在matlab里面，在读数据时下面这两个语句是什么意思， T=find(M(:,1)==0); LP=M(3:T(1)-1,2:6);_百度知道
在matlab里面，在读数据时下面这两个语句是什么意思， T=find(M(:,1)==0); LP=M(3:T(1)-1,2:6);
在读文件数据时下面这两个语句是什么意思,2;,2，T=find(M(，“2;3;M(3:T(1)-1; 这个我知道:,1)==0)？如&quot，是找0所在行LP=M(3？每一参数格式代表什么意思在matlab里面:T(1)-1&quot:T(1)-1:6)：6”表示什么;这个是不是读数组或矩阵时用的格式:6)
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同理，从第三行到第五行：5：6）表示的是矩阵里的一个小矩阵，4，比如M（3，3，3，M（1，M（3首先，M是一个矩阵。比如M＝［1 2 3 4，2）就是第三行：6表示的是一个向量，j）表示的是矩阵里的一个数，6，M（i。其次，2，T（1）是一个数；9 10 11 12］，2；5 6 7 8，从第二列到第六列，第二列的数，包括2：2，5：T（1）就是从3到T（1）这个数；6 7 8，2：4）＝［2 3 4
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谢谢了！！
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伤不起 打酱油的;/不用管我&#47
T=find(M(:,1)==0);这个找到的T是一个N维向量M是一个矩阵LP=M(3:T(1)-1,2:6);LP是由M矩阵的3到T(1)-1行中2到6列组成的新矩阵
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出门在外也不愁冢不二是什么意思？_百度知道
冢不二是什么意思？
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出自【网球王子】是cp简称，（手冢国光x不二周助 ）
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太给力了，你的回答完美地解决了我的问题，非常感谢！
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是《网球王子》中衍生出来的配对，青学帝王和网球天才的完美组合冢不二（简称TF）。与OA（忍迹）：手冢国光×不二周助
1.英文选择题中的对(T)以及错(F)；2.即变形金刚，transformer（s）的缩写3.TF:TWINSFANS的缩写,TWINS歌迷4.对某人不满时采取的口头暴力:踢飞(TF)你(XX)!5.网络游戏中TF又被作为“台服”的缩写6.T-F（TRANS-FLASH卡）是摩托罗拉首创的能扩展的移动存储卡。TF卡（11mm×15mm×1mm）大小约等于目前市面最流行的SD卡的1 /4,并约等于SIM卡的1/2。 7.TF,电脑板卡厂商“映泰”biostar，的一个系列。此系列擅长超频所以在DIY玩家中口碑甚好，经典作品TF550SE，NF550芯片组，可以不加电压将速龙×2 3600+超频到3.3GHz。8.TF，即土匪的缩写，源于电脑之家网站论坛中宽带山版块，此版中的用户称谓tf(即土匪)，民风貌似彪悍，实则阿乌卵。TF常以5z（下流）自称，非常鄙视外地人（指上海以外的，包括郊区）。TF受宽带山论...
指《网球王子》中手冢国光X不二周助的配对。推荐百度百科进行阅读。
耽美网王同人的一种。人物主角是不二周助和手冢国光
是一对cp、手冢国光和不二周助、网球王子里的
手冢不二吧
网球王子里的
《网球王子》YYcp 手冢国光v不二周助
冢不二的相关知识
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出门在外也不愁TF是什么意思？_百度知道
TF是什么意思？
//baike，经典作品/view/29769.英文选择题中的对(T)以及错(F)，NF550芯片组.baidu.对某人不满时采取的口头暴力，最常用的解释还是变形金刚 9,电脑板卡厂商“映泰”biostar。Tezuka&Fuji (网球王子中青春学园的新组合又称＂冢不二＂)
冢不二（简称TF）.htm" target="_blank">http。当然。 <a href="http，青学帝王和天才的完美组合，进一步确定了这个王道CP，即土匪的缩写，的一个系列!5，源于电脑之家网站论坛中宽带山版块://baike:TWINSFANS的缩写.transcription factor 转录因子缩写，民风貌似彪悍,并约等于SIM卡的1&#47。8，实则阿乌卵.TF:踢飞(TF)你(XX)。此系列擅长超频所以在DIY玩家中口碑甚好.3GHz.htm（转录因子）10.T-F（TRANS-FLASH卡）是摩托罗拉首创的能扩展的移动存储卡。TF受宽带山论坛版主——戏称为猴子——管辖，可以不加电压将速龙×2 3600+超频到3.TF，将两人的暧昧发挥到极致，是《网球王子》（テニスの王子様）中衍生出来的同人配对.即变形金刚.网络游戏中TF又被作为“台服”的缩写6,TWINS歌迷4；2.TF。在TV174－176集和漫画361－363话中，非常鄙视外地人（指上海以外的。 7TF
1。TF常以5z（下流）自称.baidu。TF卡（11mm×15mm×1mm）大小约等于目前市面最流行的SD卡的1 &#47，包括郊区），此版中的用户称谓tf(即土匪)，transformer（s）的缩写3.com/view/：手冢国光×不二周助
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又称T-Flash卡，全名：TransFLash，由摩托罗拉与SANDISK共同研发，在2004年推出。是一种超小型卡（11*15*1MM），约为SD卡的1/4，可以算目前最小的储存卡了。TF卡可经SD卡转换器后，当SD卡使用。利用适配器可以在使用SD作为存储介质的设备上使用。TransFlash主要是为照相手机拍摄大幅图像以及能够下载较大的视频片段而开发研制的。TransFlash卡可以用来储存个人数据，例如数字照片、MP3、游戏及用于手机的应用和个人数据等，还内设置版权保护管理系统，让下载的音乐、影像及游戏受保护；未来推出的新型TransFlash还备有加密功能，保护个人数据、财政纪录及健康医疗文件。体积小巧的TransFlash让制造商无须顾虑电话体积即可采用此设计，而另一项弹性运用是可以让供货商在交货前随时按客户不同需求做替换，这个优点...
Trans-flash是一种微型SD卡
是不是,冢不二
我也很想问的说。。。
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出门在外也不愁内存的参数2-2-2-4里的数字各代表什么意思？_百度知道
内存的参数2-2-2-4里的数字各代表什么意思？
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3V)；2代表2个BANK）；7K和7J属于PC 100的SDRAM，52=SDRAM），例如168线的SDRAM：KMM3 xx s xxxx BT&#47，-3C=356MHZ 45NS，10K=10ns〔100MHz〕：HM代表日立的产品；b代表模块类型(R代表DIMM已注册;4K [15，TAC为7，这使它的速度得到了很大程度的提升.6μS]；5a表示芯片类型(57=SDRAM，F2=84针2行FBGA；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时）、H = 100 MHz @ CAS值为2；8表示数据位宽（4，看看芯片上的编号, 166MHZ (333MBPS)，空白=普通芯片）；4代表BANK数（3或4代表4个BANK;2100 DDR SDRAM（版本为1、W = WL-CSP）、PC66&#47。 三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下;F&#39，TG=TSOP（第二代），- 65=150MHZ；Kingmax的PC133内存芯片是-7的。即三星8M*18BIT=144M，16位输出.3V)，编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC100，80=8NS〔125MHZ〕，TG=16mm TSOP-Ⅱ），8B=100MHZ〔CL3〕、2，B60=10NS〔PC-100 CL3〕即100MHZ时CL是3）、16位和32位），7；k代表功耗（L=低功耗芯片；B表示内核的版本，其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难.8μS]，8=8ns〔125MHz〕；RD表示产品类型（RD=DIRECT RAMBUS DRAM）。购买Kingmax内存时，分成以下四类，DW=宽型SOJ；JF=54-PIN TSOPⅡ、10 = 10ns[100 MHz]、tRCD.3V)，一般为2或3，16M8=16*8MB=128MB、8位.5V)），市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存：μPD4代表NEC的产品、8 = 8ns[125 MHz]；d表示TRP（RAS的预充电时间），U=μ BGA）；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits, 200MHZ (400MBPS)；金色金条P针对PC133服务器系统，B60=10NS〔PC-100 CL3〕即100MHZ时CL是3）, 133MHZ (266MBPS).5.5NS〔133MHZ〕，其速度也会比一般的PC133内存来的快；B60代表速度（75=7，封装类型66针TSOP Ⅱ。 5、0 = 10NS；-7是存取时间（7=7ns（143MHz）），其中a表示标准工作频率，133MHZ （7）其它内存芯片编号 NEC的内存芯片编号例如μPD-A80-9JF表示。 例如GM72VK，10=10NS〔PC100 CL 3〕；4代表RAM种类（4=DRAM），129=128Mbits，FB=60针8*16 FBGA.3V].5ns tAC；18代表内存芯片组成X18（16 = X16、A=第2代;s;4K (15、B=第3代），表达时不带小数点。 （6）MICRON（美光） MICRON公司是世界上知名内存生产商之一（如右图MICRON PC143 SDRAM内存条）；4代表内存密度4Mbit（4 =4M。 （1）HYUNDAI（现代） 现代的SDRAM内存兼容性非常好，-6=167MHZ、8 = 8M。 （2）LGS〔LG Semicon〕 LGs如今已被HY兼并：TC代表是东芝的产品、32分别代表4位，金SDRAM=BLP），256MB以上的内存必须经过注册，速度133MHZ;8K[7，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装、16、16分别代表4位、8 = 8Mx，内存芯片因为生产厂家的不同，如1代表2个BANK和LVTTL；8表示数据位宽（4，0;s，70=[PC133]，12=12NS、16 = 16M），TD=13mm TSOP-Ⅱ， 260或222=10NS〔PC100 CL2或3〕、C=微型BGA(CSP)）：KM表示三星内存，部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07），U代表DIMM不含缓冲区：HM代表日立的产品；08表示数据位宽（04、C=微型BGA(CSP)），芯片表面是否发白等.0，M7=128MB）, 133MHZ (266MBPS)，FQ=反转芯片密封；D代表内存版本（空白=第1代、8，U代表DIMM不含缓冲区；TT为TSOⅡ封装，3，-75+=133MHZ、16=x16。 （4）Geil(金邦、3分别代表2个.2。 SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为.3V VDD CMOS;F&#39；CDMEF设备号码（深度*宽度），刷新为8K；蓝V色金条针对KX133主板；ab代表容量(16=16Mbits，对应的标准工作频率为800*1&#47，表达时不带小数点；80表示数据位宽（40，16M8=16*8MB=128MB；48代表产品家族（48=SDRAM，其中IBM代表IBM的产品，使用两位），DW=宽型SOJ、Z = 7;BTS&#47.3V）；16M8是设备号码（深度*宽度，注意观察内存上字迹是否清晰;7J；72代表SDRAM，57代表SDRAM、32分别代表4位,U=2，它们产的内存芯片质量稳定，e*1&#47，其中a表示内存容量;16 ECC PC800；e代表内存的数据传输率。 由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额.3V、16，HY表示现代的芯片：GM72V ab cd e 1 f g T hi 其中GM代表LGS的产品，速度快于7K&#47，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等软件测试一下内存的速度.5V Vdd CMOS）、V=3： Unbuffered型, 150MHZ (300MBPS)，DJ=SOJ，当数据位宽为16位和32位时。 IBM的内存芯片编号例如IBMD-10：MT48 AB CDMEF AG TG-HI J 其中MT代表MICRON的产品。 例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM；16代表容量16MB，如54代表5，另外市面上还流行LGS，表示LGs SDRAM，FQ=反转芯片密封.6μS]，-6=167MHZ.8NS〔147MHZ〕，-4C=400MHZ 45NS，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，如0代表SPD版本为1。 （3）Kingmax(胜创) Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式；A代表内存版本（空白=第1代： （A）DRAM -4=40NS、6 = 6NS；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到&#39；e表示RAS预充电时间，7K比7J的要快：KM表示三星内存，第2位双重含义，-7=70NS SDRAM：PCa-bcd-eeffghR，空白=普通）、32=x32），空白=普通），10B=10NS较10慢；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，F=54针4行FBGA，-5=200MHZ DDR SDRAM（X4，-5=200MHZ DDR SDRAM（X4.0，M=MB、PC133（CL2+和CL3） （C）DDR SDRAM -8支持PC200（CL2） -75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2，则为两位、4K Ref，内存接口LVTTL、2 = 128M&#47，越短越好、银：μPD4代表NEC的产品，W=DDR SDRAM），7J=10ns〔100MHz〕，FP=反转芯片封装。 HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示、16等)，LG=TQFP，7=143MHZ。采用TinyBGA封装的内存；2代表2个BANK）.2版本 这类版本内存标注格式为。以上编号表示金邦千禧条、Z = 7，例如256MB&#47；18代表内存芯片组成X18（16 = X16，A60=10NS〔PC-100 CL2或3〕，各种金邦金条的SPD均是确定的;8K[7，价格不高；TG代表封装（TG=TSOPⅡ封装;100 SDRAM内存标注格式 （1）1。三星的容量需要自己计算一下、8;五种内存条、D =微型BGA [逆转CSP]；e代表Bank（2=2个Bank，空白=普通）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1；52是SDRAM类型（51=EDO DRAM，其上的编号也有所不同；G5为TSOPⅡ封装;2=400MHZ，不完全符合PC100规范、4K Ref。 TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示，但上133MHz也不行、8 = 8NS、PC100三种，-8X+=125MHZ、4 = 4Mx、8；RD表示产品类型（RD=DIRECT RAMBUS DRAM）：PCab-ccde-ffg：TC代表是东芝的产品，而且体积要小、8位、3 = 64M&#47，表达时不带小数点、8.2微米3，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片、PC133（CL=3） -7支持PC66，两者主要区别是第三个反应速度的参数上：HYB39S AB CD0 E T F -GH 其中AB为容量，空白=普通），64Mbit，R=RAMBUS SDRAM、PC133（CL2和CL3） -7E支持PC66，但不是全部，一般为2，75A=7;后的数字乘S前的数字，V=3；G5为TSOPⅡ封装、8，7ns；g代表SPD版本：在CL=3时可工作在125MHZ下、80，第2代内存，这可能是以前的屯货，所有的PC100内存条上都有EEPROM，LF=90针FBGA、8位；16表示内存芯片组成x16（4=x4，其大小是TSOP封装内存的三分之一;16=内存的标准工作频率，其中IBM代表IBM的产品、8；64代表容量64MB、18 = X18）、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb内存，不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好、80，在133MHz时最好能达到CAS=2，按照读取的值来设置内存的存取时间，52=SDRAM）；J代表功耗（L=低耗，封装类型66针TSOP Ⅱ，10=10NS〔100MHZ CL=3〕）；JF代表封装外型（NF=44-PINTSOP-Ⅱ，-3B=356MHZ 50NS，R2=84针2行微型FBGA，K=KILOBITS（KB）；48代表产品家族（48=SDRAM，速度800MBPS：MT48 AB CDMEF AG TG-HI J 其中MT代表MICRON的产品，无字母=BITS，R1=62针2行微型FBGA，-3C=356MHZ 45NS，75=[PC133]）；80代表速度（75=7.3V)，U=μ BGA）；52是SDRAM类型（51=EDO DRAM。我们可以借助SPDinfo这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如PC133U-333-542、B，因此要好于REV1、2 = 2M、4=DRAM、08，X16）时钟率 @ CL=2；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），257=256Mbits，K=KB；80代表速度（60 = 600MBPS.7NS；03代表SDRAM、8K Ref；254代表内存密度256Kbit（256[254] = 256Kx，在16位和32位时代表2个BANK，在16位和32位时代表2个BANK;2=内存的标准工作频率；4代表RAM种类（4=DRAM），W=DDR SDRAM）、CAS;7K的来卖；HJ代表速度、16分别代表4位。LGS SDRAM内存芯片编号格式为、16位和32位)，10=100MHZ〔PC66规格〕），线路阻抗也小。 HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示，一般为2或3、1=SSTL），X32 DDR SDRAM（时钟率 @ CL3） -15=66MHZ；hi代表速度（7，A60=10NS〔PC-100 CL2或3〕；a*1&#47、6=RAMBUS），一般为6（ns）或6、1 = 32m&#47；10代表速度（68=6;ATS-GA Registered型、80、16 = 16M，但是不同的内存规范，3，是PC133 CAS=2；64代表容量64MB，12=12ns〔83MHz〕、4=DRAM，R1=62针2行微型FBGA、工作电压，-12=83MHZ。一般来讲、PC133（CL2和CL3） -7E支持PC66, 166MHZ (333MBPS)、8K Ref），-7+=143MHZ （B）RAMBUS（时钟率） -4D=400MHZ 40NS。 三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示；cd表示数据位宽(一般为4.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕、A=第2代，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，空白=普通），M7=128MB）、51 = 512M，由于与7J&#47；c表示最小的CL（即CAS的延迟时间）；80表示数据位宽（40, 150MHZ (300MBPS)，-7=70NS SDRAM，速度是10ns(100 MHz)；绿色金条是PC100内存、HY57V651XXXXXATC10；cc表示CAS延迟时间，其中a表示标准工作频率；D表示内核的版本，12=12NS，-4B=400MHZ 50NS，FP=反转芯片封装，G=GIGABITS（GB）MRICRON的容量=CD*EF；CDMEF设备号码（深度*宽度）、16，LG=TQFP、PC100（CL2和CL3）;了）、tRP.2，还可以利用刻在内存芯片上的编号，12=12ns〔83MHz〕，LF=90针FBGA.5V)），10=10NS〔PC100 CL 3〕；TG代表封装（TG=TSOPⅡ封装，例如PC100-322-622R，越往后代表内核越新）；4代表RAM种类（4=DRAM），-7+=143MHZ （B）RAMBUS（时钟率） -4D=400MHZ 40NS，X8.0）内存标注格式 其格式为，FP=反转芯片封装；-A80代表速度，空白=普通），7K速度即PC-100，F=54针4行FBGA，8=125MHZ.36mm，TAC为7；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，得到的结果即为容量，PC266B（CL2），例如编号KSV884T4A1A-07, 100MHZ (200MBPS)），但现代内存目前尾号为75的早已停产；80表示数据位宽（40，8是8位输出，360或322=10NS〔PC10 [15。 LGS编号后缀中；EF表示数据位宽(4，U=μ BGA），C=普通）。 （6）MICRON（美光） MICRON公司是世界上知名内存生产商之一（如右图MICRON PC143 SDRAM内存条）、4K Ref，K=KILOBITS（KB）;ATI-GA 三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示，用时钟周期数表示、32分别代表4位；Z代表速度133MHZ（5 = 5NS，假货的可能性较大:从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片；10代表速度（68=6、4 = 128M&#47。 Kingmax SDRAM内存目前有PC150，如54代表5，GH是速度（6=166MHZ.6μS)、PC100（CL2和CL3）、1=SSTL_2(2、1 = 1Mx，对应不同的主板、CL=3，C是第4个版本的内核、C、4个和8个Bank；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0，其中16 = 内存基粒容量、F=低电压自动刷新）、80 = 800MBPS）；B60代表速度（75=7，FQ=反转芯片密封。 1，128=128Mbits：KM表示三星内存，-4B=400MHZ 50NS.5） -7支持PC200（CL2），表达时不带小数点、1 = 2K；3表示内存排数（3=4排，威盛力推的PC133规范是PC133 CAS=3、8 = 8M；AB代表处理工艺（C=5V VCC CMOS；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，X8，用时钟周期数表示、Y = 6.0---1；3表示内存排数（3=4排；g代表修订版本、16;b c d PCe.8μS]）；8 = 基粒数目，一般为PCx-xxx-xxx，10B=10NS较10慢。 金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32 其中GL2000代表芯片类型（GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，用时钟周期数表示、8 = 8M;4K (15。其中KINGMAX PC133与PC100的区别在于，例如PC-750；64代表容量（64=64MB；80代表速度（60 = 600MBPS；JF=54-PIN TSOPⅡ、46=DDR SDRAM、1G = 1G；16代表内存芯片密度16Mbit（1 = 1M、4=x4，三星） 三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示；16代表内存芯片组成x16（4 = x4.5V]），速度133MHZ、16.3V DDR SDRAM；JF代表封装外型（NF=44-PINTSOP-Ⅱ.5ns，在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍.7NS：KM表示三星内存；d表示TRP（RAS的预充电时间），内存芯片容量 = 内存基粒容量 * 基粒数目 = 16 * 8 = 128Mbit；64代表容量（64=64MB；g代表修订版本;S&#39、PC133（CL2+和CL3） （C）DDR SDRAM -8支持PC200（CL2） -75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2，即使你用它工作在PC133，BGA封装，而一般SDRAM内存都采用TSOP封装，F=54针4行FBGA，F1=62针2行FBGA、16位）；AG代表WRITE RECOVERY〔TWR〕(A2=TWR=2CLK)，10S代表CL=3的PC-100，3代表4个BANK和LVTTL），-8X+=125MHZ，适合双处理器主板，用时钟周期数表示；4代表BANK数（3或4代表4个BANK、16分别代表4，G=GIGABITS（GB）MRICRON的容量=CD*EF，自动刷新；TG是封装代码（DJ=SOJ：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），例如Kingmax PC150内存在某些KT133主板上竟然无法开机.1版本；6代表产品家族（6=SDRAM）；S代表SDRAM，刷新时间0 = 64M/了），-5=50NS。 （2）1，4个Bank。即三星8M*18BIT=144M，-55=183MHZ，64=64Mbits.3V VDD CMOS、16分别代表4、8=x8；5代表SDRAM；AMIR是内部标识号.5=133MHZ；T表示封装类型（T=66针TSOP Ⅱ，例如2100代表内存带宽为2100MB&#47；4代表RAM种类（4=DRAM）；H代表内存电压（H=DDR SDRAM[3.5V)、16位和32位）、4=8排），FC=60针11*13 FBGA，方法是用&#39，LC=0。其中PC150内存(下图)实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，速度极慢；而PC100内存芯片有两种情况，128MB;8K[15；5代表SDRAM、16位和32位).2版本以上；10K属于非PC100规格的，- 65=150MHZ、32分别代表4位、原樵风金条) 金邦金条分为&#39、Y = 6，10s=10ns〔PC-100 CL3〕;8K[15，15=15ns〔66MHz〕）、32分别代表4位、0 = 10NS、16K Ref，7、16、6 = 6NS；4表示版本；T代表封装（T=常见的TSOPⅡ封装，10=10ns〔100MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，4=4个Bank）；LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS.6μS].5NS〔133MHZ〕；-A80代表速度，例如800代表内存的数据传输率为800Mt&#47、B=BGA，133MHZ （7）其它内存芯片编号 NEC的内存芯片编号例如μPD-A80-9JF表示、更薄；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M;7K外型相似、PC100（CL2和CL3）;16K[7：aMB&#47，第2位双重含义。 SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为, 200MHZ (400MBPS).3V Vdd CMOS制造工艺；而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下（CL=2），你要注意别买了打磨条；M = 容量单位、L=DDR SDRAM[2、PC100（CL2和CL3），FC=60针11*13 FBGA.0）内存标注格式 威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准、B=第3代、80 = 800MBPS），是2的幂次关系）、80，改换为T-H这样的尾号，PC266A（CL=2，BGA封装，所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存，用MHZ表示；JH=86-PIN TSOP-Ⅱ）、8位；C代表封装类型（C = 微型BGA，DJ=SOJ、16位），如2代表修订版本为1.5是PC133内存，分成以下四类、08；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存，空白=普通）.2微米3，用MHZ表示（如66MHZ.5=133MHZ；10代表最高频率（7 = 7ns[143MHz]，75的是PC133的，如25代表CL=2；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，用时钟周期数表示、-10p的SDRAM上133MHz很稳定；G代表电源供应（G=自动刷新，7=143MHZ、100MHZ、C=第4代.5）；2代表刷新（0 = 4K；R代表DIMM已注册;16K[7，内存芯片排数为4排（两面各两排），F2=84针2行FBGA、PC133：PC100的内存有相当一部分可以超频到133、4 = 4M，-7X+=143MHZ，-10+=100MHZ、各厂商内存芯片编号 内存打假的方法除了识别内存标注格式外、PC100（CL2和CL3），用时钟周期数表示；03代表SDRAM、143MHz速度，对应的标准工作频率为。内存技术规范统一的标注格式；B表示内核的版本.5NS〔133MHZ〕，延用了PC100的大部分规范；8是真正的8ns PC 100内存，X16）时钟率 @ CL=2、SPD版本等信息、2 = 128M&#47；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时）、4 = 128M&#47.3V DDR SDRAM，TSOP（第二代）封装；蓝T色金条针对KT-133主板；3表示内存排数（2=2排，-10+=100MHZ，-7X+=143MHZ；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）、8位；f表示内核版本。 IBM的内存芯片编号例如IBMD-10、B=BGA：在CL=3时可工作在125MHZ下，70=[PC133]，内存芯片排数为4排（两面各两排）。当开机时、红、W = WL-CSP）;760 K7系主板.5，F2=84针2行FBGA、3 = 64M&#47。 三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示，8B=100MHZ〔CL3〕：HY 5a b cde fg h i j k lm-no 其中HY代表现代的产品，-55=183MHZ，如2代表SPD版本为2、18 = X18），V=2、32 = 32M.8μS]）；JH=86-PIN TSOP-Ⅱ），10=10NS〔100MHZ CL=3〕），R2=84针2行微型FBGA，80=8NS〔125MHZ〕，在100MHZ时CL可设为2（80=8NS〔125MHZ CL 3〕；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3；0代表刷新（0 = 64m&#47，-4C=400MHZ 45NS、16，至少已排到E，-75+=133MHZ.5V VDD CMOS）、16 = 16Mx）、8 = x8；J代表功耗（L=低耗，75=[PC133]），V=2，用时钟周期数表示.5V VDD CMOS）.5NS、32位，用时钟周期数表示，PC266A（CL=2，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，例如PC100-322-54122R；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间）。 4、4=8排），用时钟周期数表示，R=RAMBUS SDRAM、8位；1代表LVTTL（如为16位和32位的芯片；1代表LVTTL（如为16位和32位的芯片，是否有规则的刮痕、工作频率；AG代表WRITE RECOVERY〔TWR〕(A2=TWR=2CLK).5 -8+=125MHZ，要求内存芯片至少7；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M。内存条上一般有多颗内存芯片，用时钟周期数表示；g代表SPD版本、512(514) = 512Kx；空白表示功耗（L=低功耗，则为两位，-5=50NS。即三星4MBIT*16=64MBIT内存芯片；c代表内存支持ECC，M=MEGABITS（MB），8=125MHZ，LC=3；e表示RAS预充电时间；T表示封装类型（T=66针TSOP Ⅱ，-75+=133MHZ；FT为TSOPⅡ封装（FT后如有字母L=低功耗。 2：HYB39S AB CD0 E T F -GH 其中AB为容量；AB代表处理工艺（C=5V VCC CMOS；16代表容量16MB、PC1600&#47，R1=62针2行微型FBGA，速度800MBPS；h代表模块类型、D =微型BGA [逆转CSP]，G=GB）、4G = 4G）。 TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示，PC266B（CL2），如1代表2个BANK和LVTTL，其格式也有所不同.5），F1=62针2行FBGA、80;2 [15：KMM3 90 s xxxx BTI&#47、16 = 16M）。 （5）SEC（Samsung Electronics，FC=60针11*13 FBGA；Z代表速度133MHZ（5 = 5NS、L = 100 MHz @ CAS值为3 ）, 100MHZ (200MBPS)）：PCa-bcd-efgh，R2=84针2行微型FBGA，符合Intel PC100规范的为1，X32 DDR SDRAM（时钟率 @ CL3） -15=66MHZ，LF=90针FBGA，一般为2，F1=62针2行FBGA；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间）、16位）.5NS〔133MHZ〕，TC=400mil TSOP-Ⅱ，因此我们就先来看看它们的内存芯片编号，LC=3；C代表电压（C=5V, 125MHZ (250MBPS), 125MHZ (250MBPS)，-12=83MHZ，其SDRAM芯片编号格式为、PC100（CL2和CL3）、32分别代表4位；64代表容量64MB；TT为TSOⅡ封装.2b+版本 其格式为，80=8NS〔125MHZ〕.5ns〔133MHz〕，I=BLP封装），在100MHZ时CL可设为2（80=8NS〔125MHZ CL 3〕.4ns tAC；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3；d表示RAS相对CAS的延时、PC133 SDRAM（版本为2.5 -8+=125MHZ，-3B=356MHZ 50NS，10=100MHZ〔PC66规格〕）；fg代表芯片输出的数据位宽（40，无字母=Bits，66=64Mbits)、8位、Kingmax；b代表工作电压(空白=5V，里面保存着内存条的速度，即三星16M*16=256Mbit SDRAM内存芯片，刷新时间0 = 64M&#47，-75+=133MHZ；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM；蓝A色金条针对AMD750&#47；80代表速度（75=7，但可能性很小、2G = 2G、32位；空白表示功耗（L=低功耗.5） -7支持PC200（CL2）.6μs]，面向超频玩家。 例如HY57V658010CTC-10s.4ns tAC，一般为2或3；FT为TSOPⅡ封装（FT后如有字母L=低功耗、8位，256MB以上的内存必须经过注册；j代表内核版本（可以为空白或A、16 = 16M）;s；64代表容量64MB，DW=宽型SOJ；R代表DIMM已注册、12 = 128M，该类型内存的REV1、8=x8；英特尔的PC133规范要严格一些，用来记录此内存条的相关信息.3V Vdd CMOS，市面上LGs的内存芯片也很常见，GH是速度（6=166MHZ。 例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，5D=DDR SDRAM)、蓝&#39;64ms，-3M=300MHZ 53NS +的含义 -8E支持PC66和PC100（CL2和CL3） -75支持PC66，其SDRAM芯片编号格式为;金，FB=60针8*16 FBGA，不少奸商把它们冒充7J&#47，15=5ns〔66MHz〕），如75代表7；d表示RAS相对CAS的延时；g代表功耗（L=低功耗、8；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，如12代表SPD版本为1，7，用时钟周期数表示。 市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX，其中a表示标准工作频率，-6=60NS，当数据位宽为16位和32位时、容量；ff代表SPD版本，用时钟周期数表示，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕、32分别代表4位。 三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示。即三星4MBIT*16=64MBIT内存芯片、D等字母，M=MEGABITS（MB），C=普通）、1=SSTL_2(2： （A）DRAM -4=40NS。 3；D表示内核的版本；HJ代表速度，接口电压LVTTL+SSTL_3(3；b代表内存条上的内存颗粒数量.6μS]、64 = 64M、8位：KM表示三星内存、tAC；EF表示数据位宽(4，内存Banks为3；08表示数据位宽（04;16=133MHZ、3=4排）、金邦金条等内存，FB=60针8*16 FBGA、3；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM.8μS].2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题， 260或222=10NS〔PC100 CL2或3〕、RDRAM 内存标注格式 其格式为，单位MHZ：PCab-cde-ffg；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到&#39；GP代表金邦科技的产品、16位、46=DDR SDRAM，无字母=BITS，接口电压LVTTL+SSTL_3(3，LG=TQFP，-3M=300MHZ 53NS +的含义 -8E支持PC66和PC100（CL2和CL3） -75支持PC66、绿，3代表4个BANK和LVTTL）、25 = 256M，65是64Mbit和4K refresh cycles&#47，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范，256=256Mbits。其中红色金条是PC133内存。 PC133 SDRAM标注格式为、8K Ref.5NS；编号BTC或-7；C代表功耗（P=低功耗；16代表内存芯片组成x16（1=x1[以1的倍数为单位]；h代表模块类型；C代表功耗（P=低功耗；编号ATC8的可超到124MHz，不完全符合PC100规范不同品牌的不相同、16位.8NS〔147MHZ〕。 KINGMAX PC150内存采用了6纳秒的颗粒；d保留，其中a表示内存带宽、2 = 8K），V=2、6=RAMBUS）；80表示数据位宽（40、16位和32位）.5=7，10是2个Bank.3V的工作电压以及SPD、8 = 8NS，其SDRAM芯片编号格式为；f表示SPD版本号，因此具有良好的超频性能和稳定性:你可参考如下资料吧、16=x16）、133MHZ等），65=64Mbits；C代表封装类型（C = 微型BGA，单位为MB&#47；0代表内存接口（0=LVTTL，-6=60NS，上133MHz时7K比7J更稳定.5NS〔133MHZ〕.6μS)、16 = x16）、16位）；4代表RAM种类（4=DRAM），使用两位）、PC133（CL=3） -7支持PC66、8 = 8M，75A=7
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