稳压二极管正向压降电路集电极与发射极的管压降一般是多少?

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2015-11-14 18:46 标签： 集电极饱和压降
开关电源与线性电源区别
1. 工频变压器与高频变压器比较中使用的是高频变压器，线性稳压电源使用工频变压器，说明如下：
线性调整型稳压电源中必须使用工频变压器，通过工频变压器降低220V的交流市电电压。它的工作频率低，采用硅钢片作为铁芯。
b. 开关稳压电路使用高频变压器，用磁性材料作为磁芯，它的工作频率很高，体积大幅缩小，重量也只有工频变压器的五分之一左右。
2. 调整管与开关管比较线性稳压电源中的主要三极管是调整管，中的主要三极管是开关管（MOS管）：
a. 开关管工作频率高。&中使用开关管，线性稳压电源中使用调整管，两者的工作方式不同，三极管工作频率不同，开关管的工作频率要高很多。
开关管工作在开关状态下。开关电源中的开关管工作在开关状态，即要么工作在截止状态，要么工作在饱和状态；这种工作模式下的开关管功耗很小，效率高，可以达到80%以上。
开关管功耗小。工作在开关状态下的三极管由于功率消耗小，不需要给开关管配套很大的散热片，机内温度低，有利于电源电路长时间稳定工作，电源的寿命比较长。
调整管效率低。线性电源中的调整管工作在放大状态，全部的负载电流都流过调整管，利用调整管集电极与发射极之间的管压降进行稳压调整，在集电极与发射极之间的管压降很大，调整管温度高，需要较大体积的散热片。它的转换效率低，大概只有50%左右.
整流电路与滤波电路比较&&&
开关电源与线性稳压电源的整流、滤波电路比较如下：
整流电路工作电压不同。开关电源的整流电路是先把220V交流市电进行整流，输出300V左右的直流电压，送给下下一级电路进行逆变；整流电路中的交流电压比较高，要求整流二极管的反向耐压高。线性稳压电源中的整流电路对电源变压器二次绕组输出的低压交流电压进行整流，整流电路中的交流电压比较低，要求整流二级管的反向耐压低。
b. 输出电路中的滤波电容容量要求不同.
开关电源输出电路中滤波电容的容量比较小，但要求滤波电容的高频特性好，这是因为开关电源工作频率高，采用较小的电容能够达到良好的滤波效果。线性稳压电源中滤波电容容量比较大，这是因为线性电源的输出电压交流频率低，得采用足够大的滤波电容才能达到良好的滤波效果。
4. 电路原理综合比较a.
开关电源的电路复杂，各种元器件比较多，有几十至几百个元器件，主要是控制电路复杂，各种保护电路的加入，使本来就复杂的电路变得更加复杂化。刚刚入门的电子工程师很难理解开关电源的工作原理，电路分析时需要将多种条件同时运用，各电路之间是相互联系的，所以要求有分析电路的综合能力。开关电源电路中的保护电路复杂，发生故障时，往往会导致多个元器件损坏，检修难度较大，检修技术要求高。
线性电源要简单得很多，一个电源变压器，加上整流二极管、滤波电容和线性调整管，就只有几个元器件，工作原理理解和分析比较容易。线性稳压电源的保护电路简单，大多产品都没有保护电路，电路分析理解比较容易。
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以上网友发言只代表其个人观点，不代表新浪网的观点或立场。　　①静电聚积在栅极上引起过电压。
　　②电容密勒效应引起的栅极过电压。
　　为了防止IGBT管的栅极一发射极间出现过电压，应在IGBT管的栅极与发射极间并接一只几十千欧的，此电阻应尽量靠近栅极与发射极。
　　(2)集电极与发射极间的过电压保护　　　　IGBT管的集电极一发射极过电压的产生主要有两种情况：一种是施加到IGBT管的集电极一发射极间的直流电压过高；另一种为集电极一发射极上的浪涌电压过高。
　　对于IGBT管关断过电压和续流反向恢复过电压，采用缓冲电路是抑制集电极一发射极间过电压的有效措施。缓冲电路之所以能减小IGBT管集电极一发射极间的过电压，是因为它给回路提供了泄能回路，降低了回路电感上电流的变化率。抑制过电压的器件有：
　　①金属氧化物。金属氧化物压敏电阻是一种良好的电压尖峰抑制器件，它的为毫秒级，能抑制宽度很窄的尖峰电压。金属氧化物压敏电阻具有通流容量大(500～5000A)，平均漏电流小（几微安），使用电压范围宽(30～1500V)，体积小，可靠性高且价格便宜等特点。但它能抑制的尖峰电压宽度不能过大，否则压敏电阻将会因功耗过大而烧坏。
　　②并在直流母线上的无感电容。在由R、C、VD构成的放电阻止型缓冲电路中，要选择高频特性好的无感电容器作为缓冲电容，选择过渡正向电压低、反向恢复时间短、反向恢复特性软的二极管作为缓冲二极管。缓冲二极管的反向耐压及峰值正向电流要与IGBT管的额定电压及额定电流相当。
　　(3)直流过电压　　　　直流过电压产生的原因是；输入交流或IGBT管的前一级输入发生异常，解决的办法是：在选取IG-BT管时进行降额设计。另外，也可在检测出这一过电压时关断IGBT管的输入，保证IGBT管的安全。
　　(4)浪涌过电压　　　　由于电路中分布电感的存在，加之IGBT管的开关速度较高，当IGBT管关断时与之并接的反向恢复二极管逆向恢复时，就会产生很大的浪涌电压(Ldi/dt)，威胁IGBT管的安全。通常IGBT管的浪涌电压波形如下图所示。在图中，UCE为IGBT管集电极一发射极间的电压，为IGBT管的集电极电流，Ud为输入IGBT管的直流电压。浪涌电压峰值UCESP为：
　　如果UCESP超出IGBT管的集电极一发射极间的耐压值UCES，就可能损坏IGBT管。
　　抑制浪涌电压的方法主要有:　　　①在选取IGBT管时考虑设计裕量。
　　②在电路设计时调整IG-BT管驱动电路的栅极电阻PG，使di/dt尽可能小。
　　③尽量将电解电容靠近IGBT管安装，以减小分布电感。
　　④根据情况加装缓冲保护电路，旁路高频浪涌电压。
　　(5)IGBT管开关过程中的过电压　　　　IGBT管关断时，其集电极电流的下降率较高，尤其是在短路故障的情况下，如不采取软关断措施，它的临界电流下降率将达到数千安每微秒。极高的电流下降率将会在主电路的分布电感上感应出较高的过电压，导致IGBT管关断时电流、电压的运行轨迹超出它的安全工作区而损坏。
　　所以，从关断的角度考虑，希望主电路的电感和电流下降率越小越好。但对于IGBT管的开通来说，集电极电路的电感有利于抑制续流二极管的反向恢复电流和电容器充、放电造成的峰值电流，能减小开通损耗，承受较高的开通电流上升率。一般情况下，IGBT管开关电路的集电极不需要串联电感，其开通损耗可以通过改善栅极驱动条件来加以控制。
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稳压电路集电极与发射极的管压降一般是多少?
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串联稳压电路调整管射极输电路!由B极电位控制C,E间电压!输入电压减C,E间电压输电压! 我通C,E间电压称该管压降!压降值通态!态范围!由饱
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太给力了，你的回答完美解决了我的问题！
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出门在外也不愁NPN三极管基极电压大于集电极电压后发射极电压是怎样的_百度知道
NPN三极管基极电压大于集电极电压后发射极电压是怎样的
做关管用Vb&VcVe没输比Vc相等
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输NPN三极管处于饱状态UCE电压<img class="word-replace" src="/api/getdecpic?picenc=0a007aV理论计算候按UCE=0.3V计算发射极电压看电路假定接吧则UE电压0V左右UC电压0.3V左右NPN管导通（管放饱）UE电压定于UC电压由电流向决定电流CE论何管都压降
发射极不接地，我需要他驱动下一级电路，假设Vc=3v，Vb=4v，Ve=？
三极管不管哪种类型，都是集电极驱动的，发射极驱动会有安全隐患，这个是设计驱动电路的常识。原因是集电极是三极管中面积最大的，适合承受大电流，而发射极只是载流子浓度高而已。你补充说的这个问题，在正常规范设计时是不存在的。正常的接法是：Vcc、负载（负载就是在集电极电阻Rc的位置，此时Rc不需要放了），然后是三极管的C极，E极接地。选用NPN管的标准设计都这么做。
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刻处于饱阶段VE输 电压集电极电压 应该于基极电压基极电压应该于发射极 VB&VC ,VB&VE
只有一种可能，集电极和发射级的电压不会超过0.5V
是指他们之间的压降不会超过0.5吗？假设Vc=3v Ve是不是2.5v~3v？
正常接法是 要是你在C级加（负压）那就是其他的关系了 我说的负压是根据你管子的具体导通类型说的
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