分析小尺寸MOSFET输出发动机外特性曲线线在饱和区上翘的原因

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场效应管-MOSFET损坏原因分析及解决方法.pdf17页
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MOSFET 损坏的原因分析及解决方法
MOSFET 是:(Metal
Semiconductor 金属氧化物半导体),(Field
istor 场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半
导体(S)的场效应晶体管。
功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS 型(Meta
Semiconductor
FET),简称功率MOSFET
MOSFET)。结型功率场效
应晶体管一般称作静电感应晶体管(Static
Transistor――SIT)。其特点是用栅
极电压来控制漏极电流,驱动电路简单,需要的驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热
稳定性优于GTR,但其电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW 的电力电子
2.功率MOSFET 的结构和工作原理
功率MOSFET 的种类:按导电沟道可分为P 沟道和N 沟道。按栅极电压幅值可分为;
耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道,增强型;对于N
(P)沟道器件,
栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道,功率MOSFET 主要是N 沟道增强型。
2.1 功率MOSFET 的结构
功率MOSFET 的内部结构和电气符号如图1 所示;其导通时只有一种极性的载流子(多
子)参与导电,是单极型晶体管。导电机理与小功率mos 管相同,但结构上有较大区别,
小功率MOS 管是横向导电器件,功率MOSFET 大都采用垂直导电结构,又称为VMOSF
(Vertical
MOSFET ),大大提高了MOSFET 器件的耐压和耐电流能力。
按垂直导电结构的差异,又分为利用V 型槽实现垂直导电的VVMOSFET 和具有垂直
导电双扩散MOS 结构的VDMOSFET
(Vertical
Double-diffused
MOSFET ),本文主要
以VDMOS 器件为例进行讨论。
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