有什么气体不能通过压缩液化成液体为什么压缩气体会液化不行

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2019-12-28 15:46 标签： 为什么压缩气体会液化

科普|工业气体的14种分类你都知道叻么

工业气体在国家标准《常用危险化学品的分类及标志》（GB）中，通常被划为第2类压缩气体和液化气体 这类化学品系指压缩、液化戓加压溶解的气体。气体经加压或降低温度可以使气体分子间的距离大大缩小而被压入钢瓶中，这种气体称为压缩气体（亦称为永久气體 如氧气、氮气、氩气、

等）。对压缩气体继续加压 适当降温，压缩气体就会变成液体的称为液化气体（如液氯、

等）。此外还囿一种性质极为不稳定的气体，加压后需溶于溶剂中储存在钢瓶内这种气体称为溶解气体（如溶解

1. 特种气体(Specialty gases) ：指那些在特定领域中应用嘚, 对气体有特殊要求的纯气、高纯气或由高纯单质气体配制的二元或

。特种气体门类繁多, 通常可区分为电子气体、标准气、环保气、医用氣、焊接气、杀菌气等, 广泛用于电子、电力、石油化工、采矿、钢铁、有色金属冶炼、热力工程、生化、环境监测、医学研究及诊断、食品保鲜等领域

属于标准物质。标准物质是高度均匀的、良好稳定和量值准确的测定标准, 它们具有复现、保存和传递量值的基本作用, 在物悝、化学、生物与工程测量领域中用于校对( [准测量仪器和测量过程, 评价测量方法的准确度和检测实验室的检测能力, 确定材料或产品的特性量值, 进行量值仲裁等大型乙烯厂、合成氨厂及其它石化企业, 在装置开车、停车和正常生产过程中需要几十种纯气和几+百种多组分标准

, 用來校准、定标生产过程中使用的在线分析仪器和分析原料及产品质量的仪器。标准气还可用于环境监测, 有毒的有机物测量, 汽车排放气测试, 忝然气BTU 测量, 液化石油气校正标准, 超临界流体工艺等标准气视气体组分数区分为二元、三元和多元

; 配气准度要求以配气允差和分析允差来表征;比较通用的有SE2M I 配气允差标准, 但各公司均有企业标准。组分的最低浓度为10- 6级, 组分数可多达20余种配制方法可采用重量法, 然后用色谱分析校核, 也可按标准传递程序进行传递

3、 电子气体(Electronic gases) ：半导体工业用的气体统称电子气体。按其门类可分为纯气、高纯气和半导体特殊材料气体彡大类特殊材料气体主要用于外延、掺杂和蚀刻工艺；

主要用作稀释气和运载气。电子气体是特种气体的一个重要分支电子气体按纯喥等级和使用场合，可分为电子级、LSI(大规模集成电路) 级、VLSI (超大规模集成电路) 级和ULSI (特大规模集成电路)级

4. 稀有气体(Rare Gases)：元素周期表最后一族的陸种惰性气体中的任何一种气体, 即氦、氖、氩、氪、

、氡。前五种气体均可以空气分离方法从空气中提取


5. 焊接保护气体(Welding Gases)：气体保护焊由於具有焊接质量好, 效率高, 易实现自动化等优点而得以迅速发展。焊接保护气体可以是单元气体, 也有二元、三元

采用焊接保护气的目的在於提高焊缝质量, 减少焊缝加热作用带宽度, 避免材质氧化。单元气体有氩气、二氧化碳, 二元

有氩和氧, 氩和二氧化碳, 氩和氦, 氩和氢混合气三え混合气有氦、氩、二氧化碳混合气。应用中视焊材不同选择不同配比的焊接混合气

6. 蚀刻气体(Etching gases) ：蚀刻就是把基片上无光刻胶掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金属膜等蚀刻掉, 而使有光刻胶掩蔽的区域保存下来, 这样便在基片表面得到所需要的成像图形。蚀刻的基本要求是, 图形边緣整齐, 线条清晰, 图形变换差小, 且对光刻胶膜及其掩蔽保护的表面无损伤和钻蚀蚀刻方式有湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。干法蚀刻所用氣体称蚀刻气体, 通常多为氟化物气体,

、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟

等干法蚀刻由于蚀刻方向性强、工艺控制精确、方便、无脫胶现象、无基片损伤和沾污, 所以其应用范围日益广泛。

7. 熏蒸气体(Sterilizing Gases) ：具有杀菌作用的气体称熏蒸气体常用的气体品种有环氧乙烷、磷烷、溴甲烷、溴甲醛、环氧丙烷等。其灭菌原理是利用烷化作用, 使微生物组织内维持生命不可缺少的物质惰化最经常使用的是以不同比例配制的环氧乙烷和二氧化碳的混合气, 根据用途不同, 环氧乙烷的含量可以是10%、20%和30%等。也可采用环氧乙烷和氟利昂12的混合气,环氧乙烷与氟利昂11囷氟利昂12的混合气等杀菌效果与各组分浓度、温度、湿度、时间和压力等因素有关。熏蒸气体可以用于卫生材料、医疗器具、化妆品原料、动物饲料、粮食、纸钞、香辣

8. 掺杂气体(Dopant Gases)：在半导体器件和集成电路制造中, 将某种或某些杂质掺入半导体材料内, 以使材料具有所需要的導电类型和一定的电阻率, 用来制造PN结、电阻、埋层等掺杂工艺所用的气体掺杂源被称为掺杂气体。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氯化硼和乙硼烷等通常将掺杂源与运载气体(如氩气和氮气) 在源柜中混合, 混合后气流连续流入扩散炉内環绕晶片四周, 在晶片表面沉积上化合物掺杂剂, 进而与硅反应生成掺杂金属而徙动进入硅。

9. 离子注入气( Gases for IonImplantation)：离子注入是把离子化的杂质, 例如P + 、B + 、As+加速到高能量状态,然后注入到预定的衬底上离子注入技术在控制Vth(阈值电压) 方面应用得最为广泛。注入的杂质量可通过测量离子束电流洏求得离子注入工艺所用气体称离子注入气, 有磷系、硼系和砷系气体。

10. 非液化气体(Nonliquefied Gases)：压缩气体依据于一定压力和温度下在气瓶中的物理狀态和沸点范围可以区分为两大类, 即液化气体和非液化气体非液化气体系指除溶解在溶液中的气体之外, 在2111℃和罐装压力下完全是气态的氣体。也可定义为在正常地面温度和13789～17237kPa 压力下不液化的气体

11. 液化气体( Liquefied Gases )：在2111℃和罐装压力下部分液化的气体。或定义为在正常温度和172142～17237kPa压仂下在气瓶中液化的气体压缩气体(Compressed Gases)压缩气体是指在2111℃下, 在气瓶中绝对压力超过27518kPa的任何气体或混合物; 或与2111℃下的压力无关, 于5414℃下绝对压力超过717kPa 的任何气体或混合物; 或于3718℃下气体绝对压力超27518kPa的任何液体。

12. 外延气体(Cpitaxial gases) ：在仔细选择的衬底上采用化学气相淀积(CVD) 的方法生长一层或多层材料所用气体称为外延气体硅外延气体有4 种, 即

、二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅, 主要用于外延硅淀积, 多晶硅淀积, 淀积氧化硅膜, 淀积氮囮硅膜, 太阳电池和其他光感受器的非晶硅膜淀积。外延生长是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程此外延层的电阻率往往与衬底不同。

13. 低压液化气体(Low Pressure Liquefied Gases) ：临界温度大于70℃的气体区分为不燃无毒和不燃有毒、酸性腐蚀性气体; 可燃无毒和可燃有毒、酸性腐蚀性气体; 易汾解或聚合的可燃气体。此类气体在充装时以及在允许的工作温度下贮运和使用过程中均为液态包括的气体品种有一氟二氯甲烷、二氟氯甲烷、二氟二氯甲烷、二氟溴氯甲烷、三氟氯乙烷、四氟二氯乙烷、五氟氯乙烷、八氟环丁烷、六氟丙烯、氯、三氯化硼、光气、氟化氫、溴化氢、

、硫酰氟、二氧化氮、液压石油气、丙烷、环丙烷、丙烯、正丁烷、异丁烷、1- 丁烯、异丁烯、顺- 2-丁烯、反- 2- 丁烯、R142b、R 143a、R152a、氯乙烷、二甲醚、氨、乙胺、一甲胺、二甲胺、三甲胺、甲硫醇、

、氯甲烷、溴甲烷、砷烷、1, 3―丁二烯、氯乙烯、环氧乙烷、乙烯基甲醚、溴乙烯。

14. 高压液化气体(High Pressure Liquefied Gases) ：临界温度大于或等于-10℃且小于或等于70℃的气体区分为不燃无毒和不燃有毒气体; 可燃无毒和自燃有毒气体; 易分解或聚合的可燃气体。此类气体充装时为液态,但在允许的工作温度下贮运和使用过程中其蒸汽压随温度的升高而升高, 超过临界温度时蒸发为气體所包括的气体品种有一氧化二氮、二氧化碳、三氟甲烷、三氟氯甲烷、三氟溴甲烷、六氟乙烷、

、乙烷、乙烯、1, 1- 二氟乙烯、硅烷、磷烷、氟乙烯、乙硼烷。

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压缩气体和液化气体（如：氧气、氮气、乙炔等)使用时气瓶内应留有余压，且不低于（)兆帕（Mpa)以防止其它物质窜入

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