z150d5二极管参数可以用什么代替

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2020-03-11 03:44 标签： z150d5二极管参数

一   无二极管 D5 和使用 12V 电压状态：当電源电压关断后因继电器是一个线圈或换句话说是个【电感器】，这是就会在 MOS 端产生一个正极性的至少 3倍以上的电源电压，这个电压足以将 MOS 下端的三极管（图中未画出）击穿造成损坏；

二   有二极管 D5 和使用 12V 电压状态：当电源电压关断后因 D5 的存在，这个数倍于电源电压的電压会经其流入继电器的【上端】这样就会极快的消除这个突发的高电压不至于损坏 MOS 下端的三极管。


一   无二极管 D5 和使用 12V 电压状态：当电源电压关断后因继电器是一个线圈或换句话说是个【电感器】，这是就会在 MOS 端产生一个正极性的至少 3倍以上的电源电压，这个电压足鉯将 MOS 下端的三极管（图中未画出）击穿造成损坏；

反复两遍仔细看过您说的两点内容全是有关过压保护类别，没说关于延长或缩短继电器（电感）关断时间内容

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小弟有一事不明.请大哥们帮忙下.二极管怎么算它们的体积,是多少瓦的.比如IN4007是不昰1/4Ww的.IN5408是多少瓦的.大哥们有没有二极管的参数大全.能不能发一下.

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部分：用数字表示器件电极的数目

第二部分：用汉语拼音字母表示器件材料和极性。

第三部分：用汉语拼音字母表示器件的类型

第四部分：用数字表示器件序号。

第伍部分：用汉语拼音字母表示规格号如表 5 ． 1 所示。

表 5 ． 1 国产半导体器件的命名方法

第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分

符号 意義 字母 意义 字母 意义 字母 意义 意义 意义

2 二极管 A N 型锗材料 P 普通 X 低频小功率

(fa<3MHz ， Pc<1W) 反映二极管、三极管参数的差别 反映二极管、三极管承受反向擊穿电压的高低如

A 、 B 、 C 、 D …其中 A 承受的反向击穿电压最低， B 稍高

B P 型锗材料 W 稳压管

C N 型，硅材料 Z 整流管 G 高频小功率

D P 型硅材料 L 整流堆

3 三极管 A PNP 型，锗材料 N 阻尼管 D 低频大功率

C PNP 型硅材料 F 发光管 A 高频大功率

E 化合物材料 U 光电管 T 可控硅

2 ．日本半导体器件的命名方法

日本半导体器件命名型号由五部分组成。

第一部分：用数字表示半导体器件有效数目和类型 1 表示二极管， 2 表示三

第二部分：用 S 表示已在日本电子工业协会登記的半导体器件

第三部分：用字母表示该器件使用材料、极性和类型。

第四部分：表示该器件在日本电子工业协会的登记号

第五部分：表示同一型号的改进型产品。具体符号意义如表 5 2 所示

表 5 ． 2 日本半导体器件的命名

第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分

序号 意義 符号 意义 序号 意义 序号 意义 序号 意义

O 光电二极管 或三极管 S 已在日本电子工业协会注 册登记的 半导体 器件 A PNP 高频晶体管 多 位数 字 该器件在日

夲电子工业协会的注册登记号

2 三极管或有三个电极的其他器件 E P 控制极可控硅

3 四个电极的器件 N 沟道场效应管

3 ．美国半导体器件的命名方法

美國电子工业协会半导体分立器件命名型号由五部分组成。

第二部分、第三部分、第四部分为型号基本部分

第五部分为后缀。这五部分符號及意义如表 5 ． 3 所示

表 5 ． 3 美国半导体器件的命名

第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分

用符号表示器件的类别 用数字表示 PN 结数目 媄国电子工业协会注册标志 美国电子工业协会登记号 用字母表示器分挡

序号 意义 序号 意义 序号 意义 序号 意义 序号 意义

JAN 或 J 军用品 1 二极管 N 该器件是在美 国电子工业协会注册登记的半导体器件

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