要双面抛光,它的反面有什么用处吗? 还有 生成一个300mm的硅锭周期大概需要多久啊?
& && && && & 硅锭被刻出一个小豁口或一个小平面，除了显示晶向以外还有什 ... notch or slot的确是用来定位的
david0623 at
300mm的wafer由于对应力要求更高,所以都要求双面抛光
不错，学到不少，通俗易懂
QUOTE:原帖由 skyming730 于
00:28 发表
ocean:你好!&&我是做300mm的,为什么300毫米的晶圆片需要双面抛光,它的反面有什么用处吗? 还有 生成一个300mm的硅锭周期大概需要多久啊?
& && && && & 硅锭被刻出一个小豁口或一个小平面，除了显示晶向以外还有什 ... 200mm和300mm的线宽很小，对硅片的几何参数要求很高的了，单面抛光的硅片几何参数都达不到要求，目前6寸及以下的因为线宽大，对几何参数要求不严，所以大部分都是单面抛光了。300mm的硅锭其实周期不长的，最多一周足够了。
[ 本帖最后由 jyl54 于
19:41 编辑 ]
你好/我还是不怎么懂也/请你说的更详细一点好吗.比如它是怎么通过加工可以成象的/希望解释一下/我想和你聊聊好吗.我的qq
你好/我还是不怎么懂也/请你说的更详细一点好吗.比如它是怎么通过加工可以成象的/希望解释一下/我想和你聊聊好吗.我的qq
请问P型与N型之间有什么区别，能否用肉眼分出。我是买来的实验用硅片，华润产。。。。拜谢！
whenere80 at
双面抛光最主要还是光刻的要求决定的吧？
还是不怎么懂，象这样后是不是下个步骤就是芯片切割了，那中间应该还有很多步骤吧，我觉得生长一个硅晶片是很不容易的事，一周就够了吗？我只是在实验时看到过wafer，具体它是怎么长成的不清楚！！！
stars66 at
碰到高手了，好啊！我不能错过：现在我急需厚度在５０－１００ｕｍ的单晶硅片，你给想个法吧！哪儿能弄到，谢谢！！
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